JP3234321B2 - プラズマ反応装置の使用方法と基板のプラズマ処理方法とその処理法を利用した半導体装置の製造方法 - Google Patents
プラズマ反応装置の使用方法と基板のプラズマ処理方法とその処理法を利用した半導体装置の製造方法Info
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Description
共鳴(ECR)放電によって発生したプラズマを利用し
て半導体基板等の被処理材の異方性エッチングを行なう
プラズマ反応装置の使用方法と基板のプラズマ処理方法
とその処理法を利用した半導体装置の製造方法に関し、
特に、その異方性エッチングにおける異方性の向上に関
するものである。
板上の薄膜の形成や半導体基板のエッチングなどの処理
が行なわれる。このような半導体基板の処理装置の1つ
として、ガス放電によるプラズマを利用したプラズマ反
応装置がある。
ラズマを利用する従来の一般的なプラズマ反応装置の概
略的な断面図である。このプラズマ反応装置100は、
プラズマ生成室1と、そのプラズマ生成室1中にマイク
ロ波を導入するための導波管6と、プラズマ生成室1内
へのマイクロ波の導入口となる石英板7と、プラズマ生
成室1の外周を囲むように設けられた磁場発生手段20
として作用する単一のソレノイドコイル4および補助コ
イル9と、さらにミラーコイル5とを含んでいる。プラ
ズマ生成室1の底部は反応室11の上部と一体化されて
いる。反応室11の内部には半導体基板等の被処理材2
を載せるための保持台3が設けられている。さらに、プ
ラズマ生成室1の上部にはガス導入管8が接続され、反
応室11の底部には排気口13が設けられている。
00の使用においては、反応室11とプラズマ生成室1
の内部が排気口13を介して真空ポンプ(図示せず)に
よって十分に排気される。その後に、ガス導入管8から
プラズマ生成室1内へ反応ガスを導入しながら、そのガ
スの一部を排気口13から排気し、プラズマ生成室1お
よび反応室11内のガス圧が所定の値に維持される。さ
らに、マイクロ波電源(図示せず)によって発生された
周波数2.45GHzのマイクロ波が導波管6および石
英板7を介してプラズマ生成室1内に導入される。
た単一のソレノイドコイル4に通電し、ECRを励起さ
せるための磁場を発生させる。この磁場は、875Ga
ussの磁束密度の領域を有するように設定される。こ
のとき、補助コイル9もソレノイドコイル4と同一方向
の磁界を生じるように通電され、両コイル4,9の間に
形成されるECR領域10における軸方向に沿った磁場
勾配の最大値と最小値の差が10Gauss/cm以下
になるように設定される。したがって、プラズマ生成室
1の横断面方向に沿ったECR領域10全体において均
一なプラズマ生成が行なわれる。
ル4と同一方向の磁界を発生するように通電され、ソレ
ノイドコイル4とミラーコイル5の間に弱いミラー磁場
を形成し、それによって、半導体基板2の表面に対して
磁力線を垂直に作用させる。
において、プラズマ生成室1内の反応ガス分子はECR
によって加速された電子との衝突によってプラズマ化さ
れる。生成した反応ガスプラズマは、磁力線に沿って拡
散し、保持台3上の半導体基板2の表面に垂直に入射す
る。このとき、半導体基板2の表面が方向性をもってエ
ッチングされ、すなわち異方性エッチングが実現され
る。なお、この際に用いられる反応ガスの種類,圧力,
マイクロ波電力などは、処理されるべき半導体基板2の
工程の種類に応じて選択される。
装置の使用においては、プラズマ生成室1内のECR領
域10の設定位置に関して何ら考慮されていなかった。
したがって、ECR領域10はマイクロ波導入窓7に近
い場合や反応室11との境界に近い場合に依存して、エ
ッチング特性が変化していた。すなわち、ECR領域1
0の設定位置に依存して、エッチングにおける十分な異
方性が得られなかったり、半導体基板2に対して十分な
バイアス電圧が印加されないなどの課題があった。
本発明の目的は、被処理材へのバイアス電圧を印加する
場合としない場合のいずれにおいても、高い異方性を有
する安定したエッチングを可能にし得るプラズマ反応装
置の使用方法と基板のプラズマ処理方法とその処理法を
利用した半導体装置の製造方法を提供することである。
るプラズマ反応装置の使用方法は、プラズマ生成室と、
そのプラズマ生成室にマイクロ波を導入する導波管と、
プラズマ生成室の外周に設けられた磁場発生手段と、プ
ラズマ生成室に接続された反応室を備え、マイクロ波と
磁場発生手段による磁場とによって電子サイクロトロン
共鳴を励起してプラズマを発生させ、そのプラズマを反
応室内に導き、反応室内に設置された被処理材を異方性
エッチングするプラズマ反応装置の使用方法であって、
反応室内に設置された被処理材に高周波バイアス電圧を
印加する場合にはプラズマ生成室内でプラズマが消滅す
る壁部の面積が反応室内でプラズマが消滅する壁部の面
積の1.5倍以上になるように設定し、反応室内に設置
された被処理材に高周波バイアス電圧を印加しない場合
にはプラズマ生成室内でプラズマが消滅する壁部の面積
が反応室内でプラズマが消滅する壁部の面積の2倍以下
になるように設定することを特徴としている。
ズマ処理方法は、プラズマ生成室と、そのプラズマ生成
室にマイクロ波を導入する導波管と、プラズマ生成室の
外周に設けられた磁場発生手段と、プラズマ生成室に接
続された反応室を設け、マイクロ波と磁場発生手段によ
る磁場とによって電子サイクロトロン共鳴を励起してプ
ラズマを発生させ、そのプラズマを反応室内に導き、反
応室内に設置された被処理基板を異方性エッチングする
基板のプラズマ処理方法であって、反応室内に設置され
た被処理材に高周波バイアス電圧を印加する場合にはプ
ラズマ生成室内でプラズマが消滅する壁部の面積が反応
室内でプラズマが消滅する壁部の面積の1.5倍以上に
なるように設定し、反応室内に設置された被処基板に高
周波バイアス電圧を印加しない場合にはプラズマ生成室
内でプラズマが消滅する壁部の面積が反応室内でプラズ
マが消滅する壁部の面積の2倍以下になるように設定す
ることを特徴としている。本発明のさらに他の態様によ
る半導体装置の製造方法では、上述のプラズマ処理方法
を利用して製造することを特徴としている。
使用方法においては、被処理材に高周波バイアス電圧を
印加する場合にはプラズマ生成室内壁でのプラズマ損失
量が反応室内壁でのプラズマ損失量の1.5倍以上に設
定されるので、被処理材上方においてプラズマ電位が固
定化される。したがって、被処理材に高周波電力を供給
してもプラズマ電位が変動することなく、被処理材に印
加されたバイアス電圧がイオンを引き込む作用を有する
ので、異方性の強いエッチングを行うことが可能とな
る。また、被処理材に高周波バイアス電圧を印加しない
場合には、プラズマ生成室内壁でのプラズマ損失量が反
応室内壁でのプラズマ損失量の2倍以下になるように設
定されるので、被処理材上方におけるプラズマの流れが
乱されることがない。したがって、被処理材が設置され
た反応室内へ方向性をもって入射するプラズマによっ
て、被処理材にバイアス電圧を印加しなくても高い異方
性のエッチングが行なわれ得る。この場合、入射するイ
オンはバイアス電圧が存在する場合に比べて低いエネル
ギを有しているので、被処理材の材質に依存した高い選
択性を有するエッチングが同時に可能となる。
ズマ処理方法においては、被処理材に高周波バイアス電
圧を印加する場合にはプラズマ生成室内壁におけるプラ
ズマ損失量が反応室内壁でのプラズマ損失量の1.5倍
以上に設定されるので、被処理基板上方においてプラズ
マ電位が固定化される。したがって、被処理基板に高周
波電力を供給してもプラズマ電位が変動することなく、
被処理基板に印加されたバイアス電圧がイオンを引込む
作用を有するので、異方性の強いエッチングを行なうこ
とが可能となる。また、被処理材に高周波バイアス電圧
を印加しない場合にはプラズマ生成室内壁でのプラズマ
損失量が反応室内壁でのプラズマ損失量の2倍以下にな
るように設定されるので、被処理基板上方におけるプラ
ズマの流れが乱されることがない。したがって、被処理
基板が設置された反応室内へ方向性をもって入射するプ
ラズマによって、被処理基板にバイアス電圧を印加しな
くても高い異方性のエッチングが行なわれ得る。この場
合、入射するイオンはバイアス電圧が存在する場合に比
べて低いエネルギを有しているので、被処理基板の材質
に依存した高い選択性を有するエッチングが同時に可能
となる。本発明のさらに他の態様による半導体装置の製
造方法では、上述のプラズマ処理方法が利用されるの
で、たとえばアスペクト比の高いコンタクトホールなど
を容易に形成することができる。
るプラズマ反応装置の概略的な断面図である。図1のプ
ラズマ反応装置は図4のものに類似しており、同一部分
または対応する部分には同一の参照符号が付されてい
る。しかし、図1のプラズマ反応装置100aにおいて
はECR領域10がマイクロ波導入窓である石英板7に
近づけて設けられている。すなわち、図1のプラズマ反
応装置においては、図4のものに比べて、ソレノイドコ
イル4と補助コイル9が上方に移動して位置決めされて
いる。さらに、保持台3には高周波電源15が接続され
ており、半導体基板などの被処理材2に高周波バイアス
を印加することが可能である。
場によって、プラズマ生成室1から反応室11に向かっ
て磁力線24が広がっており、いわゆる発散磁場が形成
されている。ECR領域10において生成されたプラズ
マは磁力線24に沿って拡散し、磁力線24と容器の壁
部AおよびBとが交差する部分で消滅する。
して決定されるので、半導体基板2に高周波電力を供給
した際に主に対向電極として働くのは、プラズマの消滅
部分である壁部AまたはBの領域である。しかし、壁部
AとBで消滅するプラズマの温度と密度は互いに相違す
るので、壁部AとBの電位は異なる値である。すなわ
ち、それぞれの壁部AとBで消滅するプラズマの電位も
異なった値である。したがって、半導体基板2の表面に
均一なバイアス電圧を印加することは容易ではない。
向電極となる場合、壁部Bの位置が保持台3の横もしく
はプラズマ流の下流部分にあるので、半導体基板2の表
面にはバイアス電圧が印加され得ない。
領域10が石英基板7の近くに形成されるような磁場配
置を用いているので、半導体基板2の上方のプラズマ生
成室1内でプラズマが消滅する壁部Aの面積が反応室1
1でプラズマが消滅する壁部Bの面積より大きくなって
いる。したがって、高周波バイアス電圧の印加において
半導体基板2の主な対向電極として働くのは壁部Aとな
り、それによって、均一でしかも確実に半導体基板2へ
バイアス電圧を印加することができる。その結果、バイ
アス電圧が半導体基板2の表面に垂直な方向にプラズマ
イオンを引込むので、異方性の強いエッチングを行なう
ことが可能となる。
させさたときのエッチング特性の変化を示すグラフであ
る。このグラフにおいて、横軸は壁部AとBの面積比を
表わし、左側の縦軸はエッチング異方性の度合を表わ
し、そして右側の縦軸は被処理材の材質に依存するエッ
チングの選択比を表わしている。●印で表わされた曲線
はエッチング異方性を表わし、×印で表わされ曲線はエ
ッチングの選択比を表わしている。壁部AとBの面積比
は、コイル4と9を移動させることによって変化されら
れた。また、エッチングの選択比は、Si/SiO2 に
ついて求められた。エッチング異方性の度合は、レジス
トパターンをマスクとしてSiをエッチングした際のエ
ッチング深さとサイドエッチ量との比として示されてい
る。さらに、高周波バイアス電力は13.56MHzの
周波数を有し、その電力は50Wであった。
積比A/Bが大きくなるにしたがってエッチングの異方
性が向上していることがわかる。また、SiとSiO2
のエッチング選択比は面積比A/Bが大きくなるに従っ
て低下しており、面積比A/Bを高めればバイアス効果
が著しくなって、プラズマイオンの入射エネルギが高ま
っていることを確認できる。
場合にエッチングの異方性が向上しており、換言すれ
ば、プラズマ生成室1の内壁Aにおけるプラズマ損失量
が反応室11の内壁Bにおけるプラズマ損失量の1.5
倍以上である場合にエッチング異方性が向上している。
る壁部AとBの面積比A/Bの影響を表わしている。図
3のグラフは図2のものに類似しているが、図3のグラ
フにおいては半導体基板2に高周波バイアス電圧が印加
されていない。この場合、面積比A/Bが小さくなるに
従ってエッチングの異方性が高まっていることがわか
る。これは、壁部Bにおけるプラズマの消滅が支配的に
なれば、ECR領域から反応室11に向かう一様なプラ
ズマ流となるので、プラズマイオンが方向性をもって半
導体基板表面に入射することに起因している。面積比A
/Bが大きくなれば、壁部Aでのプラズマの消滅が支配
的になるので、反応室11方向に向かう一様なプラズマ
量とはならず、プラズマ生成室1内でプラズマが乱流的
に存在している状態となる。したがって、面積比A/B
が大きくなればエッチングの異方性が低くなってしまう
のである。
合にエッチングの異方性が向上しており、換言すれば、
プラズマ生成室1の内壁Aにおけるプラズマ損失量が反
応室11の内壁Bにおけるプラズマ損失量の2.0倍以
下である場合にエッチング異方性が向上している。
に高周波バイアス電圧が印加されていないので、プラズ
マ流は低いエネルギを有し、したがって、被処理材の材
質に依存したエッチングの選択比(Si/SiO2 )が
高いレベルにあることがわかる。
コイル4と補助コイル9を移動させることによってプラ
ズマ損失量の制御が行なわれたが、複数のコイルを設け
てそれぞれのコイルの励磁電流を変化させることによる
磁場分布の変化を用いても同様の効果が得られる。
るプラズマ反応装置の使用方法においては、被処理材に
高周波バイアス電力を印加する場合にはプラズマ生成室
内壁でのプラズマ損失量を反応室内壁でのプラズマ損失
量の1.5倍以上にしているので、被処理材への高周波
電力が効率よく均一に印加でき、異方性の強いエッチン
グが実現され得る。また、被処理基板に高周波バイアス
電力を印加しない場合にはプラズマ生成室内壁でのプラ
ズマ損失量を反応室内壁でのプラズマ損失量の2倍以下
にしているので、被処理基板のエッチング異方性を高め
ることが可能であり、かつ低エネルギのプラズマイオン
によって被処理基板の材質に依存する高い選択比を有す
るエッチングが可能となる。
ズマ処理方法においては、被処理基板に高周波バイアス
電圧を印加する場合にはプラズマ生成室内壁でのプラズ
マ損失量を反応室内壁でのプラズマ損失量の1.5倍以
上にしているので、被処理基板への高周波電力が効率よ
く均一に印加でき、異方性の強いエッチングが実現され
得る。また、被処理基板に高周波バイアス電力を印加し
ない場合にはプラズマ生成室内壁でのプラズマ損失量を
反応室内壁でのプラズマ損失量の2倍以下にしているの
で、被処理基板のエッチング異方性を高めることが可能
であり、かつ低エネルギのプラズマイオンによって被処
理基板の材質に依存する高い選択比を有するエッチング
が可能となる。本発明のさらに他の態様による半導体装
置の製造方法では、上述のプラズマ処理方法が利用され
るので、たとえばアスペクト比の高いコンタクトホール
などを容易に形成することができる。
用方法を説明するための断面図である。
けるプラズマ生成室の内壁と反応室の内壁との面積比A
/B,エッチング異方性度,およびエッチングの選択比
における相互関係を示すグラフである。
態におけるプラズマ生成室の内壁と反応室の内壁との面
積比A/B,エッチング異方性度,およびエッチング選
択比の相互関係を示すグラフである。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 プラズマ生成室と、前記プラズマ生成室
にマイクロ波を導入する導波管と、前記プラズマ生成室
の外周に設けられた磁場発生手段と、前記プラズマ生成
室に接続された反応室を備え、前記マイクロ波と前記磁
場発生手段による磁場とによって電子サイクロトロン共
鳴を励起してプラズマを発生させ、前記プラズマを前記
反応室に導き、前記反応室内に設置された被処理材を異
方性エッチングするプラズマ反応装置の使用方法であっ
て、 前記反応室内に設置された前記被処理材に高周波バイア
ス電圧を印加する場合には前記プラズマ生成室内で前記
プラズマが消滅する壁部の面積が前記反応室内で前記プ
ラズマが消滅する壁部の面積の1.5倍以上になるよう
に設定し、 前記反応室内に設置された前記被処理材に高周波バイア
ス電圧を印加しない場合には前記プラズマ生成室内で前
記プラズマが消滅する壁部の面積が前記反応室内で前記
プラズマが消滅する壁部の面積の2倍以下になるように
設定することを 特徴とするプラズマ反応装置の使用方
法。 - 【請求項2】 プラズマ生成室と、前記プラズマ生成室
にマイクロ波を導入する導波管と、前記プラズマ生成室
の外周に設けられた磁場発生手段と、前記プラズマ生成
室に接続された反応室を設け、前記マイクロ波と前記磁
場発生手段による磁場とによって電子サイクロトロン共
鳴を励起してプラズマを発生させ、前記プラズマを前記
反応室に導き、前記反応室内に設置された前記被処理基
板を異方性エッチングする基板のプラズマ処理方法であ
って、 前記反応室内に設置された前記被処基板に高周波バイア
ス電圧を印加する場合には前記プラズマ生成室内で前記
プラズマが消滅する壁部の面積が前記反応室内で前記プ
ラズマが消滅する壁部の面積の1.5倍以上になるよう
に設定し、前記反応室内に設置された前記被処基板に高周波バイア
ス電圧を印加しない場合には前記プラズマ生成室内で前
記プラズマが消滅する壁部の面積が前記反応室内で前記
プラズマが消滅する壁部の面積の2倍以下になるように
設定する ことを特徴とする基板のプラズマ処理方法。 - 【請求項3】 請求項2に記載のプラズマ処理法を利用
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP00268093A JP3234321B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | プラズマ反応装置の使用方法と基板のプラズマ処理方法とその処理法を利用した半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06208971A JPH06208971A (ja) | 1994-07-26 |
JP3234321B2 true JP3234321B2 (ja) | 2001-12-04 |
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ID=11536020
Family Applications (1)
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JP00268093A Expired - Fee Related JP3234321B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | プラズマ反応装置の使用方法と基板のプラズマ処理方法とその処理法を利用した半導体装置の製造方法 |
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GB0100958D0 (en) * | 2001-01-13 | 2001-02-28 | Surface Technology Systems Ltd | Plasma processing apparatus |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP00268093A patent/JP3234321B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH06208971A (ja) | 1994-07-26 |
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