JP3199957B2 - マイクロ波プラズマ処理方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理方法Info
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Description
方法に係り、特にECR放電を用いた処理に好適なマイ
クロ波プラズマ処理方法に関するものである。
例えば、特開昭60ー154620号公報に記載のよう
に、放電管内にソレノイドコイルによる磁場を発生させ
るとともにマイクロ波を導入し、これらの相互作用を用
いて放電管内にプラズマを発生させて試料を処理する際
に、ソレノイドコイルに供給する電流の振幅を変動さ
せ、磁束密度を変化させて、プラズマ密度分布の最大域
を試料の被処理面の中心部と周辺部との間でオッシレー
トさせ、プラズマ分布密度を実質的に均一にし、処理の
均一性を向上させるものが知られていた。
理物のマスク材または下地材との選択比,エッチング残
渣およびメタル配線膜の信頼性向上のための積層膜等に
ついて配慮されていなかった。すなわち、上記従来技術
によるプラズマは、その密度分布が磁場勾配によって被
処理面の中心部または周辺部に移動するというもので、
被処理材が変わる場合のプラズマの最適化に対して配慮
されておらず、被処理物の微細化,積層化に対応して処
理を行うえで、マスク材または下地材との選択比向上お
よびエッチング残渣なし等の処理条件の条件出しが困難
であった。
化に対応して、エッチング処理時の残渣を防止しなが
ら、積層膜のエッチングに対してマスク材および下地材
との選択比を大きくすることのできるマイクロ波プラズ
マ処理方法を提供することにある。
による電界とソレノイドコイルによる磁場との作用によ
って処理ガスをプラズマ化し、プラズマを用いて試料を
処理するマイクロ波プラズマ処理方法において、ソレノ
イドコイルにより形成する磁場を制御して、試料の処理
時に被処理材の膜の種類によって試料の被処理面に対す
る平面状の共鳴領域の平行間隔距離を変え、マイクロ波
による電界とソレノイドコイルによる磁場との作用によ
って発生させるプラスマ位置を変化させることにより、
達成される。
てマイクロ波の電界との共鳴領域を生成して、試料の処
理時に被処理材の膜の種類によって試料の被処理面に対
する平面状の共鳴領域の平行間隔距離を変え、マイクロ
波による電界とソレノイドコイルによる磁場との作用に
よって発生させるプラズマ位置を膜種毎に変化させるこ
とにより、被処理材料とマスク材との選択比を大きくす
ることができる。また、試料のエッチング処理の際は試
料の被処理面に対してプラスマ位置を遠ざけ、試料のエ
ッチング処理時に発生しやすい残渣を防止するととも
に、試料のオーバーエッチングの際は試料の被処理面に
対してプラスマ位置を近付け、試料のオーバーエッチン
グ時に下地材のエッチング速度を抑えた被処理面のエッ
チングを可能にすることができる。
明する。図1は本発明を実施するための装置の一例を示
すマイクロ波プラズマ処理装置であり、例えば、エッチ
ング装置である。本装置は、プラズマ処理室1、プラズ
マ処理室1の上部の開口部に設けた石英製のマイクロ波
導入窓2、マイクロ波発振器(図示省略)より発振され
たマイクロ波をプラズマ処理室1へ導く導波管3、プラ
ズマ処理室1内に磁場を発生させるソレノイドコイル4
a,4b、上面に試料を配置可能な試料台5、プラズマ
処理室1内を真空排気する真空ポンプ6、試料台5にバ
イアス電圧を印加する高周波電源7、及びプラズマ処理
室1へエッチングガスを導入するガス供給管8から構成
される。
波導入窓2部から試料台5方向にテーパ状に拡大された
放電空間が形成されている。また、ソレノイドコイル4
aはプラズマ処理室1より上部に配置し、ソレノイドコ
イル4bはプラズマ処理室1の放電空間に対応させて配
置してある。ソレノイドコイル4aはソレノイドコイル
4bに較べ、外形を同じにし内側に延びた大きなコイル
形状としてあり、強い磁場が発生可能にしてある。この
ソレノイドコイル4aとソレノイドコイル4bとの組合
せにより、放電空間内に発生させる磁場のECR条件と
なる共鳴磁場分布を平面状にすることができる。ソレノ
イドコイル4a,4bは供給される電流がそれぞれに電
力制御装置11によって制御され、この場合、2000
〜1200ガウスの間で制御可能にしてある。なお、プ
ラズマ処理室1の外壁には電熱ヒータ9が周方向に巻き
付けられ、電熱ヒータ9に流す電流は電力調整器10に
よって調整可能となっており、電熱ヒータ9の発熱によ
ってプラズマ処理室1の壁面が加熱される。
イクロ波発振器から発振された、この場合、周波数2.
45GHzのマイクロ波は、導波管3およびマイクロ波
導入窓2を介してプラズマ処理室1内へ供給され、ソレ
ノイドコイル4a,4bによって発生させた強磁場の磁
界との相互作用によって、プラズマ処理室1に導入され
たエッチングガスがECR面を中心に高密度にプラズマ
化される。試料台5に接続された高周波電源7によっ
て、試料台5に配置された試料へのプラズマ中のイオン
の入射エネルギーは、プラズマの生成とは独立に制御さ
れる。電力制御装置11によってソレノイドコイル4
a,4bに流れる電流値を制御し、磁場勾配強度を変化
させることによってプラズマ処理室1内の試料載置面か
らのプラズマ位置を移動させることができる。
れる電流値を制御して、試料載置面からのプラズマの位
置を変化させたときのマスク材,下地材のエッチング速
度及びVpp値(RF電圧のピーク・ツー・ピーク電
圧)の変化の関係を示す。本実験は、酸化膜を下地材と
し、被処理材がAl合金であり、ホトレジストをマスク
材として、エッチングガスとしてBCl3+Cl2を15
0sccm供給し、処理圧力を12mTorrに保持し
て、マイクロ波電力を約1000Wとし、高周波電力を
85Wとして実施した。本実験によると、プラズマの位
置が試料から離れるにしたがい、試料の被処理材料のエ
ッチング速度はあまり変化しないまま、マスク材および
下地材のエッチング速度が速くなっている。また、試料
台に生じるVpp値は、プラズマの位置が試料から離れ
るにしたがい大きくなる、すなわち、バイアス電圧が大
きくなりプラズマ中のイオンの入射エネルギが大きくな
って、エッチング中の残渣が減少する傾向となる。
エッチング時は、残渣の発生しないプラズマの高さ位置
に設定、すなわち、試料載置面からプラズマの位置を遠
ざけ、オーバエッチング時は、対下地材の選択比の高い
プラズマの高さ位置に設定、すなわち、試料載置面から
プラズマの位置を近付けることで、これらを達成するこ
とができる。
合について説明したが、被処理材がAl合金以外の場合
においても処理を行なう被処理材の各材料に対するエッ
チング特性を把握、すなわち、図2に示したような特性
を把握することにより、有効なエッチング条件を見出す
ことができる。
材とし、被処理材がTiN膜またはTiW膜の上にAl
合金膜を積層した積層膜とし、ホトレジストをマスク材
とした試料の場合、例えば、エッチングガスとしてBC
l3+Cl2を用い、Al合金膜のエッチング中はプラズ
マの位置を遠ざけて残渣のないエッチングを行ない、T
iN膜またはTiW膜のエッチング中はプラズマの位置
を近付けてマスク材および下地材との選択比を大きくし
たエッチングを行なう。なお、ここではAl合金膜のエ
ッチング中はプラズマの位置を遠ざけ、TiN膜または
TiW膜のエッチング中はプラズマの位置を近付けるよ
うにしているが、エッチングガスの混合比および圧力等
によってもプラズマ位置の条件が異なるので、このケー
スに限られるものではない。
ル4により形成する磁場を制御してマイクロ波の電界と
の共鳴領域を、試料の膜の種類によって試料の被処理面
に対する平面状の共鳴領域の平行間隔距離を変え、マイ
クロ波による電界とソレノイドコイル4a,4bによる
磁場との作用によって発生させるプラスマ位置を変化さ
せ、試料のエッチング処理の際は試料の膜種毎にプラス
マ位置を変化させ、試料のエッチング処理時に発生しや
すい残渣を防止するとともに、試料のオーバーエッチン
グの際にも被処理面に対してプラスマ位置を変化させ、
試料のオーバーエッチング時に下地材のエッチング速度
を抑えた被処理面のエッチングを可能にすることができ
る。
層化に対応して、各膜種毎にエッチング処理時の残渣を
防止しながら、オーバーエッチング時の下地材との選択
比を大きくすることができるという効果がある。
マイクロ波プラズマエッチング装置を示す縦断面図であ
る。
の高さを変化させたときのエツチング速度と試料台に生
じるVpp値との関係を示した図である。
管、4a,4b…ソレノイドコイル、5…試料台、6…
真空ポンプ、7…高周波電源、8…ガス供給管、9…電
熱ヒータ、10…電力調整器、11…電力制御装置。
Claims (1)
- 【請求項1】ECRプラズマが生成されるプラズマ処理
室内に積層膜が形成された試料を配置し、該試料が配置
される試料台にバイアス電圧を印加し、前記積層膜の膜
種に応じてソレノイドコイルによって磁場勾配強度を制
御し前記プラズマ処理室内で前記ECRプラズマの位置
を変え、前記ECRプラズマと前記試料との距離を変え
て前記試料を処理することを特徴とするプラズマ処理方
法。
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