JP2016127185A - シールドリングおよび基板載置台 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来よりも高寿命のシールドリングおよびそれを用いた基板載置台を提供する。【解決手段】基板にプラズマ処理を施すチャンバー内で基板を載置し、高周波電力が印加される金属製の基材およびその上に設けられた基板載置部を有する基板載置台において、基材および基板載置部の周囲に配置される絶縁性のシールドリングは、複数の構成部材を組み合わせてなり、各構成部材は、基材に取り付けられる下層部と、下層部の上を覆うように設けられた上層部とを有し、上層部は反転可能に設けられている。【選択図】図10
Description
本発明は、プラズマエッチング等のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の基板載置台に用いられるシールドリング、そのようなシールドリングを用いた基板載置台に関する。
フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造過程においては、被処理基板に対して、エッチング、スパッタリング、CVD(化学気相成長)等のプラズマ処理が多用されている。プラズマ処理を行うプラズマ処理装置においては、処理チャンバー内に設けられた基板載置台に基板を載置した状態でプラズマを生成し、そのプラズマにより基板に対して所定のプラズマ処理を施す。
このようなプラズマ処理装置において、被処理基板が載置される基板載置台は、プラズマを生成するための高周波電力が印加される下部電極として機能する基材と、基材の周囲に設けられるシールドリングとを備えている。このシールドリングは、プラズマのフォーカス性向上および高周波電力の絶縁のために設けられており、アルミナ等の絶縁性セラミックスで形成されており、基材と接するように設置されている。
FPD基板は矩形状でかつ大型であるため、シールドリングとしては、基板に対応した矩形状の基板載置台の周囲に額縁状に設けられるとともに、複数の構成部品に分割された分割タイプのものが提案されている(例えば特許文献1)。また、特許文献2には、基板シールドリングを構成するセラミックスと基板載置台の基材を構成する金属との熱膨張差により隙間等が形成されることを防止するための技術が開示されている。
上記特許文献1および2の技術においては、基板載置台に高周波電力を印加することにより、シールドリングはプラズマにより侵食されるため、シールドリングが所定量以上侵食された時点でシールドリングを交換する必要がある。
また、シールドリングを上下2層構造にして、分離可能にした技術も知られている(特許文献3)。
ところで、シールドリングがプラズマにより侵食される部位は基板近傍部分に集中しており、基板近傍部分のみが局部的に所定量以上侵食した時点で、上記特許文献1および2の技術においては、シールドリング全体を交換する必要があり、上記特許文献3の技術においては、シールドリングの上部を交換する必要がある。
しかし、シールドリングは高価であり、引用文献3のように上部のみを交換するようにしたとしてもコストが高いものとなり、シールドリングの寿命を極力長くして低コスト化することが望まれる。
したがって、本発明は、従来よりも高寿命のシールドリングおよびそれを用いた基板載置台を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点は、基板にプラズマ処理を施すチャンバー内で基板を載置し、高周波電力が印加される金属製の基材およびその上に設けられた基板載置部を有する基板載置台において、前記基材および前記基板載置部の周囲に配置される絶縁性のシールドリングであって、複数の構成部材を組み合わせてなり、各構成部材は、前記基材に取り付けられる下層部と、前記下層部の上を覆うように設けられた上層部とを有し、前記上層部は反転可能に設けられていることを特徴とするシールドリングを提供する。
本発明の第2の観点は、基板にプラズマ処理を施すチャンバー内で基板を載置する基板載置台であって、高周波電力が印加される金属製の基材と、前記基材の上に設けられた基板載置部と、前記基材および前記基板載置部の周囲に配置される絶縁性のシールドリングとを有し、前記シールドリングは上記第1の観点の構成を有することを特徴とする基板載置台を提供する。
前記シールドリングは、絶縁性セラミックスからなるものであることが好ましい。この場合に、前記上層部と前記下層部は同じ材料からなってもよいし、異なる材料からなってもよい。
前記上層部は、表裏反転、または面内反転、または表裏反転および面内反転が可能とすることができる。
前記構成部材の前記下層部は、前記基材にねじ止めされており、前記上層部は、前記ねじ止めされた部分を覆うように設けることができる。また、前記構成部材の前記下層部は、前記上層部を位置決めする位置決めピンを有し、前記上層部は、前記位置決めピンが挿入される位置決め用穴を有し、かつ、前記上層部は、所定の反転を行った際に、前記位置決めピンが挿入される位置に他の位置決め用穴が形成されるように構成することが好ましい。
前記基板は矩形状をなし、前記シールドリングは額縁状をなしているものとすることができる。この場合に、前記構成部材は、額縁状の長辺を構成する長辺部材および短辺を構成する短辺部材とすることができ、また、額縁状の長辺を構成する長辺部材および短辺を構成する短辺部材をさらに複数に分割したものとすることができる。これらの場合に、前記長辺部材および前記短辺部材の下層部材は、拘束された一端と、自由端である他端を有し、熱により前記一端を基準として他端側の熱膨張を許容する構成とすることができる。
そして、この場合に、前記長辺部材および前記短辺部材の下層部は、上層部を位置決めするための位置決めピンおよび熱変形に追従するように設けられた熱変形追従ピンを有し、前記長辺部材および前記短辺部材の上層部は、前記位置決めピンが挿入される位置決めピン用穴および前記熱変形追従ピンが挿入される長穴形状の熱変形追従用穴を有し、かつ、前記上層部は、所定の反転を行った際に、前記位置決めピンおよび前記熱変形追従ピンが挿入される位置に他の位置決め用穴および他の熱変形追従用穴が形成されている構成とすることが好ましい。
本発明では、シールドリングを構成する各構成部材が基材に取り付けられる下層部と、下層部の上を覆うように設けられた上層部とを有し、上層部を反転可能に設けたので、上層部のプラズマにより侵食される部位を変更することができ、シールドリングの寿命を長くすることができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
<プラズマ処理装置>
最初に、本発明が適用可能なプラズマ処理装置の一例としてプラズマエッチング装置を例にとって説明する。
<プラズマ処理装置>
最初に、本発明が適用可能なプラズマ処理装置の一例としてプラズマエッチング装置を例にとって説明する。
図1は本発明が適用可能なプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置を示す断面図である。
図1に示すように、このプラズマエッチング装置1は、FPD用のガラス基板(以下、単に「基板」と記す)Gに対してエッチングを行う容量結合型プラズマエッチング装置として構成されている。FPDとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(PDP)等が例示される。
プラズマエッチング装置1は、被処理基板である基板Gを収容する処理容器としてのチャンバー2を備えている。チャンバー2は、例えば、表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなり、基板Gの形状に対応して四角筒形状に形成されている。
チャンバー2内の底部には絶縁材からなる絶縁板4を介して下部電極として機能する基板載置台3が設けられている。基板載置台3は、上部の中央部に形成された凸部5aおよび凸部5aの周囲のフランジ部5bを有する、金属、例えばアルミニウムからなる基材5と、凸部5aの上に設けられた、基板Gの載置面を有する載置部6と、載置部6および基材5の凸部5aの周囲に設けられた絶縁性のシールドリング7と、基材5のフランジ部5bの周囲に設けられた絶縁リング8とを備えている。
載置部6は、アルミナ等の絶縁セラミックスで構成されたセラミックス溶射皮膜6aと、その内部に埋設された電極6bとを有し、静電チャックを構成している。電極6bには給電線33を介して直流電源34が接続されており、この直流電源34からの直流電圧によりガラス基板Gが静電吸着される。
基材5には、高周波電力を供給するための給電線12が接続されており、この給電線12には整合器13および高周波電源14が接続されている。高周波電源14からは例えば13.56MHzの高周波電力が基板載置台3の基材5に供給される。これにより、基板載置台3は下部電極として機能する。
チャンバー2の底壁、絶縁板4および基板載置台3を貫通するように、その上へのガラス基板Gのローディングおよびアンローディングを行うための複数の昇降ピン10が昇降可能に挿通されている。この昇降ピン10は基板Gを搬送する際には、基板載置台3の上方の搬送位置まで上昇され、それ以外のときには基板載置台3内に没した状態となる。
チャンバー2の上部には、チャンバー2内に処理ガスを供給するとともに上部電極として機能するシャワーヘッド20が、基板載置台3と対向するように設けられている。シャワーヘッド20は、内部に処理ガスを拡散させるガス拡散空間21が形成されているとともに、基板載置台3との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔22が形成されている。このシャワーヘッド20は接地されており、基板載置台3とともに一対の平行平板電極を構成し、容量結合型のプラズマを生成可能となっている。
シャワーヘッド20の上面にはガス導入口24が設けられ、このガス導入口24には、処理ガス供給管25が接続されており、この処理ガス供給管25は処理ガス供給源28に接続されている。また、処理ガス供給管25には、開閉バルブ26およびマスフローコントローラ27が介在されている。処理ガス供給源28からは、プラズマ処理、例えばプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、O2ガス、Arガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
チャンバー2の底壁には複数の排気管29(2つのみ図示)が接続されており、この排気管29には排気装置30が接続されるとともに、図示しない圧力調整弁が設けられている。排気装置30はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー2内を排気して所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。
チャンバー2の側壁には、基板Gを搬入出するための搬入出口31が形成されているとともに、この搬入出口31を開閉するゲートバルブ32が設けられており、搬入出口31の開放時に、図示しない搬送手段によって基板Gがチャンバー2内に搬入され、またはチャンバー2外へ搬出されるように構成されている。
また、プラズマエッチング装置1は、プラズマエッチング装置1の各構成部を制御するためのマイクロプロセッサ(コンピュータ)を備えたプロセスコントローラを有する制御部40を備えている。制御部40は、オペレータによるプラズマエッチング装置1を管理するためのコマンド入力等の入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース、および、プラズマエッチング装置1で実行される各種処理をプロセスコントローラの制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわち処理レシピが格納された記憶部をさらに有している。処理レシピは記憶部の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、コンピュータに内蔵されたハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェースからの指示等にて任意の処理レシピを記憶部から呼び出してプロセスコントローラに実行させることで、プロセスコントローラの制御下で、プラズマエッチング装置での所望の処理が行われる。
次に、このように構成されるプラズマエッチング装置1における処理動作について説明する。
まず、ゲートバルブ32を開いて、基板Gを搬送アーム(図示せず)により搬入出口31を介してチャンバー2内へと搬入し、基板載置台3の静電チャックを構成する載置部6上に載置する。具体的には、昇降ピン10を上方に突出させて支持位置に位置させ、搬送アーム上の基板Gを昇降ピン10の上に受け渡し、その後、昇降ピン10を下降させて基板Gを基板載置台3の静電チャックを構成する載置部6上に載置する。
まず、ゲートバルブ32を開いて、基板Gを搬送アーム(図示せず)により搬入出口31を介してチャンバー2内へと搬入し、基板載置台3の静電チャックを構成する載置部6上に載置する。具体的には、昇降ピン10を上方に突出させて支持位置に位置させ、搬送アーム上の基板Gを昇降ピン10の上に受け渡し、その後、昇降ピン10を下降させて基板Gを基板載置台3の静電チャックを構成する載置部6上に載置する。
その後、ゲートバルブ32を閉じ、開閉バルブ26を開放して、処理ガス供給源28から処理ガスを、マスフローコントローラ27によってその流量を調整しつつ、処理ガス供給管25、ガス導入口24を通ってシャワーヘッド20の内部のガス拡散空間21へ導入し、さらに吐出孔22を通って基板Gに対して均一に吐出し、排気量を調節しつつチャンバー2内を所定圧力に制御する。次いで、直流電源34から載置部6の電極6bに電圧を印加することにより、基板Gを静電吸着する。
この状態で高周波電源14から整合器13を介してプラズマ生成用の高周波電力を基板載置台3の基材5に供給し、下部電極としての基板載置台3と上部電極としてのシャワーヘッド20との間に高周波電界を生じさせて、処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより基板Gにプラズマ処理を施す。
<シールドリングの第1の実施形態>
次に、基板載置台3に用いられるシールドリングの第1の実施形態について、図2〜14を参照して説明する。
図2は本発明の第1の実施形態に係るシールドリングを装着した基板載置台を示す断面図、図3はその平面図である。
次に、基板載置台3に用いられるシールドリングの第1の実施形態について、図2〜14を参照して説明する。
図2は本発明の第1の実施形態に係るシールドリングを装着した基板載置台を示す断面図、図3はその平面図である。
本実施形態のシールドリング7は、基材5に固定される下層72と、下層72の上に設けられた上層71の二層構造をなしており、かつ基板Gの長辺に対応する2つの長辺部材73および基板Gの短辺に対応する2つの短辺部材74が組み合わされて額縁状に形成されている。上層71は下層72をエッチングから保護する機能を有しており、下層72よりも薄く形成されている。
図4(a)に示すように、長辺部材73は、上層71の一部となる長辺上層部711と、下層72の一部となる長辺下層部721により構成されており、全体が直方体状をなしている。また、図4(b)に示すように、短辺部材74は、上層71の一部となる短辺上層部712と、下層72の一部となる短辺下層部722により構成されており、全体が直方体状をなしている。
長辺部材73どうし、および短辺部材74どうしは同じ長さを有しており、2つの長辺部材73および2つの短辺部材74は、基板載置台3の中心線に対して回転対称になるように配置されている。
長辺部材73の長辺下層部721および短辺部材74の短辺下層部722は、ねじにより基材5に固定されて下層72を構成し、これら長辺下層部721および短辺下層部722の上に、それぞれ長辺上層部711および短辺上層部712が位置決めされて上層71を構成するようになっている。
長辺上層部711および短辺上層部712は、それぞれ反転可能に構成されている。長辺上層部711および短辺上層部712の反転の態様としては、図5に示すように、上面Aと下面Bとを表裏反転するものを挙げることができる。この場合は、長辺上層部711および短辺上層部712は、図5のX方向(長手方向)の中心軸O1またはY方向(幅方向)の中心軸O2に対して軸対称に構成される。また、図6に示すように、外側面Cと外側面Dとを面内反転するものを挙げることができる。この場合は、長辺上層部711および短辺上層部712は、図6のZ方向(厚さ方向)の中心軸O3に対して軸対称に構成される。また、表裏反転および面内反転の両方が可能であってもよい。
シールドリング7は、プラズマ耐性の高いアルミナ(Al2O3)等の絶縁性セラミックスからなっている。上層71と下層72とは同じ材料で構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。異なる材料で構成する場合としては、上層71はプラズマによる消耗を予定している部材であることから、上層71に下層72より安価な材料を用いる場合を挙げることができる。また、上層71を基板Gのエッチング対象層と同じ材料からなる犠牲材として用い、基板端部でのローディング効果を低減するようにしてもよい。この場合の例としては、エッチング対象層が窒化ケイ素(SiN)の場合に、上層71を窒化ケイ素で構成し、下層72をアルミナで構成することを挙げることができる。
このように構成されるシールドリング7を装着した状態で、基板載置台3の基材5に高周波電力を印加して、基板載置台3に載置された基板Gに対してプラズマ処理であるプラズマエッチングを行う際には、高周波バイアスによりプラズマ中のイオンが基板Gに引き込まれるが、シールドリング7の基板Gの近傍部分もプラズマ中のイオンが作用する。このため、図7(a),(b)に示すように、シールドリング7の表面の基板G近傍部分がプラズマにより侵食され消耗部80が形成される。従来は、このような消耗部が許容される大きさまたは深さを超えたら、シールドリング7を交換していた。これに対し、本実施形態では、シールドリング7を上層71と下層72の二層構造とし、シールドリング7を構成する長辺部材73および短辺部材74を、それぞれ長辺上層部711と長辺下層部721、および短辺上層部712と短辺下層部722で構成するようにし(図7では、長辺部材73のみ図示)、長辺上層部711および短辺上層部712を反転可能にしたので、消耗が生じていない部分をシールドリング7表面の基板近傍に位置するようにすることができ、シールドリング7の寿命を延長することができる。
例えば、長辺上層部711および短辺上層部712が表裏反転可能な場合には、消耗部80が限界の大きさまたは深さに達したら、図8に示すように、長辺上層部711および短辺上層部712(長辺上層部711のみ図示)を表裏反転させて消耗部80を下面側にすることにより、長辺上層部711および短辺上層部712をさらに使用することができ、寿命を2倍に延ばすことができる。
同様に、長辺上層部711および短辺上層部712が面内反転可能な場合には、消耗部80が限界の大きさまたは深さに達したら、図9に示すように、長辺上層部711および短辺上層部712(長辺上層部711のみ図示)を面内回転させて消耗部80を表面外側にすることにより、長辺上層部711および短辺上層部712をさらに使用することができ、寿命を2倍に延ばすことができる。
また、長辺上層部711および短辺上層部712が表裏反転および面内反転の両方可能な場合には、長辺上層部711を例にとると、例えば、図10に示すようになる。すなわち、1回目の使用により消耗部80が限界の大きさまたは深さに達したら、図10(a)に示すように面内反転(1回目の反転)させ、2回目の使用に供される。2回目の使用により消耗部80が限界の大きさまたは深さに達したら、図10(b)に示すように表裏反転(2回目の反転)させ、3回目の使用に供される。3回目の使用により消耗部80が限界の大きさまたは深さに達したら、図10(c)に示すように面内反転(3回目の反転)させ、4回目の使用に供される。これにより、寿命を4倍に延ばすことができる。短辺上層部712も同様である。
また、上記特許文献2のように、シールドリングを基材にねじ止めするための凹部がシールドリングの上面に形成されている場合には、シールドリング表面が凹凸のある形状となり、プラズマによるパーティクルが生じやすいが、本実施形態では、下層72を構成する長辺下層部721および短辺下層部722を基材5にねじ固定し、その上に上層71を構成する長辺上層部711および短辺上層部712を装着するので、シールドリング7の表面を平坦にすることができ、パーティクルの発生を抑制することができる。具体的には、長辺部材73を例にとると、図11に示すように、下層72を構成する長辺下層部721の上面には、座ぐりによる凹部75が形成され、その凹部75の底に基材5まで貫通するねじ穴76が形成されており、その部分でねじ77により長辺下層部721が基材5に固定されている。そして、このような長辺下層部721の上に長辺上層部711を装着することにより、凹部75は長辺上層部711に覆われ、シールドリング7の表面を、凹凸が存在しない平坦な長辺上層部711の表面とすることができる。このため、パーティクルの発生を抑制することができ、生産性を向上させることができる。
また、長辺上層部711および短辺上層部712の位置決めは、位置決めピンを用いて行うことができる。具体的には、長辺部材73を例にとると、図12に示すように、長辺下層部721の上面に位置決めピン78を上方に突出するように設け、長辺上層部711の下面の位置決めピン78に対応する部分に座ぐりにより位置決め用穴79を設け、位置決めピン78を位置決め用穴79に挿入することにより、長辺上層部711を位置決めすることができる。位置決めピン78は、例えば長辺下層部721の長手方向端部の2カ所に設けられ、長辺上層部711を面内反転可能なようにする場合には、位置決めピン78および位置決め用穴79を中心線から離れた位置に設け、長辺上層部711を面内反転させた場合にも、位置決めピン78に対応する位置に位置決め用穴79がくるように、4つの位置決め用穴79を長辺上層部711の下面に対称に配置する。また、長辺上層部711を表裏反転および面内反転可能なようにする場合には、図13に示すように、長辺上層部711の上面の下面に対応する位置にも位置決め用穴79を設け、表裏回転した場合にも位置決めピン78に対応する部分に位置決め用穴79がくるようにする。この場合には、プラズマの影響を極力抑えるために、長辺上層部711の表面の位置決め用穴79は長辺上層部711と同じ材料からなる穴塞ぎ部材81で塞ぐようにすることが好ましい。また、図14に示すように、表裏に位置決め用穴79を形成する代わりに、貫通孔の位置決め用穴82を対称に形成してもよい。この場合には、貫通孔の位置決め用穴82を通ってプラズマが下層72に達しないように、少なくとも位置決め用穴82の表面部分を穴塞ぎ部材81で塞ぐことが必須である。また、図示するように、使用していない位置決め用穴82の裏面側も穴塞ぎ部材81で塞ぐことが好ましい。短辺部材74も同様である。
<シールドリングの第2の実施形態>
次に、基板載置台3に用いられるシールドリングの第2の実施形態について、図15〜17を参照して説明する。
図15は本発明の第2の実施形態に係るシールドリングを装着した基板載置台を示す平面図である。
第2の実施形態のシールドリング7は、長辺部材73および短辺部材74を2分割した例を示す。基板Gの一辺の長さが3m程度になると、シールドリング7が極めて大きいものとなるため、本実施形態では、そのような場合に対応すべく、長辺部材73および短辺部材74をさらに2分割する。
次に、基板載置台3に用いられるシールドリングの第2の実施形態について、図15〜17を参照して説明する。
図15は本発明の第2の実施形態に係るシールドリングを装着した基板載置台を示す平面図である。
第2の実施形態のシールドリング7は、長辺部材73および短辺部材74を2分割した例を示す。基板Gの一辺の長さが3m程度になると、シールドリング7が極めて大きいものとなるため、本実施形態では、そのような場合に対応すべく、長辺部材73および短辺部材74をさらに2分割する。
本実施形態のシールドリング7においては、長辺部材73が第1長辺部材73aおよび第2長辺部材73bに分割されており、短辺部材74が第1短辺部材74aおよび第2短辺部材74bに分割されている。
そして、図16(a)に示すように、第1長辺部材73aは、第1長辺上層部711aと第1長辺下層部721aとにより構成されており、全体が直方体状をなしている。また、図16(b)に示すように、第2長辺部材73bは、第2長辺上層部711bと第2長辺下層部721bとにより構成されており、全体が直方体状をなしている。
図17(a)に示すように、第1短辺部材74aは、第1短辺上層部712aと第1短辺下層部722aとにより構成されており、全体が直方体状をなしている。また、図17(b)に示すように、第2短辺部材74bは、第2短辺上層部712bと第2短辺下層部722bとにより構成されており、全体が直方体状をなしている。
第1長辺部材73aと第2長辺部材73b、および第1短辺部材74aと第2短辺部材74bとは、同じ長さを有していることが好ましい。これにより、第1長辺部材73aと第2長辺部材73b、および第1短辺部材74aと第2短辺部材74bを入れ替えることも可能である。
第1長辺部材73aの第1長辺下層部721a、第2長辺部材73bの第2長辺下層部721b、第1短辺部材74aの第1短辺下層部722a、および第2短辺部材74bの第2短辺下層部722bは、ねじにより基材5に固定されて下層72を構成し、これら第1長辺下層部721a、第2長辺下層部721b、第1短辺下層部722a、および第2短辺下層部722bの上に、それぞれ第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、および第2短辺上層部712bが位置決めされて上層71を構成するようになっている。
第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、および第2短辺上層部712bは、それぞれ反転可能に構成されている。これらは、第1の実施形態の長辺上層部711および短辺上層部712と全く同様に、表裏反転または面内反転が可能に構成することができ、表裏反転および面内反転の両方が可能に構成することもできる。
以上のように第2の実施形態では、第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、および第2短辺上層部712bをこのように反転させることにより、第1の実施形態と同様、シールドリング7の寿命を2倍または4倍に延長することができる。
また、ねじ止めのための凹部が形成された第1長辺下層部721a、第2長辺下層部721b、第1短辺下層部722a、および第2短辺下層部722bを、それぞれ第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、および第2短辺上層部712bで覆うため、シールドリング7の表面を、凹凸が存在しない平坦な表面とすることができる。このため、パーティクルの発生を抑制して生産性を向上させることができる。
なお、第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、および第2短辺上層部712bの位置決めは、第1の実施形態の長辺上層部711および短辺上層部712と全く同様に行うことができる。
<シールドリングの第3の実施形態>
次に、基板載置台3に用いられるシールドリングの第3の実施形態について、図18〜24を参照して説明する。
本実施形態は、シールドリングの熱変形による影響を考慮した例について説明する。本実施形態では、基材5とシールドリング7の間の熱膨張差のみならず、シールドリング7の上層71と下層72の熱膨張差も考慮している。
次に、基板載置台3に用いられるシールドリングの第3の実施形態について、図18〜24を参照して説明する。
本実施形態は、シールドリングの熱変形による影響を考慮した例について説明する。本実施形態では、基材5とシールドリング7の間の熱膨張差のみならず、シールドリング7の上層71と下層72の熱膨張差も考慮している。
図18は本発明の第3の実施形態に係るシールドリングを装着した基板載置台を示す部分縦断面図、図19は図18のE−E線による水平断面図、図20は本発明の第3の実施形態に係るシールドリングを装着した基板載置台を示す平面図である。
第3の実施形態のシールドリング7は、第2の実施形態と同様、長辺部材73が第1長辺部材73aおよび第2長辺部材73bに分割されており、短辺部材74が第1短辺部材74aおよび第2短辺部材74bに分割されている。図19は、シールドリング7の下層72の状態を示すが、長辺部材73の一端P(第1長辺部材73aの端部)は基材5に拘束されており、長辺部材73の他端Q(第2長辺部材73bの端部)は自由端となっている。また、短辺部材74の一端R(第1短辺部材74aの端部)も基材5に拘束されており、短辺部材74の他端S(第2短辺部材74bの端部)は自由端となっている。下層72を構成する第1長辺下層部721a、第2長辺下層部721b、第1短辺下層部722a、および第2短辺下層部722bは、ねじ固定部90により基材5に固定されている。ねじ固定部90は、ねじのヘッドを収容する座ぐりによる凹部91と、底部まで貫通する長穴からなるねじ穴92と、ねじ穴92に挿入されて基材5に螺合されるねじ93とを有する。ねじ穴92が長穴となっていることにより、これらの長手方向の熱膨張を許容することができる。第1長辺下層部721aと第2長辺下層部721bは上下に重ね合わせてなる重ね合わせ構造を有しており、これらは連結部材95で連結されている。また、第1短辺下層部722aと第2短辺下層部722bも同様に重ね合わせ構造を有しており、同様に連結部材95で連結されている。したがって、長辺部材73を構成する第1長辺下層部721aおよび第2長辺下層部721bは、熱が加わった場合に一端Pを基準として他端Q側に熱膨張し、冷却された際には元の位置に戻る。また、短辺部材74を構成する第1短辺下層部722aおよび第2短辺下層部722bは、熱が加わった場合に一端Rを基準として他端S側に熱膨張し、冷却された際には元の位置に戻る。このため、熱膨張により基材5とシールドリング7との間に隙間が生じることを抑制することができる。
なお、シールドリング7の角部に対応する第2長辺下層部721bと第1短辺下層部722aとの間、第2短辺下層部722bと第1長辺下層部721aとの間も、第1長辺下層部721aと第2長辺下層部721bとの間および第1短辺下層部722aと第2短辺下層部722bとの間と同様、上下に重ね合わせてなる重ね合わせ構造を有している。このように重ね合わせ構造をとることにより、長手方向の熱膨張による隙間の影響を抑制するようになっている。
また、第1長辺下層部721aの一端Pの近傍、第1短辺下層部722aの一端Rの近傍の長手方向中心線の内側位置には、表面から上方へ突出するように、それぞれ第1長辺上層部711a、第1短辺上層部712aを位置決めするための位置決めピン96が設けられている。また、第1長辺下層部721aの他端および第1短辺下層部722aの他端の位置決めピン96に対応する位置には、表面から上方へ突出するように、それぞれ第1長辺上層部711aおよび第1短辺上層部712aの熱変形に追従する熱変形追従ピン97が設けられている。さらに、第2長辺下層部721bおよび第2短辺下層部722bの両端部には、位置決めピン96に対応する位置に、表面から上方へ突出するように、それぞれ第2長辺上層部711bおよび第2短辺上層部712bの熱変形に追従する熱変形追従ピン97が設けられている。
図20に示すように、第1長辺上層部711aと第2長辺上層部711b、および第1短辺上層部712aと第2短辺上層部712bは、連結部材101により連結されるようになっている。そして、第1長辺上層部711aおよび第1短辺上層部712aは、位置決めピン96および熱変形追従ピン97が挿入されて一端側が位置決めされるとともに、他端側が長手方向の熱変形に追従可能となっている。また、第2長辺上層部711bおよび第2短辺上層部712bは熱変形追従ピン97のみが挿入されて両端側が熱変形に追従可能となっている。
このため、シールドリング7の上層71と下層72とが異なる材料で形成されて熱膨張差がある場合に、これらの間の熱膨張差による熱変形を抑制することができる。
第1長辺上層部711aおよび第1短辺上層部712aを面内反転可能にする場合には、図21に示すように、これらの下面に、位置決めピン96に対応する形状の位置決め用穴98および熱変形追従ピン97に対応する長穴からなる熱変形追従用穴99を2つずつ点対称の位置に座ぐりにより形成する。これにより、第1長辺上層部711aおよび第1短辺上層部712aを面内反転した場合にも、位置決めピン96を位置決め用穴98に挿入し、熱変形追従ピン97を熱変形追従用穴99に挿入して、第1長辺上層部711aおよび第1短辺上層部712aを長手方向の熱変形に追従するように位置決めすることができる。
また、第2長辺上層部711bおよび第2短辺上層部712bを面内反転可能にする場合には、図22に示すように、これらの下面に、両端部に熱変形追従ピン97に対応する位置に長穴からなる熱変形追従用穴99を2つ座ぐりにより形成し、これら2つの熱変形追従用穴99に対して線対称の位置にさらに2つの熱変形追従用穴99を形成する。これにより、第2長辺上層部711bおよび第2短辺上層部712bを面内反転した場合にも、熱変形追従ピン97を熱変形追従用穴99に挿入して、第2長辺上層部711bおよび第2短辺上層部712bを長手方向の熱変形に追従させた状態とすることができる。
第1長辺上層部711aおよび第1短辺上層部712aを表裏反転可能にする場合には、図23に示すように、位置決め用穴98および熱変形追従用穴99を表裏反転した時に同じ位置にくるように、上面および下面の両方に形成する。
また、第1長辺上層部711aおよび第1短辺上層部712aを表裏反転および面内反転の両方可能にするためには、図24に示すように、下面に図21と同様に位置決め用穴98および熱変形追従用穴99を2つずつ点対称の位置に形成するとともに、上面に下面とは反対の位置になるように位置決め用穴98および熱変形追従用穴99を2つずつ点対称の位置に形成する。
図23および図24の場合は、第1長辺上層部711aおよび第1短辺上層部712aの表面に存在する穴は、プラズマの影響を極力抑えるために、同じ材料からなる穴塞ぎ部材で塞ぐことが好ましい。
第2長辺上層部711bおよび第2短辺上層部712bを表裏反転可能にする場合、ならびに表裏反転および面内反転可能にする場合には、図23および図24の位置決め用穴98を熱変形追従用穴99にすればよい。
以上のように第3の実施形態では、基材5とシールドリング7の間の熱膨張差による隙間形成を抑制することができるのみならず、シールドリング7の上層71と下層72の熱膨張差による熱変形を抑制することもできる。
また、第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、および第2短辺上層部712bを反転させることができるので、第1の実施形態と同様、シールドリング7の寿命を2倍または4倍に延長することができる。
さらに、ねじ固定部90におけるねじ止めのための凹部が表面に形成されている第1長辺下層部721a、第2長辺下層部721b、第1短辺下層部722a、および第2短辺下層部722bを、それぞれ第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、および第2短辺上層部712bで覆うため、シールドリング7の表面を、凹凸が存在しない平坦な表面とすることができる。このため、パーティクルの発生を抑制して生産性を向上させることができる。
次に第3の実施形態の変形例について説明する。
図25は、第3の実施形態の変形例に係るシールドリング7の上層71の構成を示す平面図、および長辺部材と短辺部材を示す側面図である。
上記例では、下層72を構成する第1長辺下層部721a、第2長辺下層部721b、第1短辺下層部722a、第2短辺下層部722bを重ね合わせ構造にした例を示したが、本変形例では、上層71を構成する第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、第2短辺上層部712bを重ね合わせ構造にした例を示す。このように上層71も重ね合わせ構造とすることにより、長手方向の熱膨張による隙間の影響をより効果的に抑制することができる。
図25は、第3の実施形態の変形例に係るシールドリング7の上層71の構成を示す平面図、および長辺部材と短辺部材を示す側面図である。
上記例では、下層72を構成する第1長辺下層部721a、第2長辺下層部721b、第1短辺下層部722a、第2短辺下層部722bを重ね合わせ構造にした例を示したが、本変形例では、上層71を構成する第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、第2短辺上層部712bを重ね合わせ構造にした例を示す。このように上層71も重ね合わせ構造とすることにより、長手方向の熱膨張による隙間の影響をより効果的に抑制することができる。
すなわち、本変形例では、上層71を構成する第1長辺上層部711a、第2長辺上層部711b、第1短辺上層部712a、第2短辺上層部712bは、長手方向の両端部に同じ形状のフランジ部710を有している。そして、第1長辺上層部711aと第2長辺上層部711bとは同じ長さおよび同じ形状を有し、表裏逆転して配置されており、第1短辺上層部712aと第2短辺上層部712bとは同じ長さおよび同じ形状を有し、表裏逆転して配置されていて、第1長辺上層部711aと第2長辺上層部711bの隣接部分、第1長辺上層部711aと第2短辺上層部712bの隣接部分、第1短辺上層部712aと第2長辺上層部711bの隣接部分は、フランジ部710が上下に重なって重ね合わせ構造を形成している。なお、図25では、第1長辺上層部711aと第2長辺上層部711bとの間および第1短辺上層部712aと第2短辺上層部712bとの間の連結部材は省略している。
これらは面内反転させても同じ形状となるため面内反転に対応することができ、また、図26に示すように、例えば第1長辺上層部711aを表裏反転させることにより第2長辺上層部711bの形状となるので、第1長辺上層部711aと第2長辺上層部711bとを入替えることにより表裏反転に対応することができる。第1短辺上層部712aおよび第2短辺上層部712bについても同様にして表裏反転に対応することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、プラズマ処理としてプラズマエッチングを例にとって説明したが、プラズマエッチングに限らずプラズマCVD等の他のプラズマ処理であってもよい。
また、上記実施形態では、容量結合型のプラズマ処理装置を例示したが、基板載置台に高周波電力が印加されるものであれば、これに限らず、誘導結合型プラズマやマイクロ波プラズマ等、他の方式でプラズマを生成する装置であってもよい。
さらに、シールドリングを長辺および短辺に分割した例、および長辺および短辺を2分割した例について示したが、分割態様はこれに限るものではない。
さらにまた、上記実施形態では本発明をFPD用のガラス基板に適用した例について説明したが、これに限らず、半導体基板等、他の基板に適用可能であることはいうまでもない。
1;プラズマエッチング装置(プラズマ処理装置)
2;チャンバー(処理容器)
3;基板載置台
4;絶縁板
5;基材
6;載置部
7;シールドリング
14;高周波電源
20;シャワーヘッド
25:処理ガス供給管
28:処理ガス供給源
29:排気管
30:排気装置
31;搬入出口
40;制御部
71;上層
72;下層
73;長辺部材
73a;第1長辺部材
73b;第2長辺部材
74;短辺部材
74a;第1短辺部材
74b;第2短辺部材
75;凹部
76;ねじ穴
77;ねじ
78;位置決めピン
79;位置決め用穴
80;消耗部
81;穴塞ぎ部材
90;ねじ固定部
91;凹部
92;ねじ穴
93;ねじ
95,101;連結部材
96;位置決めピン
97;熱変形追従ピン
98;位置決め用穴
99;熱変形追従用穴
711;長辺上層部
711a;第1長辺上層部
711b;第2長辺上層部
712a;第1短辺上層部
712b;第2短辺上層部
721a;第1長辺下層部
721b;第2長辺下層部
722a;第1短辺下層部
722b;第2短辺下層部
G;基板
2;チャンバー(処理容器)
3;基板載置台
4;絶縁板
5;基材
6;載置部
7;シールドリング
14;高周波電源
20;シャワーヘッド
25:処理ガス供給管
28:処理ガス供給源
29:排気管
30:排気装置
31;搬入出口
40;制御部
71;上層
72;下層
73;長辺部材
73a;第1長辺部材
73b;第2長辺部材
74;短辺部材
74a;第1短辺部材
74b;第2短辺部材
75;凹部
76;ねじ穴
77;ねじ
78;位置決めピン
79;位置決め用穴
80;消耗部
81;穴塞ぎ部材
90;ねじ固定部
91;凹部
92;ねじ穴
93;ねじ
95,101;連結部材
96;位置決めピン
97;熱変形追従ピン
98;位置決め用穴
99;熱変形追従用穴
711;長辺上層部
711a;第1長辺上層部
711b;第2長辺上層部
712a;第1短辺上層部
712b;第2短辺上層部
721a;第1長辺下層部
721b;第2長辺下層部
722a;第1短辺下層部
722b;第2短辺下層部
G;基板
Claims (13)
- 基板にプラズマ処理を施すチャンバー内で基板を載置し、高周波電力が印加される金属製の基材およびその上に設けられた基板載置部を有する基板載置台において、前記基材および前記基板載置部の周囲に配置される絶縁性のシールドリングであって、
複数の構成部材を組み合わせてなり、各構成部材は、前記基材に取り付けられる下層部と、前記下層部の上を覆うように設けられた上層部とを有し、前記上層部は反転可能に設けられていることを特徴とするシールドリング。 - 絶縁性セラミックスからなることを特徴とする請求項1に記載のシールドリング。
- 前記上層部と前記下層部は同じ材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシールドリング。
- 前記上層部と前記下層部は異なる材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシールドリング。
- 前記上層部は、表裏反転、または面内反転、または表裏反転および面内反転が可能に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のシールドリング。
- 前記構成部材の前記下層部は、前記基材にねじ止めされており、前記上層部は、前記ねじ止めされた部分を覆うように設けられていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のシールドリング。
- 前記構成部材の前記下層部は、前記上層部を位置決めする位置決めピンを有し、前記上層部は、前記位置決めピンが挿入される位置決め用穴を有し、かつ、前記上層部は、所定の反転を行った際に、前記位置決めピンが挿入される位置に他の位置決め用穴が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のシールドリング。
- 前記基板は矩形状をなし、前記シールドリングは額縁状をなしていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のシールドリング。
- 前記構成部材は、額縁状の長辺を構成する長辺部材および短辺を構成する短辺部材であることを特徴とする請求項8に記載のシールドリング。
- 前記構成部材は、額縁状の長辺を構成する長辺部材および短辺を構成する短辺部材をさらに複数に分割したものであることを特徴とする請求項8に記載のシールドリング。
- 前記長辺部材および前記短辺部材の下層部材は、拘束された一端と、自由端である他端を有し、熱により前記一端を基準として他端側の熱膨張を許容する構成を有していることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のシールドリング。
- 前記長辺部材および前記短辺部材の下層部は、上層部を位置決めするための位置決めピンおよび熱変形に追従するように設けられた熱変形追従ピンを有し、前記長辺部材および前記短辺部材の上層部は、前記位置決めピンが挿入される位置決めピン用穴および前記熱変形追従ピンが挿入される長穴形状の熱変形追従用穴を有し、かつ、前記上層部は、所定の反転を行った際に、前記位置決めピンおよび前記熱変形追従ピンが挿入される位置に他の位置決め用穴および他の熱変形追従用穴が形成されていることを特徴とする請求項11に記載のシールドリング。
- 基板にプラズマ処理を施すチャンバー内で基板を載置する基板載置台であって、
高周波電力が印加される金属製の基材と、
前記基材の上に設けられた基板載置部と、
前記基材および前記基板載置部の周囲に配置される絶縁性のシールドリングとを有し、
前記シールドリングは請求項1から請求項12のいずれかの構成を有することを特徴とする基板載置台。
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