CN114823265A - 法拉第屏蔽罩与处理基板的设备 - Google Patents

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CN114823265A CN202210030855.3A CN202210030855A CN114823265A CN 114823265 A CN114823265 A CN 114823265A CN 202210030855 A CN202210030855 A CN 202210030855A CN 114823265 A CN114823265 A CN 114823265A
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Abstract

本发明涉及关于一种处理基板的设备。在一实施例中，所述处理基板的设备包括电浆腔室；线圈电极，安装在所述电浆腔室周围；以及法拉第屏蔽罩，设置在所述线圈电极和所述电浆腔室之间。所述法拉第屏蔽罩包括镂空件，其具有在所述电浆腔室外围的垂直方向形成的多个槽，设置在所述镂空件顶部的上轮缘，和设置在所述镂空件底部的下轮缘。所述上轮缘和所述下轮缘具有热膨胀减少构形，其经配置以减少所述上轮缘和所述下轮缘与所述镂空件之间的热变形差异。

Description

法拉第屏蔽罩与处理基板的设备
技术领域
[相关申请案的交叉参考]
本发明主张于2021年1月19日提交的韩国专利申请案第10-2021-0007682号的优先权，该专利申请案的公开内容通过引用全部并入本文。
本发明涉及关于法拉第屏蔽罩和基板处理设备。
背景技术
使用电浆的基板处理设备的例子可包括使用电感耦合电浆(inductivelycoupled plasma；ICP)的基板处理设备，和使用电容耦合电浆(capacitively coupledplasma；CCP)的基板处理设备。
在使用电感耦合电浆的基板处理设备的情况下，射频线圈和电浆之间不仅会发生电感耦合，亦会发生电容耦合，并且在处理腔室内在垂直方向上形成像电容的电场。处理腔室内，在垂直方向上形成的虚拟电容器的电容，在电浆和墙壁之间，以及在电浆和基板之间施加电场，并使构成电浆的带电粒子被电场加速。当被加速的电浆粒子与墙壁或基板碰撞时，处理腔室的温度和基板的温度升高，损坏基板的表面。
为消除垂直方向的电场，在处理腔室和射频线圈之间提供法拉第屏蔽罩。
现有的法拉第屏蔽罩让磁场通过并阻挡电场，从而防止电浆和天线之间的电位差损坏介电质。然而，随着基板变得更大，电浆源也变得更大，而法拉第屏蔽罩也变得更大，且随着温度变化，对设备有敏感的影响。
由于大尺寸法拉第屏蔽罩具有较高的热膨胀率，并且大尺寸法拉第屏蔽罩实际膨胀的长度相当大，因此会发生热膨胀或变形等现象，并且在组装法拉第屏蔽罩的电浆源处(参考图1)发生分层(如图1中虚线所示)，即物理损坏。
如图2A和图2B，法拉第屏蔽罩的长度和直径可能会根据温度偏差而发生很大变化。半导体处理设备的温度实际上被提升到摄氏数百度。在介电质(石英，其热膨胀率为0.0005mm/oC)与法拉第屏蔽罩(铝，其热膨胀率为0.024mm/oC)紧密附接的情况下，热膨胀率约为铝的1/50。随着温度的升高，和法拉第屏蔽罩尺寸的增加，介电质非常容易被热膨胀损坏，而为优化半导体制程，不能降低制程温度。因此，对电浆源的损坏、维护和制造产量的管理中存在困难。
为解决这些问题，其他研究者已考虑各种介电质材料和由各种材料形成的法拉第屏蔽罩。然而，在半导体制程中避免使用的材料(铜)或具有低热膨胀率，但在轧制和成本方面存在问题的材料(钼)，在高温下会产生颗粒，尽管其热膨胀率低以及成本相对较低。因此，难以改变法拉第屏蔽罩的材料。此外，由于其低介电常数，石英适合用于电浆放电。因此，即使介电质和法拉第屏蔽罩之间的热膨胀率有明显的差异，也难以将介电质的材料改变为不同的材料。
发明内容
本发明实施例提供一种法拉第屏蔽罩，其用于促进提高电浆源的产量以及使用和维护所述电浆源，以及包括所述法拉第屏蔽罩的基板处理设备。
本发明实施例提供一种用于最小化因高温引起热膨胀的法拉第屏蔽罩，以及包括所述法拉第屏蔽罩的基板处理设备。
本发明所要解决的技术问题并不限于上述问题，而具备本发明相关领域的通常技术的人员将会从以下描述中清楚了解任何其他未提及的技术问题。
根据一实施例，一种处理基板的设备包括电浆腔室；线圈电极，其安装在所述电浆腔室周围；以及法拉第屏蔽罩，其设置在所述线圈电极和所述电浆腔室之间。所述法拉第屏蔽罩包括镂空件(cutout)，其具有沿着所述电浆腔室外围的垂直方向形成的复数个槽、设置在所述镂空件顶部的上轮缘、和设置在所述镂空件底部的下轮缘。所述上轮缘和所述下轮缘具有热膨胀减少构形，其经配置以减少所述上轮缘和所述下轮缘与所述镂空件之间的热变形差异。
所述热膨胀减少构形可用形成在所述上轮缘和所述下轮缘的开口区域实现。
所述开口区域可用均匀设置在所述上轮缘和所述下轮缘中的圆形穿孔实现。
所述开口区域可为槽状设置在所述上轮缘和所述下轮缘中。
所述热膨胀减少构形可为网目状设置在所述上轮缘和所述下轮缘中。
所述开口区域可占所述上轮缘和所述下轮缘的整体面积的40％或更少。
根据一实施例，一种法拉第屏蔽罩包括本体，其为空心圆柱形，所述本体在顶部和底部是开放的。所述本体包括镂空件，其具有在垂直方向形成的多个槽、设置在所述镂空件的顶部处的上轮缘、和设置在所述镂空件的底部处的下轮缘。所述上轮缘和所述下轮缘具有热膨胀减少构形，其经配置以减少所述上轮缘和所述下轮缘与所述镂空件之间的热变形差异。
所述热膨胀减少构形可用形成在所述上轮缘和所述下轮缘的开口区域实现。
所述开口区域可用均匀设置在所述上轮缘和所述下轮缘的圆形穿孔实现。
所述开口区域可为槽状设置在所述上轮缘和所述下轮缘中。
所述开口区域可为斜向形成在所述上轮缘和所述下轮缘中。
所述热膨胀减少构形可为网目状设置在所述上轮缘和所述下轮缘中。
所述开口区域可占所述上轮缘和所述下轮缘的整体面积的40％或更少。
根据一实施例，一种用于处理基板的设备包括壳体，其经配置以提供处理空间；基板支撑件，其设置在所述壳体中且经配置以支撑所述基板；以及电浆供应单元，其设置在所述壳体上方；其中，所述电浆供应单元包括：制程气体供应口，其设置于所述电浆供应单元处，并与经配置以供应制程气体的制程气体供应管相连；电浆腔室，其具有形成在其内部的放电空间；天线，经配置以围绕所述电浆腔室并施用电浆至所述放电空间；以及法拉第屏蔽罩，其设置在所述天线和所述电浆腔室之间。所述法拉第屏蔽罩包括镂空件，其具有沿着所述电浆腔室外围的垂直方向形成的复数个槽，设置在所述镂空件的顶部处的上轮缘、和设置在所述镂空件的底部处的下轮缘。所述上轮缘和所述下轮缘具有热膨胀减少构形，其经配置以减少所述上轮缘和所述下轮缘与所述镂空件之间的热变形差异。
所述开口区域可用圆形穿孔实现。
所述开口区域可用斜向槽状设置。
附图说明
前述及其他的目标与特征将从以下说明和参照图式的描述中变得明显，其中除非另有明示，否则在各图式中类似的组件符号是代表类似的部分，且其中：
图1、2A和2B为相关技术中的法拉第屏蔽罩的问题的示意图。
图3为根据本发明其中一实施例的基板处理设备的平面示意图。
图4为根据本发明其中一实施例的处理腔室的侧剖面示意图。
图5为安装在电浆腔室上的法拉第屏蔽罩的示意图。
图6为图5中的法拉第屏蔽罩的平面图。
图7为法拉第屏蔽罩的长度和直径随温度变化的表格。
图8至图10为法拉第屏蔽罩的各种修改实例的示意图。
其中，附图标记说明如下：
60：处理腔室
110：壳体
111：处理空间
120：基板支撑部件
121：支撑板
122：支撑轴
130：挡板
131：穿孔
140：下挡板
200：排气单元
201：排气埠
203：排气管
210：减压泵
300：电浆供应单元
310：电浆腔室
310a：放电空间
311：第一板
312：第二板
313：第三板
315：制程气体供应埠
320：制程气体供应管
330：电源部件
331：天线
332：电源
340：扩散部件
341：扩散空间
W：基板
具体实施方式
以下将参照所附图式，更加全面地描述本发明的实施例。图式中显示了本发明的实施例。然而，本发明可有不同的实施方式，且不限于以下的实施方式。相反，提供这些实施例是为了使本发明概念彻底和完整，并将本发明概念的范围完全传达给具备本发明相关领域的通常技术的人员。为更清楚地描述，可能在图式中会夸大各构件的形状与大小。
图3为根据本发明其中一实施例的基板处理设备的平面示意图。
参照图3，基板处理设备1具有装备前端模块(equipment front end mod ule；EFEM)20和处理模块30。所述装备前端模块20和所述处理模块30沿同一个方向设置。以下，所述装备前端模块20和所述处理模块30设置的方向称为第一方向11，并且在俯视时垂直于所述第一方向11的方向被称为第二方向12。
装备前端模块20具有装载端口10和转移框架21。装载埠10沿第一方向11被设置在装备前端模块20的前方。装载埠10具有多个支架6。支架6沿第二方向12排列成一排，而托架4，例如卡匣、前开式晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod；FOUP)等，包含有待处理的基板W和已完全处理的基板W，坐落于支架6上。托架4接收待处理的基板W和已完全处理的基板W。转移框架21被设置在装载端口10和处理模块30之间。转移框架21包括索引机器人25，其设置在转移框架21内，用以在装载端口10和处理模块30之间转移基板W。索引机器人25沿运输轨道27在第二方向12上移动，以在托架4和处理模块30之间转移基板W。
处理模块30包括负载锁定腔室40、转移腔室50、多个处理腔室60和控制器(图未示)。
负载锁定腔室40被设置为相邻于转移框架21。例如，负载锁定腔室40可为设置在转移腔室50和装备前端模块20之间。负载锁定腔室40提供空间，使待处理的基板W在转移到处理腔室60之前待命，或使已完全处理的基板W在转移到装备前端模块20之前待命。
转移腔室50被设置为相邻于负载锁定腔室40。在俯视时，转移腔室50具有多边形的本体。负载锁定腔室40和多个处理腔室60被设置在本体外，并沿本体的周围排列。本体的每个侧壁形成通道(图未示)，基板W通过所述通道进入或离开本体，所述通道将转移腔室50和负载锁定腔室40或处理腔室60相连。在每个通道上设有门(图未示)以打开/关闭通道并密封本体内部。转移腔室50的内部空间设有转移机器人53，以在负载锁定腔室40和处理腔室60之间转移基板W。转移机器人53将尚未处理并在负载锁定腔室40中待命的基板W转移到处理腔室60，或将已完全处理的基板W转移到负载锁定腔室40。此外，转移机器人53在处理腔室60之间转移基板W，以依次或同时向多个处理腔室60提供基板W。
处理腔室60可设置在转移腔室50周围。可提供多个处理腔室60。在处理腔室60中，对基板W进行处理。处理腔室60处理从转移机器人53转移的基板W，并将已完全处理的基板W提供给转移机器人53。在各个处理腔室60中可执行彼此不同的制程。由各处理腔室60执行的制程可为使用基板W制造半导体组件装置或显示面板的制程之一。
由装备处理的基板W具有综合含义，包括用于制造半导体组件的基板、用于制造平板显示器(flat panel display；FPD)的基板、以及用于制造具有在其薄膜上形成的电路图案的对象的基板。基板W的例子包括硅晶圆、玻璃基板、有机基板等。
图4为根据本发明其中一实施例的处理腔室的侧剖面示意图。所述处理腔室是一种用电浆处理基板W的表面的基板处理设备。
参照图4，处理腔室60可包括处理单元100、排气单元200和电浆供应单元300。
处理单元100是处理基板W的空间。处理单元100可包括壳体110、基板支撑部件120和挡板130。
壳体110提供处理空间111，其中执行基板处理制程。基板支撑部件120被设置在处理空间111中，并且待处理的基板W被放置在基板支撑部件120的上表面。基板W通过开口进入和离开壳体110。所述开口可被诸如门(图未示)的开/关部件打开和关闭。
基板支撑部件120支撑基板W。基板支撑部件120包括支撑板121和支撑轴122。支撑板121位于处理空间111中，且具有圆板形状。支撑板121由支撑轴122支撑。基板W被放置在支撑板121的上表面。
挡板130位于支撑板121上方。挡板130可与壳体110的上壁电性相连。挡板130可具有圆板形状且可平行于基板支撑部件120的上表面设置。挡板130可由阳极氧化铝形成。挡板130具有在其中形成的穿孔131。穿孔131可在同心圆上以预定的间隔形成，以均匀地供应自由基。在扩散空间341中扩散的电浆通过穿孔131被引入处理空间111中。举例来说，此时，带电粒子如电子或离子可被限制在挡板130中，而没有电荷的中性粒子，例如氧自由基，可通过穿孔131供应给基板W。此外，挡板130可接地以形成电子或离子移动的通道。
在处理单元100的下侧设置有下挡板140。下挡板140可围绕支撑板121设置。下挡板140可具有类似于挡板130的形状。下挡板140可调整电浆停留在处理空间111中的期间。通过下挡板140的反应副产品通过排气埠201被排出处理单元100之外。
排气单元200包括所述排气埠201和减压泵210。排气埠201连接到减压泵210，其泵送反应副产品以调整处理单元100中的压力。
排气埠201与形成在壳体110的底部的排气孔相连。排气端口201提供通道，以通过所述通道将停留在壳体110中的电浆和反应副产物排放到外部。排气埠201与排气管203相连。排气管203与减压泵210相连。排气埠201可为设置在支撑板121周围。
电浆供应单元300位于处理单元100上方和壳体110上方。电浆供应单元300与处理单元100分离，且被设置在处理单元100的外部。电浆供应单元300从制程气体产生电浆，并将电浆供应到处理单元100的处理空间111中。
电浆供应单元300可包括电浆腔室310、制程气体供应管320、电源部件330、扩散部件340和法拉第屏蔽罩400。
电浆腔室310具有在其中形成的放电空间310a。电浆腔室310的上端被制程气体供应埠315密封。制程气体供应埠315与制程气体供应管320相连。所述制程气体是用于产生电浆的反应气体。反应气体通过制程气体供应埠315被供应到放电空间310a。例如，反应气体可包括二氟甲烷(CH2F2)、氮气(N2)和氧气(O2)。可选地，反应气体可进一步包括不同类型的气体，如四氟甲烷(CF4)。
电源部件330向放电空间310a供应射频电源。电源部件330可包括天线331和电源332。天线331是电感耦合电浆(inductively coupled plasma；ICP)天线，具有线圈形状。天线331围绕电浆腔室310缠绕多次。天线331是绕在电浆腔室310的一区域，其对应于放电空间310a。天线331的一端与电源332相连，天线331的相对一端接地。
包括天线331和电浆腔室310的源部件被设置为一个模块，其被第一板311、第二板312和第三板313包围。电浆腔室310可由介电质(例如，陶瓷、石英等)形成。第一板311、第二板312和第三板313可由金属材料形成。
电源332向天线331提供射频电流。提供给天线331的射频电源被施加到放电空间310a。通过射频电流在放电空间310a中形成感应电场，且供应到放电空间310a中的制程气体从感应电场中获得电离所需的能量并被转化为电浆态。
电源部件330的结构不限于上述实施例，且可使用从制程气体产生电浆的各种结构。
电浆腔室310的下端与扩散部件340相连。扩散部件340位于电浆腔室310和壳体110之间。扩散部件340将壳体110的开放上表面密封，且壳体110和挡板130与扩散部件340的下端耦合。扩散空间341在扩散部件340内部形成。扩散空间341连接放电空间310a和处理空间111，并作为通道使放电空间310a中产生的电浆得以被供应到处理空间111。
图5为安装在电浆腔室上的法拉第屏蔽罩的示意图。图6为图5中的法拉第屏蔽罩的平面图。图7为法拉第屏蔽罩的长度和直径随温度变化的表格。
参照图4至图7，法拉第屏蔽罩400屏蔽了由提供给天线331的电源施加到放电空间310a的部分电场。法拉第屏蔽罩400位于电浆腔室310和天线331之间，并围绕着电浆腔室310的侧表面。法拉第屏蔽罩400在上下方向上的长度与围绕天线331的放电空间310a的侧表面的区域的上端到下端的距离相对应。法拉第屏蔽罩400可通过壳体110接地。可选地，法拉第屏蔽罩400可直接连接到一个单独的地线。法拉第屏蔽罩400是用金属材料形成以屏蔽电场。举例来说，法拉第屏蔽罩400可由铝(Al)材料形成。
法拉第屏蔽罩400可分为上轮缘420、下轮缘430以及上轮缘420和下轮缘430之间的镂空件410。镂空件410包括在电浆腔室310外围的垂直方向形成的多个槽412。上轮缘420可设置在镂空件410的顶部，而下轮缘430可设置在镂空件410的底部。
上轮缘420可包括用于减少上轮缘420与镂空件410之间的热变形差异的热膨胀减少构形，且下轮缘430可包括用于减少下轮缘430与镂空件410之间的热变形差异的热膨胀减少构形。热膨胀减少构形可用形成在上轮缘420和下轮缘430的开口区域422和开口区域432实行。开口区域422和开口区域432较佳为占上轮缘420和下轮缘430的整体面积的40％或更少。热变形的差异可随着开口区域422和开口区域432的面积的增加而被最小化。
如上所述，藉由降低与电磁干扰屏蔽无关的上轮缘420和下轮缘430的金属填充率，法拉第屏蔽罩400具有其中整个长度相同的结构，但即使发生热膨胀，同一材料的实际膨胀率也较低。
参照图7和图2A，比较相关技术中填充率为100％的法拉第屏蔽罩和本发明中填充率相对较低的法拉第屏蔽罩，可以看出即使温度上升，但膨胀率(变化)明显较低，当本发明的法拉第屏蔽罩应用于实际电浆源时，耐久性和产量获得改善。
图8至图10为法拉第屏蔽罩的各种修改实例的示意图。为方便起见，图8至图10中未示出上轮缘。开口区域可有各种形状(圆形、四边形、三角形等)，其能降低轮缘的填充率。
如图8所示，形成在法拉第屏蔽罩400a的上轮缘420和下轮缘430中的开口区域可为斜槽状。
如图9所示，形成在法拉第屏蔽罩400b的上轮缘420和下轮缘430中的开口区域可为穿孔状。
如图10所示，法拉第屏蔽罩400c的热膨胀减少构形可为以网目状形式设置在上轮缘420和下轮缘430。
根据本发明实施例，法拉第屏蔽罩和包括其的基板处理设备可促进提高电浆源的产量以及电浆源的使用和维护。
本发明的效果不限于上述效果，而本发明的相关领域的技术人员可从本说明书和随附图式中清楚地理解任何其他未提及的效果。
上述的详细描述为本发明的详细说明。进一步说，上述内容说明了本发明的实施例，且本发明可应用在其他各种组合、修改和环境中。也就是说，上述内容可在不偏离本说明书所揭露的发明概念的范围内、该当于所揭露范围内、及/或本领域技术人员的技能或知识范围内进行修改或修正。上述实施例说明实现本发明技术精神的最佳状态，并可在本发明的具体应用领域和使用中视需要进行各种改变。因此，上述对本发明的详细描述并不意味着将本发明限制在所揭露的实施例中。此外，本文随附的申请专利范围应被解释为也包括其他实施例。
虽然本发明已由上述实施例进行说明，但对于本发明的相关领域的技术人员来说，显然可在不脱离本发明的精神及范围的情况下做出各种改变和修改。因此，应该理解的是，上述实施例并非限制性的，而是说明性的。

Claims (16)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
电浆腔室；
线圈电极，其安装在所述电浆腔室周围；以及
法拉第屏蔽罩，其设置在所述线圈电极和所述电浆腔室之间；
其中，所述法拉第屏蔽罩包括镂镂空件，其具有沿着所述电浆腔室外围的垂直方向形成的复数个槽、设置在所述镂空件的顶部处的上轮缘、和设置在所述镂空件的底部处的下轮缘，且
其中，所述上轮缘和所述下轮缘具有热膨胀减少构形，其经配置以减少所述上轮缘和所述下轮缘与所述镂空件之间的热变形差异。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述热膨胀减少构形是以形成在所述上轮缘和所述下轮缘中的开口区域实现。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述开口区域是以均匀设置在所述上轮缘和所述下轮缘中的圆形穿孔实现。
4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述开口区域是以槽状设置在所述上轮缘和所述下轮缘中。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述热膨胀减少构形是以网目状设置在所述上轮缘和所述下轮缘中。
6.根据权利要求2所述的设备，其中，所述开口区域占所述上轮缘和所述下轮缘的整体面积的40％或更少。
7.一种法拉第屏蔽罩，其包括：
本体，其具有空心圆柱形，所述本体在顶部和底部是开放的，
其中，所述本体包括镂空件，其具有在垂直方向形成的复数个槽、设置在所述镂空件的顶部处的上轮缘、和设置在所述镂空件的底部处的下轮缘，且
其中，所述上轮缘和所述下轮缘具有热膨胀减少构形，其经配置以减少所述上轮缘和所述下轮缘与所述镂空件之间的热变形差异。
8.根据权利要求7所述的法拉第屏蔽罩，其中，所述热膨胀减少构形是以形成在所述上轮缘和所述下轮缘中的开口区域实现。
9.根据权利要求8所述的法拉第屏蔽罩，其中，所述开口区域是以均匀设置在所述上轮缘和所述下轮缘中的圆形穿孔实现。
10.根据权利要求8所述的法拉第屏蔽罩，其中，所述开口区域是以槽状设置在所述上轮缘和所述下轮缘中。
11.根据权利要求10所述的法拉第屏蔽罩，其中，所述开口区域是以斜向形成在所述上轮缘和所述下轮缘中。
12.根据权利要求7所述的法拉第屏蔽罩，其中，所述热膨胀减少构形是以网目状设置在所述上轮缘和所述下轮缘中。
13.根据权利要求8所述的法拉第屏蔽罩，其中，所述开口区域占所述上轮缘和所述下轮缘的整体面积的40％或更少。
14.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
壳体，其经配置以提供处理空间；
基板支撑部件，其设置在所述壳体中且经配置以支撑所述基板；以及
电浆供应单元，其设置在所述壳体上方；
其中，所述电浆供应单元包括：
制程气体供应埠，其设置于所述电浆供应单元处，并与经配置以供应制程气体的制程气体供应管相连；
电浆腔室，其具有形成在其内部的放电空间；
天线，其经配置以围绕所述电浆腔室并施用电浆至所述放电空间；以及
法拉第屏蔽罩，其设置在所述天线和所述电浆腔室之间；
其中，所述法拉第屏蔽罩包括镂空件，其具有沿着所述电浆腔室外围的垂直方向形成的复数个槽、设置在所述镂空件的顶部处的上轮缘、和设置在所述镂空件的底部处的下轮缘，且
其中，所述上轮缘和所述下轮缘具有热膨胀减少构形，其经配置以减少所述上轮缘和所述下轮缘与所述镂空件之间的热变形差异。
15.根据权利要求14所述的设备，其中，所述开口区域是以圆形穿孔实现。
16.根据权利要求14所述的设备，其中，所述开口区域是以斜向槽状设置。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903106A (en) * 1997-11-17 1999-05-11 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Plasma generating apparatus having an electrostatic shield
TW201438056A (zh) * 2013-03-15 2014-10-01 Applied Materials Inc 電漿處理腔室的磁屏蔽
US20140353142A1 (en) * 2011-12-27 2014-12-04 Canon Anelva Corporation Substrate processing apparatus, etching method of metal film, and manufacturing method of magnetoresistive effect element
CN104576278A (zh) * 2013-10-10 2015-04-29 中微半导体设备(上海)有限公司 一种法拉第屏蔽板及其所在的等离子体处理系统
CN105321846A (zh) * 2014-07-30 2016-02-10 Psk有限公司 基板处理装置及基板处理方法
JP2016127185A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 シールドリングおよび基板載置台
CN110462781A (zh) * 2017-03-31 2019-11-15 马特森技术有限公司 用于等离子体处理设备的基座组件

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JP4119547B2 (ja) * 1997-10-20 2008-07-16 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置
JP3907425B2 (ja) * 2001-05-21 2007-04-18 東京応化工業株式会社 誘導結合プラズマ処理装置
US20040173314A1 (en) * 2003-03-05 2004-09-09 Ryoji Nishio Plasma processing apparatus and method
US7232767B2 (en) 2003-04-01 2007-06-19 Mattson Technology, Inc. Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity
KR100819023B1 (ko) * 2006-11-27 2008-04-02 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치
KR100783071B1 (ko) * 2006-12-22 2007-12-07 세메스 주식회사 패러데이 실드 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
WO2008120946A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-09 Sosul Co., Ltd. Apparatus for supporting substrate and plasma etching apparatus having the same
JP2008288437A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Toshiba Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2011124293A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US8642974B2 (en) 2009-12-30 2014-02-04 Fei Company Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation
KR101232198B1 (ko) * 2011-08-09 2013-02-12 피에스케이 주식회사 플라스마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
US9885493B2 (en) * 2013-07-17 2018-02-06 Lam Research Corporation Air cooled faraday shield and methods for using the same
CN106711007B (zh) * 2015-11-17 2018-08-14 中微半导体设备(上海)有限公司 一种感应耦合型等离子体处理装置
KR20170119537A (ko) * 2016-04-19 2017-10-27 피에스케이 주식회사 플라스마 소스 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN207082507U (zh) * 2017-03-14 2018-03-09 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室
CN108573847B (zh) * 2017-03-14 2020-07-17 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及半导体加工设备
KR102212998B1 (ko) * 2019-02-11 2021-02-08 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치
US20200286712A1 (en) * 2019-03-05 2020-09-10 Advanced Energy Industries, Inc. Single-turn and laminated-wall inductively coupled plasma sources

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903106A (en) * 1997-11-17 1999-05-11 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Plasma generating apparatus having an electrostatic shield
TW578449B (en) * 1997-11-17 2004-03-01 Applied Materials Inc Plasma generating apparatus having an electrostatic shield
US20140353142A1 (en) * 2011-12-27 2014-12-04 Canon Anelva Corporation Substrate processing apparatus, etching method of metal film, and manufacturing method of magnetoresistive effect element
TW201438056A (zh) * 2013-03-15 2014-10-01 Applied Materials Inc 電漿處理腔室的磁屏蔽
CN104576278A (zh) * 2013-10-10 2015-04-29 中微半导体设备(上海)有限公司 一种法拉第屏蔽板及其所在的等离子体处理系统
CN105321846A (zh) * 2014-07-30 2016-02-10 Psk有限公司 基板处理装置及基板处理方法
JP2016127185A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 シールドリングおよび基板載置台
CN110462781A (zh) * 2017-03-31 2019-11-15 马特森技术有限公司 用于等离子体处理设备的基座组件

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