KR100373971B1 - 마이크로파플라즈마처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 피처리물의 미세화 또는 적층화에 대해서, 에칭처리시의 잔여물을 방지하는 동시에, 적층막의 에칭에 대해서, 마스크재와 하지재의 선택비를 증가시킬 수 있는 마이크로플라즈마처리방법을 제공한다. 플라즈마처리실의 외주부에 설치된 솔레노이드코일들에 의해 자장강도를 변화시켜, 시료의 처리시와 시료의 오버에칭시에, 시료의 피처리물면에 대한 평면상의 공명영역의 평행간극거리를 변화시켜, 마이크로파에 의한 전계와 솔레노이드코일에 의한 자장과의 작용에 의해 발생되는 플라즈마위치를 변화시킨다.

Description

마이크로파플라즈마처리방법
본 발명은 마이크로파플라즈마 처리방법에 관한 것으로, 더 구체적으로는 ECR방전을 이용한 치리에 적절한 마이크로플라즈마 처리방법에 관한 것이다.
일본국 특히 공개공보 제 60-154620호체 개시된 마이크로파플라즈마 처리방법과 같은 종래기술의 마이크로파폭라즈마 처리방법은, 솔레노이드코일에 의해 방전 관내에 자장을 발생시키고, 방전관내로 마이크로파를 도입시켜 자장과 마이크로파의 상호작용에 의해 방전관내에 플라즈마를 생성시키고, 플라즈마로 시료를 처리한다. 플라즈마로 시료를 처리할 때, 이 종래기술의 마이크로파처리방법은 솔레노이드를 통해 흐르는 전류의 크기를 변화시키고 자장내의 자속밀도를 변화시켜서,플라즈마밀도분포내의 최대 플라즈마밀도영역을 시료의 피처리물의 중심부와 주변부 사이에서 오실레이트(oscillate)되게 되어, 플라즈마분포밀도를 실질적으로 균일하게 하며, 처리의 균일성을 향상시킨다.
이 종래기술은, 피처리물의 마스크와 하지재(下地材: underlying layer)의 선택비, 에칭잔여물 및 메탈배선의 신뢰성향상을 위한 적층막 등에 대해서 배려되어있지 않다. 즉, 상기 종래기술에 의한 플라즈마는, 그 밀도분포가 자장의 구배(gradient)이 의해서 피처리면의 중심부 또는 주변부에 이동하는 것으로, 피처리재가 변화하는 경우의 플라즈마의 최적화에 대해서 배려하지 않고, 피처리물의 미세화 또는 적층화에 대응하여 처리를 행함으로써, 마스크와 하지재의 선택비향상 및 에칭잔여물 생성방지 등의 처리조건을 결정하는 것이 곤란한다.
본 발명의 목적은, 피처리물의 미세화 또는 적층화에 대응하여, 에칭처리시의 잔여물을 방지하는 동시에, 적층막의 에칭에 대하여 마스크재와 하지재의 선택비를 증가시킬 수 있는 마이크로파플라즈마처리방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적은, 마이크로파에 의한 전계와 솔레노이드코일에 의한 자장과의 작용에 의해서 처리가스를 플라즈마화시키고, 이 플라즈마를 이용하여 시료를 처리하는 마이크로파플라즈마처리방법에 있어서, 솔레노이드코일에 의해 형성되는 자장을 제어하고, 시료의 처리시에 피처리재의 막의 종류에 따라 시료의 피처리면에 대한 평면상의 공명영역의 평행간극거리를 변화시켜서, 마이크로파에 의한 전계와 솔레노이드에 의한 자장과의 작용에 의해 발생되는 플라즈마위치를 변화시킴으로써, 달성된다.
솔레노이드코일에 의해 형성되는 자장을 제어하여 마이크로파의 전계와의 공명영역을 생생시키고, 시료의 처리시에 피처리재의 막의 종류에 따라 시료의 피처리면에 대한 평면상의 공명영역의 평행간극거리를 변화시켜서, 마이크로파에 의한 전계와 솔레노이드코일에 의한 자장과의 작용에 의해 발생되는 플라크마위치를 막의 종류에 따라 변화시킴으로써, 피처리재료와 마스크재와의 선택비를 증가시킬 수 있다. 또, 시료의 에칭처리시에는 시료의 피처리면에 대하여 플라즈마위치를 멀게하고, 시료의 에칭처리시에 발생하기 쉬운 잔여물을 방지하는 동시에, 시료의 오버 에칭시에는 시료의 피처리면에 대하여 플라즈마위치를 가깝게 하여, 시료의 오버에칭시에 하지재의 에칭속도를 억제한 피처리면의 에칭을 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예를 제 1도 및 제 2도에 의해 설명한다.
제 1도는 본 발명을 실현하기 위한 장치의 일 예를 나타내는 마이크로파플라즈마처리장치이고, 예를 들어, 에칭처리장치이다. 본 장치는, 플라즈마처리실(1)과, 이 플라즈마처리실(1)의 상부 개구부에 설치된 석영제의 마이크로파도입창(2)과, 마이크로파발생기(도시 생략)에 의해 발진된 마이크로파를 플라즈마처리실(1)로 도입하는 도파관(3)과, 플라즈마처리실(1)내에 자장을 발생시키는 솔레노이드코일들(4a, 4b)가, 상면에 시료를 배치가능한 시료대(5)와, 플라즈마처리실(1)내를 진공배기하는 진공펌프(6)와, 시료대(5)에 바이어스전압을 인가하는 고주파전원(7), 및 플라즈마처리실(1)로 에칭가스를 도입하는 가스공급관(8)으로 달성된다.
이 경우, 플라즈마처리실(1)은, 마이크로파도입창(2)부로부터 시료대(5)쪽방향을 향해 방사상으로 넓어지는 방전공간이 형성되어 있다. 또, 솔레노이드코일(4a)은 플라즈마처리실(1)보다 상부에 배치되어 있고, 솔레노이드코일(4b)은 플라즈마처리실(1)의 방전공간에 대응되게 배치되어 있다. 솔레노이드코일(4a)은 솔레노이드코일(4b)과 비교하여, 외형을 동일하게 하고 내측으로 연장한큰 코일형상이기 때문에, 강력한 자장이 발생가능하다. 이 솔레노이드코일(4a)과 솔레노이드코일(4b)와의 조합에 의해, 방전공간내에 발생되는 자장의 ECR조건으로 되는 공명자장분포를 평면상으로 할 수 있다. 솔레노이드코일들(4a, 4b)은 공급되는 전류가 각각 전력제어장치(11)에 의해 제어되고, 이 경우, 2000∼1200가우스 사이에서 제어가능하게 되어 있다. 또, 플라즈마처리실(1)의 외벽에는 전열히터(9)가 원주방향으로 권선되고, 전열히터(9)로 흐르는 전류는 전력조정기(10)에 의해서 조정가능하게 되어 있고, 전열히터(9)의 발열에 의해 플라즈마처리실(1)의 벽면이 가열된다.
상기의 형태로 구성된 장치에 있어서, 마이크로파발진기로부터 발진된, 이 경우, 주파수 2.45GHz의 마이크로파는, 도파관(3) 및 마이크로파도입창(2)을 거쳐서 플라즈마처리실(1)내로 공급되고, 플라즈마처리실(1)로 도입된 에칭가스가 ECR면을 중심으로 하여 고밀도로 플라즈마화된다. 시료대(5)에 접속된 고주파전원(7)에 의해서, 시료대(5)에 배치된 시료로의 플라즈마이온의 입사에너지는, 플라즈마의 생성과는 독립직으로 제어된다. 전력제어장치(11)에 의해서 솔레노이드코일들(4a, 4b)로 흐르는 전류치를 제어하고, 자장구배강도를 변화시킴으로써 플라즈마처리실(1)내의 시료위치면으로부터의 플라즈마위치를 이동시킬 수있다.
제 2도에서, 솔레노이드코일들(4a, 4b)로 흐르는 전류치를 제어하여, 시료위치면으로부터의 플라즈마의 위치를 변화시킨 경우의 마스크재, 하지재의 에칭속도 및 Vpp치(RF전압의 피크-투-피크전압)의 변화의 관계를 나타낸다. 이 실험은, 산화막을 하지재로 하고, 피처리재가 Al합금이며, 포터레지스터를 마스크재로 하고, 에칭가스로서 BCl3+ Cl2를 150sccm공급하고, 처리압력을 12mTorr로 유지하여, 마이크로파전력을 약 1000w로 하며, 고주파압력을 85W로 하여 실시하였다. 이 실험에 의하면, 플라즈마의 위치가 시료로부터 멀어짐에 따라, 시료의 피처리재료의 에칭 속도는 그다지 변화하지 않은 채로, 마스크재 및 하지재의 에칭속도가 빠르게 된다. 또, 시료대에서 생성되는 Vpp치는, 플라즈마의 위치가 시료로부터 멀어짐에 따라 크게 되고, 즉, 바이어스전압이 크게 되어 플라즈마 이온의 입사에너지가 크게 되고, 애칭의 잔여물이 감소하는 경향으로 된다.
피처리재가 Al합금인 경우, Al합금의 에칭시는, 잔여물이 발생하지 않는 플라즈마의 높이위치로 설정하고, 즉, 시료위치면으로부터의 플라즈마높이를 작게 하여, 오버에칭시에는, 대 하지재의 선택비가 높은 플라즈마의 높이위치고 설정하며, 즉, 시료위치면으로부터의 플라즈마높이를 높게 함으로서, 이를 달성할 수 있다.
상기한 설명은 피처리재가 Al합금인 경우에 대해서 설명하였지만, 피처리재가 Al합급 이리의 경우에 대해서도 처리를 행하는 피처리재의 각 재료에 대한 에칭특성을 파악, 즉, 제 2도에 나타낸 바와 같은 특성을 파악함으포써 효과적인 에칭조건을 찾아낼 수 있다.
또, 피처리재가 산화막(SiO2)를 하지재로 하고, 피처리재가 TiN막 또는 TiW막상에 Al합금막을 적층한 적층막으로 하며, 포터레지서터를 마스크재로 한 시료의 경우, 예를 들어, 에칭가스로서 BCl3+ Cl2를 이용하고, Al합금막의 에칭은 플라즈마의 위치를 가깝게 하여 잔여물이 없는 에칭을 행하며, TiN막 또는 TiW막의 에칭은 플라즈마의 위치를 멀게 하여 마스크재와 하지재와의 선택비를 크게 한 에칭을 행한다. 또, 여기서는 Al합금막의 에칭에 플라즈마의 위치를 가깝게 하고, TiN막 또는 TiW막의 에칭에 플라즈마의 위치를 멀게 하지만, 에칭가스의 혼합비 및 압력등에 의해서도 플라즈마위치의 조건이 다르기 때문에, 이 경우에 제한하는 것이 없다.
이상, 본 실시예에 따르면, 솔레노이드코일(4)에 의해 형성하는 자장을 제어하여 마이크로파의 전계와 공명영역을, 시료의 막의 종류에 따라 시료의 피처리면에 대한 평면상의 공명영역의 평행간극거리를 변화시키고, 마이크로파에 의한 전제와 솔레노이드코일들(42, 4b)에 의한 자장과의 작용에 의해서 발생되는 플라즈마위치를 변화시키며, 시료의 에칭처리시에는 시료의 막 종류마다 플라즈마위치를 변화시키고, 시료의 에칭처리시에 발생하기 쉬운 잔여물을 방지함으로써 시료의 오버에칭시에도 피처리면에 대하여 플라즈마위치를 변화시키며, 시료의 오버에칭시에 하지재의 에칭속도를 억제한 피처리면의 에칭을 가능하게 할 수 있다.
또, 본 일 실시예에서는 솔레노이드코일에 의한 자장을 제어하여 플라즈마위치를 변화시시키도록 하지만, 시료대를 이동시켜 플라즈마와의 간극을 변화시키도록 하는 것도 동일한 효과가 있다.
본 발명에 따르면, 피처리물의 미세화 또는 적층화에 대응하여, 각 막의 종류마다 에칭처리시의 잔여물을 방지하기 때문에, 오버에칭시의 하지재의 선택비를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
제 1도는 바람직한 실시예로서 마이크로파플라즈마처리방법을 수행하기 위한 마이크로파플라즈마에칭장치의 개략단면도,
제 2도는 에칭속도와 시료대의 상부면으로부터의 플라즈마의 높이 사이의 관계와 스테이지에 가해진 전압의 피크-투-피크(peak-to-peak)전압 Vpp와 플라즈마의 높이 사이의 관계를 나타내는 그래프.

Claims (37)

  1. 처리가스상에 고밀도 플라즈마를 생성시키는 단계;
    스테이지에 접속된 고주파전원에 의하여 상기 스테이지상에 탑재된 피처리물(wprkpiece)상에 떨어지는 상기 고밀도 플라즈마의 이온의 에너지를 제어하는 단계;
    동일한 플라즈마 처리실에서 플라즈마로 처리될 금속층을 포함하는 서로 다른 유형(type)의 막이 제공된 적층막을 갖는 피처리물을 처리하는 단계;및
    상기 피처리물의 처리시, 처리되는 피처리물의 막의 유형에 따라 상기 고밀도 플라즈마와 처리될 피처리물의 표면사이의 거리를 변화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 서로 다른 유형의 막은 동일한 처리가스로 처리되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 적층막은 TiN 막 또는 TiW 막 위에 제공된 Al 합금막을 포함하고, 상기 피처리물의 처리시, 피처리물의 표면과 상기 고밀도 플라즈마 사이의 거리는 Al 합금막을 처리할 때 감소되고 TiN 또는 TiW 막을 처리할 때는 증가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  4. 제 1항의 방법의 의해 처리된 피처리물.
  5. 제 3항의 방법에 의해 처리된 피처리물.
  6. 제 3항의 방법에 의해 처리된 피처리물.
  7. 기판, 상기 기판위에 제공된 패턴화된 TiN 또는 TiW 막 및 상기 패턴화된 TiN 또는 TiW 막 위에 제공된 패턴화된 Al 합금막을 포함하고, 제 3항의 방법에 의해 처리되는 피처리물.
  8. 처리가스에 ECR 플라즈마를 생성시키는 단계;
    스테이지에 접속된 고주파전원에 의하여 상기 스테이지상에 탑재된 피처리물상에 떨어지는 상기 ECR 플라즈마의 이온의 에너지를 제어하는 단계;
    동일한 플라즈마 처리실에서 플라즈마로 처리될 금속층을 포함하는 서로 다른 유형의 막이 제공된 적층막을 갖는 피치리물을 처리하는 단계; 및
    상기 피처리물의 처리시, 처리되는 피처리물의 막의 유형에 따라 상기 ECR 플라즈마와 처리될 피처리물의 표면 사이의 거리를 변화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  9. 플라즈마 처리실내의 처리가스에 전계와 자계의 작용을 가함으로써 플라즈마를 생성시키는 단계;
    스테이지에 접속된 고주파전원에 의하여 상기 스테이지상에 탑재된 피처리물상에 떨어지는 상기 플라즈마의 이온의 에너지를 제어하는 단계;
    플라즈마 처리실에서 플라즈마로 에칭될 서로 다른 재료의 복수의 대상물막을 포함하는 적층막을 가지며, 스테이지상에 탑재되는 피처리물을 처리하는 단계; 및
    상기 피처리물의 처리시, 플라즈마 처리실에 대한 스테이지의 위치를 변화시키지 않고 처리되는 피처리물의 대상물의 유형에 따라 상기 전계 및 상기 자계의 작용을 가함으로써 생성된 상기 플라즈마의 처리될 피처리물의 표면 사이의 거리를 변화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  10. 플라즈마처리실내의 처리가스상에 마이크로파에 의해 생성된 전계와 솔레노이드에 의해 생성된 자계의 작용을 가함으로써 플라즈마를 생성시키는 단계;
    플라즈마처리실내에서 플라즈마로 에칭될 서로 다른 재료의 복수의 대상물막을 포함하는 적층막을 가지며, 스테이지상에 탑재되는 피처리물을 처리하는 단계; 및
    상기 피처리물의 처리시, 마이크로파에 의해 생성된 전계와 솔레노이드에 의해 생성된 자계의 작용에 의해 생성된 플라즈마의 위치가 에칭되는 대상물막에 따라 변화하도록, 플라즈마처리실에 대한 스테이지의 위치를 변경하지 않고 에칭되는 피처리물의 대상물막의 유형에 따라 상기 자계 및 상기 마이크로파의 상호작용에 의해 생성된 공명영역과 처리될 피처리물의 표면사이의 거리를 변화시키기 위하여 솔레노이드에 의해 생성된 자계를 제어하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 자계는 편평한 공명자계분포를 갖도록 서로 다른 강도의 자계를 발생시키는 한 쌍의 솔레노이드에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 자계는 상기 솔레노이드에 공급되는 전류를 제어함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 전류는 자계의 자속밀도가 2000 내지 1200 G의 범위에 있도록 제어되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  14. 제 10에 있어서,
    상기 적층막은 하지재상에 제공되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 하지재는 SiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 적층막은 TiN 또는 TiW 막 위에 제공된 Al 합금막을 포함하고, 상기 처리가스는 에칭가스를 함유하는 염소이고, 상기 피처리물의 상기 표면과 상기 플라즈마의 위치 사이의 거리는 상기 Al 합금막을 에칭할 때보다 상기 TiN 또는 TiW 막을 에칭할 때 더 작은 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  17. 플라즈마처리실내의 처리가스상에 마이크로파에 의해 생성된 전계와 솔레노이드에 의해 생성된 자계의 작용을 가함으로써 플라즈마를 생성시키는 단계;
    플라즈마처리실내에서 플라즈마로 에칭될 서로 다른 재료의 복수의 대상물막을 포함하는 적층막이 제공된 피처리물을 처리하는 단계; 및
    상기 피처리물의 처리시, 마이크로파에 의해 생성된 전계와 솔레노이드에 의해 생성된 자계의 작용에 의해 생성된 플라즈마의 위치가 에칭되는 대상물막에 따라 변화하도록, 에칭되는 피처리물의 대상물막의 유형에 따라 상기 자계 및 상기 마이크로파의 상호작용에 의해 생성된 공명영역과 처리될 피처리물의 표면사이의 거리를 변화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라크마 처리방법.
  18. 제 17항애 있어서,
    상기 표면과 상기 공명영역 사이의 거리의 변화는 솔레노이드에 의해 생성된 자계를 제어함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 자계는 편평한 공명자계분포를 갖도록 서로 다른 강도의 자계를 발생시키는 한 쌍의 솔레노이드에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 자계는 상기 솔레노이드에 공급되는 전류를 제어함으로씨 제어되는 것을 특징으로로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 전류는 자계의 자속밀도가 2000 내지 1200 G의 범위에 있도록 제어되는것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  22. 제 18항에 있어서,
    상기 표면과 상기 공명영역 사이의 거리의 상기 변화는 처리되는 막에 따라 피처리물이 탑재되는 스테이지의 높이를 조정함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  23. 제 17항에 있어서
    상기 표면과 상기 공명영역 사이의 거리의 상기 변화는 처리되는 대상물막에따라 피처리물씨 탑재되는 스테이지의 높이를 조정함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  24. 제 17항에 있어서,
    상기 적층막은 하지재상에 제공되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 하지재는 SiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 적층막은 TiN 또는 TiW 막 위에 제공된 Al 합금막을 포함하고, 상기 처리가스는 에칭가스를 함유하는 염소이고, 상기 피처리물의 상기 표면과 상기 플라즈마의 위치 사이의 거리는 상기 Al 합금막을 에칭할 때보다 상기 TiN 또는 TiW 막을 에칭할 때 더 작은 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  27. 플라즈마처리실내의 처리가스상에 마이크로파에 의해 생성된 전계와 솔레노이드에 의해 생성된 자계의 작용을 가함으로써 플라즈마를 생성시키는 단계;
    플라즈마처리실내에서 플라즈마로 스테이지상에 탑재된 피처리물을 에칭하는 단계;
    플라즈마처리실에 대한 스테이지의 위치를 변경시키지 않고, 상기 자계 및 상기 마이크로파의 상호작용에 의해 생성된 공명영역과 피처리물의 표면사이의 거리를 변화시키는 단계; 및
    상기 피처리물을 오버에칭시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  28. 제 27항에 있어서,
    상기 표면과 상기 공명영역 사이의 거리의 상기 변화는 솔레노이드에 의해 생성된 자계를 제어함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  29. 제 28항에 있어서,
    상기 자계는 편평한 공명자계분포를 갖도록 서로 다른 강도의 자계를 발생시키는 한 쌍의 솔레노이드에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  30. 제 29항에 있어서,
    상기 자계는 상기 솔레노이드에 공급되는 전류를 제어함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  31. 제 30항에 있어서,
    상기 전류는 자계의 자속밀도가 2000 내지 1200 G의 범위에 있도록 제어되는것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  32. 플라즈마처리실내의 처리가스상에 마이크로파에 의해 생성된 전계와 솔레노이드에 의해 생성된 자계의 작용을 가함으로써 플라즈마를 생성시키는 단계;
    플라즈마처리실내에서 플라즈마로 스테이지상에 탑재된 피처리물을 에칭하는 단계;
    피처리물의 표면과 상기 자계 및 상기 마이크로파의 상호작용에 의해 생성된공명영역 사이의 거리를 감소시키는 단계; 및
    상기 피처리물을 오버에칭시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  33. 제 32항에 있어서,
    상기 표면과 상기 공명영역 사이의 거리의 상기 변화는 솔레노이드에 의해 생성된 자계를 제어함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  34. 제 33항에 있어서,
    상기 자계는 편평한 공명자계분포를 갖도록 서로 다른 강도의 자계를 발생시키는 한 쌍의 솔레노이드에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  35. 제 34항에 있어서,
    상기 자계는 상기 솔레노이드에 공급되는 전류를 제어함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  36. 제 35항에 있어서,
    상기 전류는 자제의 자속밀도가 2000 내지 1200 G의 범위에 있도록 제어되는것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  37. 제 32항에 있어서,
    상기 표면과 상기 공명영역 사이의 거리의 상기 변화는 처리되는 막에 따라 피처리물이 탑재되는 스테이지의 높이를 조정함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
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