JPH09289198A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用保護部材 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用保護部材Info
- Publication number
- JPH09289198A JPH09289198A JP8124075A JP12407596A JPH09289198A JP H09289198 A JPH09289198 A JP H09289198A JP 8124075 A JP8124075 A JP 8124075A JP 12407596 A JP12407596 A JP 12407596A JP H09289198 A JPH09289198 A JP H09289198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- protective member
- plasma treatment
- glassy carbon
- treatment equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 寿命が長く、ダスト発生を少なくするプラズ
マ処理装置用保護部材を得る。 【解決手段】 ２個のプラズマ発生用電極（３，４）が
配設され、これら両電極（３，４）間にプラズマ領域
（５）が形成されるプラズマ処理室（２）内に、上記両
電極（３，４）の両側方に上記プラズマ領域（５）を覆
うように配設されるプラズマ処理装置用保護部材（８）
において、この保護部材（８）の少なくとも上記プラズ
マ領域側表面をガラス状カーボンにて形成する。
マ処理装置用保護部材を得る。 【解決手段】 ２個のプラズマ発生用電極（３，４）が
配設され、これら両電極（３，４）間にプラズマ領域
（５）が形成されるプラズマ処理室（２）内に、上記両
電極（３，４）の両側方に上記プラズマ領域（５）を覆
うように配設されるプラズマ処理装置用保護部材（８）
において、この保護部材（８）の少なくとも上記プラズ
マ領域側表面をガラス状カーボンにて形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩやＩＣなど
の半導体集積回路や光通信用の導波路を製造する際に使
用されるプラズマエッチング処理装置やＣＶＤ装置等の
プラズマ処理装置、及びこのプラズマ処理装置で使用す
る保護部材に関する。
の半導体集積回路や光通信用の導波路を製造する際に使
用されるプラズマエッチング処理装置やＣＶＤ装置等の
プラズマ処理装置、及びこのプラズマ処理装置で使用す
る保護部材に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】最近に
なって、半導体集積回路の微細化技術と高密度技術の進
展に伴い、ウエハ上に微細なパターンを高精度に形成す
ることのできるプラズマエッチング技術や、プラズマＣ
ＶＤ技術などのプラズマ処理技術への重要性が高まって
いる。
なって、半導体集積回路の微細化技術と高密度技術の進
展に伴い、ウエハ上に微細なパターンを高精度に形成す
ることのできるプラズマエッチング技術や、プラズマＣ
ＶＤ技術などのプラズマ処理技術への重要性が高まって
いる。
【０００３】このようなプラズマ処理技術において用い
る電極としては、アルミニウム、グラファイト、ガラス
状カーボン、金属シリコン、石英などが使用されてい
る。
る電極としては、アルミニウム、グラファイト、ガラス
状カーボン、金属シリコン、石英などが使用されてい
る。
【０００４】一方、プラズマ処理装置のチャンバー、デ
ポシールド（保護部材）と呼ばれる部品などは、アルミ
材料がほとんどであり、最近では、半導体の高集積化の
要望で、アルミ部品の表面を陽極酸化処理したものも使
用されるようになってきている。
ポシールド（保護部材）と呼ばれる部品などは、アルミ
材料がほとんどであり、最近では、半導体の高集積化の
要望で、アルミ部品の表面を陽極酸化処理したものも使
用されるようになってきている。
【０００５】ところで、プラズマエッチング処理などに
おいては、ウエハ等を処理した場合、表面にダストが付
着することは好ましくない。このダストは、電極がプラ
ズマによって侵食、消耗せしめられる際にこの電極から
発生すると考えられ、このため、電極についてダストを
可及的に発生させないようにする提案もなされている
が、本発明者が種々検討を行った結果、ダストの発生原
因は、電極のみならず、プラズマ処理装置自体にもある
ことをつきとめた。
おいては、ウエハ等を処理した場合、表面にダストが付
着することは好ましくない。このダストは、電極がプラ
ズマによって侵食、消耗せしめられる際にこの電極から
発生すると考えられ、このため、電極についてダストを
可及的に発生させないようにする提案もなされている
が、本発明者が種々検討を行った結果、ダストの発生原
因は、電極のみならず、プラズマ処理装置自体にもある
ことをつきとめた。
【０００６】即ち、プラズマ処理装置のチャンバー、保
護部材などは上述したようにアルミ材料によって形成さ
れているが、これが時にはプラズマに直接接し、しかも
腐蝕性のガスにも曝されているため、これが損傷し、そ
の寿命を短くすると共に、この損傷がダストの原因とな
っていることを知見し、従ってかかる点の解決が望まれ
た。
護部材などは上述したようにアルミ材料によって形成さ
れているが、これが時にはプラズマに直接接し、しかも
腐蝕性のガスにも曝されているため、これが損傷し、そ
の寿命を短くすると共に、この損傷がダストの原因とな
っていることを知見し、従ってかかる点の解決が望まれ
た。
【０００７】本発明は、上記要望に応えたもので、パー
ティクル（ダスト）の発生が少なく、しかも寿命の長い
プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用保護部材を提
供することを目的とする。
ティクル（ダスト）の発生が少なく、しかも寿命の長い
プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用保護部材を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、（１）プラズマ発生用電極が配設されたプ
ラズマ処理室を有するプラズマ処理装置において、上記
プラズマ処理室内の上記電極以外のプラズマに曝される
部分の少なくとも表面をガラス状カーボンにて形成した
ことを特徴とするプラズマ処理装置、及び、（２）２個
のプラズマ発生用電極が配設され、これら両電極間にプ
ラズマ領域が形成されるプラズマ処理室内に、上記両電
極の両側方に上記プラズマ領域を覆うように配設される
プラズマ処理装置用保護部材において、この保護部材の
少なくとも上記プラズマ領域側表面をガラス状カーボン
にて形成したことを特徴とするプラズマ処理装置用保護
部材を提供する。
成するため、（１）プラズマ発生用電極が配設されたプ
ラズマ処理室を有するプラズマ処理装置において、上記
プラズマ処理室内の上記電極以外のプラズマに曝される
部分の少なくとも表面をガラス状カーボンにて形成した
ことを特徴とするプラズマ処理装置、及び、（２）２個
のプラズマ発生用電極が配設され、これら両電極間にプ
ラズマ領域が形成されるプラズマ処理室内に、上記両電
極の両側方に上記プラズマ領域を覆うように配設される
プラズマ処理装置用保護部材において、この保護部材の
少なくとも上記プラズマ領域側表面をガラス状カーボン
にて形成したことを特徴とするプラズマ処理装置用保護
部材を提供する。
【０００９】ここで、本発明のプラズマ処理装置は、プ
ラズマエッチング、プラズマＣＶＤなどのプラズマで被
処理物を処理する種々のプラズマ処理装置に適用される
が、プラズマに曝される部分、例えばチャンバー壁面や
上記保護部材のプラズマ露呈部分の少なくとも表面がガ
ラス状カーボンにて形成されているので、プラズマによ
る侵食、損傷が少なく、このため長寿命であると共に、
パーティクル（ダスト）発生も少なく、プラズマエッチ
ングなどでウエハ等の被処理物にダストが付着すること
が良好に防止される。
ラズマエッチング、プラズマＣＶＤなどのプラズマで被
処理物を処理する種々のプラズマ処理装置に適用される
が、プラズマに曝される部分、例えばチャンバー壁面や
上記保護部材のプラズマ露呈部分の少なくとも表面がガ
ラス状カーボンにて形成されているので、プラズマによ
る侵食、損傷が少なく、このため長寿命であると共に、
パーティクル（ダスト）発生も少なく、プラズマエッチ
ングなどでウエハ等の被処理物にダストが付着すること
が良好に防止される。
【００１０】なお、プラズマに曝される部分をガラス状
カーボンにて形成する方法としては、当該部分を含む部
材全体をガラス状カーボンにて形成してもよいが、部材
本体はアルミ材料など、他材料により形成し、当該部分
或いは部材本体全体をガラス状カーボンにて被覆するこ
とがコストの点から好ましく、このようにガラス状カー
ボンで被覆すれば、部材本体をアルミ材料にて形成して
も、プラズマによる侵食、損傷は確実に防止される。
カーボンにて形成する方法としては、当該部分を含む部
材全体をガラス状カーボンにて形成してもよいが、部材
本体はアルミ材料など、他材料により形成し、当該部分
或いは部材本体全体をガラス状カーボンにて被覆するこ
とがコストの点から好ましく、このようにガラス状カー
ボンで被覆すれば、部材本体をアルミ材料にて形成して
も、プラズマによる侵食、損傷は確実に防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態及び実施例】以下、本発明の一実施
例につき図面を参照して説明する。
例につき図面を参照して説明する。
【００１２】図１はプラズマエッチング用処理装置を示
し、図中１は処理装置本体（チャンバー）で、その内部
にプラズマ処理室２が形成されている。このプラズマ処
理室２には、２個のプラズマ発生用電極３，４が互いに
所定間隔離間して対向状態に配設されており、これら両
電極３，４間にプラズマ領域５が形成される。上記一方
の電極（上部電極）３にはエッチングガス導入管６が連
結されており、エッチングガスがこの導入管６内を通
り、上記上部電極３に多数形成されたエッチングガス流
通孔３ａ内を通って、上記プラズマ領域５に流入するよ
うになっている。また、上記他方の電極（下部電極）４
上には被処理物７、例えばシリコンウエハ等が載置され
る。なお、図示していないが、上記上部電極３は高周波
電源に接続され、下部電極４はアースされる。
し、図中１は処理装置本体（チャンバー）で、その内部
にプラズマ処理室２が形成されている。このプラズマ処
理室２には、２個のプラズマ発生用電極３，４が互いに
所定間隔離間して対向状態に配設されており、これら両
電極３，４間にプラズマ領域５が形成される。上記一方
の電極（上部電極）３にはエッチングガス導入管６が連
結されており、エッチングガスがこの導入管６内を通
り、上記上部電極３に多数形成されたエッチングガス流
通孔３ａ内を通って、上記プラズマ領域５に流入するよ
うになっている。また、上記他方の電極（下部電極）４
上には被処理物７、例えばシリコンウエハ等が載置され
る。なお、図示していないが、上記上部電極３は高周波
電源に接続され、下部電極４はアースされる。
【００１３】上記両電極３，４の側方には、それぞれ上
記プラズマ領域５を覆うように板状の保護部材８，８が
配設されている。
記プラズマ領域５を覆うように板状の保護部材８，８が
配設されている。
【００１４】ここで、本発明においては、上記保護部材
８，８の少なくともプラズマ領域５側の表面をガラス状
カーボンにて形成するものである。この態様としては、
保護部材全体をガラス状カーボンにて形成してもよく、
保護部材をアルミ材料等で形成し、その全面をガラス状
カーボンにて被覆してもよく、あるいはプラズマ領域側
の表面のみをガラス状カーボンにて被覆するだけでもよ
い。なお、このようにガラス状カーボンの被覆を行う場
合、ガラス状カーボンをフィルム状に形成し、このフィ
ルムを貼り合わせることができる。このガラス状カーボ
ンの被膜の厚さは１０μｍ〜１０ｍｍ、特に５０μｍ〜
６ｍｍであることが、本発明の目的から好ましい。
８，８の少なくともプラズマ領域５側の表面をガラス状
カーボンにて形成するものである。この態様としては、
保護部材全体をガラス状カーボンにて形成してもよく、
保護部材をアルミ材料等で形成し、その全面をガラス状
カーボンにて被覆してもよく、あるいはプラズマ領域側
の表面のみをガラス状カーボンにて被覆するだけでもよ
い。なお、このようにガラス状カーボンの被覆を行う場
合、ガラス状カーボンをフィルム状に形成し、このフィ
ルムを貼り合わせることができる。このガラス状カーボ
ンの被膜の厚さは１０μｍ〜１０ｍｍ、特に５０μｍ〜
６ｍｍであることが、本発明の目的から好ましい。
【００１５】ここで、ガラス状カーボンは、セルロー
ス、フルフリルアルコール、フェノール樹脂、アセト
ン、ポリカルボジイミド樹脂、フラン樹脂、フルフラー
ル樹脂、その他の熱硬化樹脂、あるいはそれらの混合樹
脂を原料として得ることができる。
ス、フルフリルアルコール、フェノール樹脂、アセト
ン、ポリカルボジイミド樹脂、フラン樹脂、フルフラー
ル樹脂、その他の熱硬化樹脂、あるいはそれらの混合樹
脂を原料として得ることができる。
【００１６】なお、上記電極の材料は、公知の電極材料
でよいが、特にはガラス状カーボン又は金属シリコンが
好ましい。また、装置本体は、このように保護部材を配
設した場合は、アルミ材料等の公知の材料により形成す
ることができる。勿論、装置本体の内壁面全面をガラス
状カーボンにて被覆してもよく、上記両電極と保護部材
との隙間からプラズマが漏れてプラズマに曝されるおそ
れのある装置本体の表面部分をガラス状カーボンにて被
覆してもよい。また、上記のように保護部材を配設しな
い場合は、装置本体の内壁面全面又はプラズマに曝され
る部分をガラス状カーボンにて被覆するものである。
でよいが、特にはガラス状カーボン又は金属シリコンが
好ましい。また、装置本体は、このように保護部材を配
設した場合は、アルミ材料等の公知の材料により形成す
ることができる。勿論、装置本体の内壁面全面をガラス
状カーボンにて被覆してもよく、上記両電極と保護部材
との隙間からプラズマが漏れてプラズマに曝されるおそ
れのある装置本体の表面部分をガラス状カーボンにて被
覆してもよい。また、上記のように保護部材を配設しな
い場合は、装置本体の内壁面全面又はプラズマに曝され
る部分をガラス状カーボンにて被覆するものである。
【００１７】図１に示すプラズマエッチング装置は常法
に従った方法で使用し得るが、この装置は、保護部材の
プラズマ領域側の表面がガラス状カーボンにて形成され
ているので、保護部材がプラズマによって侵食、損傷す
ることが防止され、長期間安定して使用し得ると共に、
パーティクル（ダスト）の発生が著しく少ないものであ
る。
に従った方法で使用し得るが、この装置は、保護部材の
プラズマ領域側の表面がガラス状カーボンにて形成され
ているので、保護部材がプラズマによって侵食、損傷す
ることが防止され、長期間安定して使用し得ると共に、
パーティクル（ダスト）の発生が著しく少ないものであ
る。
【００１８】なお、本発明の装置は、図１に示したもの
に限定されるものではなく、公知の種々のプラズマ処理
装置に適用されるものであり、その他の工程についても
本発明の要旨の範囲内で種々変更して差し支えない。
に限定されるものではなく、公知の種々のプラズマ処理
装置に適用されるものであり、その他の工程についても
本発明の要旨の範囲内で種々変更して差し支えない。
【００１９】次に実施例と比較例を示し、本発明の効果
を具体的に説明する。
を具体的に説明する。
【００２０】〔実施例１〕フェノール樹脂由来の密度
１．５１ｇ／ｃｍ3，総灰分２ｐｐｍのガラス状カーボ
ンを用いて図１に示す如き保護部材を作製した。
１．５１ｇ／ｃｍ3，総灰分２ｐｐｍのガラス状カーボ
ンを用いて図１に示す如き保護部材を作製した。
【００２１】〔実施例２〕ポリカルボジイミド樹脂由来
の密度１．５５ｇ／ｃｍ3，総灰分２０ｐｐｍのガラス
状カーボンフィルム（厚さ０．３５ｍｍ）をアルマイト
処理されたアルミ製保護部材のプラズマ領域側表面に貼
着して、図１に示す如き保護部材を作製した。
の密度１．５５ｇ／ｃｍ3，総灰分２０ｐｐｍのガラス
状カーボンフィルム（厚さ０．３５ｍｍ）をアルマイト
処理されたアルミ製保護部材のプラズマ領域側表面に貼
着して、図１に示す如き保護部材を作製した。
【００２２】〔実施例３〕フラン樹脂由来の密度１．５
２ｇ／ｃｍ3，総灰分１０ｐｐｍのガラス状カーボンを
用いて図１に示す如き保護部材を作製した。
２ｇ／ｃｍ3，総灰分１０ｐｐｍのガラス状カーボンを
用いて図１に示す如き保護部材を作製した。
【００２３】〔比較例１〕実施例２のアルマイト処理し
たアルミ製保護部材をそのまま用いた。
たアルミ製保護部材をそのまま用いた。
【００２４】〔比較例２〕密度１．８５ｇ／ｃｍ3の等
方性黒鉛を用いて図１に示す如き保護部材を作製した。
方性黒鉛を用いて図１に示す如き保護部材を作製した。
【００２５】次に、上記保護部材を図１に示すプラズマ
エッチング装置に図示のようにセットし、反応ガスであ
るトリフロロメタン、アルゴン及び酸素の混合ガスを流
し、プラズマを発生させた。８インチのシリコンウエハ
の酸化膜をエッチングし、その時のウエハ表面に付着し
た０．３μｍ以上の粉末粒子の個数をカウントした。結
果を表１に示す。なお、電極としてはガラス状カーボン
製プラズマ発生用電極を使用し、装置本体はアルミにて
形成した。
エッチング装置に図示のようにセットし、反応ガスであ
るトリフロロメタン、アルゴン及び酸素の混合ガスを流
し、プラズマを発生させた。８インチのシリコンウエハ
の酸化膜をエッチングし、その時のウエハ表面に付着し
た０．３μｍ以上の粉末粒子の個数をカウントした。結
果を表１に示す。なお、電極としてはガラス状カーボン
製プラズマ発生用電極を使用し、装置本体はアルミにて
形成した。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置及びそれに用
いる保護部材は、長寿命であり、また発生するダストを
極めて少なくすることができる。
いる保護部材は、長寿命であり、また発生するダストを
極めて少なくすることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
１ 装置本体 ２ プラズマ処理室 ３ 電極 ４ 電極 ５ プラズマ領域 ６ エッチングガス導入管 ７ 被処理物 ８ 保護部材
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ発生用電極が配設されたプラズ
マ処理室を有するプラズマ処理装置において、上記プラ
ズマ処理室内の上記電極以外のプラズマに曝される部分
の少なくとも表面をガラス状カーボンにて形成したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 ２個のプラズマ発生用電極が配設され、
これら両電極間にプラズマ領域が形成されるプラズマ処
理室内に、上記両電極の両側方に上記プラズマ領域を覆
うように配設されるプラズマ処理装置用保護部材におい
て、この保護部材の少なくとも上記プラズマ領域側表面
をガラス状カーボンにて形成したことを特徴とするプラ
ズマ処理装置用保護部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12407596A JP3444090B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | プラズマ処理装置用保護部材 |
| TW086104964A TW425437B (en) | 1996-04-22 | 1997-04-17 | Plasma processing system and protective member used for the same |
| KR1019970014841A KR970070243A (ko) | 1996-04-22 | 1997-04-22 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용 보호부재 |
| DE69727094T DE69727094T2 (de) | 1996-04-22 | 1997-04-22 | Plasmabehandlungsvorrichtung und Schutzteil dafür |
| EP97302744A EP0803896B1 (en) | 1996-04-22 | 1997-04-22 | Plasma processing system and protective member used for the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12407596A JP3444090B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | プラズマ処理装置用保護部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289198A true JPH09289198A (ja) | 1997-11-04 |
| JP3444090B2 JP3444090B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=14876321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12407596A Expired - Fee Related JP3444090B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | プラズマ処理装置用保護部材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0803896B1 (ja) |
| JP (1) | JP3444090B2 (ja) |
| KR (1) | KR970070243A (ja) |
| DE (1) | DE69727094T2 (ja) |
| TW (1) | TW425437B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733121B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2007-06-27 | 삼성전자주식회사 | 건식 식각 장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4037956B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2008-01-23 | 東海カーボン株式会社 | チャンバー内壁保護部材 |
| JP2003520429A (ja) * | 2000-01-11 | 2003-07-02 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 半導体エッチングチャンバ用ライナ |
| KR100427423B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2004-04-13 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | Ｃｖｄ용 인너튜브 |
| US20040033361A1 (en) | 2002-08-06 | 2004-02-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) | Component of glass-like carbon for CVD apparatus and process for production thereof |
| JP5249040B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2013-07-31 | レプリソールス グループ エスアーエス | 電極およびその形成方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213427A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JP3215978B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2001-10-09 | 日清紡績株式会社 | ガラス状炭素被覆体の製造方法 |
| JP2936790B2 (ja) * | 1991-05-27 | 1999-08-23 | 株式会社島津製作所 | 薄膜形成装置 |
| JPH05304114A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-16 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエッチング用電極板 |
| JPH07122540A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-12 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
| US5680013A (en) * | 1994-03-15 | 1997-10-21 | Applied Materials, Inc. | Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces |
| EP0763504B1 (en) * | 1995-09-14 | 1999-06-02 | Heraeus Quarzglas GmbH | Silica glass member and method for producing the same |
| JP3262696B2 (ja) * | 1995-09-18 | 2002-03-04 | 信越石英株式会社 | ガラス状カーボン被膜を有するシリカガラス部材 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP12407596A patent/JP3444090B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-17 TW TW086104964A patent/TW425437B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-22 KR KR1019970014841A patent/KR970070243A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-04-22 EP EP97302744A patent/EP0803896B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-22 DE DE69727094T patent/DE69727094T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733121B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2007-06-27 | 삼성전자주식회사 | 건식 식각 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3444090B2 (ja) | 2003-09-08 |
| KR970070243A (ko) | 1997-11-07 |
| DE69727094D1 (de) | 2004-02-12 |
| EP0803896B1 (en) | 2004-01-07 |
| EP0803896A3 (en) | 1998-07-15 |
| TW425437B (en) | 2001-03-11 |
| EP0803896A2 (en) | 1997-10-29 |
| DE69727094T2 (de) | 2004-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0159097B1 (ko) | 웨이퍼의 전방표면으로부터의 재료들의 제거를 방지하면서 반도체 웨이퍼의 후방측면과 단부테두리로부터 증착부를 제거하기 위한 방법 및 장치 | |
| US20080289766A1 (en) | Hot edge ring apparatus and method for increased etch rate uniformity and reduced polymer buildup | |
| US20110076401A1 (en) | Method of Making Showerhead for Semiconductor Processing Apparatus | |
| US20040072426A1 (en) | Process chamber for manufacturing a smiconductor device | |
| JP2005311141A (ja) | プラズマエッチング法 | |
| JP2006073722A (ja) | アッシング方法及びアッシング装置 | |
| WO2002052628A1 (fr) | Procede et appareil de traitement au plasma | |
| US20050106869A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP6609535B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| EP1088326A1 (en) | Pedestal insulator for a pre-clean chamber | |
| JPH09289198A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用保護部材 | |
| JP2010003807A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7344652B2 (en) | Plasma etching method | |
| US6986851B2 (en) | Dry developing method | |
| US6391786B1 (en) | Etching process for organic anti-reflective coating | |
| JP2761172B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP2004289003A (ja) | 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP4113406B2 (ja) | プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品 | |
| JP3180438B2 (ja) | プラズマ処理装置被処理基板固定方法 | |
| US20050287814A1 (en) | H2O plasma for simultaneous resist removal and charge releasing | |
| JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH08148471A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH09289196A (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| JP3444089B2 (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| JP3357737B2 (ja) | 放電プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |