JP2007053232A - プラズマエッチング用シリコン電極板 - Google Patents
プラズマエッチング用シリコン電極板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007053232A JP2007053232A JP2005237257A JP2005237257A JP2007053232A JP 2007053232 A JP2007053232 A JP 2007053232A JP 2005237257 A JP2005237257 A JP 2005237257A JP 2005237257 A JP2005237257 A JP 2005237257A JP 2007053232 A JP2007053232 A JP 2007053232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- silicon electrode
- plasma etching
- silicon
- polycrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】平均結晶粒径:1μm以下の超微細結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されているプラズマエッチング用シリコン電極板。
【選択図】 なし
Description
シリコン電極板2はカーボンで構成された電極板が使用されたこともあったが、近年、主として単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは柱状晶シリコンからなるシリコン電極板が使用されている。このシリコン電極板を使用してSiウエハをプラズマエッチングした場合、シリコン電極板に設けられた貫通細孔5は、シリコン電極板のSiウエハに対向する面に向かってラッパ状に広がりながら消耗し、寿命となる。(特許文献1参照)。
(イ)通常の多結晶シリコン電極板の平均結晶粒径は5〜10mmであるが、通常の多結晶シリコン電極板の平均結晶粒径よりも極端に微細な平均結晶粒径:1μm以下の超微細結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されたシリコン電極板は、通常使用されている多結晶シリコン(平均結晶粒径:5〜10mm)で構成されたシリコン電極板に比べて、プラズマエッチングの際に発生するパーティクルの数が格段に少なくかつ使用寿命が格段に長い、
(ロ)さらに、前記平均結晶粒径が1μm以下の超微細結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されたシリコン電極板は、従来から使用されている単結晶シリコンおよび柱状晶シリコンからなるシリコン電極板に比べて、プラズマエッチング時に発生するパーティクルの発生数が同等または少なく、かつ消耗速度が減少して使用寿命がながくなる、という研究結果が得られたのである。
(1)平均結晶粒径:1μm以下の超微細結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されているプラズマエッチング用シリコン電極板、に特長を有するものである。
この発明の平均結晶粒径:1μm以下の超微細多結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されているプラズマエッチング用シリコン電極板を製造するには、先ず、シリコン基板を用意し、このシリコン基板の表面にシリコンの厚い化学蒸着膜を形成する。このシリコンの化学蒸着膜は微細な多結晶からなり、その平均結晶粒径は化学蒸着時の成長温度を制御することにより調整することができ、その成長温度は低いほど微細な平均結晶粒径を有する化学蒸着膜が形成されるが、成長速度は遅くなる。平均結晶粒径:1μm以下の超微細多結晶シリコンからなる化学蒸着膜を形成するには、成長温度が1000℃以下であり成長温度が低いほど微細な結晶粒が生成するので好ましいが、成長温度が低いほど結晶粒の成長は遅くなる。したがって、800〜900℃の範囲内にあることが一層好ましい。
このようにして作製した表面に厚い化学蒸着膜が形成されたシリコン基板におけるシリコン基板を切削、研削などの機械加工により厚い化学蒸着膜をから切り離し、この切り離された厚い化学蒸着膜の厚さ方向に平行に貫通細孔を設けることによりこの発明のプラズマエッチング用シリコン電極板を製造することができる。
直径:300mmの単結晶シリコンインゴットを用意し、このインゴットをダイヤモンドバンドソーにより厚さ:4mmに輪切り切断して単結晶シリコン基板を作製し、この単結晶シリコン基板を通常の化学蒸着装置に装入しセットし、原料ガスであるモノシラン(SiH4)を化学蒸着装置に導入し、単結晶シリコン電極板を表1に示される成長温度に加熱し、単結晶シリコン基板の表面に厚さ:6mmを有し表1に示される平均結晶粒径を有するSi化学蒸着膜を形成した。次に、この表面にSi化学蒸着膜が形成された単結晶シリコン基板における単結晶シリコン基板を研削により除去することにより厚さ:4mmを有するSi化学蒸着膜からなる円板を取り出した。このSi化学蒸着膜からなる円板に内径:0.5mmの貫通細孔を孔間ピッチ:8mmで形成することにより本発明超微細多結晶シリコン電極板1〜2および比較超微細多結晶シリコン電極板1〜2を作製した。
このSi化学蒸着膜からなる本発明超微細多結晶シリコン電極板1〜2および比較超微細多結晶シリコン電極板1〜2の平均結晶粒径はFESEM/EBSP法により結晶粒界と結晶粒(面)と分離した画像を抽出し、この画像から各結晶粒の面積を求め、さらにその面積から円相当径を算出することにより求めた。
さらに、いずれも外径:300mm、厚さ:4mmを有し、内径:0.5mmの貫通細孔を孔間ピッチ:8mmで形成してなる従来単結晶シリコン電極板、従来多結晶シリコン電極板および従来柱状晶シリコン電極板を用意した。
チャンバー内圧力:10-1Torr、
エッチングガス組成:90sccmCHF3 +4sccmO2 +150sccmHe、
高周波電力:2kW、
周波数:20kHz、
の条件で、ウエハ表面のSiO2 層のプラズマエッチングを行ない、エッチング開始から25分間経過した時点でのウエハ表面に付着した粒径:0.16μm以上のパーティクル数を測定し、その結果を表1に示した。前記パーティクル数の測定は、トプコン製のパーティクルカウンター(WM−3000)を使用し、ウエハ表面をレーザ光により走査し、付着したパーティクルからの光散乱強度を測定することによりパーティクルの位置と大きさを認識することにより行った。
さらにエッチング開始から25分間経過した時点での本発明超微細多結晶シリコン電極板1〜2、比較超微細多結晶シリコン電極板1〜2、従来単結晶シリコン電極板、従来多結晶シリコン電極板および従来柱状晶シリコン電極板における中心(Xを半径とすると、X=0の位置)、中心から50mm離れた位置および中心から100mm離れた位置における浸食深さ(μm)(ここで浸食深さとは電極板の厚さの減少量を示す)をそれぞれ測定し、浸食深さ×60/25=消耗速度(μm/時)を求め、その結果を表2に示した。
Claims (1)
- 平均結晶粒径:1μm以下の超微細結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されていることを特徴とするプラズマエッチング用シリコン電極板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237257A JP4517364B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237257A JP4517364B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007053232A true JP2007053232A (ja) | 2007-03-01 |
JP4517364B2 JP4517364B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=37917476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005237257A Active JP4517364B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4517364B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007081381A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-29 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング装置用シリコンリング |
JP2015502045A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-01-19 | インテル コーポレイション | 少なくとも1個の多孔質多結晶基板を有するエネルギー貯蔵デバイス |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03237715A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | エッチング方法 |
JPH10125651A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多孔電極板 |
JP2001102357A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用電極板およびその製造方法 |
JP2002110572A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-04-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マルチデポジションsacvdリアクタ |
WO2003040059A1 (fr) * | 2001-11-08 | 2003-05-15 | Bridgestone Corporation | Procede de fabrication de support de frittage de carbure de silicium destine a etre employe dans la production de semi-conducteurs et support de frittage de carbure de silicium ainsi fabrique |
JP2004079961A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
JP2005217350A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Toto Ltd | 耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法 |
-
2005
- 2005-08-18 JP JP2005237257A patent/JP4517364B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03237715A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | エッチング方法 |
JPH10125651A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多孔電極板 |
JP2001102357A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用電極板およびその製造方法 |
JP2002110572A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-04-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マルチデポジションsacvdリアクタ |
WO2003040059A1 (fr) * | 2001-11-08 | 2003-05-15 | Bridgestone Corporation | Procede de fabrication de support de frittage de carbure de silicium destine a etre employe dans la production de semi-conducteurs et support de frittage de carbure de silicium ainsi fabrique |
JP2004079961A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
JP2005217350A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Toto Ltd | 耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007081381A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-29 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング装置用シリコンリング |
JP4517369B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-08-04 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング装置用シリコンリング |
JP2015502045A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-01-19 | インテル コーポレイション | 少なくとも1個の多孔質多結晶基板を有するエネルギー貯蔵デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4517364B2 (ja) | 2010-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI258818B (en) | Silicon electrode plate for plasma etching having high durability | |
JP4905855B2 (ja) | プラズマエッチング用フォーカスリングおよびシールドリング | |
JP4517364B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP4517369B2 (ja) | プラズマエッチング装置用シリコンリング | |
JP4535283B2 (ja) | 比抵抗値の面内バラツキが少ないプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板 | |
JP2003051485A (ja) | プラズマエッチング用被覆シリコン電極板 | |
JP4045592B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP4517363B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP4849247B2 (ja) | 比抵抗値の面内バラツキの小さい複合シリコン電極およびその製造方法 | |
JP2007273707A (ja) | ウエハとほぼ同じ寸法のシリコン電極板を用いてウエハ表面を均一にプラズマエッチングする方法。 | |
JP4517370B2 (ja) | プラズマエッチング装置用シリコンリング | |
JP2012160570A (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP4883368B2 (ja) | プラズマエッチング用単結晶シリコン電極板 | |
KR20010070195A (ko) | 리쏘그라피용 다이아몬드막의 제조방법 | |
JP2009152232A (ja) | ウエハを支持するためのプラズマエッチング装置用複合シリコンリング | |
JP5182136B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板構成体及びプラズマ処理装置 | |
JP2006196491A (ja) | プラズマエッチング用電極板 | |
JP2019009271A (ja) | プラズマ処理装置用電極板およびプラズマ処理装置用電極板の製造方法 | |
JP2004079959A (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP4863082B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP2006128372A (ja) | プラズマエッチング装置用シリコン製リング | |
JP2004079960A (ja) | プラズマエッチング用電極板 | |
JP3444089B2 (ja) | プラズマエッチング電極 | |
JP2006128281A (ja) | プラズマエッチング用耐エッチング膜被覆シリコン電極板 | |
JP2001007082A (ja) | プラズマエッチング用電極板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080321 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100423 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100506 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4517364 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |