JP2010010304A - 処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を囲むように設けられた整流部材の少なくとも当該基板に対向する面に多孔質体を配置する。そして、基板のエッチング処理により生成する生成物をこの多孔質体の表面に吸着させることによって、生成物と整流部材との密着強度を高めて当該生成物の脱落を抑える。
【選択図】図8
Description
一方、同様に整流壁171を粗面化する手法として、例えばセラミックスを溶射する方法が知られているが、この手法によっても堆積物の脱落を抑えることができる程度の十分な粗面は得られず、また溶射工程が別途必要となることからコストアップにも繋がってしまう。
処理容器の内部に設けられ、被処理体を載置するための載置台と、
被処理体に対して処理を行う処理ガスを前記載置台の上方側から供給するための処理ガス供給手段と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するためのガス排気部と、
前記載置台上の被処理体を囲むように設けられた整流部材と、を備え、
前記整流部材の少なくとも処理雰囲気側の表面部は、多孔質体により構成されていることを特徴とする。
前記整流部材は、前記多孔質体よりも強度の大きい支持部材により支持されていても良い。また、この整流部材は、多孔質体からなる整流壁を含んでいても良い。
前記支持部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることが好ましい。
この連結部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることが好ましい。
前記連結部材は、互いに隣接する分割部分同士に跨ってその分割部分の内部に嵌め込まれていても良い。
前記整流部材は、多孔質体よりも強度の大きい本体部分と、この本体部分の処理雰囲気側に積層された多孔質体と、により構成されていても良い。この場合において、多孔質体は、前記本体部分から着脱自在に構成されていることが好ましい。
前記多孔質体は、多孔質セラミックスにより構成されていることが好ましい。
前記支持部材、前記連結部材または前記本体部分はセラミックスにより構成されていることが好ましい。
また、上記の処理装置は、前記支持部材を昇降軸を介して昇降させる昇降機構を備えていても良い。
また、載置台3の上面の周縁部及び側面と絶縁部材32の側面とは、例えばセラミックス材料により構成されたフォーカスリング33により覆われている。このフォーカスリング33は、例えば載置台3の上方におけるプラズマを基板S上に集め、基板Sの面内のエッチング速度を向上させるためのものである。
処理容器20の底面には、載置台3の周囲を囲むように、複数箇所にガス排気部である排気路24の一端側が接続されており、この排気路24の他端側には、図示しない真空ポンプが接続されている。
整流部材5は、図2及び図3に示すように、例えば高さ寸法H、幅寸法W及び長さ寸法Lが夫々5cm、1cm、250cmの板状体からなる帯状の4枚の整流壁51が基板Sの4辺に夫々沿うように配置されて構成されており、この整流部材5により基板Sの上方領域に処理雰囲気が形成される。これら4枚の整流壁51に関して例えば時計回りの並びについて見ると、一枚の整流壁51の先端から少し中央よりの側面に次の(隣接する)端面が当接するという接続形態を順次取ることによって、全体形状が四角形の枠状に構成され、各整流壁51の一端側の先端部分が突出した状態になっている。そして、一枚の整流壁51における突出した部分と次の整流壁51の端部とで形成されるL字型部分において、両整流壁51の側面に跨るL字型の固定部材52をこの整流部材5の外側から適合させて、この固定部材52のL字型の一方の部分と一方の整流壁51の側面とを固定部材52側からボルト52aにより固定すると共に、この固定部材52のL字型の他方の部分と次の整流壁51の端部の側面とを固定部材52側からボルト52aにより固定し、こうして互いに隣接する整流壁51同士を連結している。
搬入出口22から載置台3側を見て左右の整流壁51の外面(処理容器20の側壁部21に対向する面)には、整流壁51を支持するための2個の支持部材53が当該整流壁51の長さ方向に離間して設けられている。この支持部材53は、整流壁51の外側から夫々例えばボルト54などを介して当該整流壁51に固定されている。この支持部材53は、平面形状が概略T字型となっており、凸部53aが整流壁51から側壁部21に向けて水平方向に伸び出すように、当該凸部53aの両側位置において整流壁51に固定されている。また、この支持部材53は、上記の固定部材52と同様に、整流壁51よりも強度の強いセラミックス例えば通常の緻密な焼結体例えばアルミナなどから構成されている。
尚、既述の固定部材52についても、これらの支持部材53や連結部材57と同様に図示しない突出部が形成され、この突出部において整流壁51の重量を受け止めた状態でボルト52aにより固定されるように構成されている。
3Cl*+Al→AlCl3 ・・・(1)
この反応により生成した生成物である塩化アルミニウム(AlCl3)は、未反応のエッチングガスなどと共に基板Sの表面を伝いながら周縁領域側へと流れていく。そして、これらの生成物や未反応のエッチングガスは、基板Sの周囲を取り囲む整流壁51に到達したところで当該整流壁51により流れが遮られるので、この整流壁51の内側の領域、即ち基板Sの周縁領域においてガス溜まりを形成することになる。そのため、基板Sの周縁領域ではエッチングガスの流速が遅くなるので、基板Sの周縁領域においては中央領域よりもエッチングガスの供給量が抑えられることになり、従ってローディング効果が抑制される。そのため、基板Sの面内において均一なエッチング速度でエッチング処理が進行していく。
その後、所定の時間が経過するまでエッチング処理を行った後、エッチングガス及び高周波電力の供給を停止して処理容器20内を真空排気し、搬入時とは逆の順序で基板Sを処理容器20内から搬出する。
また、上記のように整流壁51の表面を粗面化するにあたって、既述のブラスト処理を行っていないので、この処理に起因する整流壁51の反りや変形、割れが起こらない。更に、セラミックスの溶射なども行っていないので、余分な工程を増やさずに表面状態の粗い整流壁51を得ることができる。
更に、整流壁51として多孔質体といった比較的強度の弱い材料を用いるにあたって、既述のように支持部材53、連結部材57及び固定部材52に突出部を設けて、この突出部において整流壁51の自重を受け止めた状態でボルトにより整流壁51を固定するようにしている。そのため、整流壁51は、ボルトによる固定部位に当該整流壁51の重量が集中して加わらないので、当該固定部位を基点とした割れなどの発生を抑えることができる。
また、支持部材53の下端側に突出部56を形成するようにしたが、図13に示すように、中央付近に形成するようにしても良い。また、支持部材53の上端側に突出部56を形成するようにしても良いし、あるいは図14に示すように、例えば整流壁51の強度が強い場合などには、突出部56を形成しなくとも良い。
尚、上記の例においては、整流壁51をボルト52a、54、58aにより固定するようにしたが、接着剤などにより接着するようにしても良い。
また、上記の例では各辺の整流壁51が長さ方向に分割されているが、分割されていないものであっても良い。
更にまた、上記の例ではアルミニウム膜のエッチング処理について説明したが、アルミニウム膜以外のエッチング処理、あるいは成膜処理など、ローディング効果の有無に関わらず、生成物などの付着物が生じる処理に本発明の処理装置を適用しても良い。また、被処理体としては、角型の基板S以外にも、円形の基板例えば半導体ウェハに本発明を適用しても良い。
2 エッチング処理装置
3 載置台
5 整流部材
20 処理容器
24 排気路
40 ガスシャワーヘッド
51 整流壁
52 固定部材
53 支持部材
56 突出部
57 連結部材
59 突出部
Claims (13)
- 処理容器の内部に設けられ、被処理体を載置するための載置台と、
被処理体に対して処理を行う処理ガスを前記載置台の上方側から供給するための処理ガス供給手段と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するためのガス排気部と、
前記載置台上の被処理体を囲むように設けられた整流部材と、を備え、
前記整流部材の少なくとも処理雰囲気側の表面部は、多孔質体により構成されていることを特徴とする処理装置。 - 前記整流部材は、前記多孔質体よりも強度の大きい支持部材により支持されていることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記整流部材は、多孔質体からなる整流壁を含むことを特徴とする請求項2記載の処理装置。
- 前記支持部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることを特徴とする請求項3記載の処理装置。
- 前記整流壁は長さ方向に分割されており、互いに隣接する分割部分同士は多孔質体よりも強度の大きい連結部材により連結され、
この連結部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることを特徴とする請求項3または4記載の処理装置。 - 前記連結部材は、互いに隣接する分割部分同士に跨ってその分割部分の内部に嵌め込まれていることを特徴とする請求項5記載の処理装置。
- 前記整流部材は、多孔質体よりも強度の大きい本体部分と、この本体部分の処理雰囲気側に配置された多孔質体と、により構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の処理装置。
- 前記多孔質体は、前記本体部分から着脱自在に構成されていることを特徴とする請求項7に記載の処理装置。
- 前記多孔質体は、多孔質セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記支持部材は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項2ないし6のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記連結部材は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項5または6に記載の処理装置。
- 前記本体部分は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の処理装置。
- 前記支持部材を昇降軸を介して昇降させる昇降機構を備えていることを特徴とする請求項2ないし6、10及び11のいずれか一つに記載の処理装置。
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