JP2003197607A - 焦電性高誘電体のエッチング方法及び装置 - Google Patents
焦電性高誘電体のエッチング方法及び装置Info
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- JP2003197607A JP2003197607A JP2001393513A JP2001393513A JP2003197607A JP 2003197607 A JP2003197607 A JP 2003197607A JP 2001393513 A JP2001393513 A JP 2001393513A JP 2001393513 A JP2001393513 A JP 2001393513A JP 2003197607 A JP2003197607 A JP 2003197607A
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高誘電率基板の割れを発生しないエッチング
方法及び装置を提供する。 【解決手段】 マイクロ波や高周波を用いて高密度プラ
ズマを形成してエツチングを行なう装置において、表面
上に加工すべき基板３を受ける受け面凹部を形成し、基
板受け面凹部に対応した裏面の部分に裏面凹部と、裏面
凹部を囲んで基板電極に接触する周囲接触面部とを形成
し、裏面凹部から基板受け面凹部に貫通する複数のガス
流通路を形成したアルミニウムから成る基板トレー２を
有し、基板電極１上に装着した際に基板３を基板トレー
２上にクランプリングにより固定すると共に主として基
板トレー２の裏面側に冷却ガスを流すことができるよう
に構成される。
方法及び装置を提供する。 【解決手段】 マイクロ波や高周波を用いて高密度プラ
ズマを形成してエツチングを行なう装置において、表面
上に加工すべき基板３を受ける受け面凹部を形成し、基
板受け面凹部に対応した裏面の部分に裏面凹部と、裏面
凹部を囲んで基板電極に接触する周囲接触面部とを形成
し、裏面凹部から基板受け面凹部に貫通する複数のガス
流通路を形成したアルミニウムから成る基板トレー２を
有し、基板電極１上に装着した際に基板３を基板トレー
２上にクランプリングにより固定すると共に主として基
板トレー２の裏面側に冷却ガスを流すことができるよう
に構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光導波路用
の光変調器に利用され得るＬｉＮｂＯ３やＰＺＴ等の焦
電性高誘電率材料をプラズマ中で加工するエッチング方
法及び装置に関するものである。
の光変調器に利用され得るＬｉＮｂＯ３やＰＺＴ等の焦
電性高誘電率材料をプラズマ中で加工するエッチング方
法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のエッチング装置において
は、基板電極表面は耐食性を考慮して２０〜３０μｍの
陽極酸化膜で被覆され、基板押さえ治具あるいはクラン
プ材料はアルミナで構成され、また基板押さえ治具ある
いはクランプ裏面はアルミナ素地のままである。
は、基板電極表面は耐食性を考慮して２０〜３０μｍの
陽極酸化膜で被覆され、基板押さえ治具あるいはクラン
プ材料はアルミナで構成され、また基板押さえ治具ある
いはクランプ裏面はアルミナ素地のままである。
【０００３】ところで、従来のエッチング装置における
基板保持機構の主たる目的は、熱伝導性を良くすること
にあった。従って、高誘電率材料のように、プラズマ照
射により表面電位と裏面電位の間に大きな隔たりがな
く、高電圧（静電）破壊が生じないので、形状制御と均
一エッチングが可能な基板電極構造であれば良かった。
従来技術においては、例えば金属マスクを用いてＳｉＯ
２をエッチングした場合、僅かにアンダーカットが発生
することが見出される。ＳｉＯ２は電荷を持たないプラ
ズマ中の活性種と反応することはなくイオン衝撃でエッ
チングが進行する。イオンと電子の表面への到達量の僅
かな差によって発生した電荷によりマスク金属が帯電し
誘電体内部と異なった電位が発生する。従って、入射イ
オンの軌道は表面の金属マスクに帯電した電荷の作用で
曲げられ、その結果アンダーカットが発生すると解釈で
きる。
基板保持機構の主たる目的は、熱伝導性を良くすること
にあった。従って、高誘電率材料のように、プラズマ照
射により表面電位と裏面電位の間に大きな隔たりがな
く、高電圧（静電）破壊が生じないので、形状制御と均
一エッチングが可能な基板電極構造であれば良かった。
従来技術においては、例えば金属マスクを用いてＳｉＯ
２をエッチングした場合、僅かにアンダーカットが発生
することが見出される。ＳｉＯ２は電荷を持たないプラ
ズマ中の活性種と反応することはなくイオン衝撃でエッ
チングが進行する。イオンと電子の表面への到達量の僅
かな差によって発生した電荷によりマスク金属が帯電し
誘電体内部と異なった電位が発生する。従って、入射イ
オンの軌道は表面の金属マスクに帯電した電荷の作用で
曲げられ、その結果アンダーカットが発生すると解釈で
きる。
【０００４】誘電率の低い誘電体ではこのように僅かな
アンダーカットが生じるだけで基板割れの問題は発生し
ない。しかし、誘電率の高い誘電体では帯電する電荷量
が多く静電破壊にまで達することが数多くの実験で確認
された。これまでの実験では、密度１０１１ｃｍ−３の
Ａｒ＋Ｃ４Ｆ８プラズマを用いてＬｉＮｂＯ３をエッチ
ングしたとき５分間は基板の割れが発生しなかったもの
の１０分では割れが発生した。この基板の割れは主とし
て温度むら及びチャージアップが要因であることが判っ
た。
アンダーカットが生じるだけで基板割れの問題は発生し
ない。しかし、誘電率の高い誘電体では帯電する電荷量
が多く静電破壊にまで達することが数多くの実験で確認
された。これまでの実験では、密度１０１１ｃｍ−３の
Ａｒ＋Ｃ４Ｆ８プラズマを用いてＬｉＮｂＯ３をエッチ
ングしたとき５分間は基板の割れが発生しなかったもの
の１０分では割れが発生した。この基板の割れは主とし
て温度むら及びチャージアップが要因であることが判っ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は上記
のような従来装置に伴う問題点である温度むら及びチャ
ージアップを解消して基板の割れを発生しないようにし
たエッチング方法及び装置を提供することを目的として
いる。
のような従来装置に伴う問題点である温度むら及びチャ
ージアップを解消して基板の割れを発生しないようにし
たエッチング方法及び装置を提供することを目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の発明によれば、真空チャンバ内に
ガスを導入してマイクロ波や高周波を用いて高密度プラ
ズマを形成し、基板電極上に焦電性高誘電体材料の基板
を載置して、基板を加工するエッチング装置において、
表面上に加工すべき基板を受ける受け面凹部を形成し、
基板受け面凹部に対応した裏面の部分に裏面凹部と、裏
面凹部を囲んで基板電極に接触する周囲接触面部とを形
成し、裏面凹部から基板受け面凹部に貫通する複数のガ
ス流通路を形成したアルミニウムから成る基板トレーを
有し、基板電極上に装着した際に基板を基板トレー上に
クランプリングにより固定すると共に主として基板トレ
ーの裏面側に冷却ガスを流すことができるようにように
構成したことを特徴としている。
めに、本発明の第１の発明によれば、真空チャンバ内に
ガスを導入してマイクロ波や高周波を用いて高密度プラ
ズマを形成し、基板電極上に焦電性高誘電体材料の基板
を載置して、基板を加工するエッチング装置において、
表面上に加工すべき基板を受ける受け面凹部を形成し、
基板受け面凹部に対応した裏面の部分に裏面凹部と、裏
面凹部を囲んで基板電極に接触する周囲接触面部とを形
成し、裏面凹部から基板受け面凹部に貫通する複数のガ
ス流通路を形成したアルミニウムから成る基板トレーを
有し、基板電極上に装着した際に基板を基板トレー上に
クランプリングにより固定すると共に主として基板トレ
ーの裏面側に冷却ガスを流すことができるようにように
構成したことを特徴としている。
【０００７】基板トレーの裏面凹部から周囲接触面部ま
での高さは５〜１００μｍ、好ましくは、１０〜５０μ
ｍに設定され得る。
での高さは５〜１００μｍ、好ましくは、１０〜５０μ
ｍに設定され得る。
【０００８】このように構成した本発明によるエッチン
グ装置では、高誘電体基板の装着された基板トレーの裏
面及び表面に一様に冷却ガスを流すことができるように
構成されているので、基板に対して温度むらの生じるの
が防止でき、それによりチャージアップも防止されるよ
うになる。
グ装置では、高誘電体基板の装着された基板トレーの裏
面及び表面に一様に冷却ガスを流すことができるように
構成されているので、基板に対して温度むらの生じるの
が防止でき、それによりチャージアップも防止されるよ
うになる。
【０００９】また、本発明の第２の発明によれば、真空
チャンバ内にガスを導入してマイクロ波や高周波を用い
て高密度プラズマを形成し、基板電極上に焦電性高誘電
体材料の基板を載置して、基板を加工するエッチング方
法において、表面上に加工すべき基板を受ける受け面凹
部を形成し、基板トレーの表面における基板受け面凹部
に対応した裏面の部分に裏面凹部と、裏面凹部を囲んで
基板電極と接触する接触面部とを形成し、裏面凹部から
基板受け面凹部に貫通する複数のガス流通路を形成した
アルミニウムから成る基板トレーを用いて、基板電極上
に加工すべき基板を装着し、冷却ガスを主として基板ト
レーの裏面側に流すことを特徴としている。
チャンバ内にガスを導入してマイクロ波や高周波を用い
て高密度プラズマを形成し、基板電極上に焦電性高誘電
体材料の基板を載置して、基板を加工するエッチング方
法において、表面上に加工すべき基板を受ける受け面凹
部を形成し、基板トレーの表面における基板受け面凹部
に対応した裏面の部分に裏面凹部と、裏面凹部を囲んで
基板電極と接触する接触面部とを形成し、裏面凹部から
基板受け面凹部に貫通する複数のガス流通路を形成した
アルミニウムから成る基板トレーを用いて、基板電極上
に加工すべき基板を装着し、冷却ガスを主として基板ト
レーの裏面側に流すことを特徴としている。
【００１０】このように構成した本発明によるエッチン
グ方法では、高誘電体基板のエッチング時に基板を支持
している基板トレーの裏側に主として冷却ガスを流すよ
うにしているので、良好な冷却効率を得ることができる
ようになる。
グ方法では、高誘電体基板のエッチング時に基板を支持
している基板トレーの裏側に主として冷却ガスを流すよ
うにしているので、良好な冷却効率を得ることができる
ようになる。
【００１１】本発明の方法においては、基板トレーに供
給される冷却ガスの漏れ量は７ｓｃｃｍ以下に設定され
処理中の基板温度を１００℃以下に維持するようにされ
得る。
給される冷却ガスの漏れ量は７ｓｃｃｍ以下に設定され
処理中の基板温度を１００℃以下に維持するようにされ
得る。
【００１２】また、基板トレー上に載置する基板は好ま
しくは、基板に実質的な機械的応力を与えずしかも基板
の処理中に発生する応力を逃がすことのできる程度のク
ランプ力で保持され得る。
しくは、基板に実質的な機械的応力を与えずしかも基板
の処理中に発生する応力を逃がすことのできる程度のク
ランプ力で保持され得る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１には、高誘電体基
板をエッチングする際に用いる本発明の一実施の形態に
よるエッチング装置の要部を示す。図１において、１は
基板電極であり、アルミニウムで構成され、図示してい
ない真空チャンバー内に配置されている。基板電極１上
には基板トレー２が載置される。この基板トレー２の表
面上には、ＬｉＮｂＯ３やＰＺＴ等の焦電性高誘電率材
料の基板３を受ける受け面凹部２ａが形成され、この受
け面凹部２ａは基板３の形状及び外寸に合わせて構成さ
れ、そして受け面凹部２ａの表面は高平坦度及び高平滑
度となるようにし、絶縁物である基板との接触面積をで
きるだけ広く確保するようにしている。また、基板トレ
ー２の裏面には、基板受け面凹部２ａに対応した部分に
裏面凹部２ｂが形成され、この裏面凹部２ｂは基板電極
１に接触する周囲接触面部２ｃで画定されている。周囲
接触面部２ｃは高平坦度及び高面精度に形成されてい
る。さらに、基板トレー２には、その裏面凹部２ｂから
基板受け面凹部２ａに貫通する複数のガス流路２ｄが形
成されている。基板トレー２の裏面側における裏面凹部
２ｂの底面と周囲接触面部２ｃとの間の段差は、Ｈｅガ
スによる良好な冷却効率を得る観点から５〜１００μ
ｍ、好ましくは、１０〜５０μｍに設定され得る。
の実施の形態について説明する。図１には、高誘電体基
板をエッチングする際に用いる本発明の一実施の形態に
よるエッチング装置の要部を示す。図１において、１は
基板電極であり、アルミニウムで構成され、図示してい
ない真空チャンバー内に配置されている。基板電極１上
には基板トレー２が載置される。この基板トレー２の表
面上には、ＬｉＮｂＯ３やＰＺＴ等の焦電性高誘電率材
料の基板３を受ける受け面凹部２ａが形成され、この受
け面凹部２ａは基板３の形状及び外寸に合わせて構成さ
れ、そして受け面凹部２ａの表面は高平坦度及び高平滑
度となるようにし、絶縁物である基板との接触面積をで
きるだけ広く確保するようにしている。また、基板トレ
ー２の裏面には、基板受け面凹部２ａに対応した部分に
裏面凹部２ｂが形成され、この裏面凹部２ｂは基板電極
１に接触する周囲接触面部２ｃで画定されている。周囲
接触面部２ｃは高平坦度及び高面精度に形成されてい
る。さらに、基板トレー２には、その裏面凹部２ｂから
基板受け面凹部２ａに貫通する複数のガス流路２ｄが形
成されている。基板トレー２の裏面側における裏面凹部
２ｂの底面と周囲接触面部２ｃとの間の段差は、Ｈｅガ
スによる良好な冷却効率を得る観点から５〜１００μ
ｍ、好ましくは、１０〜５０μｍに設定され得る。
【００１４】基板電極１には図示したようにＨｅガスの
通路１ａが設けられ、この通路１ａの外端は真空チャン
バー外に設けられた流量調節用のマスフローメーター４
を介してＨｅガス供給源５が接続されている。通路１ａ
の内端は基板トレー２の裏面凹部２ｂに連通するように
され、それにより、Ｈｅガス供給源５からマスフローメ
ーター４及び基板電極１の通路１ａを介して基板トレー
２の裏面及び表面にＨｅガスが供給できるようにされて
いる。
通路１ａが設けられ、この通路１ａの外端は真空チャン
バー外に設けられた流量調節用のマスフローメーター４
を介してＨｅガス供給源５が接続されている。通路１ａ
の内端は基板トレー２の裏面凹部２ｂに連通するように
され、それにより、Ｈｅガス供給源５からマスフローメ
ーター４及び基板電極１の通路１ａを介して基板トレー
２の裏面及び表面にＨｅガスが供給できるようにされて
いる。
【００１５】また、基板電極１上には、基板トレー２を
位置決めするためのガイドリング６が配置されている。
このガイドリング６によって位置決めされた基板トレー
２に載置された基板３はクランプリング７によって本実
施の形態では３点で支持されている。この場合、基板３
に対する押圧力は、基板に過大な機械的応力を与えずし
かも基板の処理中に発生する応力を逃がすことのできる
程度に設定されるべきである。クランプリング７の構成
材料としてはアルミナのような高誘電体材料は一般に金
属酸化物であり、エッチング速度が低く、エッチング耐
性が強いので、アルミナが最も適している。
位置決めするためのガイドリング６が配置されている。
このガイドリング６によって位置決めされた基板トレー
２に載置された基板３はクランプリング７によって本実
施の形態では３点で支持されている。この場合、基板３
に対する押圧力は、基板に過大な機械的応力を与えずし
かも基板の処理中に発生する応力を逃がすことのできる
程度に設定されるべきである。クランプリング７の構成
材料としてはアルミナのような高誘電体材料は一般に金
属酸化物であり、エッチング速度が低く、エッチング耐
性が強いので、アルミナが最も適している。
【００１６】このように構成した図示装置の動作につい
て説明する。図示していないローディング室に用意され
た基板トレーに載置された基板は、基板電極１上に搬入
され、ガイドリング６によって位置決めされ、基板トレ
ー２の裏面側における周囲接触面部２ｃを基板電極１の
表面に密着させて保持される。Ｈｅガス供給源５からマ
スフローメーター４及び基板電極１の通路１ａを介して
基板トレー２の裏面及び表面にＨｅガスが１７３０Ｐａ
まで導入され、基板トレー２を所望の冷却温度に設定す
る。この場合、好ましくはＨｅガス供給源５からマスフ
ローメーター４及び基板電極１の通路１ａを介して導入
されたＨｅガスは主として基板トレー２の裏側すなわち
基板電極１と基板トレー２の周囲接触面部２ｃとの間に
沿って流れる（漏れる）ようにされ、基板トレー２の表
面側すなわち基板トレー２の表面と基板３との間には滞
留するが実質的に流れない（漏れない）ようにされる。
て説明する。図示していないローディング室に用意され
た基板トレーに載置された基板は、基板電極１上に搬入
され、ガイドリング６によって位置決めされ、基板トレ
ー２の裏面側における周囲接触面部２ｃを基板電極１の
表面に密着させて保持される。Ｈｅガス供給源５からマ
スフローメーター４及び基板電極１の通路１ａを介して
基板トレー２の裏面及び表面にＨｅガスが１７３０Ｐａ
まで導入され、基板トレー２を所望の冷却温度に設定す
る。この場合、好ましくはＨｅガス供給源５からマスフ
ローメーター４及び基板電極１の通路１ａを介して導入
されたＨｅガスは主として基板トレー２の裏側すなわち
基板電極１と基板トレー２の周囲接触面部２ｃとの間に
沿って流れる（漏れる）ようにされ、基板トレー２の表
面側すなわち基板トレー２の表面と基板３との間には滞
留するが実質的に流れない（漏れない）ようにされる。
【００１７】基板トレー２におけるＨｅガスの漏れ量に
ついて以下の条件で測定した結果を図３に示す。Ｈｅガ
ス供給源５からマスフローメーター４及び基板電極１の
通路１ａを介して基板トレー２に導入されるＨｅガスの
圧力を１７３０Ｐａとし、プラズマ放電なしでＬｉＮｂ
Ｏ３基板を基板トレー２に載置して測定した。
ついて以下の条件で測定した結果を図３に示す。Ｈｅガ
ス供給源５からマスフローメーター４及び基板電極１の
通路１ａを介して基板トレー２に導入されるＨｅガスの
圧力を１７３０Ｐａとし、プラズマ放電なしでＬｉＮｂ
Ｏ３基板を基板トレー２に載置して測定した。
【００１８】次に、ＡｒとＣ４Ｆ８の混合ガスを真空チ
ャンバー（図示していない）に１００ｓｃｃｍ導入し、
真空チャンバー内の圧力を０．３３Ｐａにし、プラズマ
形成用誘導コイル（図示していない）に高周波数電力を
６００Ｗ、基板電極２に高周波バイアス電力を３５０Ｗ
印加しエッチングを行った。その結果、３０分間のエッ
チング時間において基板トレー２におけるＨｅガスの漏
れ量は７ｓｃｃｍ以下に保持され、それにより基板３の
温度はほぼ１００℃以下に維持され、エッチング中の熱
流入による温度上昇を抑えることができ、それによる熱
応力も抑制でき、基板割れを発生せず３０分のエッチン
グが可能であった。
ャンバー（図示していない）に１００ｓｃｃｍ導入し、
真空チャンバー内の圧力を０．３３Ｐａにし、プラズマ
形成用誘導コイル（図示していない）に高周波数電力を
６００Ｗ、基板電極２に高周波バイアス電力を３５０Ｗ
印加しエッチングを行った。その結果、３０分間のエッ
チング時間において基板トレー２におけるＨｅガスの漏
れ量は７ｓｃｃｍ以下に保持され、それにより基板３の
温度はほぼ１００℃以下に維持され、エッチング中の熱
流入による温度上昇を抑えることができ、それによる熱
応力も抑制でき、基板割れを発生せず３０分のエッチン
グが可能であった。
【００１９】図２には、本発明の別の実施の形態による
エッチング装置の要部を示す。図１と対応する部分は同
じ符号で示す。図２に示す構造では、基板トレー２の裏
面側の周辺部に段部を設ける代りに、厚さ４０μｍの環
状緩衝材８が貼られている。その他の構造は図１に示す
実施の形態の場合と実質的に同じである。
エッチング装置の要部を示す。図１と対応する部分は同
じ符号で示す。図２に示す構造では、基板トレー２の裏
面側の周辺部に段部を設ける代りに、厚さ４０μｍの環
状緩衝材８が貼られている。その他の構造は図１に示す
実施の形態の場合と実質的に同じである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
エッチング装置においては、表面上に加工すべき基板を
受ける受け面凹部を形成し、基板受け面凹部に対応した
裏面の部分に裏面凹部と、裏面凹部を囲んで基板電極に
接触する周囲接触面部とを形成し、裏面凹部から基板受
け面凹部に貫通する複数のガス流通路を形成したアルミ
ニウムから成る基板トレーを有し、基板電極上に装着し
た際に基板を基板トレー上にクランプリングにより固定
すると共に主として基板トレーの裏面側に冷却ガスを流
すようにように構成したことにより、処理中基板はほぼ
一様な温度に維持され、温度むら及びそれによるチャー
ジアップが抑制でき、基板割れを起こさずに高誘電体加
工が可能になるという効果を奏する。
エッチング装置においては、表面上に加工すべき基板を
受ける受け面凹部を形成し、基板受け面凹部に対応した
裏面の部分に裏面凹部と、裏面凹部を囲んで基板電極に
接触する周囲接触面部とを形成し、裏面凹部から基板受
け面凹部に貫通する複数のガス流通路を形成したアルミ
ニウムから成る基板トレーを有し、基板電極上に装着し
た際に基板を基板トレー上にクランプリングにより固定
すると共に主として基板トレーの裏面側に冷却ガスを流
すようにように構成したことにより、処理中基板はほぼ
一様な温度に維持され、温度むら及びそれによるチャー
ジアップが抑制でき、基板割れを起こさずに高誘電体加
工が可能になるという効果を奏する。
【００２１】また、本発明によるエッチング方法におい
ては、表面上に加工すべき基板を受ける受け面凹部を形
成し、基板トレーの表面における基板受け面凹部に対応
した裏面の部分に裏面凹部と、裏面凹部を囲んで基板電
極と接触する接触面部とを形成し、裏面凹部から基板受
け面凹部に貫通する複数のガス流通路を形成したアルミ
ニウムから成る基板トレーを用いて、基板電極上に加工
すべき基板を装着し、冷却ガスを主として基板トレーの
裏面側に沿って流すことにより、基板に対する良好な冷
却効率が得られ、その結果、処理中基板をほぼ一様な温
度に維持することができ、温度むら及びそれによるチャ
ージアップが抑制でき、基板割れを起こさずに高誘電体
加工が可能になるという効果を奏する。
ては、表面上に加工すべき基板を受ける受け面凹部を形
成し、基板トレーの表面における基板受け面凹部に対応
した裏面の部分に裏面凹部と、裏面凹部を囲んで基板電
極と接触する接触面部とを形成し、裏面凹部から基板受
け面凹部に貫通する複数のガス流通路を形成したアルミ
ニウムから成る基板トレーを用いて、基板電極上に加工
すべき基板を装着し、冷却ガスを主として基板トレーの
裏面側に沿って流すことにより、基板に対する良好な冷
却効率が得られ、その結果、処理中基板をほぼ一様な温
度に維持することができ、温度むら及びそれによるチャ
ージアップが抑制でき、基板割れを起こさずに高誘電体
加工が可能になるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施の形態におけるエッチング装置
の要部を示す概略断面図。
の要部を示す概略断面図。
【図２】本発明の別の実施の形態におけるエッチング装
置の要部を示す概略断面図。
置の要部を示す概略断面図。
【図３】基板トレーにおけるＨｅガスの漏れ量の測定結
果を示すグラフ。
果を示すグラフ。
１ ：基板電極
１ａ：ガスの通路
２ ：基板トレー
２ａ：受け面凹部
２ｂ：裏面凹部
２ｃ：周囲接触面部
２ｄ：ガス流路
３ ：焦電性高誘電率材料の基板
４ ：マスフローメーター
５ ：Ｈｅガス供給源
６ ：ガイドリング
７ ：クランプリング
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１月２１日（２００２．１．２
１）
１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
フロントページの続き
(72)発明者 加藤 俊夫
静岡県裾野市須山1220−14 株式会社アル
バック富士裾野工場内
(72)発明者 五十嵐 武
静岡県裾野市須山1220−14 株式会社アル
バック富士裾野工場内
(72)発明者 前場 浩司
静岡県裾野市須山1220−14 株式会社アル
バック富士裾野工場内
Ｆターム(参考） 2H079 AA02 DA03 DA04 JA07
5F004 BA20 BB21 BB25 BB28 BC03
CA04 DB00
Claims (5)
- 【請求項１】ガスを導入してマイクロ波や高周波を用い
て高密度プラズマを形成し、基板電極上に焦電性高誘電
体材料の基板を載置して、基板を加工するエッチング装
置において、表面上に加工すべき基板を受ける受け面凹
部を形成し、基板受け面凹部に対応した裏面の部分に裏
面凹部と、裏面凹部を囲んで基板電極に接触する周囲接
触面部とを形成し、裏面凹部から基板受け面凹部に貫通
する複数のガス流通路を形成したアルミニウムから成る
基板トレーを有し、基板電極上に装着した際に基板を基
板トレー上にクランプリングにより固定すると共に主と
して基板トレーの裏面側に冷却ガスを流すようにように
構成したことを特徴とする焦電性高誘電体のエッチング
装置。 - 【請求項２】基板トレーの裏面凹部から周囲接触面部ま
での高さが５〜１００μｍであることを特徴とする請求
項１に記載の焦電性高誘電体のエッチング装置。 - 【請求項３】真空チャンバ内にガスを導入してマイクロ
波や高周波を用いて高密度プラズマを形成し、基板電極
上に焦電性高誘電体材料の基板を載置して、基板を加工
するエッチング方法において、表面上に加工すべき基板
を受ける受け面凹部を形成し、基板トレーの表面におけ
る基板受け面凹部に対応した裏面の部分に裏面凹部と、
裏面凹部を囲んで基板電極と接触する接触面部とを形成
し、裏面凹部から基板受け面凹部に貫通する複数のガス
流通路を形成したアルミニウムから成る基板トレーを用
いて、基板電極上に加工すべき基板を装着し、冷却ガス
を主として基板トレーの裏面側に沿って流すことを特徴
とする焦電性高誘電体のエッチング方法。 - 【請求項４】基板トレーに供給される冷却ガスの漏れ量
を７ｓｃｃｍ以下に設定して処理中の基板温度を１００
℃以下に維持することを特徴とする請求項３に記載の焦
電性高誘電体のエッチング方法。 - 【請求項５】基板トレー上に載置する基板を、基板に実
質的な機械的応力を与えずしかも基板の処理中に発生す
る応力を逃がすことのできる程度のクランプ力で保持す
ることを特徴とする請求項３に記載の焦電性高誘電体の
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001393513A JP3640385B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 焦電性高誘電体のエッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001393513A JP3640385B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 焦電性高誘電体のエッチング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197607A true JP2003197607A (ja) | 2003-07-11 |
| JP3640385B2 JP3640385B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=27600488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001393513A Expired - Lifetime JP3640385B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 焦電性高誘電体のエッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3640385B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200241A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Ulvac Japan Ltd | 基板保持装置、基板ホルダ、真空処理装置、基板の温度制御方法 |
| JP2009266911A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Ulvac Japan Ltd | 強誘電体基板のエッチング方法 |
| KR100954754B1 (ko) | 2008-03-25 | 2010-04-27 | (주)타이닉스 | 플라즈마 처리장치용 기판 트레이 |
| JP2010098011A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置において用いる基板トレイ、エッチング装置及びエッチング方法 |
| US7736528B2 (en) | 2005-10-12 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| KR101062185B1 (ko) | 2009-08-21 | 2011-09-05 | 김남진 | 플라즈마 처리장치 |
| TWI493652B (zh) * | 2012-07-03 | 2015-07-21 | Gigalane Co Ltd | 基板支撐設備及基板處理設備 |
| TWI660452B (zh) * | 2014-02-17 | 2019-05-21 | 優貝克科技股份有限公司 | 用於乾式蝕刻裝置之基板托盤組 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010098010A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JP2010098012A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001393513A patent/JP3640385B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7736528B2 (en) | 2005-10-12 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US8231798B2 (en) | 2005-10-12 | 2012-07-31 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US8591754B2 (en) | 2005-10-12 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2009200241A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Ulvac Japan Ltd | 基板保持装置、基板ホルダ、真空処理装置、基板の温度制御方法 |
| KR100954754B1 (ko) | 2008-03-25 | 2010-04-27 | (주)타이닉스 | 플라즈마 처리장치용 기판 트레이 |
| JP2009266911A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Ulvac Japan Ltd | 強誘電体基板のエッチング方法 |
| JP2010098011A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置において用いる基板トレイ、エッチング装置及びエッチング方法 |
| KR101062185B1 (ko) | 2009-08-21 | 2011-09-05 | 김남진 | 플라즈마 처리장치 |
| TWI493652B (zh) * | 2012-07-03 | 2015-07-21 | Gigalane Co Ltd | 基板支撐設備及基板處理設備 |
| TWI660452B (zh) * | 2014-02-17 | 2019-05-21 | 優貝克科技股份有限公司 | 用於乾式蝕刻裝置之基板托盤組 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3640385B2 (ja) | 2005-04-20 |
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