JP2010010304A

JP2010010304A - 処理装置

Info

Publication number: JP2010010304A
Application number: JP2008166420A
Authority: JP
Inventors: Masahito Minami; 雅人南; Yoshihiko Sasaki; 芳彦佐々木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-06-25
Filing date: 2008-06-25
Publication date: 2010-01-14
Anticipated expiration: 2028-06-25
Also published as: KR101092071B1; KR20100002173A; TW201001607A; CN101615574A; JP5067279B2; CN101615574B

Abstract

【課題】角型の基板の周縁領域におけるローディング効果を抑えるための整流部材を当該基板を囲むように配置した載置台を内部に備えた処理容器において、この基板にエッチング処理を行うにあたり、このエッチング処理によって生成する生成物による基板の汚染を抑えること。
【解決手段】基板を囲むように設けられた整流部材の少なくとも当該基板に対向する面に多孔質体を配置する。そして、基板のエッチング処理により生成する生成物をこの多孔質体の表面に吸着させることによって、生成物と整流部材との密着強度を高めて当該生成物の脱落を抑える。
【選択図】図８

Description

本発明は、処理容器内において、例えばＦＰＤ(フラットパネルディスプレイ)用のガラス基板などの被処理体を囲むように整流部材を設けて、この被処理体に処理ガスを供給して処理を行う技術に関する。

ＬＣＤ（Liquid Crystal Display；液晶ディスプレイ）の製造工程においては、ガラス基板上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）膜に対して例えばエッチング処理を施す工程がある。この工程を行うエッチング処理装置は、例えば図１７に示すように、真空チャンバ１と、被処理体である例えばＦＰＤ基板Ｓ（以下、基板Ｓと略記する）を載置するための載置台１１と、この載置台１１上の基板Ｓに対してエッチングガス例えば塩素（Ｃｌ_２）系ガスを供給するための処理ガス供給部１２と、を備えている。そして、処理ガス供給部１２から載置台１１上の基板Ｓにエッチングガスを供給すると共に排気路１３から真空チャンバ１内を真空排気して、高周波電源１４から載置台１１に高周波電力を印加してエッチングガスをプラズマ化し、このプラズマにより基板Ｓの表面のアルミニウム膜のエッチング処理を行うようにしている。

ところでこのようなアルミニウム膜のエッチングでは、エッチング速度（反応速度）は、エッチングガスの供給量が律速となっており、即ちエッチングガスの供給量に比例して速くなっていくこととなる。そのため、図１８に示すように、例えば基板Ｓの周縁領域１５では、被エッチング膜つまりアルミニウム膜の占める割合が中央領域１６よりも少ないことから、ローディング効果として知られているように、当該周縁領域１５のアルミニウム膜には中央領域１６のアルミニウム膜よりもエッチングガスが多く供給されることになり、従って中央領域１６よりも速くエッチングが進んでしまう。

このようなローディング効果を抑えるために、例えば図１７及び図１９（ａ）に示すように、基板Ｓの周囲を囲む整流部材１７を設けることによって、基板Ｓの周縁領域１５にガス溜まりを形成して当該周縁領域１５へのエッチングガスの供給量を抑えて、基板Ｓの面内におけるエッチング速度の均一性を高めるようにしている。この整流部材１７は、横長の矩形状の板状体からなる４枚の整流壁１７１を基板Ｓの各辺に沿って配置し、全体形状が四角形となるように組み合わせて構成されている。また、例えばこれら４枚のうちの対向する２枚の整流壁１７１の側面には、載置台１１の外部に伸び出すように突出部１７２が設けられており、この突出部１７２の下面に接続された支持軸１８１を昇降機構１８によって昇降させることにより、図１９（ｂ）に示すように、基板Ｓの搬入出を行う時には整流部材１７全体を昇降させることができるようになっている。尚、基板Ｓが大型の場合例えば基板Ｓの１辺が２ｍ程度の場合には、この整流壁１７１は、長さ寸法Ｌが例えば１ｍ程度の２本の板状体を長さ方向に連結して構成されることとなる。

ここで、このような整流壁１７１は、エッチングガスのプラズマに触れることからプラズマに対して高い耐性を持っている必要があり、また載置台１１に印加される高周波電力に悪影響を及ぼさないように高い電気絶縁性を持っている必要がある。従って、この整流壁１７１は、セラミックス例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などにより構成されている。このようなセラミックスは、通常緻密な焼結体であるノーマルセラミックスからなっており、そのため表面は図２０に示すように極めて平滑であり、表面粗さＲａは例えば１．０μｍ程度となっている。ところで、図２１（ａ）に示すように、例えば塩素とアルミニウムとが反応すると、生成物（反応生成物）が生成する。この生成物は、未反応のエッチングガスなどと共に基板Ｓの外周側へと流れていき、整流部材１７の内壁に到達すると、この整流部材１７を乗り越えて既述の排気路１３へと排気されることとなる。ここで、この生成物が整流壁１７１の内壁に触れた場合には、図２１（ｂ）に示すように、当該内壁に堆積物として付着する場合がある。この堆積物は、整流壁１７１の表面が平滑となっているので、基材であるアルミナ焼結体との密着力が弱いため剥がれやすく、パーティクルとなって基板Ｓの表面のパターン不良などの原因となってしまう。

そこで、予め例えばブラスト処理により整流壁１７１の表面を荒らす（粗面化する）ことによって整流壁１７１の表面積を増やし、アンカー（くさび）効果により整流壁１７１と堆積物との密着力を向上させて堆積物の脱落を抑える試みもあるが、アルミナ焼結体は極めて硬質であるため表面粗さＲａがせいぜい５〜６μｍ程度までしか粗面化できない。この程度の粗面では堆積物の脱落防止には不十分であり、またブラスト処理によって整流壁１７１の反り、変形あるいは割れが起こってしまうおそれがある。
一方、同様に整流壁１７１を粗面化する手法として、例えばセラミックスを溶射する方法が知られているが、この手法によっても堆積物の脱落を抑えることができる程度の十分な粗面は得られず、また溶射工程が別途必要となることからコストアップにも繋がってしまう。

特許文献１及び特許文献２には、プラズマを利用した装置において、ウェハの周辺を覆う物質あるいはシールド板として多孔質体を用いることが記載されており、特許文献３にはエッチング装置においてシールドリングやフォーカスリングに粗面を形成する技術が記載されているが、上記の整流壁１７１における課題については何ら検討されていない。

特開昭６１−２７６３２２（２頁目右欄６行目〜９行目）特開２００２−２１７１７２（段落００１７）特開２００４−２８９００３（段落００２１）

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理体の周囲にローディング効果を抑えるための整流部材を設けて処理ガスにより処理を行う処理装置において、整流部材に付着した堆積物の脱離を抑えて被処理体のパーティクル汚染を低減することのできる処理装置を提供することにある。

本発明の処理装置は、
処理容器の内部に設けられ、被処理体を載置するための載置台と、
被処理体に対して処理を行う処理ガスを前記載置台の上方側から供給するための処理ガス供給手段と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するためのガス排気部と、
前記載置台上の被処理体を囲むように設けられた整流部材と、を備え、
前記整流部材の少なくとも処理雰囲気側の表面部は、多孔質体により構成されていることを特徴とする。
前記整流部材は、前記多孔質体よりも強度の大きい支持部材により支持されていても良い。また、この整流部材は、多孔質体からなる整流壁を含んでいても良い。
前記支持部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることが好ましい。

前記整流壁は長さ方向に分割されていても良く、その場合には互いに隣接する分割部分同士は多孔質体よりも強度の大きい連結部材により連結され、
この連結部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることが好ましい。
前記連結部材は、互いに隣接する分割部分同士に跨ってその分割部分の内部に嵌め込まれていても良い。
前記整流部材は、多孔質体よりも強度の大きい本体部分と、この本体部分の処理雰囲気側に積層された多孔質体と、により構成されていても良い。この場合において、多孔質体は、前記本体部分から着脱自在に構成されていることが好ましい。
前記多孔質体は、多孔質セラミックスにより構成されていることが好ましい。
前記支持部材、前記連結部材または前記本体部分はセラミックスにより構成されていることが好ましい。
また、上記の処理装置は、前記支持部材を昇降軸を介して昇降させる昇降機構を備えていても良い。

本発明によれば、被処理体の周囲にローディング効果を抑えるための整流部材を設けて処理ガスにより処理を行う処理装置において、当該整流部材における少なくとも処理雰囲気側の表面部を多孔質体により構成している。そのため、被処理体の処理により生成した生成物が整流部材に付着して堆積しても、整流部材の表面が極めて粗い面状態となっているため、堆積物と整流部材との密着力が大きく、従って当該堆積物の脱離を抑えることができ、被処理体のパーティクル汚染を低減することができる。

本発明の実施の形態の処理装置の一例について、図１〜図６を参照して説明する。図１の縦断面図に示したエッチング処理装置２は、被処理体例えばＦＰＤ(フラットパネルディスプレイ)基板である角型の基板Ｓの表面に形成されたアルミニウム（Ａｌ）膜に対してエッチング処理を行う装置であり、真空チャンバである角型の処理容器２０を備えている。この処理容器２０は、例えばアルミニウムなどの熱伝導性及び導電性の良好な材質により構成されている。この処理容器２０の側壁部２１の一面側には、基板Ｓを処理容器２０内に搬入するための搬入出口２２が形成されており、この搬入出口２２はゲートバルブ２３により開閉自在に構成されている。尚、処理容器２０は接地されている。

処理容器２０の内部には、その上面に長さが例えば２．５ｍ角程度の角型の基板Ｓを載置するための下部電極をなす載置台３が配置されている。この載置台３は、プラズマ発生用の第１の高周波電源部３１１及びプラズマ中のイオン引き込み用の第２の高周波電源部３１２に電気的に接続されており、処理容器２０内にプラズマを発生させ、当該プラズマ中のイオンを基板Ｓの表面に引き込むように構成されている。この載置台３は、処理容器２０の底面上に絶縁部材３２を介して配設されており、これにより処理容器２０から電気的に浮いた状態となっている。
また、載置台３の上面の周縁部及び側面と絶縁部材３２の側面とは、例えばセラミックス材料により構成されたフォーカスリング３３により覆われている。このフォーカスリング３３は、例えば載置台３の上方におけるプラズマを基板Ｓ上に集め、基板Ｓの面内のエッチング速度を向上させるためのものである。

更に、載置台３には、エッチング処理装置２の外部に設けられた図示しない基板搬送装置との間で基板Ｓの受け渡しを行うための昇降ピン３４が突没する貫通孔３４ａが形成されている。処理容器２０の下方位置には、この昇降ピン３４に接続された昇降機構３５が設けられており、この昇降ピン３４は、昇降機構３５によって前記搬送手段との間で基板Ｓの受け渡しを行う上位置と、載置台３に基板Ｓを載置する下位置と、の間で昇降するように構成されている。

処理容器２０内の載置台３の上方には、この載置台３に対向するように、例えばアルミニウムにより構成された角板状のガスシャワーヘッド４０が処理ガス供給手段として設けられている。このガスシャワーヘッド４０は、処理容器２０の天壁に固定され、下側が矩形に開口する上部電極ベース４１と、この上部電極ベース４１の開口部を塞ぐように当該上部電極ベース４１の下面に設けられた平板状の上部電極４と、から構成されており、処理容器２０と電気的に導通した状態となっている。これらの上部電極ベース４１及び上部電極４により囲まれた空間は、エッチングガスのガス拡散空間４２を構成している。この上部電極４には、多数のガス供給孔４５が形成されており、また上部電極ベース４１の上面の中央位置には、ガス拡散空間４２に連通するように、処理容器２０の天壁を介して処理ガス供給路４３の一端側が接続されている。この処理ガス供給路４３の他端側には、処理ガス例えば塩素（Ｃｌ_２）系ガスなどのエッチングガスが貯留された処理ガス供給部４４が接続されている。
処理容器２０の底面には、載置台３の周囲を囲むように、複数箇所にガス排気部である排気路２４の一端側が接続されており、この排気路２４の他端側には、図示しない真空ポンプが接続されている。

更に、本発明のエッチング処理装置２は、既述のローディング効果を抑えるための整流部材５を備えている。この整流部材５について、以下に詳述する。
整流部材５は、図２及び図３に示すように、例えば高さ寸法Ｈ、幅寸法Ｗ及び長さ寸法Ｌが夫々５ｃｍ、１ｃｍ、２５０ｃｍの板状体からなる帯状の４枚の整流壁５１が基板Ｓの４辺に夫々沿うように配置されて構成されており、この整流部材５により基板Ｓの上方領域に処理雰囲気が形成される。これら４枚の整流壁５１に関して例えば時計回りの並びについて見ると、一枚の整流壁５１の先端から少し中央よりの側面に次の（隣接する）端面が当接するという接続形態を順次取ることによって、全体形状が四角形の枠状に構成され、各整流壁５１の一端側の先端部分が突出した状態になっている。そして、一枚の整流壁５１における突出した部分と次の整流壁５１の端部とで形成されるＬ字型部分において、両整流壁５１の側面に跨るＬ字型の固定部材５２をこの整流部材５の外側から適合させて、この固定部材５２のＬ字型の一方の部分と一方の整流壁５１の側面とを固定部材５２側からボルト５２ａにより固定すると共に、この固定部材５２のＬ字型の他方の部分と次の整流壁５１の端部の側面とを固定部材５２側からボルト５２ａにより固定し、こうして互いに隣接する整流壁５１同士を連結している。

この整流壁５１は、例えば気孔率が１０％〜５０％の絶縁体であるセラミックスからなる多孔質体例えば多孔質アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などから構成されており、従って表面の凹凸は、図４に示すように、５０μｍ〜６０μｍ程度となっている。一方固定部材５２は、整流壁５１よりも密度の高い（強度の大きい）セラミックス例えばいわゆるノーマルセラミックスである通常の緻密な焼結体例えばアルミナなどから構成されている。
搬入出口２２から載置台３側を見て左右の整流壁５１の外面（処理容器２０の側壁部２１に対向する面）には、整流壁５１を支持するための２個の支持部材５３が当該整流壁５１の長さ方向に離間して設けられている。この支持部材５３は、整流壁５１の外側から夫々例えばボルト５４などを介して当該整流壁５１に固定されている。この支持部材５３は、平面形状が概略Ｔ字型となっており、凸部５３ａが整流壁５１から側壁部２１に向けて水平方向に伸び出すように、当該凸部５３ａの両側位置において整流壁５１に固定されている。また、この支持部材５３は、上記の固定部材５２と同様に、整流壁５１よりも強度の強いセラミックス例えば通常の緻密な焼結体例えばアルミナなどから構成されている。

この支持部材５３により支持される位置における整流壁５１の下端部は、外面側から矩形に切り欠かかれており、図５に示すように、支持部材５３の下端部から水平に突出する突出部５６がこの切り欠き部５１ａに入り込んで両者が互いに係合した状態となっている。そして、この支持部材５３は、この突出部５６において整流壁５１の自重を受け止めた状態で上記のボルト５４により整流壁５１と固定されるように構成されている。そのため、整流壁５１は、ボルト５４による固定部位に当該整流壁５１の自重が集中して加わることが避けられ、このため固定部位を基点として割れることが防止される。尚、既述の図１においては、この支持部材５３の位置を便宜上載置台３から外側に離して描画している。

この支持部材５３の凸部５３ａの下面側には、各々整流壁５１を昇降させるための昇降軸を兼ねた支持軸５５の一端側が当該凸部５３ａを介してボルト５５ａにより固定されている。既述の図１に示すように、この支持軸５５は処理容器２０の底面を貫通しており、当該支持軸５５の他端側は昇降板６２を介して処理容器２０の外部に設けられた昇降機構６１に接続されている。そして、昇降機構６１を介して支持軸５５を昇降させることにより、載置台３上に整流部材５の下端が接触する下位置と、この整流部材５の下端側と載置台３との間の隙間を介して基板Ｓの搬入出を行う上位置と、の間において整流部材５全体を昇降させることができることになる。尚、処理容器２０内の気密を保つために、処理容器２０の下端面と昇降板６２との間には、支持軸５５を覆うようにベローズ６３が設けられている。

また、この例では、上記のように整流壁５１の長さ寸法Ｌが長いので、この整流壁５１は、例えば長さ方向に２枚（整流壁５１１、５１２）に分割されており、この連結部分における整流壁５１１、５１２の概略中央部は、図６に示すように、外面側から矩形に切りかかれて切り欠き部５１ｂを形成している。この整流壁５１は、連結部分における整流壁５１１、５１２に跨るように配置された例えば緻密なセラミックス例えばアルミナなどからなる板状の連結部材５７によって連結されている。そして、連結部材５７の中央部から水平に突出する突出部５９が上記の切り欠き部５１ｂに入り込んで互いに係合した状態となっている。そのためこの連結部材５７は、既述の支持部材５３と同様に、この突出部５９において整流壁５１の自重を受け止めた状態で、連結部材５７側からボルト５８ａにより当該整流壁５１と固定されるように構成されている。
尚、既述の固定部材５２についても、これらの支持部材５３や連結部材５７と同様に図示しない突出部が形成され、この突出部において整流壁５１の重量を受け止めた状態でボルト５２ａにより固定されるように構成されている。

また、既述の図１に示すように、エッチング処理装置２には制御部７が接続されている。制御部７は例えば図示しないＣＰＵ、メモリ及びプログラムなどを備えたコンピュータなどからなり、このプログラムには当該エッチング処理装置２の作用、つまり、処理容器２０内に基板Ｓを搬入して、載置台３上にて基板Ｓにエッチング処理を行い、その後処理容器２０内から基板Ｓを搬出するまでの動作に係わる制御等についてのステップ（命令）群が組まれている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に格納され、この記憶媒体からコンピュータにインストールされる。

次に、本発明のエッチング処理装置２の作用について以下に説明する。先ず、図７（ａ）に示すように、整流部材５を上位置に上昇させて、ゲートバルブ２３を開放する。そして、整流部材５と載置台３との間の隙間を介して、図示しない搬送手段により表面にアルミニウム膜が形成された基板Ｓを処理容器２０内に搬入し、載置台３の上方側の受け渡し位置までこの基板Ｓを搬送する。次いで、昇降ピン３４で基板Ｓを受け取り、搬送手段を処理容器２０から退出させ昇降ピン３４を降ろすことで載置台３上に基板Ｓを載置する。その後、搬入出口２２を閉じると共に、整流部材５を下位置に下降させる（図７（ｂ））。

そして、図示しない真空ポンプにより処理容器２０内を所定の真空度に調整すると共に、処理ガス供給部４４からガス拡散空間４２及びガス供給孔４５を介してエッチングガス例えば塩素ガスを載置台３上の基板Ｓに向けて吐出する。また、高周波電源部３１１、３１２から高周波電力を載置台３に供給して基板Ｓの上方の空間にエッチングガスのプラズマを形成し、このプラズマを基板Ｓ側に引き寄せる。このエッチングガスのプラズマは、基板Ｓに到達すると、主に以下の（１）式に基づいて基板Ｓの表面のアルミニウム膜と反応する。
３Ｃｌ^＊＋Ａｌ→ＡｌＣｌ_３・・・（１）
この反応により生成した生成物である塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ_３）は、未反応のエッチングガスなどと共に基板Ｓの表面を伝いながら周縁領域側へと流れていく。そして、これらの生成物や未反応のエッチングガスは、基板Ｓの周囲を取り囲む整流壁５１に到達したところで当該整流壁５１により流れが遮られるので、この整流壁５１の内側の領域、即ち基板Ｓの周縁領域においてガス溜まりを形成することになる。そのため、基板Ｓの周縁領域ではエッチングガスの流速が遅くなるので、基板Ｓの周縁領域においては中央領域よりもエッチングガスの供給量が抑えられることになり、従ってローディング効果が抑制される。そのため、基板Ｓの面内において均一なエッチング速度でエッチング処理が進行していく。

そして、整流壁５１の内側に形成されたガス溜まりは、図８（ａ）に示すように、その後整流壁５１を乗り越えてフォーカスリング３３（載置台３）と処理容器２０の側壁部２１との間の空間を通って排気路２４へと排気されることとなる。この時、ガス溜まり中に含まれる既述の生成物が整流壁５１に触れると、当該整流壁５１の表面に堆積物１００として堆積する場合があるが、図８（ｂ）に示すように、この整流壁５１は多孔質体からなり、そのため表面には大きな凹凸が形成されている。従って、この堆積物１００は、ガスの流れにより整流壁５１の表面の凹部内に押し込まれていき、アンカー（くさび）効果により当該整流壁５１の表面と強く密着することとなる。そして、整流壁５１の表面の凹部が埋まるように、生成物が堆積物１００として当該整流壁５１の表面に順次密着していく。その結果、この堆積物１００の脱落が抑えられた状態でエッチング処理が進んでいくことになる。
その後、所定の時間が経過するまでエッチング処理を行った後、エッチングガス及び高周波電力の供給を停止して処理容器２０内を真空排気し、搬入時とは逆の順序で基板Ｓを処理容器２０内から搬出する。

上述の実施の形態によれば、処理容器２０内の基板Ｓの周囲にローディング効果を抑えるための整流部材５を設けたエッチング処理装置２において、整流部材５を構成する整流壁５１を多孔質体により構成している。そのため、エッチング処理により生成した生成物が当該整流壁５１に堆積物１００として堆積しても、この整流壁５１の表面が極めて粗い面状態となっているので、当該堆積物１００が整流壁５１に強く吸着することとなり、従ってこの堆積物１００の脱離を抑えることができる。そのため、パーティクルなどによる基板Ｓの汚染を抑えることができる。
また、上記のように整流壁５１の表面を粗面化するにあたって、既述のブラスト処理を行っていないので、この処理に起因する整流壁５１の反りや変形、割れが起こらない。更に、セラミックスの溶射なども行っていないので、余分な工程を増やさずに表面状態の粗い整流壁５１を得ることができる。
更に、整流壁５１として多孔質体といった比較的強度の弱い材料を用いるにあたって、既述のように支持部材５３、連結部材５７及び固定部材５２に突出部を設けて、この突出部において整流壁５１の自重を受け止めた状態でボルトにより整流壁５１を固定するようにしている。そのため、整流壁５１は、ボルトによる固定部位に当該整流壁５１の重量が集中して加わらないので、当該固定部位を基点とした割れなどの発生を抑えることができる。

ここで、上記の例においては、整流壁５１の全てを多孔質アルミナにより構成するようにしたが、その表面部を多孔質体により構成し、内部を通常のセラミックスにより構成しても良い。図９はこのような例を示しており、絶縁体例えばアルミナなどの緻密な焼結体である通常のセラミックスからなる板状の本体部分１０２の露出面のうち下面を除く他の面に、上記の整流壁５１と同じ材質の多孔質体を積層、例えば多孔質体からなる薄板１０１を接合して整流壁５１を構成している。この場合には、薄板１０１と本体部分１０２とは、例えば接着剤や図示しないボルトなどにより固定されることとなる。このように整流壁５１の表面部に本体部分１０２に対して着脱自在に多孔質体からなる薄板１０１を設けることで、例えば整流壁５１の表面に堆積した堆積物１００を除去するためのメンテナンスを行うときには、薄板１０１だけを交換すれば良く、このため整流壁５１の取り扱い作業が簡略化され、メンテナンス性を高めることができる利点がある。

また、既述の堆積物１００が処理雰囲気側（整流壁５１で囲まれる空間側）に特に堆積しやすい傾向があることから、例えば図１０に示すように、基板Ｓに対向する面の反対側の面（処理容器２０の側壁部２１に対向する面）には薄板１０１を設けなくとも良いし、あるいは図１１に示すように、整流壁５１の上面においても薄板１０１を設けなくても良い。このように、本発明では、整流壁５１の少なくとも処理雰囲気側の表面を多孔質体により構成することで上記の効果を得ることができる。更に、整流壁５１の処理雰囲気側の表面の全面を多孔質体で構成しなくとも、例えば図１２に示すように、当該対向する面における外縁から内側領域を矩形に窪ませて凹部を形成し、この凹部に板状の薄板１０１をはめ込むようにしても良い。
また、支持部材５３の下端側に突出部５６を形成するようにしたが、図１３に示すように、中央付近に形成するようにしても良い。また、支持部材５３の上端側に突出部５６を形成するようにしても良いし、あるいは図１４に示すように、例えば整流壁５１の強度が強い場合などには、突出部５６を形成しなくとも良い。

更に、整流壁５１を長さ方向に分割した場合、分割部分の連結方法については、例えば図１５、図１６に示すように、分割された整流壁５１１、５１２に跨って例えば緻密な焼結体からなるアルミナなどのセラミックスからなる芯材１０３を嵌め込み、この芯材１０３で整流壁５１（５１１、５１２）の自重を受け止めるようにしても良い。この例では、分割された整流壁５１１、５１２の接合端面にて、芯材１０３が密に嵌入される矩形の凹部１０４が当該整流壁５１１、５１２の長さ方向に沿って形成されており、整流壁５１１、５１２の外側面には、使用するボルト５８ａよりも一回り大きい貫通孔１０５が形成されている。そして、この貫通孔１０５を介して連結部材５７側から当該連結部材５７と芯材１０３とがボルト５８ａにより固定されている。この芯材１０３により整流壁５１（５１１、５１２）の自重を受け止めた状態で当該整流壁５１が固定されることになる。尚、この図１５、図１６についてはボルト５８ａの数は便宜上のものである。
尚、上記の例においては、整流壁５１をボルト５２ａ、５４、５８ａにより固定するようにしたが、接着剤などにより接着するようにしても良い。

また、上記の例では整流壁５１、固定部材５２、支持部材５３及び連結部材５７をアルミナにより構成したが、これらの部材としてはセラミックス例えば窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）などや石英（ＳｉＯ_２）などを用いることができ、プラズマ処理の場合には絶縁体であることが好ましい。固定部材５２、支持部材５３及び連結部材５７としては、整流壁５１よりも強度の強い材質であれば良い。
また、上記の例では各辺の整流壁５１が長さ方向に分割されているが、分割されていないものであっても良い。

更に、整流部材５に支持軸５５を接続して当該整流部材５を昇降可能に構成したが、この整流部材５を載置台３上に固定して、この整流部材５の上方位置を介して基板Ｓの搬送を行うようにしても良いし、あるいは整流壁５１の高さ方向における中央位置に図示しない搬送口を形成し、この搬送口を介して基板Ｓの搬送を行うようにしても良い。
更にまた、上記の例ではアルミニウム膜のエッチング処理について説明したが、アルミニウム膜以外のエッチング処理、あるいは成膜処理など、ローディング効果の有無に関わらず、生成物などの付着物が生じる処理に本発明の処理装置を適用しても良い。また、被処理体としては、角型の基板Ｓ以外にも、円形の基板例えば半導体ウェハに本発明を適用しても良い。

本発明のエッチング処理装置の一例を示す縦断面図である。上記のエッチング処理装置を示す水平断面図である。上記のエッチング処理装置における整流部材の一例を示す斜視図である。上記の整流部材を構成する整流壁の表面を拡大して示す模式図である。上記の整流部材を支持する支持部材の一例を示す説明図である。上記の整流壁同士を接続する連結部の一例を示す説明図である。上記のエッチング処理装置の作用を示す縦断面図である。上記のエッチング処理装置においてエッチング処理を行っている時の様子を示す模式図である。上記の整流壁の他の例を示す縦断面図である。上記の整流壁の他の例を示す縦断面図である。上記の整流壁の他の例を示す縦断面図である。上記の整流壁の他の例を示す説明図である。上記の連結部の他の例を示す縦断面図である。上記の連結部の他の例を示す縦断面図である。上記の連結部の他の例を示す説明図である。上記の連結部の他の例を示す水平断面図である。従来のエッチング処理装置を示す縦断面図である。従来のローディング効果について説明するための基板の平面図である。従来のエッチング処理装置の作用を示す斜視図である。上記の従来のエッチング処理装置における整流部材の表面を示す縦断面図である。上記の従来のエッチング処理における作用を示す模式図である。

符号の説明

ＳＦＰＤ基板（基板）
２エッチング処理装置
３載置台
５整流部材
２０処理容器
２４排気路
４０ガスシャワーヘッド
５１整流壁
５２固定部材
５３支持部材
５６突出部
５７連結部材
５９突出部

Claims

処理容器の内部に設けられ、被処理体を載置するための載置台と、
被処理体に対して処理を行う処理ガスを前記載置台の上方側から供給するための処理ガス供給手段と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するためのガス排気部と、
前記載置台上の被処理体を囲むように設けられた整流部材と、を備え、
前記整流部材の少なくとも処理雰囲気側の表面部は、多孔質体により構成されていることを特徴とする処理装置。
前記整流部材は、前記多孔質体よりも強度の大きい支持部材により支持されていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
前記整流部材は、多孔質体からなる整流壁を含むことを特徴とする請求項２記載の処理装置。
前記支持部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることを特徴とする請求項３記載の処理装置。
前記整流壁は長さ方向に分割されており、互いに隣接する分割部分同士は多孔質体よりも強度の大きい連結部材により連結され、
この連結部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることを特徴とする請求項３または４記載の処理装置。
前記連結部材は、互いに隣接する分割部分同士に跨ってその分割部分の内部に嵌め込まれていることを特徴とする請求項５記載の処理装置。
前記整流部材は、多孔質体よりも強度の大きい本体部分と、この本体部分の処理雰囲気側に配置された多孔質体と、により構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の処理装置。
前記多孔質体は、前記本体部分から着脱自在に構成されていることを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
前記多孔質体は、多孔質セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の処理装置。
前記支持部材は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項２ないし６のいずれか一つに記載の処理装置。
前記連結部材は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の処理装置。
前記本体部分は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項７または８に記載の処理装置。
前記支持部材を昇降軸を介して昇降させる昇降機構を備えていることを特徴とする請求項２ないし６、１０及び１１のいずれか一つに記載の処理装置。