JPH0273981A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
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- JPH0273981A JPH0273981A JP22464188A JP22464188A JPH0273981A JP H0273981 A JPH0273981 A JP H0273981A JP 22464188 A JP22464188 A JP 22464188A JP 22464188 A JP22464188 A JP 22464188A JP H0273981 A JPH0273981 A JP H0273981A
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Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150114751 SEM1 gene Proteins 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング装置に係り、特にプラズマを利用
して半導体素子基板等の試料をエツチング室理するのに
好適なエツチング装置に関するものである。
して半導体素子基板等の試料をエツチング室理するのに
好適なエツチング装置に関するものである。
例えば、セミコンダクタ・ワールド（Ｓｅｍ１（Ｈｏｎ
ｄｕｅｔｏｒＷｏｒｌｄ） １９８６． １２． Ｐ、
１５９〜１６７に記載のようにデバイスメーカにおいて
はエツチング装置の処理室内に連続プロセス処理により
堆積する反応生成物を定期的な全掃またはプラズマクリ
ーニングを行って除去している。
ｄｕｅｔｏｒＷｏｒｌｄ） １９８６． １２． Ｐ、
１５９〜１６７に記載のようにデバイスメーカにおいて
はエツチング装置の処理室内に連続プロセス処理により
堆積する反応生成物を定期的な全掃またはプラズマクリ
ーニングを行って除去している。
従来のプラズマエツチング装置において、上記従来技術
のように処理室の全掃およびプラズマクリーニングの実
施する場合、これにより装置の稼動率が下がリスループ
ヴトが低下するという問題があった。この問題を解決す
るためにプラズマクリーニングの高速化を図ることが要
望されている。
のように処理室の全掃およびプラズマクリーニングの実
施する場合、これにより装置の稼動率が下がリスループ
ヴトが低下するという問題があった。この問題を解決す
るためにプラズマクリーニングの高速化を図ることが要
望されている。
本発明の目的は、プラズマクリーニング時間を短縮でき
るエツチング装置を提供することにある。
るエツチング装置を提供することにある。
上記目的は、エツチング室内の反応生成物の堆積を生じ
る部分にプラズマクリーニングガスのプラズマによりエ
ツチングされる材料をコーティングすることにより達成
される。
る部分にプラズマクリーニングガスのプラズマによりエ
ツチングされる材料をコーティングすることにより達成
される。
例えば、マイクロ波を利用したアルミ用エツチング装置
を用いて配線材のｐｉ−Ｏｕ−８ｉウエハをＢＯ１３１
０１２ガスにより連続エツチング処理すると均一化リン
グとウェハ押えに反応生成物の堆積を生じる。
を用いて配線材のｐｉ−Ｏｕ−８ｉウエハをＢＯ１３１
０１２ガスにより連続エツチング処理すると均一化リン
グとウェハ押えに反応生成物の堆積を生じる。
この反応生成物はレジスト成分中のＣが主成分であるが
プロセスガス成分のＢ、Ｃ！Ｊと配線材に含まれている
Ｍ、 Ｏｕ、 Ｓ’等が微量に含まれている。
プロセスガス成分のＢ、Ｃ！Ｊと配線材に含まれている
Ｍ、 Ｏｕ、 Ｓ’等が微量に含まれている。
酸素ガスを用いてプラズマクリーニングを実施すると炭
素成分については除去できるがその他の成分については
除去残りを生じ、これを完全に除去するためには数種類
のガスを用いてプラズマクリーニングを行う必要があり
クリーニング時間が長くなる原因となった。
素成分については除去できるがその他の成分については
除去残りを生じ、これを完全に除去するためには数種類
のガスを用いてプラズマクリーニングを行う必要があり
クリーニング時間が長くなる原因となった。
この対策として、均一化リング、ウェハ押え表面に［プ
ラズマによってエツチングされる有機ポリマー、例えば
フッ素樹脂、ポリイミド樹脂なコーティングする。こう
することにより反応生成物を下面よりは（すしながら除
去できるので炭素以外の成分についても酸素プラズマの
みによって除去可能となりクリーニング時間を短縮でき
る。
ラズマによってエツチングされる有機ポリマー、例えば
フッ素樹脂、ポリイミド樹脂なコーティングする。こう
することにより反応生成物を下面よりは（すしながら除
去できるので炭素以外の成分についても酸素プラズマの
みによって除去可能となりクリーニング時間を短縮でき
る。
以下、本発明の一実施例のエツチング装置の構成を第１
図により説明する。処理室ｌ内にプロセスガス２を導入
し、マグネトロン３で発生したマイクロ波と磁場コイル
４で発生した磁界の相互作用により放電管５内にプラズ
マを発生する。高周波電＃６を接続した電極７に負のバ
イアス電圧を発生させイオンエネルギーを制御しなから
ウェハ８麦面をエツチングする。
図により説明する。処理室ｌ内にプロセスガス２を導入
し、マグネトロン３で発生したマイクロ波と磁場コイル
４で発生した磁界の相互作用により放電管５内にプラズ
マを発生する。高周波電＃６を接続した電極７に負のバ
イアス電圧を発生させイオンエネルギーを制御しなから
ウェハ８麦面をエツチングする。
一方、ウェハ８の冷却機構は板ばね９と表面にフッ素樹
脂（例えば、四フッ化エチレン樹脂）をコーティングし
たアルミナ製つェハ押え１０により構成されており、電
極７上に図示しない搬送装置により載置されたウェハ８
は電極７を上昇動作することにより板ばね９の弾性力で
ウェハ押え１０により全周を点支持される。この状態で
裏面よりＨｅ等の冷却ガス１１を導入して処理中のウェ
ハ８を冷却する。
脂（例えば、四フッ化エチレン樹脂）をコーティングし
たアルミナ製つェハ押え１０により構成されており、電
極７上に図示しない搬送装置により載置されたウェハ８
は電極７を上昇動作することにより板ばね９の弾性力で
ウェハ押え１０により全周を点支持される。この状態で
裏面よりＨｅ等の冷却ガス１１を導入して処理中のウェ
ハ８を冷却する。
また、ウェハ８内のエツチング装置の均一性を向上する
ために表面にフヴ素樹脂（例えば四フッ化エチレン樹脂
）をコーティングした石英製の均一化リング１２をウェ
ハ押え１０上に設置している。
ために表面にフヴ素樹脂（例えば四フッ化エチレン樹脂
）をコーティングした石英製の均一化リング１２をウェ
ハ押え１０上に設置している。
本装屑により配線材料であるＭ−ａｕ ｓｉラウェを
Ｂ Ｏ１３／’Ｃ１ｚ ガスを用いて連結処理すると均
一化リング１２とウェハ押えｌＯ上に反応生成物の堆積
を生じ、これがプロセスガス２導入時等のウェハ８への
異物付着の原因となることが明らかになりプラズマクリ
ーニングを実施して対処する必要があった。
Ｂ Ｏ１３／’Ｃ１ｚ ガスを用いて連結処理すると均
一化リング１２とウェハ押えｌＯ上に反応生成物の堆積
を生じ、これがプロセスガス２導入時等のウェハ８への
異物付着の原因となることが明らかになりプラズマクリ
ーニングを実施して対処する必要があった。
この反応生成物はレジスト成分中の炭素が主成分である
がその他にプロセスガス成分のＢ＋ Ｃｊ’２＋と配線
材料Ｍ、Ｃｕ、Ｓ１が微量に含まれている。
がその他にプロセスガス成分のＢ＋ Ｃｊ’２＋と配線
材料Ｍ、Ｃｕ、Ｓ１が微量に含まれている。
しかし、酸素ガスによるプラズマクリーニングを実施す
ると反応生成物がエツチングされフッ素樹脂上に堆積し
ているために反応生成物をフッ素樹脂とともにはくすし
ながら除去でき、炭素以外の・ ４ 成分も完全に除去でき除去残りを生じないことが明らか
になった。
ると反応生成物がエツチングされフッ素樹脂上に堆積し
ているために反応生成物をフッ素樹脂とともにはくすし
ながら除去でき、炭素以外の・ ４ 成分も完全に除去でき除去残りを生じないことが明らか
になった。
よって、反応生成物中の炭素以外の成分についても酸素
ガスによるプラズマクリーニングのみで除去できるので
、プラズマクリーニングの高速化を図ることができクリ
ーニング時間を短縮することができる。
ガスによるプラズマクリーニングのみで除去できるので
、プラズマクリーニングの高速化を図ることができクリ
ーニング時間を短縮することができる。
本実施例ではフヴ素樹脂について説明したが、その他に
、ポリイミド樹脂をコーティングしても同様の効果が得
られる。
、ポリイミド樹脂をコーティングしても同様の効果が得
られる。
本発明によれば反応生成物を短時間で除去できるので、
プラズマクリーニング処理の高速化、それによるクリー
ニング時間を短縮できる効果がある。
プラズマクリーニング処理の高速化、それによるクリー
ニング時間を短縮できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のエツチング装置の要部縦断
面図である。
面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空室にプラズマを発生して試料をエッチングする
装置において、前記試料の周りに配置される均一化リン
グと試料押えとに有機ポリマをコーティングしたことを
特徴とするエッチング装置。 ２、前記均一化リングと試料押えとにフッ素樹脂をコー
ティングした第１請求項に記載のエッチング装置。 ３、前記均一化リングと試料押えとにポリイミド樹脂を
コーティングした第１請求項に記載のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22464188A JPH0273981A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22464188A JPH0273981A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273981A true JPH0273981A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16816901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22464188A Pending JPH0273981A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0273981A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5292395A (en) * | 1991-05-21 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | ECR plasma reaction apparatus having uniform magnetic field gradient |
| US5581874A (en) * | 1994-03-28 | 1996-12-10 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a bonding portion |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22464188A patent/JPH0273981A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5292395A (en) * | 1991-05-21 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | ECR plasma reaction apparatus having uniform magnetic field gradient |
| US5581874A (en) * | 1994-03-28 | 1996-12-10 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a bonding portion |
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