JPH05136089A - マイクロ波プラズマエツチング装置及びエツチング方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマエツチング装置及びエツチング方法Info
- Publication number
- JPH05136089A JPH05136089A JP3046331A JP4633191A JPH05136089A JP H05136089 A JPH05136089 A JP H05136089A JP 3046331 A JP3046331 A JP 3046331A JP 4633191 A JP4633191 A JP 4633191A JP H05136089 A JPH05136089 A JP H05136089A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】放電管内の広い範囲に高密度プラズマを発生さ
せ、これを用いてエッチングする方法又はエッチングの
時間的変化に対応した磁場分布の最適制御を行うエッチ
ング方法及びこれを行う装置を提供すること。 【構成】ガスにマイクロ波を印加してガスプラズマを生
成させ、さらにガスプラズマ内に磁場を発生させ、印加
したマイクロ波と発生させた磁場によって電子サイクロ
トロン共鳴が生ずる位置と試料との距離を変化させ、ガ
スプラズマを試料に照射し、試料をエッチングする方法
及びこの方法を行う装置。
せ、これを用いてエッチングする方法又はエッチングの
時間的変化に対応した磁場分布の最適制御を行うエッチ
ング方法及びこれを行う装置を提供すること。 【構成】ガスにマイクロ波を印加してガスプラズマを生
成させ、さらにガスプラズマ内に磁場を発生させ、印加
したマイクロ波と発生させた磁場によって電子サイクロ
トロン共鳴が生ずる位置と試料との距離を変化させ、ガ
スプラズマを試料に照射し、試料をエッチングする方法
及びこの方法を行う装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス放電により発生し
たプラズマを用いて、半導体基板等の表面をエッチング
するプラズマ処理装置並びにこのようなプラズマを用い
るエッチング方法に関する。
たプラズマを用いて、半導体基板等の表面をエッチング
するプラズマ処理装置並びにこのようなプラズマを用い
るエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波プラズマエッチング装
置は、マグネトロンで励起されたマイクロ波が導波管を
通って放電室に導入され、プラズマが励起される。ま
た、いわゆる有磁場型又は電子サイクロトロン共鳴（El
ectron Cyclotron Resonance；ＥＣＲ）型とよばれる装
置は、例えば、特開平２−１３７２２３に記載されてい
るように、該放電室の外側に、環状のソレノイドコイル
が配置され、これによって放電室内に磁場が形成され
る。このソレノイドコイルは一般的には、多段コイルが
配置され、各コイルにより発生する磁場を変えて磁場分
布を制御する。典型的には、放電管の上部からウェハに
向かって、次第に小さくなるような磁界を分布を作り、
すなわち、上部コイルの磁場を強くし、下部コイルの磁
場を弱くして、イオンが放電管上部からウェハに向かう
流れを形成する。また、マイクロ波には、通常２．４５
ＧＨｚが用いられ、これとＥＣＲを起こす８７５ガウス
の磁場（ＥＣＲ条件）が放電管の中に形成されるような
磁場分布を作る。ＥＣＲ条件を満たすプラズマ中では、
電子が高速に加速され、螺旋運動しながら移動するた
め、放電管内に高密度のプラズマが発生する。
置は、マグネトロンで励起されたマイクロ波が導波管を
通って放電室に導入され、プラズマが励起される。ま
た、いわゆる有磁場型又は電子サイクロトロン共鳴（El
ectron Cyclotron Resonance；ＥＣＲ）型とよばれる装
置は、例えば、特開平２−１３７２２３に記載されてい
るように、該放電室の外側に、環状のソレノイドコイル
が配置され、これによって放電室内に磁場が形成され
る。このソレノイドコイルは一般的には、多段コイルが
配置され、各コイルにより発生する磁場を変えて磁場分
布を制御する。典型的には、放電管の上部からウェハに
向かって、次第に小さくなるような磁界を分布を作り、
すなわち、上部コイルの磁場を強くし、下部コイルの磁
場を弱くして、イオンが放電管上部からウェハに向かう
流れを形成する。また、マイクロ波には、通常２．４５
ＧＨｚが用いられ、これとＥＣＲを起こす８７５ガウス
の磁場（ＥＣＲ条件）が放電管の中に形成されるような
磁場分布を作る。ＥＣＲ条件を満たすプラズマ中では、
電子が高速に加速され、螺旋運動しながら移動するた
め、放電管内に高密度のプラズマが発生する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、ソレ
ノイドコイルに直流電圧が印加され、電圧が時間的に変
化しないので、放電中は分布の変化しない静磁場がプラ
ズマ内に形成され、上記ＥＣＲ条件を満たす領域は極め
て限られた範囲にしか存在せず、高密度プラズマの得ら
れる範囲も限られているという問題があった。
ノイドコイルに直流電圧が印加され、電圧が時間的に変
化しないので、放電中は分布の変化しない静磁場がプラ
ズマ内に形成され、上記ＥＣＲ条件を満たす領域は極め
て限られた範囲にしか存在せず、高密度プラズマの得ら
れる範囲も限られているという問題があった。
【０００４】また、エッチング特性は、磁場分布に大き
く影響を受けるが、上記従来技術はエッチングの時間的
変化に対応した磁場分布の最適制御を行うことが出来な
いという問題があった。
く影響を受けるが、上記従来技術はエッチングの時間的
変化に対応した磁場分布の最適制御を行うことが出来な
いという問題があった。
【０００５】本発明の第１の目的は、放電管内の広い範
囲に高密度プラズマが得られるマイクロ波プラズマエッ
チング装置を提供することにある。本発明の第２の目的
は、エッチングの時間的変化に対応した磁場分布の最適
制御を行うことが出来るエッチング方法を提供すること
にある。本発明の第３の目的は、放電管内の広い範囲に
高密度プラズマを発生させてエッチングを行うエッチン
グ方法を提供することにある。
囲に高密度プラズマが得られるマイクロ波プラズマエッ
チング装置を提供することにある。本発明の第２の目的
は、エッチングの時間的変化に対応した磁場分布の最適
制御を行うことが出来るエッチング方法を提供すること
にある。本発明の第３の目的は、放電管内の広い範囲に
高密度プラズマを発生させてエッチングを行うエッチン
グ方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、
（１）真空処理室と、該真空処理室内にエッチングガス
を導入するためのガス導入手段と、該真空処理室内にガ
スプラズマを発生させるためにマイクロ波を導入する手
段と、該ガスプラズマ内に磁場を発生させるための磁場
発生手段と、該真空処理室内に試料を設置するための試
料台とを有するマイクロ波プラズマエッチング装置にお
いて、該ガスプラズマ内の磁場分布を時間的に変化させ
るための制御手段を有することを特徴とするマイクロ波
プラズマエッチング装置、（２）上記１記載のマイクロ
波プラズマエッチング装置において、上記磁場発生手段
は多段ソレノイドコイルであり、上記制御手段は該多段
ソレノイドコイルに供給する電流値を変化させる手段で
あることを特徴とするマイクロ波プラズマエッチング装
置、（３）上記１又は２記載のマイクロ波プラズマエッ
チング装置において、上記マイクロ波は、その周波数が
２．４５ＧＨｚであることを特徴とするマイクロ波プラ
ズマエッチング装置、（４）上記１、２又は３記載のマ
イクロ波プラズマエッチング装置において、上記制御手
段は、上記印加したマイクロ波と上記発生させた磁場に
よって電子サイクロトロン共鳴が生ずる位置と試料との
距離が時間的に変化するように制御する手段であること
を特徴とするマイクロ波プラズマエッチング装置によっ
て達成される。
（１）真空処理室と、該真空処理室内にエッチングガス
を導入するためのガス導入手段と、該真空処理室内にガ
スプラズマを発生させるためにマイクロ波を導入する手
段と、該ガスプラズマ内に磁場を発生させるための磁場
発生手段と、該真空処理室内に試料を設置するための試
料台とを有するマイクロ波プラズマエッチング装置にお
いて、該ガスプラズマ内の磁場分布を時間的に変化させ
るための制御手段を有することを特徴とするマイクロ波
プラズマエッチング装置、（２）上記１記載のマイクロ
波プラズマエッチング装置において、上記磁場発生手段
は多段ソレノイドコイルであり、上記制御手段は該多段
ソレノイドコイルに供給する電流値を変化させる手段で
あることを特徴とするマイクロ波プラズマエッチング装
置、（３）上記１又は２記載のマイクロ波プラズマエッ
チング装置において、上記マイクロ波は、その周波数が
２．４５ＧＨｚであることを特徴とするマイクロ波プラ
ズマエッチング装置、（４）上記１、２又は３記載のマ
イクロ波プラズマエッチング装置において、上記制御手
段は、上記印加したマイクロ波と上記発生させた磁場に
よって電子サイクロトロン共鳴が生ずる位置と試料との
距離が時間的に変化するように制御する手段であること
を特徴とするマイクロ波プラズマエッチング装置によっ
て達成される。
【０００７】上記第２の目的は、（５）エッチングガス
にマイクロ波を印加してガスプラズマを生成させ、さら
にガスプラズマ内に磁場を発生させ、ガスプラズマを試
料に照射し、試料をエッチングするエッチング方法にお
いて、ガスプラズマによるイオン性エッチングとラジカ
ル性エッチングとの比率を照射中の所望の時間に変化さ
せて試料をエッチングすることを特徴とするエッチング
方法、（６）上記５記載のエッチング方法において、上
記イオン性エッチングとラジカル性エッチングとの比率
の変化は、上記印加したマイクロ波と上記発生させた磁
場によって電子サイクロトロン共鳴が生ずる位置と上記
試料との距離を変えることにより生ずることを特徴とす
るエッチング方法によって達成される。
にマイクロ波を印加してガスプラズマを生成させ、さら
にガスプラズマ内に磁場を発生させ、ガスプラズマを試
料に照射し、試料をエッチングするエッチング方法にお
いて、ガスプラズマによるイオン性エッチングとラジカ
ル性エッチングとの比率を照射中の所望の時間に変化さ
せて試料をエッチングすることを特徴とするエッチング
方法、（６）上記５記載のエッチング方法において、上
記イオン性エッチングとラジカル性エッチングとの比率
の変化は、上記印加したマイクロ波と上記発生させた磁
場によって電子サイクロトロン共鳴が生ずる位置と上記
試料との距離を変えることにより生ずることを特徴とす
るエッチング方法によって達成される。
【０００８】上記第３の目的は、（７）エッチングガス
にマイクロ波を印加してガスプラズマを生成させ、さら
にガスプラズマ内に磁場を発生させ、ガスプラズマを試
料に照射し、試料をエッチングするエッチング方法にお
いて、印加したマイクロ波と発生させた磁場によって電
子サイクロトロン共鳴が生ずる位置と試料との距離を変
化させ、ガスプラズマの密度を高くして試料をエッチン
グすることを特徴とするエッチング方法によって達成さ
れる。
にマイクロ波を印加してガスプラズマを生成させ、さら
にガスプラズマ内に磁場を発生させ、ガスプラズマを試
料に照射し、試料をエッチングするエッチング方法にお
いて、印加したマイクロ波と発生させた磁場によって電
子サイクロトロン共鳴が生ずる位置と試料との距離を変
化させ、ガスプラズマの密度を高くして試料をエッチン
グすることを特徴とするエッチング方法によって達成さ
れる。
【０００９】
【作用】本発明を用いれば、ソレノイドコイルによりプ
ラズマ内に形成する磁場強度及び分布をプラズマ放電中
に時間的に変化できるので、ＥＣＲ条件を満たすプラズ
マ密度の最も高い領域を、放電管の内部で移動させるこ
とができる。すなわち、プラズマ内全域にＥＣＲ条件を
満たす位置をスキャンさせることができ、ＥＣＲ条件を
満たす位置を固定した場合よりも、プラズマ密度を高く
できる。
ラズマ内に形成する磁場強度及び分布をプラズマ放電中
に時間的に変化できるので、ＥＣＲ条件を満たすプラズ
マ密度の最も高い領域を、放電管の内部で移動させるこ
とができる。すなわち、プラズマ内全域にＥＣＲ条件を
満たす位置をスキャンさせることができ、ＥＣＲ条件を
満たす位置を固定した場合よりも、プラズマ密度を高く
できる。
【００１０】また、ＥＣＲ条件を満たす位置とウェハと
の距離によって、エッチング特性が変化することが分か
っている。ＥＣＲ条件を満たす位置がウェハに近い場合
には、イオン性の強いエッチング特性になる。ＥＣＲ条
件を満たす位置がウェハから遠い場合には、イオン性が
弱く、ラジカル性の強いエッチングになる。このような
効果を利用して、エッチング最中に、磁場制御のみによ
りエッチング特性を変化させることができる。
の距離によって、エッチング特性が変化することが分か
っている。ＥＣＲ条件を満たす位置がウェハに近い場合
には、イオン性の強いエッチング特性になる。ＥＣＲ条
件を満たす位置がウェハから遠い場合には、イオン性が
弱く、ラジカル性の強いエッチングになる。このような
効果を利用して、エッチング最中に、磁場制御のみによ
りエッチング特性を変化させることができる。
【００１１】
【実施例】〈実施例１〉以下、本発明の一実施例を添付
図面に基づいて説明する。図１は、本発明の有磁場マイ
クロ波プラズマエッチング装置の概略図である。マグネ
トロン４で励起された２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、
導波管５を通って、石英放電管１６に至る。ガス開閉制
御系６から導入されたエッチングガスが放電管内で、マ
イクロ波により励起され、プラズマ１になる。そのプラ
ズマに、試料台７上に設置されたウェハ８を晒し、プラ
ズマ処理を行った。ウェハ８が低温に冷却できるよう
に、液体窒素容器１１から液体窒素１０を試料台７に供
給できるようにしてある。また、試料台７にはヒータ９
が備えられてある。ウェハは、試料交換室２からゲート
バルブ３を通して、処理室１７に入れた。放電管の外側
に、いずれも環状のソレノイドコイルである上段コイル
１２、中段コイル１３、下段コイル１４が設置されてい
る。コイルへ印加する電圧は、電源１５から供給し、電
圧の時間変化は制御回路１８により制御する。
図面に基づいて説明する。図１は、本発明の有磁場マイ
クロ波プラズマエッチング装置の概略図である。マグネ
トロン４で励起された２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、
導波管５を通って、石英放電管１６に至る。ガス開閉制
御系６から導入されたエッチングガスが放電管内で、マ
イクロ波により励起され、プラズマ１になる。そのプラ
ズマに、試料台７上に設置されたウェハ８を晒し、プラ
ズマ処理を行った。ウェハ８が低温に冷却できるよう
に、液体窒素容器１１から液体窒素１０を試料台７に供
給できるようにしてある。また、試料台７にはヒータ９
が備えられてある。ウェハは、試料交換室２からゲート
バルブ３を通して、処理室１７に入れた。放電管の外側
に、いずれも環状のソレノイドコイルである上段コイル
１２、中段コイル１３、下段コイル１４が設置されてい
る。コイルへ印加する電圧は、電源１５から供給し、電
圧の時間変化は制御回路１８により制御する。
【００１２】この有磁場マイクロ波プラズマエッチング
装置を用いて、次に示すような方法によりウェハをエッ
チングした。エッチングガスとして塩素ガスを２０sccm
流し、放電管内のガス圧力を１Ｐａに調節し、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波で放電管内にガスプラズマを励起し
た。試料は、シリコンウェハ上に酸化膜を形成し、その
上にｎ型ポリシリコンを堆積してレジストでパターニン
グしたものである。
装置を用いて、次に示すような方法によりウェハをエッ
チングした。エッチングガスとして塩素ガスを２０sccm
流し、放電管内のガス圧力を１Ｐａに調節し、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波で放電管内にガスプラズマを励起し
た。試料は、シリコンウェハ上に酸化膜を形成し、その
上にｎ型ポリシリコンを堆積してレジストでパターニン
グしたものである。
【００１３】この試料を−５０℃に冷却した試料台の上
に設置して、塩素ガスプラズマに晒して、エッチングし
た。マイクロ波電力は３００Ｗ、試料台にはＲＦバイア
ス用に２ＭＨｚの高周波電力で１０Ｗ印加した。三段の
ソレノイドコイルからなる磁場コイルには、独立に電力
を印加し、磁場分布の一例として図２のような分布を得
た。このとき、ＥＣＲ条件を満たす位置に当たる、８７
５ガウスの磁場領域は、ウェハから上方に５０ｍｍ付近
にあった。このときの、ポリシリコンのエッチ速度は３
００ｎｍ／ｍｉｎであった。
に設置して、塩素ガスプラズマに晒して、エッチングし
た。マイクロ波電力は３００Ｗ、試料台にはＲＦバイア
ス用に２ＭＨｚの高周波電力で１０Ｗ印加した。三段の
ソレノイドコイルからなる磁場コイルには、独立に電力
を印加し、磁場分布の一例として図２のような分布を得
た。このとき、ＥＣＲ条件を満たす位置に当たる、８７
５ガウスの磁場領域は、ウェハから上方に５０ｍｍ付近
にあった。このときの、ポリシリコンのエッチ速度は３
００ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００１４】次に、三段のソレノイドコイルに印加する
電流をそれぞれ独立に時間変化させた。図３は、コイル
印加電流の時間変化の一例である。このように変化させ
ることで、図２に示すＥＣＲ条件を満たす位置が放電管
の内部で移動し、放電管内部の全域で高密度のプラズマ
を発生した。プラズマ中で寿命の長い励起粒子は、ウェ
ハ表面まで十分に到達し、エッチング反応の促進に寄与
した。その結果、エッチング速度は、磁場を時間変化さ
せる前に比べて、２倍以上に増加した。
電流をそれぞれ独立に時間変化させた。図３は、コイル
印加電流の時間変化の一例である。このように変化させ
ることで、図２に示すＥＣＲ条件を満たす位置が放電管
の内部で移動し、放電管内部の全域で高密度のプラズマ
を発生した。プラズマ中で寿命の長い励起粒子は、ウェ
ハ表面まで十分に到達し、エッチング反応の促進に寄与
した。その結果、エッチング速度は、磁場を時間変化さ
せる前に比べて、２倍以上に増加した。
【００１５】〈実施例２〉実施例１と同様の放電条件
で、コイル電流の制御法を次のように変えてウェハをエ
ッチングした。すなわち、ポリシリコンのエッチングが
ちょうど終了するまでは、ＥＣＲ条件を満たす位置が、
ウェハの上方に２０ｍｍの位置に在り、ポリシリコンの
下の酸化膜が露出した後のオーバーエッチングの時間に
は、ＥＣＲ条件を満たす位置がウェハ上方の１５０ｍｍ
の位置になるように変化させた。このとき、ガス圧力は
０．１Ｐａとし、それ以外は実施例１と同様のエッチン
グ条件にした。
で、コイル電流の制御法を次のように変えてウェハをエ
ッチングした。すなわち、ポリシリコンのエッチングが
ちょうど終了するまでは、ＥＣＲ条件を満たす位置が、
ウェハの上方に２０ｍｍの位置に在り、ポリシリコンの
下の酸化膜が露出した後のオーバーエッチングの時間に
は、ＥＣＲ条件を満たす位置がウェハ上方の１５０ｍｍ
の位置になるように変化させた。このとき、ガス圧力は
０．１Ｐａとし、それ以外は実施例１と同様のエッチン
グ条件にした。
【００１６】その結果、ポリシリコンエッチング中は、
イオン性の強いエッチングでポリシリコンをアンダーカ
ット無く、垂直に加工を行い、一方、オーバーエッチン
グ中は、イオン性の弱い、すなわち、ラジカル性のエッ
チングでポリシリコンと酸化膜のエッチング選択比を１
００以上に高くしたエッチングを行うことができた。
イオン性の強いエッチングでポリシリコンをアンダーカ
ット無く、垂直に加工を行い、一方、オーバーエッチン
グ中は、イオン性の弱い、すなわち、ラジカル性のエッ
チングでポリシリコンと酸化膜のエッチング選択比を１
００以上に高くしたエッチングを行うことができた。
【００１７】なお、以上の実施例では、ソレノイドコイ
ルに供給する電力は直流を用い、これを時間的に変化さ
せたが、交流電源を用いても同様の効果がある。このと
きは、制御すべきプラズマの特性に合わせて、交流の周
波数を決めなければならない。
ルに供給する電力は直流を用い、これを時間的に変化さ
せたが、交流電源を用いても同様の効果がある。このと
きは、制御すべきプラズマの特性に合わせて、交流の周
波数を決めなければならない。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明のマイクロ波プラ
ズマエッチング装置は、プラズマ放電中に、磁場分布を
変化させることができるので、放電管内の広い範囲に高
密度プラズマを発生させることができた。このような装
置を用いてエッチングすることにより、エッチング速度
の向上を計ることができた。
ズマエッチング装置は、プラズマ放電中に、磁場分布を
変化させることができるので、放電管内の広い範囲に高
密度プラズマを発生させることができた。このような装
置を用いてエッチングすることにより、エッチング速度
の向上を計ることができた。
【００１９】また、従来は、放電中に時間的に変化しな
い一定の磁場分布のみを用いてエッチング開始から終了
まで一定のエッチング特性を保ちながらエッチングを行
ったのに対し、磁場制御可能としたことにより、エッチ
ング中に微妙に変化させるべきエッチング特性に対応さ
せて、プラズマの特性を変化させることができるように
なり、従来以上に高精度の微細加工が達成できた。
い一定の磁場分布のみを用いてエッチング開始から終了
まで一定のエッチング特性を保ちながらエッチングを行
ったのに対し、磁場制御可能としたことにより、エッチ
ング中に微妙に変化させるべきエッチング特性に対応さ
せて、プラズマの特性を変化させることができるように
なり、従来以上に高精度の微細加工が達成できた。
【図１】本発明の一実施例の有磁場マイクロ波プラズマ
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図２】図１に示した装置の磁場分布の一例を示す図で
ある。
ある。
【図３】コイル電流の時間的変化の一例を示す図であ
る。
る。
１ プラズマ ２ 試料交換室 ３ ゲートバルブ ４ マグネトロン ５ 導波管 ６ ガス開閉制御系 ７ 試料台 ８ ウェハ ９ ヒータ １０ 液体窒素 １１ 液体窒素容器 １２ 上段コイル １３ 中段コイル １４ 下段コイル １５ 電源 １６ 放電管 １７ 処理室 １８ 制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｒ 33/64 Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ // Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 8518−4Ｍ
Claims (7)
- 【請求項１】真空処理室と、該真空処理室内にエッチン
グガスを導入するためのガス導入手段と、該真空処理室
内にガスプラズマを発生させるためにマイクロ波を導入
する手段と、該ガスプラズマ内に磁場を発生させるため
の磁場発生手段と、該真空処理室内に試料を設置するた
めの試料台とを有するマイクロ波プラズマエッチング装
置において、該ガスプラズマ内の磁場分布を時間的に変
化させるための制御手段を有することを特徴とするマイ
クロ波プラズマエッチング装置。 - 【請求項２】請求項１記載のマイクロ波プラズマエッチ
ング装置において、上記磁場発生手段は多段ソレノイド
コイルであり、上記制御手段は該多段ソレノイドコイル
に供給する電流値を変化させる手段であることを特徴と
するマイクロ波プラズマエッチング装置。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のマイクロ波プラズマ
エッチング装置において、上記マイクロ波は、その周波
数が２．４５ＧＨｚであることを特徴とするマイクロ波
プラズマエッチング装置。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載のマイクロ波プラ
ズマエッチング装置において、上記制御手段は、上記印
加したマイクロ波と上記発生させた磁場によって電子サ
イクロトロン共鳴が生ずる位置と試料との距離が時間的
に変化するように制御する手段であることを特徴とする
マイクロ波プラズマエッチング装置。 - 【請求項５】エッチングガスにマイクロ波を印加してガ
スプラズマを生成させ、さらにガスプラズマ内に磁場を
発生させ、ガスプラズマを試料に照射し、試料をエッチ
ングするエッチング方法において、ガスプラズマによる
イオン性エッチングとラジカル性エッチングとの比率を
照射中の所望の時間に変化させて試料をエッチングする
ことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項６】請求項５記載のエッチング方法において、
上記イオン性エッチングとラジカル性エッチングとの比
率の変化は、上記印加したマイクロ波と上記発生させた
磁場によって電子サイクロトロン共鳴が生ずる位置と上
記試料との距離を変えることにより生ずることを特徴と
するエッチング方法。 - 【請求項７】エッチングガスにマイクロ波を印加してガ
スプラズマを生成させ、さらにガスプラズマ内に磁場を
発生させ、ガスプラズマを試料に照射し、試料をエッチ
ングするエッチング方法において、印加したマイクロ波
と発生させた磁場によって電子サイクロトロン共鳴が生
ずる位置と試料との距離を変化させ、ガスプラズマの密
度を高くして試料をエッチングすることを特徴とするエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046331A JPH05136089A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | マイクロ波プラズマエツチング装置及びエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3046331A JPH05136089A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | マイクロ波プラズマエツチング装置及びエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136089A true JPH05136089A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=12744165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3046331A Pending JPH05136089A (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | マイクロ波プラズマエツチング装置及びエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136089A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190032983A (ko) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 장치 |
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1991
- 1991-03-12 JP JP3046331A patent/JPH05136089A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190032983A (ko) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2019057375A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
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