TW201528370A - 用於增加硬度及模數的低ｋ膜之以二氧化碳及一氧化碳介入的固化 - Google Patents

用於增加硬度及模數的低ｋ膜之以二氧化碳及一氧化碳介入的固化 Download PDF

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Abstract

本發明的實施例大體上關於固化含碳/矽低k材料的方法。該等方法大體上包括：將沉積前驅物遞送至該處理區域，該沉積前驅物包括含碳/矽之前驅物；在含氧前驅物的存在下形成遠端電漿；將該活化的含氧前驅物遞送至該沉積前驅物，以於該基板上沉積含碳/矽低k材料；以及在氧化碳氣體之存在下固化該含碳/矽低k材料。

Description

用於增加硬度及模數的低K膜之以二氧化碳及一氧化碳介入的固化
本文描述的實施例大體上關於維持或改善低k材料之機械性質的方法。更詳言之，在此揭露之實施例大體上關於增加膜之硬度與模數(modulus)的方法。
自從半導體元件在數十年前第一次被採用以來，半導體元件的幾何形狀已在尺寸上劇烈減少。從那時起，積體電路已大體上遵循兩年/一半尺寸的定則(通常稱作摩爾定律)，這意味，晶片上所配適的元件之數目會每兩年加倍。今天製造廠商例行地製造具有0.35μm及甚至0.25μm之特徵尺寸的元件，而明天廠商立刻會製造幾何形狀小得多的元件。
為了進一步減少積體電路上元件的尺寸，使用具低電阻率的導電材料與具低k值(介電常數<3)之絕緣體以減少相鄰金屬線間的電容耦合已變得相當有利。不幸的是，相較於氧化矽，低k材料(一般是介電常數低於氧化矽之介電 常數的介電質)顯現根本上較弱的電性質與機械性質(諸如硬度與楊格模數)。進一步而言，低k介電質之替代物一般於各種互連件處理步驟期間易受損壞。低k材料中觀察到的損壞是以介電常數增加及濕氣吸收增加的方式顯現，而可能造成性能與元件可靠性減少。
由於上文觀察到的損壞所致，低k材料的固化對於 不犧牲介電常數而達成期望的熱性質、模數、與硬度而言至關重要。大體上，低k材料在膜中含有明顯的量的自由的碳，這些碳可在固化期間以受控的方式移除。固化製程期間遞送O2經常助於減少固化時間且改善彈性與硬度值。但是，當O2用於UV固化中時，可能原位產生O3。O3可能潛在地與可流動低k膜形成Si-OH鍵且減少k值。
因此，需要維持低k膜之低k值與機械性質二者的 改善的方法。
本發明之實施例大體上關於固化低k材料的方法。一個實施例中，一種固化膜的方法可包括：將氧化碳氣體遞送至處理腔室之處理區域中的基板，該基板上沉積有含碳/矽的低k材料；控制該基板的溫度，使得該基板在攝氏200度至攝氏550度之間；以及遞送UV輻射至處理腔室，以建立固化的含碳/矽低k膜。
另一實施例中，一種形成低k膜的方法可包括：將基板定位在處理腔室之處理區域中；遞送沉積前驅物至該處理區域，該沉積前驅物包括含碳/矽前驅物；在含氧前驅物的 存在下形成遠端電漿，以建立活化含氧前驅物；在該基板的存在下，將該活化含氧前驅物遞送至該沉積前驅物，以在該基板上沉積含碳/矽低k材料；以及在氧化碳氣體的存在下，固化該含碳/矽低k材料。
另一實施例中，一種形成低k膜的方法可包括：將 基板定位在處理腔室之處理區域中；遞送沉積前驅物至該處理區域，該沉積前驅物包括八甲基環四矽氧烷(OMCTS)；在氧(O2)的存在下形成遠端電漿，以建立活化氧；該基板的存在下，將該活化氧遞送至該沉積前驅物，以在該基板上沉積含碳/矽低k膜；遞送固化氣體至該處理腔室，該固化氣體包括二氧化碳或一氧化碳；控制該基板之溫度，使得該基板介於攝氏200度至攝氏550度之間；以及遞送UV輻射至該基板與該固化氣體，以建立固化的含碳/矽低k膜。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧真空泵
106‧‧‧電力供應器
110‧‧‧控制器
112‧‧‧CPU
114‧‧‧支援電路
116‧‧‧記憶體
118‧‧‧訊號匯流排
120‧‧‧噴淋頭
122‧‧‧底壁
126‧‧‧處理區域
128‧‧‧口孔
130‧‧‧氣體控制板
132‧‧‧處理系統
138‧‧‧遠端電漿源
140‧‧‧氣體源
150‧‧‧底座
160‧‧‧心柱
170‧‧‧加熱器元件
172‧‧‧溫度感測器
190‧‧‧基板
192‧‧‧表面
200‧‧‧方法
202-210‧‧‧要件
300‧‧‧方法
302-306‧‧‧要件
藉由參考實施例(一些實施例說明於附圖中)，可獲得於上文中簡要總結的本發明之更特定的說明，而能詳細瞭解上述的本發明之特徵。然而應注意附圖僅說明此發明的典型實施例，因而不應將該等附圖視為限制本發明之範疇，因為本發明可容許其他等效實施例。
第1圖描繪根據一或多個實施例的包括沉積與固化腔室的系統；第2圖是根據一或多個實施例的用於沉積低k材料的方法的方塊圖；以及第3圖是根據一或多個實施例的用於固化低k材料 的方法的方塊圖。
為了助於瞭解，如可能則已使用相同的元件符號指定各圖共通的相同元件。應考量一個實施例的元件與特徵可有利地併入其他實施例而無需進一步記敘。
本發明的實施例大體上關於改善低k介電膜之硬度與楊格模數的方法，該低k介電膜諸如碳摻雜的氧化矽(SiOC)膜。低k介電膜沉積在基板的暴露表面上。一個實施例中，低k介電膜是含碳/矽低k介電膜，諸如含矽氧碳(SiOC)膜。該膜可透過使用兩步驟的遠端電漿沉積(如下文中更詳細所述)而沉積。該低k介電膜隨後可透過使用一氧化碳/二氧化碳介入的固化法而固化，以克服上述之挑戰。下文中，將參閱圖式而更詳細描述本文揭露的實施例。
可用於本發明之實施例或經修飾而與本發明之實施例一併使用的處理腔室在除了其他類型的腔室之外特別可包括高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)腔室、電漿強化化學氣相沉積(PECVD)腔室、次大氣壓化學氣相沉積(SACVD)腔室、與熱化學氣相處理腔室。可實行本發明之實施例的CVD系統的特定範例包括CENTURA ULTIMA® HDP-CVD腔室/系統、與PRODUCER® PECVD腔室/系統，上述腔室/系統可購自美國加州Santa Clara的應用材料公司。沉積系統之實施例可併入更大型的製造系統以生產積體電路晶片。
第1圖描繪根據本文所述之實施例的處理系統132的概略示意圖，該處理系統132可用於沉積可流動的矽碳氮 層。
處理系統132包括處理腔室100，該處理腔室100 耦接氣體控制板130與控制器110。處理腔室100大體上包括界定內部處理區域126的頂部124、側部101與底壁122。支撐底座150設置在腔室100的內部處理區域126中。該底座150由心柱160支撐，且一般可由鋁、陶瓷、與其他適合材料製造。底座150可利用位移機構(圖中未示)在腔室100內側以垂直方向移動。
底座150可包括嵌入的加熱器元件170，該加熱器 元件170適合用於控制基板190之溫度，該基板190支撐在底座150的表面192上。底座150可藉由從電力供應器106施加電流至加熱器元件170而被電阻式加熱。加熱器元件170可由包覆在鎳鐵鉻合金(例如INCOLOY®)鞘管中的鎳鉻線製成。由電力供應器106供應的電流由控制器110調控，以控制加熱器元件170生成的熱，從而將基板190與底座150於膜沉積期間維持於實質上恆定的溫度。所供應的電流可經調整以將底座150之溫度選擇性控制於約攝氏100度至約攝氏700度之間，諸如從約攝氏200度至約攝氏500度。底座150也可包括冷卻器(圖中未示)，該冷卻劑適合降低底座150的表面192上所支撐的基板190的溫度。冷卻器可經調整以選擇性降低底座150的溫度至約攝氏-10度或更低。
溫度感測器172(諸如熱電偶)可嵌在支撐底座150 中，以用習知方式監視底座150之溫度。所測量的溫度由控制器110所用，以控制供應至加熱器元件170的電力，而將 基板維持在期望溫度。
真空泵102耦接形成於腔室100底部中的通口。該 真空泵102用於維持處理腔室100中的期望氣體壓力。真空泵102也從腔室100抽空後處理氣體與製程副產物。
處理系統132可進一步包括額外設備以控制腔室壓 力，例如定位在處理腔室100與真空泵102之間的閥(例如節流閥與隔離閥)，這些閥是為了控制腔室壓力。
具有複數個口孔128的噴淋頭120配置在處理腔室 100的頂部上而位於基板支撐底座150上方。噴淋頭120的口孔128用於將製程氣體引導至腔室100中。口孔128可具有不同的尺寸、數目、分佈、形狀、設計、與直徑，以助於各種製程氣體之流動以用於不同製程需求。噴淋頭120連接氣體控制板130，該氣體控制板130使各種氣體得以在製程期間供應至內部處理區域126。
所示的實施例中，噴淋頭120可分配含有氧、氫、 矽、碳、及/或氮的製程氣體。在多個實施例中，引入處理區域126的製程氣體可含有氧氣(O2)、臭氧(O3)、N2O、NO、NO2、NH3、NxHy(包括N2H4)、甲矽烷(silane)、乙矽烷(disilane)、TSA、DSA、烷基胺、有機矽化合物、碳氫化合物、與上述物質之組合。製程氣體也可包括載氣，諸如氦、氬、氮(N2)等。第二溝道(圖中未示)也可遞送製程氣體及/或載氣，及/或膜固化氣體(例如CO2)，該膜固化氣體用於固化或在機械性質上強化生長或剛沉積的膜。電漿流出物可包括製程氣體的離子化或中性衍生物，且在本文也 可指活化的氧化碳前驅物。
處理腔室100可進一步包括遠端電漿源138。遠端 電漿源138從一或多種氣體產生電漿，所述氣體諸如從第二氣體源140遞送的氣體。遠端電漿源138可從可得的電漿電源產生此技術中已知的電漿，該電漿電源諸如感應式耦合電漿(ICP)、微波電漿(MWP)、或電容式耦合電漿(CCP)。
控制器110包括中央處理單元(CPU)112、記憶體 116、與支援電路114，用於控制製程序列與調控來自氣體控制板130的氣流。CPU 112可以是能用於工業設施中的任何形式的通用電腦處理器。軟體常式可儲存於記憶體116中，該記憶體116諸如隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟、或硬碟、或任何其他形式的數位儲存裝置。支援電路114以習知方式耦接CPU 112，且可包括高速緩衝存儲器、時脈電路、輸入/輸出系統、電力供應器、及類似物。控制器110與處理系統132之各部件之間的雙向通訊是透過數條訊號電纜處理，該等訊號電纜統稱為訊號匯流排118，該等匯流排118中的其中一些繪示於第1圖中。
其他的處理腔室也可受惠於本發明，且上文所列之 參數可根據形成與固化該低k介電膜所用的特殊處理腔室而有所變化。例如，其他處理腔室可具有較大或較小的容積，而所需要的氣體流速比記載用於可購自應用材料公司之處理腔室的氣體流速大或小。
第2圖是根據一或多個實施例用於沉積低k介電材 料的方法200的方塊圖。該方法200開始於將基板定位在處 理腔室(如要件202)。一個實施例中，處理腔室是參考第1圖描述的腔室。另一實施例中，處理腔室是能夠產生遠端電漿以遞送到處理腔室之處理區域的任何腔室，包括經修飾以產生相同效果的腔室。基板可以是用於沉積薄膜的任何基板，諸如矽基板。
一旦基板定位在處理腔室中後，可遞送沉積前驅物 至處理區域(如要件204)。沉積前驅物包括含碳/矽前驅物。 該含碳/矽前驅物可以是有機矽化合物、碳氫化合物、或前述物質之組合。
一個實施例中，該有機矽化合物可具有環狀結構、 線性結構、或富勒烯結構。可使用且具有環狀結構的有機矽化合物的範例包括：八甲基環四矽氧烷(OMCTS)、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、1,2,3,4-四甲基環四矽烷、六乙基環三矽氧烷、六甲基環三矽氧烷、六苯基環三矽氧烷、1,3,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3,5,7,9-五甲基環五矽氧烷、1,3,5,7,9-五乙烯基-1,3,5,7,9-五甲基環五矽氧烷、以及八甲基環四矽氮烷。可使用且具有線性結構的有機矽化合物之範例包括：三甲基矽烷、四甲基矽烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、四乙烯基矽烷、二苯基甲基矽烷、四苯基矽烷、四-n-丙氧基矽烷、二乙氧基甲基矽烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、四甲氧基矽烷(TMOS)、以及1,1,3,3-四甲基二矽氮烷。可使用且具有富勒烯結構(例如，球狀或立方結構)的有機矽化合物之範例包括矽倍半氧烷(silsequioxane)結構，諸如氫-T8-矽倍半氧烷、八甲基-T8- 矽倍半氧烷、八乙烯基-T8-矽倍半氧烷、與八(二甲基矽氧基)-T8-矽倍半氧烷。若使用具有環狀結構或富勒烯結構的有機矽化合物，則該有機矽化合物引入處理腔室中之前可先溶解在溶劑(例如己烷)中。
含碳/矽化合物也可包括碳氫化合物。該碳氫化合物 可具有環狀結構、線性結構、或富勒烯結構。可使用且具有環狀結構的碳氫化合物之類型的範例包括環狀萜烯、環戊烯、環己烯、環己烷、環己二烯、環庚二烯、與含苯基之化合物。例如，可使用α-萜烯(C10H16)(ATP)、1-甲基-4-(1-甲基乙烯基)-環己烯、1-甲基-4-異丙基環己烷、p-異丙甲苯、乙烯基環己烷、二環庚二烯(norbornadiene)、乙酸苯酯、氧化環戊烯(cyclopentene oxide)與上述物質之組合。 可使用且具有線性結構的碳氫化合物之範例包括：乙烯、己烷、丙烯、與1,3-丁二烯。可使用且具有富勒烯結構的碳氫化合物之範例包括：C60、C70、C76、與C78。若使用具有環狀結構或富勒烯結構的碳氫化合物，則該碳氫化合物引入處理腔室中之前可先溶解在溶劑(例如己烷與四氫呋喃)中。
可同時遞送兩種或更多種化合物(諸如兩種或更多 種有機矽化合物)至該沉積腔室。有機矽流速可為約50sccm至約5000sccm。氧化氣體流速可從50sccm至約3000sccm，且碳氫化合物流速可從50sccm到約5000sccm。壓力可維持在0.5Torr至3Torr之間，且溫度在攝氏50度至攝氏100度之間。有效的沉積速率可在2000Å/min至10000Å/min之間。
當使用OMCTS沉積含碳/矽層時，也使用矽烷前驅 物。示範性矽烷前驅物是TMOS。以介於1：2.5至10：1之間的OMCTS對矽烷前驅物的比例組合OMCTS與矽烷前驅物。一個實施例中，含碳/矽前驅物包括TMOS、OMCTS、與載氣。 TMOS可用100sccm至3000sccm的流速遞送。OMCTS可用500sccm至3000sccm之流速遞送。載氣可以是惰氣，諸如氦。此實施例中，氦是以1000sccm至10000sccm之流速遞送。所有的流速是參考300mm之基板而描述。因此，在此實施例中，TMOS是以從0.0011sccm/mm2至0.033sccm/mm2的基板表面積之流速遞送，OMCTS是以從0.0056sccm/mm2至0.033sccm/mm2的基板表面積之流速遞送，且氦是以從0.011sccm/mm2至0.11sccm/mm2的基板表面積之流速遞送。
氧存在於含碳/矽低k介電層中，該層可以是碳摻雜 的氧化矽層。一個實施例中，該含碳/矽低k介電層是包括約10%至約60%的矽、約20%至約30%的氧、及約10%至約60%的碳的碳摻雜氧化矽膜。另一實施例中，該含碳/矽低k介電層是k<3.0的多孔碳摻雜的氧化矽膜。然而，認識到其他類型的低k介電膜可透過使用本文所述的方法沉積。進一步而言，瞭解到本文所述的方法可應用至其他的低k介電膜。
之後，可在含氧前驅物的存在下形成遠端電漿，以 建立活化的含氧前驅物(如要件206)。該含氧前驅物可以是包括一或多個氧原子的物質，諸如至少50原子%的氧的氣體。一個實施例中，該含氧前驅物氣體選自氧氣(O2)、臭氧(O3)、CO、CO2、N2O、NO、NO2、或上述氣體之組合。
當使用O2作為含氧氣體時，O2被遞送至遠端電漿 源。在該遠端電漿源，O2被轉換成電漿或是添加至既存電漿，諸如由惰氣建立的電漿，該電漿將O2轉換成活化O2氣體。 該含氧氣體可用1000sccm至5000sccm之流速遞送。所有流速是參考300mm之基板而描述。因此，在此實施例中，該含氧氣體是以從0.011sccm/mm2至0.056sccm/mm2的基板表面積之流速遞送。
活化的含氧前驅物隨後可在基板的存在下遞送至沉 積前驅物(如要件208)。一個實施例中，遠端電漿源產生的活化O2可遞送至處理腔室的處理區域，無論是以電漿形式或作為電漿淬冷(quench)後的活化氣體。活化的O2隨後與含碳/矽之前驅物(上文所述)在處理腔室的處理區域中混合。 活化的O2與含碳/矽前驅物交互作用，以提供能量而用於將含碳/矽低k材料沉積於基板上。
一旦沉積該含碳/矽低k材料，隨後可在氧化碳氣體 的存在下固化該含碳/矽低k材料(如要件210)。氧化碳氣體是基本上由碳與氧構成的氣體。示範性氣體包括二氧化碳與一氧化碳。UV固化會在下文更清楚地描述。然而，固化可透過紫外線(UV)輻射、微波(MW)輻射、或電子束固化執行。
第3圖是根據一或多個實施例之用於沉積低k介電 材料的方法300的方塊圖。該方法300開始於將氧化碳氣體遞送至處理腔室的處理區域中的基板(如要件302)。如本文所述，該基板在至少一個暴露的表面上沉積有含碳/矽之低k材料。一個實施例中，該含碳/矽低k材料是SiOC材料。另 一實施例中，該含碳/矽低k材料是k值小於3的含碳/矽材料。
可使用與參考第2圖所述的沉積氣體類似的參數遞 送氧化碳氣體。可用100sccm至5000sccm的流速遞送該氧化碳氣體。所有的流速是參考300mm之基板而描述。因此，在這個實施例中，該氧化碳氣體是以從0.0011sccm/mm2至0.056sccm/mm2的基板表面積之流速遞送。固化期間的壓力可維持在100mTorr至3Torr之間。進一步而言，該氧化碳氣體可與一或多種第二氣體遞送，諸如惰氣。
接著，可控制基板的溫度，使得該基板介於攝氏200 度至攝氏550度之間(如在要件304)。相信更高的溫度會減少固化時間。然而，許多在基板上的形成過程對於高溫敏感，這可能損壞元件。適合的正確溫度對於基板上生產的膜與元件而言是特定的。
接著，可在氧化碳氣體的存在下遞送UV輻射至處 理腔室，以建立固化的含碳/矽低k材料(如在要件306)。 在遞送UV輻射的同時，可將一或多種氧化碳氣體遞送至腔室。UV輻射可進一步大體上遞送至腔室或特別遞送至基板，以使氧化碳氣體離子化。離子化的碳與氧分子會作用而移除濕氣與鍵結鬆弛的碳，而不會在含碳/矽低k材料的表面上形成有害的化合物。
相信氧化碳可提供氧固化之優點，而不會有不利的 氫氧化物形成。大體上存在氧化劑，以藉由幫助減少固化時間與改善模數和硬度而助於固化製程。但是，固化製程(諸如UV固化製程)期間有諸如O2的氧化劑存在可原位產生 O3。O3可能潛在地與含碳/矽低k膜形成Si-OH鍵。與O3的反應從而貢獻膜硬度與模數的減少。藉由在固化期間使用CO2與CO，可達成更快且有效的固化。CO2一旦暴露至UV/MW/電子束則可強化含碳/矽低k材料的交聯而不會形成非期望的Si-OH鍵，導致更佳的機械性質同時維持低k值。
本文描述的方法可描述使用氧化碳的低k膜的沉積與固化。藉由沉積含碳/矽低k材料接著使用氧化碳進行後續固化，則過量的碳從膜移除，而提供低k膜且不會有當單獨使用O2時所見的機械性缺陷。因此，以氧化碳固化可提供固化期間使用氧的優點且不會有不利的效應。
雖然前述內容涉及本發明之實施例，但可不背離本發明之基本範疇而設計本發明之其他與進一步之實施例，且本發明之範疇由隨後的申請專利範圍所決定。
200‧‧‧方法
202-210‧‧‧要件

Claims (20)

  1. 一種固化膜的方法，包括下述步驟：將氧化碳氣體遞送至一處理腔室之一處理區域中的一基板，該基板上沉積有一含碳/矽低k材料；控制該基板的溫度，使得該基板介於攝氏200度至攝氏550度之間；以及遞送UV輻射至該處理腔室，以建立一固化的含碳/矽低k膜。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該含碳/矽低k材料介於20Å至50Å之間厚。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該氧化碳氣體包括二氧化碳、一氧化碳、或前述氣體之組合。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該UV輻射是以一功率層級遞送到該基板，該功率層級是最大功率的30%至90%之間。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該可流動的矽碳氮材料藉由一UV固化法固化，該UV固化法使用一UV輻射功率在攝氏300度至攝氏500度之間的溫度執行，該UV輻射功率是最大功率的30%至90%之間。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該含碳/矽低k材料是一 SiOC材料。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該氧化碳氣體是以介於0.0011sccm/mm2至0.033sccm/mm2之間的流速遞送。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該UV輻射遞送至該基板。
  9. 一種形成低k膜的方法，包括下述步驟：將一基板定位在一處理腔室之一處理區域中；將一沉積前驅物遞送至該處理區域，該沉積前驅物包括一含碳/矽前驅物；在一含氧前驅物的存在下形成一遠端電漿，以建立一活化的含氧前驅物；在該基板的存在下，將該活化的含氧前驅物遞送至該沉積前驅物，以在該基板上沉積一含碳/矽低k材料；以及在氧化碳氣體的存在下，固化該含碳/矽低k材料。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該含碳/矽前驅物包括八甲基環四矽氧烷(OMCTS)、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、四甲氧基矽烷(TMOS)、或前述物質之組合。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該遠端電漿是一微波電漿。
  12. 如請求項9所述之方法，其中該含氧前驅物包括氧氣 (O2)。
  13. 如請求項9所述之方法，進一步包括下述步驟：遞送該沉積前驅物、活化該含氧前驅物、將該活化的含氧前驅物遞送至該沉積前驅物以沉積該含碳/矽低k材料、以及固化該含碳/矽低k材料一或多次以達成一期望厚度。
  14. 如請求項9所述之方法，其中在遞送該沉積前驅物前，該處理腔室之溫度帶至介於攝氏50度至攝氏100度之間的溫度。
  15. 如請求項9所述之方法，其中該氧化碳氣體包括二氧化碳、一氧化碳、或前述氣體之組合。
  16. 如請求項9所述之方法，其中該含碳/矽低k材料是藉由一UV輻射固化法所固化。
  17. 如請求項9所述之方法，其中在固化該含碳/矽低k材料之前，該基板被加熱至介於攝氏200度至攝氏550度之間的溫度。
  18. 一種形成低k膜的方法，包括下述步驟：將一基板定位在一處理腔室的一處理區域中；將一沉積前驅物遞送至該處理區域，該沉積前驅物包括 八甲基環四矽氧烷(OMCTS)與四甲氧基矽烷(TMOS)；在氧氣(O2)的存在下形成一遠端電漿，以建立一活化氧；在該基板的存在下，將該活化氧遞送到該沉積前驅物，以在該基板上沉積一含碳/矽低k膜；遞送包括二氧化碳或一氧化碳的一固化氣體至該處理腔室；控制該腔室之溫度，使得該基板介於攝氏200度至攝氏550度之間；以及遞送UV輻射至該基板與該固化氣體，以建立一固化的含碳/矽低k膜。
  19. 如請求項18所述之方法，其中在遞送該沉積前驅物前，該處理腔室之溫度帶至介於攝氏50度至攝氏100度之間的溫度。
  20. 如請求項18所述之方法，其中該UV輻射是以一功率層級遞送到該基板，該功率層級是最大功率的30%至90%之間。
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