JP4517369B2 - プラズマエッチング装置用シリコンリング - Google Patents
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Description
前記発生したプラズマ10がウエハ4の中心部に集中したり、外周部への拡散するのを阻止して、上部電極2とウエハ4との間に均一なプラズマを発生させ、ウエハの均一なエッチングを行うために、通常、プラズマ発生領域をシールドリング12で囲っている。さらにウエハ4を支持リング1にはめ込んでプラズマエッチング装置にセットし、ウエハ4を支持すると同時にプラズマエッチング処理の面内均一性を向上させている(引用文献1参照)。
(イ)図1の断面図に示されるように、従来の支持リング1の全面にシリコン化学蒸着被膜20を形成した支持リングをプラズマエッチング装置にセットしてプラズマエッチングを行うと、図3に示されるようなシリコン化学蒸着被膜が形成されていない従来の支持リング1をプラズマエッチング装置にセットしてプラズマエッチングを行う場合に比べて、パーティクルの発生数が少なくなる、
(ロ)従来のシールドリングの全面にシリコン化学蒸着被膜を形成したシールドリング(図示せず)をプラズマエッチング装置にセットしてプラズマエッチングを行うと、シリコン化学蒸着被膜が形成されていない従来のシールドリングをプラズマエッチング装置にセットしてプラズマエッチングを行う場合に比べて、パーティクルの発生数が少なくなる、
(ハ)従来のフォーカスリングの全面にシリコン化学蒸着被膜を形成したフォーカスリング(図示せず)をプラズマエッチング装置にセットしてプラズマエッチングを行うと、シリコン化学蒸着被膜が形成されていない従来のフォーカスリングをプラズマエッチング装置にセットしてプラズマエッチングを行う場合に比べて、パーティクルの発生数が少なくなる、
(ニ)前記シリコン化学蒸着被膜は、平均粒径が1μm以下の超微細結晶粒を有することが必要であり、平均粒径が1μmを越えるとパーティクルの発生数が増加する、
(ホ)従来の支持リング、フォーカスリングまたはシールドリングなどのプラズマエッチング装置用シリコンリングの表面に形成するシリコン化学蒸着被膜は、支持リングまたはフォーカスリングおよびシールドリングの全面に形成する必要は無く、特に、支持リングまたはフォーカスリングはプラズマに曝される面にのみ形成すればよく、例えば、支持リングの場合、図2に示されるように、内段14の支持面19、支持リング1の大径部内壁17、支持リング1の上面15および支持リング1の大径部外壁18にシリコン化学蒸着被膜20を形成するだけで十分であり、支持リング1の下面16は架台3に接して隠されており、さらに内段14の内壁21はウエハ4によりプラズマから遮断されているので特にシリコン化学蒸着被膜20を形成しなくても良い、
(ヘ)前記支持リング、フォーカスリングまたはシールドリングは、単結晶シリコン、多結晶シリコンおよび柱状晶シリコンの内のいずれかで作製することが好ましい、などの知見を得たのである。
(1)プラズマエッチング装置用シリコンリングにおいて、前記リングの少なくともプラズマに曝される外表面に平均粒径:1μm以下のシリコン化学蒸着被膜を形成してなるプラズマエッチング装置用シリコンリング、
(2)前記プラズマエッチング装置用シリコンリングは、単結晶シリコン、多結晶シリコンおよび柱状晶シリコンの内のいずれかからなる前記(1)記載のパーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用シリコンリング、に特徴を有するものである。
実施例1
先に用意した単結晶支持リングを通常の化学蒸着装置に装入しセットし、原料ガスであるモノシラン(SiH4)を化学蒸着装置に導入し、単結晶支持リングを表1に示される成長温度に加熱することにより、単結晶支持リングの全面に、厚さ:1mmを有し、表1に示される平均結晶粒径を有するSi化学蒸着膜を形成することにより本発明Si化学蒸着膜被覆単結晶支持リング1〜2および比較Si化学蒸着膜被覆単結晶支持リング1〜2を作製した。Si化学蒸着膜の平均結晶粒径はFESEM/EBSP法により結晶粒界と結晶粒(面)と分離した画像を抽出し、この画像から各結晶粒の面積を求め、さらにその面積から円相当径を算出することにより求めた。
チャンバー内圧力:10−1Torr、
エッチングガス組成:90sccmCHF3+4sccmO2 +150sccmHe、
高周波電力:2kW、
周波数:20kHz、
の条件で、Siウエハ表面のプラズマエッチングを行ない、エッチング開始から100時間経過した時点でのSiウエハ上のパーティクル数を測定し、その結果を表1に示した。前記パーティクル数の測定は、トプコン製のパーティクルカウンター(WM−3000)を使用し、ウエハ表面をレーザ光により走査し、付着したパーティクルからの光散乱強度を測定することによりパーティクルの位置と大きさを認識することにより行った。
先に作製した多結晶支持リングを通常の化学蒸着装置に装入しセットし、原料ガスであるモノシラン(SiH4)を化学蒸着装置に導入し、多結晶支持リングを表2に示される成長温度に加熱することにより、多結晶支持リングの全面に、厚さ:1mmを有し、表2に示される平均結晶粒径を有するSi化学蒸着膜を形成することにより本発明Si化学蒸着膜被覆多結晶支持リング1〜2および比較Si化学蒸着膜被覆多結晶支持リング1〜2を作製した。Si化学蒸着膜の平均結晶粒径はFESEM/EBSP法により結晶粒界と結晶粒(面)と分離した画像を抽出し、この画像から各結晶粒の面積を求め、さらにその面積から円相当径を算出することにより求めた。
この本発明Si化学蒸着膜被覆多結晶支持リング1〜2および比較Si化学蒸着膜被覆多結晶支持リング1〜2の内段の支持面に用意したSiウエハを載置し、これをエッチング装置にセットし、
チャンバー内圧力:10−1Torr、
エッチングガス組成:90sccmCHF3+4sccmO2 +150sccmHe、
高周波電力:2kW、
周波数:20kHz、
の条件で、Siウエハ表面のプラズマエッチングを行ない、エッチング開始から100時間経過した時点でのSiウエハ上のパーティクル数を測定し、その結果を表2に示した。前記パーティクル数の測定は、トプコン製のパーティクルカウンター(WM−3000)を使用し、ウエハ表面をレーザ光により走査し、付着したパーティクルからの光散乱強度を測定することによりパーティクルの位置と大きさを認識することにより行った。
先に作製した柱状晶支持リングを通常の化学蒸着装置に装入しセットし、原料ガスであるモノシラン(SiH4)を化学蒸着装置に導入し、柱状晶支持リングを表3に示される成長温度に加熱することにより、柱状晶支持リングの全面に、厚さ:1mmを有し、表3に示される平均結晶粒径を有するSi化学蒸着膜を形成することにより本発明Si化学蒸着膜被覆柱状晶支持リング1〜2および比較Si化学蒸着膜被覆柱状晶支持リング1〜2を作製した。Si化学蒸着膜の平均結晶粒径はFESEM/EBSP法により結晶粒界と結晶粒(面)と分離した画像を抽出し、この画像から各結晶粒の面積を求め、さらにその面積から円相当径を算出することにより求めた。
この本発明Si化学蒸着膜被覆柱状晶支持リング1〜2および比較Si化学蒸着膜被覆柱状晶支持リング1〜2の内段の支持面に、用意したSiウエハを載置し、これをエッチング装置にセットし、
チャンバー内圧力:10−1Torr、
エッチングガス組成:90sccmCHF3+4sccmO2 +150sccmHe、
高周波電力:2kW、
周波数:20kHz、
の条件で、Siウエハ表面のプラズマエッチングを行ない、エッチング開始から100時間経過した時点でのSiウエハ上のパーティクル数を測定し、その結果を表3に示した。前記パーティクル数の測定は、トプコン製のパーティクルカウンター(WM−3000)を使用し、ウエハ表面をレーザ光により走査し、付着したパーティクルからの光散乱強度を測定することによりパーティクルの位置と大きさを認識することにより行った。
(a)Si化学蒸着膜を被覆した本発明Si化学蒸着膜被覆単結晶支持リング1〜2は、本発明Si化学蒸着膜被覆単結晶支持リング1〜2および従来単結晶支持リングに比べてパーティクルの発生が同等であること、
(b)本発明Si化学蒸着膜被覆多結晶支持リング1〜2は、本発明Si化学蒸着膜被覆多結晶支持リング1〜2および従来多結晶支持リングに比べてパーティクルの発生が格段に少ないこと、
(c)本発明Si化学蒸着膜被覆柱状晶支持リング1〜2は、比較Si化学蒸着膜被覆柱状晶支持リング1〜2および従来柱状晶支持リングに比べてパーティクルの発生が各段に少ないこと、などが分かる。
Claims (3)
- プラズマエッチング装置用シリコンリングにおいて、前記リングの少なくともプラズマに曝される外表面に平均粒径:1μm以下のシリコン化学蒸着被膜を形成してなることを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコンリング。
- 前記プラズマエッチング装置用シリコンリングは、単結晶シリコン、多結晶シリコンおよび柱状晶シリコンの内のいずれかからなることを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング装置用シリコンリング。
- 前記プラズマエッチング装置用シリコンリングは、支持リング、フォーカスリングまたはシールドリングであることを特徴とする請求項1または2記載のプラズマエッチング装置用シリコンリング。
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04151826A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化膜ドライエッチング装置 |
JP2000355779A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-26 | Ngk Insulators Ltd | エッチング装置用耐蝕部品 |
JP2001007090A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング装置用フォーカスリング |
JP2001203187A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2001203192A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2003051491A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング装置用電極板 |
JP2003051485A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用被覆シリコン電極板 |
JP2004079961A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04151826A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化膜ドライエッチング装置 |
JP2000355779A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-26 | Ngk Insulators Ltd | エッチング装置用耐蝕部品 |
JP2001007090A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング装置用フォーカスリング |
JP2001203187A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2001203192A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2003051491A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング装置用電極板 |
JP2003051485A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用被覆シリコン電極板 |
JP2004079961A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
JP2005217350A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Toto Ltd | 耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法 |
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