JP2837556B2 - プラズマ反応装置とそれを用いた基板の処理方法 - Google Patents
プラズマ反応装置とそれを用いた基板の処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ガス放電によりプラ
ズマを発生させ、発生したプラズマを利用して半導体基
板表面のエッチングを行なうプラズマ反応装置に関する
ものである。
ズマを発生させ、発生したプラズマを利用して半導体基
板表面のエッチングを行なうプラズマ反応装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体基
板に薄膜形成、エッチング等の処理が行なわれる。この
ような半導体基板処理装置の一つとして、ガス放電によ
るプラズマを利用したプラズマ反応装置がある。図５
は、電子サイクロトロン共鳴放電（ＥＣＲ放電）により
発生するプラズマを利用した従来の一般的なプラズマ反
応装置100 の概略断面図である。図５において、このプ
ラズマ反応装置100 は反応室１とこの反応室１中にマイ
クロ波を導入するための導波管６と、マイクロ波の導入
口となる石英板７と、反応室１の外周部にそれを囲むよ
うに設けられた磁場発生手段である単一のソレノイドコ
イル４と、ミラーコイル５とを有する。反応室１の上部
にはガス導入口８が設けられ、反応室１の底部には排気
口13が設けられている。また、反応室１の内部には、半
導体基板２を載せる保持台３が設けられている。
板に薄膜形成、エッチング等の処理が行なわれる。この
ような半導体基板処理装置の一つとして、ガス放電によ
るプラズマを利用したプラズマ反応装置がある。図５
は、電子サイクロトロン共鳴放電（ＥＣＲ放電）により
発生するプラズマを利用した従来の一般的なプラズマ反
応装置100 の概略断面図である。図５において、このプ
ラズマ反応装置100 は反応室１とこの反応室１中にマイ
クロ波を導入するための導波管６と、マイクロ波の導入
口となる石英板７と、反応室１の外周部にそれを囲むよ
うに設けられた磁場発生手段である単一のソレノイドコ
イル４と、ミラーコイル５とを有する。反応室１の上部
にはガス導入口８が設けられ、反応室１の底部には排気
口13が設けられている。また、反応室１の内部には、半
導体基板２を載せる保持台３が設けられている。
【０００３】この装置の動作は次の通りである。反応室
１内部を排気口13から図示しない真空ポンプで十分に排
気した後、反応室１内にガス導入口８から反応性ガスを
導入しながらその一部を排気口13から排気し、ガス圧力
を所定の値にする。さらに図示しないマイクロ波電源に
より発生された周波数2.45GHz のマイクロ波を導波管６
及び石英板７を介して反応室１に導入する。一方、反応
室１の周囲に設けられた単一のソレノイドコイル４に通
電してこのソレノイドコイルにより反応室１内にＥＣＲ
を励起させるための磁場、つまり磁束密度875Gaussの領
域を有する磁場を発生させる。さらにミラーコイル５に
もソレノイドコイル４と同一方向の磁界を発生させるよ
う通電し、ソレノイドコイル４とミラーコイル５の間に
弱いミラー磁場を形成し、半導体基板２の表面に対し
て、磁力線を垂直に作用させる。
１内部を排気口13から図示しない真空ポンプで十分に排
気した後、反応室１内にガス導入口８から反応性ガスを
導入しながらその一部を排気口13から排気し、ガス圧力
を所定の値にする。さらに図示しないマイクロ波電源に
より発生された周波数2.45GHz のマイクロ波を導波管６
及び石英板７を介して反応室１に導入する。一方、反応
室１の周囲に設けられた単一のソレノイドコイル４に通
電してこのソレノイドコイルにより反応室１内にＥＣＲ
を励起させるための磁場、つまり磁束密度875Gaussの領
域を有する磁場を発生させる。さらにミラーコイル５に
もソレノイドコイル４と同一方向の磁界を発生させるよ
う通電し、ソレノイドコイル４とミラーコイル５の間に
弱いミラー磁場を形成し、半導体基板２の表面に対し
て、磁力線を垂直に作用させる。
【０００４】以上の動作において、反応室１内の反応性
ガス分子はＥＣＲにより加速された電子との衝突により
プラズマ化される。生成した反応性ガスプラズマは、磁
力線に沿って拡散し保持台３上の半導体基板２の表面に
垂直に入射する。このとき半導体基板２の表面が方向性
をもってエッチングされる。なお、この際に用いられる
ガスの種類，圧力，マイクロ波電力等は処理すべき半導
体基板２の工程に応じて選択される。
ガス分子はＥＣＲにより加速された電子との衝突により
プラズマ化される。生成した反応性ガスプラズマは、磁
力線に沿って拡散し保持台３上の半導体基板２の表面に
垂直に入射する。このとき半導体基板２の表面が方向性
をもってエッチングされる。なお、この際に用いられる
ガスの種類，圧力，マイクロ波電力等は処理すべき半導
体基板２の工程に応じて選択される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＥＣＲ放電を利
用したプラズマ反応装置100 は、以上のように電子サイ
クロトロン共鳴に必要な磁場を単一のソレノイドコイル
４により発生していたために、共鳴領域を広くかつ均一
に形成する、つまり高エッチングレートで高均一のエッ
チング装置を得ることが困難であった。この理由を図６
に示すソレノイド電流値とエッチレートおよび磁場の均
一性のデータも参考にして説明する。
用したプラズマ反応装置100 は、以上のように電子サイ
クロトロン共鳴に必要な磁場を単一のソレノイドコイル
４により発生していたために、共鳴領域を広くかつ均一
に形成する、つまり高エッチングレートで高均一のエッ
チング装置を得ることが困難であった。この理由を図６
に示すソレノイド電流値とエッチレートおよび磁場の均
一性のデータも参考にして説明する。
【０００６】ソレノイドコイル４への通電電流値が図６
に示す約１６０Ａと小さいときは、反応室径方向中心付
近ではＥＣＲ領域での磁場勾配が小さく（本願明細書に
おいて、磁場勾配は絶対値で言及される）、径方向中心
から遠ざかるに従い磁場勾配値が大きく形成されている
ので、（図７で後述する）図５の斜線部１１で示す如く
中心付近で広く、径方向中心から遠ざかるに従い狭くな
るような共鳴領域の分布を示す。一方、ソレノイドコイ
ル４の通電電流値が約１９０Ａと大きいときは、ＥＣＲ
領域での磁場勾配が大きいので（図７で後述する）、図
５の斜線部分１２に示すように均一なＥＣＲ領域が形成
されていたが、均一な磁場範囲が狭く、従って狭い共鳴
領域が形成されていた。
に示す約１６０Ａと小さいときは、反応室径方向中心付
近ではＥＣＲ領域での磁場勾配が小さく（本願明細書に
おいて、磁場勾配は絶対値で言及される）、径方向中心
から遠ざかるに従い磁場勾配値が大きく形成されている
ので、（図７で後述する）図５の斜線部１１で示す如く
中心付近で広く、径方向中心から遠ざかるに従い狭くな
るような共鳴領域の分布を示す。一方、ソレノイドコイ
ル４の通電電流値が約１９０Ａと大きいときは、ＥＣＲ
領域での磁場勾配が大きいので（図７で後述する）、図
５の斜線部分１２に示すように均一なＥＣＲ領域が形成
されていたが、均一な磁場範囲が狭く、従って狭い共鳴
領域が形成されていた。
【０００７】ここで、従来のプラズマ反応装置を用いて
実験した結果を図６，図７に基づいて詳述する。使用し
たコイル諸元は、内径27cm，外径39cm，軸方向長さ14c
m，巻数160 である。エッチングは、塩素ガス流量10cc
／分，圧力0.5mTorr，マイクロ波電力600 Ｗの条件下で
生成したプラズマにより６インチ径のSi基板を処理した
ものである。図７に示す磁場特性によると、コイル電流
値が小さい場合、磁場勾配値が小さくなるが、中心軸上
（Ｒ＝０cm）と中心より径方向10cmの点（Ｒ＝10cm）に
おける勾配値は大きく異なっている。磁場勾配値とＥＣ
Ｒ領域の広さは反比例の関係にあるため、磁場勾配値が
小さい時に広いＥＣＲ領域が形成され、その結果生成さ
れたプラズマ密度が高まる。従って図６に示す如くコイ
ル電流値が小さい場合にエッチレートが高まることにな
る。実用的なエッチレートは1000Å／min 以上が望まし
いが、そのとき磁場の均一性は20％以上と極めて悪くな
り、図５に示した斜線11のようなＥＣＲ領域の分布とな
り、半導体基板２上のエッチングの均一性が得られな
い。一方、均一なＥＣＲ領域（図５の12）を得ようとす
ると（図６のコイル電流190 Ａ付近）実用的なエッチレ
ート1000Å／min はとても得られない。
実験した結果を図６，図７に基づいて詳述する。使用し
たコイル諸元は、内径27cm，外径39cm，軸方向長さ14c
m，巻数160 である。エッチングは、塩素ガス流量10cc
／分，圧力0.5mTorr，マイクロ波電力600 Ｗの条件下で
生成したプラズマにより６インチ径のSi基板を処理した
ものである。図７に示す磁場特性によると、コイル電流
値が小さい場合、磁場勾配値が小さくなるが、中心軸上
（Ｒ＝０cm）と中心より径方向10cmの点（Ｒ＝10cm）に
おける勾配値は大きく異なっている。磁場勾配値とＥＣ
Ｒ領域の広さは反比例の関係にあるため、磁場勾配値が
小さい時に広いＥＣＲ領域が形成され、その結果生成さ
れたプラズマ密度が高まる。従って図６に示す如くコイ
ル電流値が小さい場合にエッチレートが高まることにな
る。実用的なエッチレートは1000Å／min 以上が望まし
いが、そのとき磁場の均一性は20％以上と極めて悪くな
り、図５に示した斜線11のようなＥＣＲ領域の分布とな
り、半導体基板２上のエッチングの均一性が得られな
い。一方、均一なＥＣＲ領域（図５の12）を得ようとす
ると（図６のコイル電流190 Ａ付近）実用的なエッチレ
ート1000Å／min はとても得られない。
【０００８】以上のように従来のＥＣＲを用いたプラズ
マ反応装置では、エッチング速度の向上と均一性の向上
を両立させることができないという問題点があった。
マ反応装置では、エッチング速度の向上と均一性の向上
を両立させることができないという問題点があった。
【０００９】つまり、以上の説明からも判るように、磁
場勾配とエッチレートは密接な関係がある。エッチレー
トの均一性向上のためには磁場勾配の均一性向上が不可
欠である。図７中に示した磁場勾配値の径方向均一性は
中心軸から中心より10cmの点までの磁場勾配値の最大値
と最小値より次式により導出したものである。 図７の点線に示したカープから明らかなようにコイル
電流を増すことにより均一性が良好となる傾向があり、
図６に示したエッチレート均一性と良い一致を示してい
る。しかし、均一性を高めるためコイル電流を増すと磁
場勾配値が大きくなってしまうため、エッチレートが低
下することとなる。
場勾配とエッチレートは密接な関係がある。エッチレー
トの均一性向上のためには磁場勾配の均一性向上が不可
欠である。図７中に示した磁場勾配値の径方向均一性は
中心軸から中心より10cmの点までの磁場勾配値の最大値
と最小値より次式により導出したものである。 図７の点線に示したカープから明らかなようにコイル
電流を増すことにより均一性が良好となる傾向があり、
図６に示したエッチレート均一性と良い一致を示してい
る。しかし、均一性を高めるためコイル電流を増すと磁
場勾配値が大きくなってしまうため、エッチレートが低
下することとなる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの態様によ
るプラズマ反応装置は、プラズマ反応室と、この反応室
にマイクロ波を導入する導波管と、反応室の外周部に設
けられた磁場発生手段とを備え、マイクロ波と磁場発生
手段の形成する磁場とにより電子サイクロトロン共鳴を
励起してプラズマを発生させ、このプラズマによって反
応室内に設置された基板を処理するものであり、磁場発
生手投は主ソレノイドコイルとその中心軸方向に所定の
ギャップだけ隔てられて配置された補助コイルとを含
み、その所定ギャップは補助コイルの長さの１／４〜１
倍の範囲内に設定され、所定ギャップに対応する領域内
において電子サイクロトロン共鳴が励起されるととも
に、中心軸方向に平行な方向の磁場勾配がその中心軸お
よびそこから半径方向に離れたいずれの位置においても
５０ガウス／ｃｍ以下であり、かつそれらの位置に依存
する磁場勾配の値の最大値と最小値の差が１０ガウス／
ｃｍ以下に形成されていることを特徴としている。本発
明のもう１つの態様によるプラズマ反応装置を用いた基
板の処理方法は、プラズマ反応室と、この反応室にマイ
クロ波を導入する導波管と、反応室の外周部に設けられ
た磁場発生手段とを備え、マイクロ波と磁場発生手段の
形成する磁場とにより電子サイクロトロン共鳴を励起し
てプラズマを発生させるプラズマ反応装置を用い、磁場
発生手段は主ソレノイドコイルとその中心軸方向に所定
のギャップだけ隔てられて配置された補助コイルとを含
み、その所定ギャップは補助コイルの長さの１／４〜１
倍の範囲内に設定され、プラズマエッチングされるべき
基板をプラズマ反応室内に設置し、プラズマ反応室を減
圧して所定のガスを導入し、所定ギャップに対応する領
域内において中心軸方向に平行な方向の磁場勾配がその
中心軸およびそこから半径方向に離れたいずれの位置に
おいても５０ガウス／ｃｍ以下であり、かつそれらの位
置に依存する磁場勾配値の最大値と最小値の差が１０ガ
ウス／ｃｍ以下になるように設定し、所定ギャップに対
応する電子サイクロトロン共鳴領域内において生成され
たプラズマを基板に照射することによってエッチングす
ることを特徴としている。
るプラズマ反応装置は、プラズマ反応室と、この反応室
にマイクロ波を導入する導波管と、反応室の外周部に設
けられた磁場発生手段とを備え、マイクロ波と磁場発生
手段の形成する磁場とにより電子サイクロトロン共鳴を
励起してプラズマを発生させ、このプラズマによって反
応室内に設置された基板を処理するものであり、磁場発
生手投は主ソレノイドコイルとその中心軸方向に所定の
ギャップだけ隔てられて配置された補助コイルとを含
み、その所定ギャップは補助コイルの長さの１／４〜１
倍の範囲内に設定され、所定ギャップに対応する領域内
において電子サイクロトロン共鳴が励起されるととも
に、中心軸方向に平行な方向の磁場勾配がその中心軸お
よびそこから半径方向に離れたいずれの位置においても
５０ガウス／ｃｍ以下であり、かつそれらの位置に依存
する磁場勾配の値の最大値と最小値の差が１０ガウス／
ｃｍ以下に形成されていることを特徴としている。本発
明のもう１つの態様によるプラズマ反応装置を用いた基
板の処理方法は、プラズマ反応室と、この反応室にマイ
クロ波を導入する導波管と、反応室の外周部に設けられ
た磁場発生手段とを備え、マイクロ波と磁場発生手段の
形成する磁場とにより電子サイクロトロン共鳴を励起し
てプラズマを発生させるプラズマ反応装置を用い、磁場
発生手段は主ソレノイドコイルとその中心軸方向に所定
のギャップだけ隔てられて配置された補助コイルとを含
み、その所定ギャップは補助コイルの長さの１／４〜１
倍の範囲内に設定され、プラズマエッチングされるべき
基板をプラズマ反応室内に設置し、プラズマ反応室を減
圧して所定のガスを導入し、所定ギャップに対応する領
域内において中心軸方向に平行な方向の磁場勾配がその
中心軸およびそこから半径方向に離れたいずれの位置に
おいても５０ガウス／ｃｍ以下であり、かつそれらの位
置に依存する磁場勾配値の最大値と最小値の差が１０ガ
ウス／ｃｍ以下になるように設定し、所定ギャップに対
応する電子サイクロトロン共鳴領域内において生成され
たプラズマを基板に照射することによってエッチングす
ることを特徴としている。
【００１１】
【作用】この発明におけるプラズマ反応装置では、ＥＣ
Ｒ領域内で軸方向に50ガウス／cmの磁場勾配で、かつ均
一性が10ガウス／cm以下に形成されているので、高密度
プラズマを均一性高く生成でき、半導体基板を高速かつ
高均一で処理することが可能となる。
Ｒ領域内で軸方向に50ガウス／cmの磁場勾配で、かつ均
一性が10ガウス／cm以下に形成されているので、高密度
プラズマを均一性高く生成でき、半導体基板を高速かつ
高均一で処理することが可能となる。
【００１２】
実施例１．以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。但し、以下の実施例の構成及び作用は、図
５の装置と一部を除き同様であるので、以下においては
特に相違する点のみについて詳しく説明し、他の点の詳
しい説明は省略する。
て説明する。但し、以下の実施例の構成及び作用は、図
５の装置と一部を除き同様であるので、以下においては
特に相違する点のみについて詳しく説明し、他の点の詳
しい説明は省略する。
【００１３】図１は、この発明の実施例を示す概略断面
図である。この実施例では、磁場発生手段20がソレノイ
ドコイル４とギャップＢだけ離して補助コイル９が設置
されている点を除けば、図５の装置と同じ構成である。
また、ソレノイドコイル４と補助コイル９およびミラー
コイル５はそれぞれ独立に電流を流すように構成されて
いる。
図である。この実施例では、磁場発生手段20がソレノイ
ドコイル４とギャップＢだけ離して補助コイル９が設置
されている点を除けば、図５の装置と同じ構成である。
また、ソレノイドコイル４と補助コイル９およびミラー
コイル５はそれぞれ独立に電流を流すように構成されて
いる。
【００１４】この実施例においては、ＥＣＲ領域をギャ
ップＢのの位置に形成するように、磁場発生手段20のソ
レイノドコイル４と補助コイル９の電流値を設定してい
る。２つのコイルの通電電流は同一方向である。この実
施例のソレノイドコイル４は従来例の装置と同一のもの
を使用し、これに140 Ａの電流を印加している。補助コ
イル９はギャップＢを３cmとした位置に設置してあり、
この補助コイルの諸元はコイル内径27cm，コイル外径39
cm，軸方向長さ６cm，巻数64である。
ップＢのの位置に形成するように、磁場発生手段20のソ
レイノドコイル４と補助コイル９の電流値を設定してい
る。２つのコイルの通電電流は同一方向である。この実
施例のソレノイドコイル４は従来例の装置と同一のもの
を使用し、これに140 Ａの電流を印加している。補助コ
イル９はギャップＢを３cmとした位置に設置してあり、
この補助コイルの諸元はコイル内径27cm，コイル外径39
cm，軸方向長さ６cm，巻数64である。
【００１５】本発明の一実施例による動作を説明する。
ソレノイドコイル４の単独励磁で形成される磁場は、従
来例の図５の11で示されたように広い共鳴領域が形成さ
れるものの均一性に欠ける。
ソレノイドコイル４の単独励磁で形成される磁場は、従
来例の図５の11で示されたように広い共鳴領域が形成さ
れるものの均一性に欠ける。
【００１６】この磁場に対して補助コイル９の励磁電流
値を増していくと、ギャップＢが存在するためにソレノ
イドコイル４と補助コイル９との間で弱いミラー磁場が
形成されてくる。
値を増していくと、ギャップＢが存在するためにソレノ
イドコイル４と補助コイル９との間で弱いミラー磁場が
形成されてくる。
【００１７】この効果は反応室１の外周部から現れ始
め、励磁電流を増すにしたがい中心部に影響を及ぼしＥ
ＣＲ領域が次第に広がっていく。図２は補助コイル電流
を変化させた場合の磁場特性を示す図である。この図か
ら判るように補助コイル電流が110 Ａ〜140 Ａの範囲で
磁場勾配が30ガウス／cmでかつ磁場勾配の最大値と最小
値の差である磁場勾配の均一性が10％以下を実現してい
る。表１は上記本実施例によるプラズマ反応装置によっ
てSiエッチングを行なった結果を従来のものと対比して
示したものである。このように本実施例では磁場勾配値
が27ガウス／cmと十分低くかつ均一性も3.8％と向上し
ているので高いSiエッチレートを保持しながら高い均一
性を得て、従来装置の問題点を解決している。
め、励磁電流を増すにしたがい中心部に影響を及ぼしＥ
ＣＲ領域が次第に広がっていく。図２は補助コイル電流
を変化させた場合の磁場特性を示す図である。この図か
ら判るように補助コイル電流が110 Ａ〜140 Ａの範囲で
磁場勾配が30ガウス／cmでかつ磁場勾配の最大値と最小
値の差である磁場勾配の均一性が10％以下を実現してい
る。表１は上記本実施例によるプラズマ反応装置によっ
てSiエッチングを行なった結果を従来のものと対比して
示したものである。このように本実施例では磁場勾配値
が27ガウス／cmと十分低くかつ均一性も3.8％と向上し
ているので高いSiエッチレートを保持しながら高い均一
性を得て、従来装置の問題点を解決している。
【００１８】
【表１】
【００１９】実施例２．上記実施例では、ギャップＢの
大きさを３cmとしたが補助コイル９の長さＡの1/4 〜１
倍とすることによっても、上記実施例と同様の効果を奏
する。
大きさを３cmとしたが補助コイル９の長さＡの1/4 〜１
倍とすることによっても、上記実施例と同様の効果を奏
する。
【００２０】実施例３．上記実施例の磁場発生手段20
は、ソレノイドコイル４と補助コイル９をギャップＢを
介して設けたものを示したが、必ずしも２個のコイルと
する必要はなく、図３に示すような１つのソレノイドコ
イル枠4b内に、２個のコイル４，９をスペーサ14を介し
てギャップＢを設けた磁場発生手段20でもよい。
は、ソレノイドコイル４と補助コイル９をギャップＢを
介して設けたものを示したが、必ずしも２個のコイルと
する必要はなく、図３に示すような１つのソレノイドコ
イル枠4b内に、２個のコイル４，９をスペーサ14を介し
てギャップＢを設けた磁場発生手段20でもよい。
【００２１】実施例４．またさらに上記磁場発生手段20
は図４に示すような１つのソレノイドコイル4cに複数の
励磁用タップ15を設けたものであってもよい。この実施
例では、タップを適宜使用することにより実質的なギャ
ップＢの長さを自由に設定出来るという特徴を有する。
は図４に示すような１つのソレノイドコイル4cに複数の
励磁用タップ15を設けたものであってもよい。この実施
例では、タップを適宜使用することにより実質的なギャ
ップＢの長さを自由に設定出来るという特徴を有する。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、反応室に
マイクロ波を導入する導波管と、その反応室の外周部に
設けられた磁場発生手段とを備え、マイクロ波と磁場発
生手段の形成する磁場とにより電子サイクロトロン共鳴
を励起してプラズマを発生させるプラズマ発生装置にお
いて、磁場発生手段は主ソレノイドコイルとその中心軸
方向に所定のギャップだけ隔てられて配置された補助コ
イルとを含み、所定ギャップは補助コイルの長さの１／
４〜１倍の範囲内に設定され、所定ギャップに対応する
領域内において電子サイクロトロン共鳴が励起されると
ともに、中心軸方向に平行な方向の磁場勾配がその中心
軸およびそこから半径方向に離れたいずれの位置におい
ても５０ガウス／ｃｍ以下であり、かつそれらの位置に
依存する磁場勾配の値の最大値と最小値の差が１０ガウ
ス／ｃｍ以下に設定されるので、反応室内に設置された
基板を高い均一性と高い速度でエッチング処理すること
ができる。
マイクロ波を導入する導波管と、その反応室の外周部に
設けられた磁場発生手段とを備え、マイクロ波と磁場発
生手段の形成する磁場とにより電子サイクロトロン共鳴
を励起してプラズマを発生させるプラズマ発生装置にお
いて、磁場発生手段は主ソレノイドコイルとその中心軸
方向に所定のギャップだけ隔てられて配置された補助コ
イルとを含み、所定ギャップは補助コイルの長さの１／
４〜１倍の範囲内に設定され、所定ギャップに対応する
領域内において電子サイクロトロン共鳴が励起されると
ともに、中心軸方向に平行な方向の磁場勾配がその中心
軸およびそこから半径方向に離れたいずれの位置におい
ても５０ガウス／ｃｍ以下であり、かつそれらの位置に
依存する磁場勾配の値の最大値と最小値の差が１０ガウ
ス／ｃｍ以下に設定されるので、反応室内に設置された
基板を高い均一性と高い速度でエッチング処理すること
ができる。
【図１】この発明の一実施例によるプラズマ反応装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】この発明の一実施例による磁場特性図である。
【図３】この発明の第３の実施例による磁場発生手段の
断面図である。
断面図である。
【図４】この発明の第４の実施例による磁場発生手段の
断面図である。
断面図である。
【図５】従来のプラズマ反応装置の断面図である。
【図６】従来のプラズマ反応装置によるエッチングレー
ト特性図である。
ト特性図である。
【図７】従来のプラズマ反応装置による磁場勾配特性図
である。
である。
１ 反応室 ２ 半導体基板 ４ ソレノイドコイル ５ ミラーコイル ６ 導波管 ９ 補助コイル 10 共鳴領域 11 共鳴領域 12 共鳴領域 14 スペーサ 15 励磁用タップ
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ反応室と、この反応室にマイク
ロ波を導入する導波管と、前記反応室の外周部に設けら
れた磁場発生手段とを備え、前記マイクロ波と前記磁場
発生手段の形成する磁場とにより電子サイクロトロン共
鳴を励起してプラズマを発生させ、このプラズマにより
前記反応室内に設置された基板を処理するプラズマ反応
装置であって、前記磁場発生手段は主ソレノイドコイル
とその中心軸方向に所定のギャップだけ隔てられて配置
された補助コイルとを含み、前記所定のギャップは前記
補助コイルの長さの１／４〜１倍の範囲内に設定され、
前記所定のギャップに対応する領域内において前記電子
サイクロトロン共鳴が励起されるとともに、前記中心軸
方向に平行な方向の磁場勾配が前記中心軸およびそこか
ら半径方向に離れたいずれの位置においても５０ガウス
／ｃｍ以下であり、かつそれらの位置に依存する磁場勾
配の値の最大値と最小値の差が１０ガウス／ｃｍ以下に
形成されていることを特徴とするプラズマ反応装置。 - 【請求項２】 プラズマ反応室と、この反応室にマイク
ロ波を導入する導波管と、前記反応室の外周部に設けら
れた磁場発生手段とを備え、前記マイクロ波と前記磁場
発生手段の形成する磁場とにより電子サイクロトロン共
鳴を励起してプラズマを発生させるプラズマ反応装置を
用い、 前記磁場発生手段は主ソレノイドコイルとその中心軸方
向に所定のギャップだけ隔てられて配置された補助コイ
ルとを含み、前記所定のギャップは前記補助コイルの長
さの１／４〜１倍の範囲内に設定され、 プラズマエッチングされるべき基板を前記プラズマ反応
室内に設置し、 前記プラズマ反応室を減圧して所定のガスを導入し、 前記所定のギャップに対応する領域内において、中心軸
方向に平行な方向の磁場勾配が前記中心軸およびそこか
ら半径方向に離れたいずれの位置においても５０ガウス
／ｃｍ以下でありかつそれらの位置に依存する磁場勾配
値の最大値と最小値の差が１０ガウス／ｃｍ以下になる
ように設定し、 前記所定のギャップに対応する電子サイクロトロン共鳴
領域内で生成されたプラズマを前記基板に照射すること
によってエッチングを行なうことを特徴とする基板の処
理方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP3115909A JP2837556B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | プラズマ反応装置とそれを用いた基板の処理方法 |
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| JP3115909A JP2837556B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | プラズマ反応装置とそれを用いた基板の処理方法 |
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| JP2837556B2 true JP2837556B2 (ja) | 1998-12-16 |
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1992
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