JP2004289003A - 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004289003A
JP2004289003A JP2003081225A JP2003081225A JP2004289003A JP 2004289003 A JP2004289003 A JP 2004289003A JP 2003081225 A JP2003081225 A JP 2003081225A JP 2003081225 A JP2003081225 A JP 2003081225A JP 2004289003 A JP2004289003 A JP 2004289003A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
wafer
plasma
focus ring
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003081225A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaya Imamura
雅也 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2003081225A priority Critical patent/JP2004289003A/ja
Publication of JP2004289003A publication Critical patent/JP2004289003A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】ガスの流れが乱されることを抑制しつつ、デポ物の付着量を増加させる。
【解決手段】エッチング装置に設けられた上部電極2にシールドリング5を配置するとともに、静電チャック6にフォーカスリング10を配置し、シールドリング5およびフォーカスリング10の露出面の一部に粗面5a、10aをそれぞれ形成する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、ドライエッチング装置に用いられるシールドリングおよびフォーカスリングに適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のプラズマ処理装置では、例えば、特許文献1に開示されているように、ドライエッチング装置内に設けられる石英リングの粗面加工を行うことにより、ドライエッチング装置内で生成されるデポ物を石英リングに付着させ、デポ物の落下を低減させることが行われている。
【0003】
【特許文献1】
特開平10−163180号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の石英リングは、石英リングの露出面全体に粗面加工が行われている。このため、石英リング上のガスの流れが乱され、ドライエッチングの均一性が損なわれるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、ガスの流れが乱されることを抑制しつつ、デポ物の付着量を増加させることが可能な石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る石英リングによれば、プラズマを閉じ込める開口部と、前記開口部の周囲の平坦面の一部の領域に形成された粗面とを備えることを特徴とする。
これにより、石英リングに形成される粗面の形成領域を限定することが可能となり、石英リング上を流れるガスの乱れを抑制しつつ、プラズマの近傍でデポ物の付着量を増加させることが可能となる。このため、プラズマ処理される対象物上にパーティクルが落下することを抑制しつつ、プラズマ処理の均一性を向上させることが可能となり、製品品質を向上させることが可能となる。
【0006】
また、本発明の一態様に係る石英リングによれば、前記粗面は、前記プラズマ発生領域に対応して設けられていることを特徴とする。
これにより、デポ物が付着し易い領域に対応して粗面を形成することが可能となり、石英リング上を流れるガスの乱れを抑制しつつ、デポ物を効率よく付着させることが可能となる。
【0007】
また、本発明の一態様に係る石英リングによれば、プラズマを閉じ込める開口部と、前記開口部の周囲に沿うようにして、半径方向または円周方向の少なくとも一方の方向に設けられたスリットとを備えることを特徴とする。
これにより、プラズマの発生領域の近傍で石英リングの表面積を増加させることが可能となり、石英リング上を流れるガスの乱れを抑制しつつ、プラズマの発生領域の近傍でデポ物の付着量を増加させることが可能となる。このため、プラズマ処理される対象物上にパーティクルが落下することを抑制しつつ、プラズマ処理の均一性を向上させることが可能となり、製品品質を向上させることが可能となる。
【0008】
また、本発明の一態様に係るプラズマ処理装置によれば、反応ガスを導入するチャンバと、前記チャンバ内に設けられた上部電極と、前記チャンバ内に設けられ、前記上部電極に対向配置された下部電極と、前記上部電極に設置され、露出面の一部に粗面が形成されたシールドリングと、前記下部電極に設置され、露出面の一部に粗面が形成されたフォーカスリングとを備えることを特徴とする。
【0009】
これにより、シールドリングおよびフォーカスリングに形成される粗面の形成領域を限定することが可能となり、シールドリングおよびフォーカスリング間を流れるガスの乱れを抑制しつつ、プラズマ発生領域の周囲でデポ物の付着量を増加させることが可能となる。このため、下部電極上に配置された処理対象物上にパーティクルが落下することを抑制しつつ、プラズマ処理の均一性を向上させることが可能となり、製品品質を向上させることが可能となる。
【0010】
また、本発明の一態様に係るプラズマ処理装置によれば、反応ガスを導入するチャンバと、前記チャンバ内に設けられた上部電極と、前記チャンバ内に設けられ、前記上部電極に対向配置された下部電極と、前記上部電極に設置され、半径方向または円周方向の少なくとも一方の方向に沿ってスリットが設けられたシールドリングと、前記下部電極に設置され、半径方向または円周方向の少なくとも一方の方向に沿ってスリットが設けられたフォーカスリングとを備えることを特徴とする。
【0011】
これにより、シールドリングおよびフォーカスリングの表面積をプラズマ発生領域の近傍で増加させることが可能となり、シールドリングおよびフォーカスリング間を流れるガスの乱れを抑制しつつ、プラズマ発生領域の近傍でデポ物の付着量を増加させることが可能となる。このため、下部電極上に配置された処理対象物上にパーティクルが落下することを抑制しつつ、プラズマ処理の均一性を向上させることが可能となり、製品品質を向上させることが可能となる。
【0012】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、露出面の一部に粗面を有する石英リングが電極に設置されたエッチング装置内にウェハを搬入する工程と、前記エッチング装置内にエッチングガスを導入する工程と、前記電極に高周波電力を供給することで、前記エッチング装置内にプラズマを発生させる工程と、前記プラズマを前記ウェハに晒すことにより、前記ウェハのエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【0013】
これにより、石英リング上を流れるガスの乱れを抑制しつつ、ウェハのエッチング処理を行うことが可能となるとともに、ウェハ近傍でデポ物の付着量を増加させることを可能として、ウェハ上にパーティクルが落下することを抑制することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、スリットを有する石英リングが電極に設置されたエッチング装置内にウェハを搬入する工程と、前記エッチング装置内にエッチングガスを導入する工程と、前記電極に高周波電力を供給することで、前記エッチング装置内にプラズマを発生させる工程と、前記プラズマを前記ウェハに晒すことにより、前記ウェハのエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【0014】
これにより、石英リング上を流れるガスの乱れを抑制しつつ、ウェハのエッチング処理を行うことが可能となるとともに、ウェハ近傍でデポ物の付着量を増加させることを可能として、ウェハ上にパーティクルが落下することを抑制することが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【0016】
図1において、チャンバ1には、チャンバ1内を排気する排気管1aが設けられるとともに、チャンバ1内には、プラズマPを発生させる上部電極2およびウェハWを静電吸着する静電チャック6が設けられている。ここで、上部電極2には、カップリングコンデンサ3を介してRF電源4が接続され、静電チャック6には、直流電源7が接続されるとともに、カップリングコンデンサ8を介してRF電源9が接続されている。また、上部電極2には、シールドリング5が配置されるとともに、静電チャック6には、シールドリング5に対向するようにして、フォーカスリング10が配置されている。なお、シールドリング5およびフォーカスリング10の素材としては、例えば、石英を用いることができる。そして、シールドリング5およびフォーカスリング10の露出面の一部には、粗面5a、10aがそれぞれ形成されている。なお、粗面5a、10aはプラズマPの発生領域に対応して設けることが好ましく、例えば、シールドリング5およびフォーカスリング10の平坦面上の内周側に粗面5a、10aをそれぞれ設けることができる。
【0017】
そして、ウェハWのエッチング処理を行う場合、ウェハWを静電チャック6上に載置する。そして、直流電源7をオンしてウェハWを静電チャック6上に固定した後、チャンバ1内を排気し、上部電極2を介してエッチングガスGをチャンバ1内に導入する。そして、RF電源4、9をそれぞれオンして、上部電極2および静電チャック6に高周波電力をそれぞれ印加し、チャンバ1内にプラズマPを発生させる。
【0018】
そして、チャンバ1内にプラズマPが発生すると、ウェハWがエッチングされるとともに、チャンバ1内にデポ物が生成され、シールドリング5およびフォーカスリング10に付着する。また、上部電極2を介してチャンバ1内に導入されたエッチングガスGは、シールドリング5およびフォーカスリング10の間を通り、排気管1aを介してチャンバ1外に排気される。
【0019】
ここで、シールドリング5およびフォーカスリング10の露出面の一部に粗面5a、10aをそれぞれ形成することにより、シールドリング5およびフォーカスリング10に形成される粗面5a、10aの形成領域を限定することが可能となり、シールドリング5およびフォーカスリング10間を流れるエッチングガスGが粗面5a、10aにより乱されることを抑制することが可能となる。このため、シールドリング5およびフォーカスリング10間を流れるエッチングガスGの乱れを抑制しつつ、シールドリング5およびフォーカスリング10に付着するデポ物の付着量を増加させることが可能となり、静電チャック6上に載置されたウェハW上にパーティクルが落下することを抑制しつつ、ウェハWのエッチング処理の均一性を向上させることが可能となる。
【0020】
図2(a)は、図1のフォーカスリング10の概略構成を示す平面図、図2(b)は、図2(a)のA−A線で切断した断面図、図2(c)は、図1のフォーカスリングの一部を示す斜視図である。
図2において、フォーカスリング10の内周面には、ウェハWを載せる段差11が形成されるとともに、フォーカスリング10の内周側の露出面上には、フォーカスリング10の内周に沿って粗面10aが形成されている。
【0021】
ここで、フォーカスリング10に形成された粗面10aの幅Bは、例えば、0.2〜5.0mm程度の範囲内に設定することが好ましい。また、シールドリング5についても同様に設定することができる。また、粗面10aの形成方法としては、例えば、粗面10aの形成領域以外を覆った状態でフォーカスリング10のブラスト加工を行う方法を挙げることができる。
【0022】
なお、上述した第1実施形態では、シールドリング5およびフォーカスリング10の双方に粗面5a、10aをそれぞれ形成する方法について説明したが、シールドリング5またはフォーカスリング10のいずれか一方に粗面5a、10aを形成するようにしてもよい。また、粗面5a、10aの代わりに微細孔をシールドリング5またはフォーカスリング10に複数形成するようにしてもよい。また、本発明のプラズマ処理装置は、ドライエッチング装置の他、プラズマCVD装置などに適用してもよい。
【0023】
図3(a)は、本発明の第2実施形態に係るフォーカスリングの概略構成を示す平面図、図3(b)は、図3(a)のB−B線で切断した断面図、図3(c)は、図3(a)のフォーカスリングの一部を示す斜視図である。
図3において、フォーカスリング20の内周面には、ウェハを載せる段差21が形成されるとともに、フォーカスリング20の内周側の平坦面上には、スリット20aが半径方向に形成されている。
【0024】
なお、スリット20aの幅W1は1.0±0.5mmの範囲、スリット20a同士の間隔H1は3.0±1.0mmの範囲、スリット20aの長さL1は13mm程度、スリット20aの深さD1は0.5〜1.0mmの範囲に設定することが好ましい。ここで、エッチング条件によりデポ物の付き方が変わるので、スリット20aの長さL1は、エッチング条件により変更することが好ましい。また、フォーカスリング20にスリット20aを形成する方法としては、例えば、エッチング加工、切削加工またはレーザ加工などを挙げることができる。
【0025】
これにより、フォーカスリング20の表面積をウェハの近傍で増加させることが可能となり、フォーカスリング20上を流れるエッチングガスの乱れを抑制しつつ、デポ物の付着量をウェハの近傍で増加させることが可能となる。このため、エッチング処理されるウェハ上にパーティクルが落下することを抑制しつつ、ウェハのエッチング処理の均一性を向上させることが可能となる。
【0026】
なお、上述した第2実施形態では、フォーカスリング20にスリット20aを形成する方法について説明したが、シールドリングにスリットを半径方向に形成するようにしてもよい。また、フォーカスリング20にスリット20aを形成するとともに、スリット20aの形成面に粗面を設けるようにしてもよい。
図4(a)は、本発明の第3実施形態に係るフォーカスリングの概略構成を示す平面図、図4(b)は、図4(a)のC−C線で切断した断面図、図4(c)は、図4(a)のフォーカスリングの一部を示す斜視図である。
【0027】
図4において、フォーカスリング30の内周面には、ウェハを載せる段差31が形成されるとともに、フォーカスリング30の内周側の平坦上には、スリット30aが同心円状に形成されている。なお、スリット30aの幅W2は1.0±0.5mmの範囲、スリット30aの深さD2は0.5〜1.0mmの範囲に設定することが好ましい。また、フォーカスリング30にスリット30aを形成する方法としては、例えば、エッチング加工、切削加工またはレーザ加工などを挙げることができる。
【0028】
これにより、フォーカスリング30の表面積をウェハの近傍で増加させることが可能となり、フォーカスリング30上を流れるエッチングガスの乱れを抑制しつつ、デポ物の付着量をウェハの近傍で増加させることが可能となる。このため、エッチング処理されるウェハ上にパーティクルが落下することを抑制しつつ、ウェハのエッチング処理の均一性を向上させることが可能となる。
【0029】
なお、上述した第3実施形態では、2本のスリット30aをフォーカスリング30に同心円状に形成する方法について説明したが、1本または3本以上のスリットをフォーカスリング30に同心円状に形成するようにしてもよい。また、上述した第3実施形態では、フォーカスリング30にスリット30aを形成する方法について説明したが、シールドリングにスリットを同心円状に形成するようにしてもよい。また、フォーカスリング30にスリット30aを形成するとともに、スリット30aの形成面に粗面を設けるようにしてもよい。また、同心円状に配置されたスリット30aおよび半径方向に配置されたスリットの双方をフォーカスリング30に形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図。
【図2】図1のフォーカスリングの概略構成を示す図。
【図3】第2実施形態に係るフォーカスリングの概略構成を示す図。
【図4】第3実施形態に係るフォーカスリングの概略構成を示す図。
【符号の説明】
1 チャンバ、1a 排気管、2 上部電極、3、8 カップリングコンデンサ、4、9 RF電源、5 シールドリング、5a、10a、20a、30a 粗面、6 静電チャック、7 直流電源、10、20、30 フォーカスリング、11、21、31 段差、W ウェハ、P プラズマ、G エッチングガス

Claims (7)

  1. プラズマを閉じ込める開口部と、
    前記開口部の周囲の平坦面の一部の領域に形成された粗面とを備えることを特徴とする石英リング。
  2. 前記粗面は、前記プラズマ発生領域に対応して設けられていることを特徴とする請求項1記載の石英リング。
  3. プラズマを閉じ込める開口部と、
    前記開口部の周囲に沿うようにして、半径方向または円周方向の少なくとも一方の方向に設けられたスリットとを備えることを特徴とする石英リング。
  4. 反応ガスを導入するチャンバと、
    前記チャンバ内に設けられた上部電極と、
    前記チャンバ内に設けられ、前記上部電極に対向配置された下部電極と、
    前記上部電極に設置され、露出面の一部に粗面が形成されたシールドリングと、
    前記下部電極に設置され、露出面の一部に粗面が形成されたフォーカスリングとを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 反応ガスを導入するチャンバと、
    前記チャンバ内に設けられた上部電極と、
    前記チャンバ内に設けられ、前記上部電極に対向配置された下部電極と、
    前記上部電極に設置され、半径方向または円周方向の少なくとも一方の方向に沿ってスリットが設けられたシールドリングと、
    前記下部電極に設置され、半径方向または円周方向の少なくとも一方の方向に沿ってスリットが設けられたフォーカスリングとを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 露出面の一部に粗面を有する石英リングが電極に設置されたエッチング装置内にウェハを搬入する工程と、
    前記エッチング装置内にエッチングガスを導入する工程と、
    前記電極に高周波電力を供給することで、前記エッチング装置内にプラズマを発生させる工程と、
    前記プラズマを前記ウェハに晒すことにより、前記ウェハのエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. スリットを有する石英リングが電極に設置されたエッチング装置内にウェハを搬入する工程と、
    前記エッチング装置内にエッチングガスを導入する工程と、
    前記電極に高周波電力を供給することで、前記エッチング装置内にプラズマを発生させる工程と、
    前記プラズマを前記ウェハに晒すことにより、前記ウェハのエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2003081225A 2003-03-24 2003-03-24 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 Pending JP2004289003A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003081225A JP2004289003A (ja) 2003-03-24 2003-03-24 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003081225A JP2004289003A (ja) 2003-03-24 2003-03-24 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004289003A true JP2004289003A (ja) 2004-10-14

Family

ID=33294860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003081225A Pending JP2004289003A (ja) 2003-03-24 2003-03-24 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004289003A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140423A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法。
JP2010010304A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置
WO2010021890A2 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Lam Research Corporation Edge rings for electrostatic chucks
US8192577B2 (en) * 2004-11-15 2012-06-05 Tokyo Electron Limited Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method
WO2012115682A1 (en) * 2011-02-23 2012-08-30 Applied Materials, Inc. Edge ring for a thermal processing chamber
CN108074788A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体工艺设备与半导体装置的制造方法
JP2020136596A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 三菱マテリアル株式会社 プラズマ処理装置用電極板

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4645167B2 (ja) * 2004-11-15 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法。
US8192577B2 (en) * 2004-11-15 2012-06-05 Tokyo Electron Limited Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method
JP2006140423A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法。
JP2010010304A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US8469368B2 (en) 2008-08-19 2013-06-25 Lam Research Corporation Edge rings for electrostatic chucks
WO2010021890A2 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Lam Research Corporation Edge rings for electrostatic chucks
WO2010021890A3 (en) * 2008-08-19 2010-05-14 Lam Research Corporation Edge rings for electrostatic chucks
US8744250B2 (en) 2011-02-23 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Edge ring for a thermal processing chamber
WO2012115682A1 (en) * 2011-02-23 2012-08-30 Applied Materials, Inc. Edge ring for a thermal processing chamber
US8755680B2 (en) 2011-02-23 2014-06-17 Applied Materials, Inc. Edge ring for a thermal processing chamber
US9076828B2 (en) 2011-02-23 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Edge ring for a thermal processing chamber
US9130001B2 (en) 2011-02-23 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Edge ring for a thermal processing chamber
CN108074788A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体工艺设备与半导体装置的制造方法
CN108074788B (zh) * 2016-11-14 2021-07-23 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体工艺设备与半导体装置的制造方法
JP2020136596A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 三菱マテリアル株式会社 プラズマ処理装置用電極板
JP7172717B2 (ja) 2019-02-25 2022-11-16 三菱マテリアル株式会社 プラズマ処理装置用電極板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4217299B2 (ja) 処理装置
KR20190121253A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101671671B1 (ko) 반도체 제조용 부품의 재생방법과 그 재생장치 및 재생부품
KR20080063463A (ko) 기판 에지로부터 부산물 세트의 제거를 위한 장치 및 그방법들
WO2014034396A1 (ja) プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置
JP3205878B2 (ja) ドライエッチング装置
JP2000228398A5 (ja) 処理装置、これを用いる半導体装置の製造方法、半導体製造装置の構成部品ならびにフォーカスリング
JP2010278362A (ja) プラズマエッチング装置
JP2004289003A (ja) 石英リング、プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法
JP4517369B2 (ja) プラズマエッチング装置用シリコンリング
JP2000036486A (ja) プラズマ処理装置及び方法
JPH1022263A (ja) プラズマエッチング装置
JP2006278821A (ja) 半導体製造装置、半導体装置の製造方法および半導体製造装置のクリーニング方法
JP2011029514A (ja) 堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置
JPH09289198A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用保護部材
JP3940467B2 (ja) 反応性イオンエッチング装置及び方法
JP2006114933A (ja) 反応性イオンエッチング装置
JP3935731B2 (ja) プラズマcvd装置及びクリーニング方法及び成膜方法
JP2007273824A (ja) 半導体製造装置
JP2001085409A (ja) プラズマ処理装置
JP2885150B2 (ja) ドライエッチング装置のドライクリーニング方法
JP2010123812A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2023103113A (ja) 基板処理方法
JPH11162947A (ja) ドライエッチング装置
JP3081885B2 (ja) プラズマ処理装置