KR920007113A - 마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마 처리장치의 제1의 실시예를 도시한 종단면도,
제2도A 및 B는 제1도의 II-II선에 따른 단면도,
제3도는 제1도의 III-III선에 따른 단면도.
Claims (14)
- 플라즈마 처리되는 대상물을 탑재하는 스테이지를 구비한 플라즈마 처리실, 마이크로파 도입창을 거쳐서 상기 처리실에 결합되고, 상기 처리실로 마이크로파를 공급하는 슬롯을 구비한 중공 공진기와 상기 처리실에 마련되어 자계를 형성하는 수단을 포함하며, 상기 처리 대상물 부근에서의 자속 밀도는 0.001T 이하인 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 마이크로파에 의해 생성된 플라즈마의 내벽에서의 손실 및 상기 내벽으로의 확산을 저감하도록 상기 플라즈마 처리실의 내벽 근방에만 저감 영역이 형성되이 있는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 저감 영역은 여러개의 자석에 의한 다극 커스프 자계의 의해 형성되어 있는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 자석은 영구 자석을 구비하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 자석은 코일 자석을 구비하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 다극 커스프 자계의 자극의 위치에서의 자속 밀도를 전자 사이클로트론 공명으로 되도록 설정되어 있는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 또 상기 마이크로파 도입창내에서의 플라즈마의 손실을 억제하도록 상기 플라즈마 처리실과 접촉하는 상기 마이크로파 도입창의 표면과 평행하게 형성된 자계를 포함하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 또 상기 마이크로파 도입창내에서의 플라즈마의손실을 억제하도록 상기 플라즈마 처리실과 접촉하는 상기 마이크로파 도입창의 표면과 평행하게 형성된 자계를 포함하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 스테이지는 도전성 부재로 형성되고 고주파 전압이 인가되는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 여러개의 자석의 각각은 상기 처리실내의 자극의 위치에서의 자속밀도가 0.0875T로 되도록 충분히 높은 잔류 자속밀도를 갖는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 플라즈마 처리되는 대상물을 놓는 스테이지, 처리실을 진공으로 배기하는 수단 및 상기 처리실내로 플라즈마 처리 가스를 도입하는 수단을 구비한 플라즈마 처리실, 상기 처리실로 마이크로파를 방사하는 슬롯을 구비하고 마이크로파 도입창을 거쳐서 상기 처리실에 결합된 중공 공진기와 상기 처리실의 안쪽 및 바깥쪽에 배치되고 상기 처리실의 내벽 근방에만 자계를 형성하는 것에 의해 상기 플라즈마의 상기 내벽에서의 손실 및 상기 내벽으로의 확산을 저감하는 저감수단을 포함하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 저감수단은 상기 처리실의 바깥둘레에 그의 인접하는 극성이 서로 반대로 되도록 배치된 여러개의 자석을 구비하고, 상기 자계는 상기 여러개의 자석에 의해 형성된 다극 커스프자계인 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 스테이지는 도전성 부재로 형성되고 고주파 전압이 인가되는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
- 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 여러개의 자석의 각각은 상기 처리실내의 자극의 위치에서의 자속밀도가 0.0875T로 되도록 충분히 높은 잔류 자속 밀도를 갖는 마이크로파 플라즈마 처리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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