JP4743229B2 - 中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法 - Google Patents
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Description
しかし、従来のPECVD装置を用いたlow−k膜の製造方法の場合、プラズマが発する高エネルギーの電子や紫外光(UV光)あるいはフォトンにより、原料ガスのプリカーサ分子が必要以上に分解されてしまう。例えばプリカーサ中のSi−CH3結合からCH3基が、電子やUV光あるいはフォトンの過剰なエネルギーにより離脱したり、基板上に堆積したlow−k膜から有機基が離脱したりし、緻密化が進行する。このように、プラズマによりガスの解離が促進された場合、予定通りの分子構造を有するCVD膜を形成することが出来ない。このため、所望の誘電率や強度を有する膜を形成することが困難であった。
Shin-Ichi Nakao et al. "UV/EB Cure Mechanism for Porous PECVD/SOD Low-k SiCOH Materials", IITC, 2006 IEEE, p. 66-68 Y. Hayashi et al. "Novel Molecular-structure Design for PECVD Porous SiOCH Filmes toward 45nm-node, ASICs with k=2.3", IITC, 2004 IEEE, p. 225-227 N. Tajima et al. "First-principle Molecular Model of PECVD SiOCH Film for the Mechanical and Dielectric Property Investigation", IITC, 2005 IEEE, p. 66-68
上記構成において、中性粒子照射型CVD装置を用いた半導体装置の成膜方法について説明する。
Claims (4)
- 希ガスを励起してプラズマを発生させ、このプラズマ中の荷電粒子に電界を与えて所定のエネルギーを付与するとともに、荷電粒子を中性化して中性粒子を生成し、
前記プラズマから発生した紫外光を遮断した状態で、前記エネルギーが制御された中性粒子を原料ガスに照射し、所定の分子を解離して重合させ、基板上に膜を形成させ、
前記エネルギーは、原料ガスの所定の分子の結合を解離するに必要なエネルギーに設定されていることを特徴とする中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法。 - 前記エネルギーは、多段に変化され、2種以上の積層膜を前記基板上に形成することを特徴とする請求項1記載の中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法。
- 前記基板上に形成される膜は、低誘電率膜であることを特徴とする請求項1記載の中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法。
- 前記低誘電率膜上に別の膜を形成することを特徴とする請求項1記載の中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法。
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