KR920007113A - 마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치 - Google Patents

마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920007113A
KR920007113A KR1019910016848A KR910016848A KR920007113A KR 920007113 A KR920007113 A KR 920007113A KR 1019910016848 A KR1019910016848 A KR 1019910016848A KR 910016848 A KR910016848 A KR 910016848A KR 920007113 A KR920007113 A KR 920007113A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma processing
processing chamber
processing apparatus
microwave
microwave plasma
Prior art date
Application number
KR1019910016848A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940008368B1 (ko
Inventor
가즈히로 오하라
도루 오쯔보
이찌로 사사끼
Original Assignee
가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사구쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쯔또무, 가부시끼가이샤 히다찌세이사구쇼 filed Critical 가나이 쯔또무
Publication of KR920007113A publication Critical patent/KR920007113A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940008368B1 publication Critical patent/KR940008368B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32247Resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266Magnetic control means
    • H01J37/32688Multi-cusp fields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마 처리장치의 제1의 실시예를 도시한 종단면도,
제2도A 및 B는 제1도의 II-II선에 따른 단면도,
제3도는 제1도의 III-III선에 따른 단면도.

Claims (14)

  1. 플라즈마 처리되는 대상물을 탑재하는 스테이지를 구비한 플라즈마 처리실, 마이크로파 도입창을 거쳐서 상기 처리실에 결합되고, 상기 처리실로 마이크로파를 공급하는 슬롯을 구비한 중공 공진기와 상기 처리실에 마련되어 자계를 형성하는 수단을 포함하며, 상기 처리 대상물 부근에서의 자속 밀도는 0.001T 이하인 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 마이크로파에 의해 생성된 플라즈마의 내벽에서의 손실 및 상기 내벽으로의 확산을 저감하도록 상기 플라즈마 처리실의 내벽 근방에만 저감 영역이 형성되이 있는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 저감 영역은 여러개의 자석에 의한 다극 커스프 자계의 의해 형성되어 있는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 자석은 영구 자석을 구비하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  5. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 자석은 코일 자석을 구비하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  6. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 다극 커스프 자계의 자극의 위치에서의 자속 밀도를 전자 사이클로트론 공명으로 되도록 설정되어 있는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  7. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 또 상기 마이크로파 도입창내에서의 플라즈마의 손실을 억제하도록 상기 플라즈마 처리실과 접촉하는 상기 마이크로파 도입창의 표면과 평행하게 형성된 자계를 포함하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  8. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 또 상기 마이크로파 도입창내에서의 플라즈마의손실을 억제하도록 상기 플라즈마 처리실과 접촉하는 상기 마이크로파 도입창의 표면과 평행하게 형성된 자계를 포함하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  9. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 스테이지는 도전성 부재로 형성되고 고주파 전압이 인가되는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  10. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 여러개의 자석의 각각은 상기 처리실내의 자극의 위치에서의 자속밀도가 0.0875T로 되도록 충분히 높은 잔류 자속밀도를 갖는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  11. 플라즈마 처리되는 대상물을 놓는 스테이지, 처리실을 진공으로 배기하는 수단 및 상기 처리실내로 플라즈마 처리 가스를 도입하는 수단을 구비한 플라즈마 처리실, 상기 처리실로 마이크로파를 방사하는 슬롯을 구비하고 마이크로파 도입창을 거쳐서 상기 처리실에 결합된 중공 공진기와 상기 처리실의 안쪽 및 바깥쪽에 배치되고 상기 처리실의 내벽 근방에만 자계를 형성하는 것에 의해 상기 플라즈마의 상기 내벽에서의 손실 및 상기 내벽으로의 확산을 저감하는 저감수단을 포함하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 저감수단은 상기 처리실의 바깥둘레에 그의 인접하는 극성이 서로 반대로 되도록 배치된 여러개의 자석을 구비하고, 상기 자계는 상기 여러개의 자석에 의해 형성된 다극 커스프자계인 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  13. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 스테이지는 도전성 부재로 형성되고 고주파 전압이 인가되는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  14. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 여러개의 자석의 각각은 상기 처리실내의 자극의 위치에서의 자속밀도가 0.0875T로 되도록 충분히 높은 잔류 자속 밀도를 갖는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910016848A 1990-09-28 1991-09-27 마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치 KR940008368B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2256893A JP3020580B2 (ja) 1990-09-28 1990-09-28 マイクロ波プラズマ処理装置
JP90-256893 1990-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920007113A true KR920007113A (ko) 1992-04-28
KR940008368B1 KR940008368B1 (ko) 1994-09-12

Family

ID=17298872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910016848A KR940008368B1 (ko) 1990-09-28 1991-09-27 마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5304277A (ko)
EP (1) EP0477906B1 (ko)
JP (1) JP3020580B2 (ko)
KR (1) KR940008368B1 (ko)
DE (1) DE69123531T2 (ko)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5804033A (en) * 1990-09-26 1998-09-08 Hitachi, Ltd. Microwave plasma processing method and apparatus
JP3020580B2 (ja) * 1990-09-28 2000-03-15 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理装置
JP3042127B2 (ja) * 1991-09-02 2000-05-15 富士電機株式会社 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置
DE69218720T2 (de) * 1991-10-17 1997-07-17 Applied Materials Inc Plasmareaktor
JP2570090B2 (ja) * 1992-10-08 1997-01-08 日本電気株式会社 ドライエッチング装置
DE4239843A1 (de) * 1992-11-27 1994-06-01 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung von Plasma, insbesondere zum Beschichten von Substraten
TW277139B (ko) 1993-09-16 1996-06-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US5518547A (en) * 1993-12-23 1996-05-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for reducing particulates in a plasma tool through steady state flows
JP2921499B2 (ja) * 1996-07-30 1999-07-19 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
WO2000037206A2 (en) * 1998-12-23 2000-06-29 Applied Science And Technology, Inc. Permanent magnet ecr plasma source with integrated multipolar magnetic confinement
JP3430959B2 (ja) * 1999-03-04 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 平面アンテナ部材、これを用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6368988B1 (en) 1999-07-16 2002-04-09 Micron Technology, Inc. Combined gate cap or digit line and spacer deposition using HDP
US6873113B2 (en) 2000-04-13 2005-03-29 Tokyo Electron Limited Stand alone plasma vacuum pump
US6541781B1 (en) * 2000-07-25 2003-04-01 Axcelis Technologies, Inc. Waveguide for microwave excitation of plasma in an ion beam guide
US6729850B2 (en) 2001-10-31 2004-05-04 Tokyo Electron Limited Applied plasma duct system
WO2004092443A1 (ja) * 2003-04-16 2004-10-28 Toyo Seikan Kaisha Ltd. マイクロ波プラズマ処理方法
JP4527431B2 (ja) * 2004-04-08 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7255062B1 (en) * 2004-05-07 2007-08-14 Higman Kumiko I Pseudo surface microwave produced plasma shielding system
US7423144B2 (en) 2004-05-26 2008-09-09 Inotek Pharmaceuticals Corporation Purine Derivatives as adenosine A1 receptor agonists and methods of use thereof
US7400096B1 (en) * 2004-07-19 2008-07-15 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Large area plasma source
US20110076420A1 (en) * 2008-01-30 2011-03-31 Applied Materials, Inc. High efficiency low energy microwave ion/electron source
US7993733B2 (en) 2008-02-20 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Index modified coating on polymer substrate
US20090238998A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Coaxial microwave assisted deposition and etch systems
US20090238993A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Surface preheating treatment of plastics substrate
US8057649B2 (en) * 2008-05-06 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Microwave rotatable sputtering deposition
US8349156B2 (en) * 2008-05-14 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Microwave-assisted rotatable PVD
US20100078315A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Microstrip antenna assisted ipvd
US20100080928A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Tango Systems, Inc. Confining Magnets In Sputtering Chamber
US20100078320A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Microwave plasma containment shield shaping
TW201129713A (en) * 2009-07-09 2011-09-01 Applied Materials Inc Curved microwave plasma line source for coating of three-dimensional substrates
CN102711771B (zh) 2010-01-11 2016-05-18 伊诺泰克制药公司 降低眼压的组合、试剂盒和方法
CN102933593A (zh) 2010-03-26 2013-02-13 伊诺泰克制药公司 使用n6-环戊基腺苷(cpa)、cpa衍生物或其前药降低人眼内压的方法
TWI434624B (zh) * 2010-07-02 2014-04-11 Ind Tech Res Inst 電子迴旋共振磁性模組與電子迴旋共振裝置
US9589772B2 (en) 2011-06-09 2017-03-07 Korea Basic Science Institute Plasma generation source including belt-type magnet and thin film deposition system using this
EA027109B1 (ru) 2012-01-26 2017-06-30 Инотек Фармасьютикалс Корпорейшн Безводные полиморфы [(2r,3s,4r,5r)-5-(6-(циклопентиламино)-9h-пурин-9-ил)-3,4-дигидрокситетрагидрофуран-2-ил]метилнитрата и способы их получения
JP2014112644A (ja) * 2012-11-06 2014-06-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
MX2015013234A (es) 2013-03-15 2016-04-15 Inotek Pharmaceuticals Corp Formulaciones oftalmicas.
US10354841B2 (en) * 2015-04-07 2019-07-16 Tokyo Electron Limited Plasma generation and control using a DC ring
US11037764B2 (en) 2017-05-06 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Modular microwave source with local Lorentz force
US10504699B2 (en) 2018-04-20 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Phased array modular high-frequency source

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5613480A (en) * 1979-07-13 1981-02-09 Hitachi Ltd Dry etching apparatus
JPH0653927B2 (ja) * 1985-07-09 1994-07-20 松下電器産業株式会社 マイクロ波プラズマcvd装置
JPH0654644B2 (ja) * 1985-10-04 1994-07-20 株式会社日立製作所 イオン源
JPS6338585A (ja) * 1986-08-01 1988-02-19 Hitachi Ltd プラズマ装置
DE3750115T2 (de) * 1986-10-20 1995-01-19 Hitachi Ltd Plasmabearbeitungsgerät.
DE3774098D1 (de) * 1986-12-29 1991-11-28 Sumitomo Metal Ind Plasmageraet.
JPH07120648B2 (ja) * 1987-01-12 1995-12-20 日本真空技術株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0616500B2 (ja) * 1987-03-30 1994-03-02 富士電機株式会社 乾式薄膜加工装置
JPH0687440B2 (ja) * 1987-05-11 1994-11-02 松下電器産業株式会社 マイクロ波プラズマ発生方法
KR920002864B1 (ko) * 1987-07-20 1992-04-06 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리방법 및 그 장치
JPH0831443B2 (ja) * 1987-08-10 1996-03-27 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JPH01120826A (ja) * 1987-11-04 1989-05-12 Hitachi Ltd 表面処理方法および表面処理装置
JP2567892B2 (ja) * 1988-01-22 1996-12-25 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JPH0217636A (ja) * 1988-07-06 1990-01-22 Hitachi Ltd ドライエッチング装置
JP2760845B2 (ja) * 1988-07-08 1998-06-04 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びその方法
JPH0281434A (ja) * 1988-09-19 1990-03-22 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2670623B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-29 アネルバ株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP2993675B2 (ja) * 1989-02-08 1999-12-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法及びその装置
US5032202A (en) * 1989-10-03 1991-07-16 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Plasma generating apparatus for large area plasma processing
US5304279A (en) * 1990-08-10 1994-04-19 International Business Machines Corporation Radio frequency induction/multipole plasma processing tool
JP3020580B2 (ja) * 1990-09-28 2000-03-15 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5304277A (en) 1994-04-19
EP0477906A3 (en) 1992-05-06
KR940008368B1 (ko) 1994-09-12
US5762814A (en) 1998-06-09
EP0477906A2 (en) 1992-04-01
EP0477906B1 (en) 1996-12-11
JPH04136177A (ja) 1992-05-11
JP3020580B2 (ja) 2000-03-15
DE69123531T2 (de) 1997-04-03
DE69123531D1 (de) 1997-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920007113A (ko) 마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치
US5133825A (en) Plasma generating apparatus
US4960073A (en) Microwave plasma treatment apparatus
US4842707A (en) Dry process apparatus
US4778561A (en) Electron cyclotron resonance plasma source
KR940010844B1 (ko) 이온 원(源)
US4745337A (en) Method and device for exciting a plasma using microwaves at the electronic cyclotronic resonance
KR890003266A (ko) 플라즈마 처리방법 및 그 장치
GB2069230A (en) Process and apparatus for producing highly charged large ions and an application utilizing this process
US4780642A (en) Electron cyclotron resonance ion source with coaxial injection of electromagnetic waves
KR950005121A (ko) 플라즈마 프로세싱을 위한 rf 유도 플라즈마 소스
RU96105557A (ru) Плазменный ускоритель
KR950016458A (ko) 고주파 마그네트론 플라즈마 장치
WO2000037206A3 (en) Permanent magnet ecr plasma source with integrated multipolar magnetic confinement
US4631438A (en) Multicharged ion source with several electron cyclotron resonance zones
JPS6091600A (ja) 永久磁石とソレノイドによつて作られるイオン源の強磁性体の構造体
KR101654084B1 (ko) Ecr 플라즈마 발생장치
US5196670A (en) Magnetic plasma producing device with adjustable resonance plane
JP3766569B2 (ja) マグネトロンスパッタ装置
JP2561270B2 (ja) プラズマ装置
JP4219925B2 (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPH09259781A (ja) イオン源装置
JP2644203B2 (ja) マイクロ波給電装置並びにこれを使用したプラズマ発生装置
JPH04304630A (ja) マイクロ波プラズマ生成装置
JPH03283246A (ja) イオン源

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19971227

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee