TW201438056A - 電漿處理腔室的磁屏蔽 - Google Patents

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Martin Jeffrey Salinas
Andrew Nguyen
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Applied Materials Inc
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    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means

Abstract

本發明的實施例大體上關於用於處理基板的設備，該設備具有改良的磁屏蔽。本發明的一個實施例提供一種電漿處理腔室，該腔室具有：RF匹配器、電漿源、以及電漿區域，該電漿區域界定在腔室頂壁與基板支座之間。RF匹配器、電漿源、以及電漿區域之至少一者被屏蔽材料屏蔽隔絕任何外部磁場，該屏蔽材料具有範圍從約20,000至約200,000的相對磁導率。於是，可有效地減少硬體的固有處理不均勻性，且無重疊的來自外部因素(諸如地球的地磁場)的不均勻性。

Description

電漿處理腔室的磁屏蔽
本發明之實施例大體上關於基板處理系統。更特定而言，本發明的實施例關於改良此類基板處理系統中所用的電漿處理技術之均勻性的設備。
機電元件的製造期間，於各種製程中使用感應耦合的電漿反應器。習知的感應耦合電漿反應器大體上包括真空腔室，該真空腔室具有：側壁與頂壁、位在腔室內且大體上面向頂壁的工件支撐底座、能夠供應一或多個處理氣體至腔室中的氣體入口、以及在頂壁上方的一或多個線圈天線。
對於典型的電漿製程而言，大範圍的製程條件是為了生成電漿特性以用於給定的應用。利用的硬體大體上根據製程條件而有不同程度的固有不均勻性。這些不均勻性可能引發偏斜(skew)，此偏斜有時可透過硬體或軟體的調整而獲得補償。但是，硬體的固有不均勻性所引發的偏斜有時會與外部因素引發的不均勻性重疊(overlay)，外部因素諸如為地球磁場與環繞的處理腔室之磁場。重疊的不均勻性難以 補償或調整，因為外部因素可能隨機散亂且難以預測。
世人已企圖減少或消除外部因素引發的偏斜。這些企圖一般涉及增加電漿反應器之間的屏蔽。然而，這些額外的大型零件可能耗費成本，且反應器之間並非總是有可利用的空間。
因此，需要一種改良的設備以減少外部因素引發的偏斜。
本發明的實施例大體上關於用於處理基板的設備，該設備具有改良的磁屏蔽。本發明的一個實施例提供一種電漿處理腔室，該腔室具有：RF匹配器、電漿源、以及電漿區域，該電漿區域界定在腔室頂壁與基板支座之間。RF匹配器、電漿源、以及電漿區域之至少一者被屏蔽材料屏蔽隔絕任何外部磁場，該屏蔽材料具有範圍從約20,000至約200,000的相對磁導率(relative magnetic permeability)。
一個實施例中，揭露一種用於處理基板的設備。該設備包括腔室主體，該腔室主體具有界定內部處理區域的側壁、底部、以及頂壁。該設備也包括：電漿源，配置於該頂壁上方；RF匹配器，耦接該電漿源且配置於該頂壁上方；以及覆蓋件(cover)，覆蓋該RF匹配器的側面與頂部。該覆蓋件包含相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000的材料。該設備進一步包括基板支座，該基板支座配置在該腔室主體之該內部處理區域中且面向該頂壁。
另一實施例中，揭露一種用於處理基板的設備。該 設備包括腔室主體，該腔室主體具有界定內部處理區域的側壁、底部、以及頂壁。該設備也包括：電漿源，配置於該頂壁上方；第一屏蔽件，對準該電漿源且環繞該電漿源；RF匹配器，耦接該電漿源；以及基板支座，配置在該腔室主體之該內部處理區域中且面向該頂壁。介於該基板支座與該頂壁之間的區域界定出電漿區域。該設備進一步包括第二屏蔽件，該第二屏蔽件配置在該側壁之外側且環繞該電漿區域。
另一實施例中，揭露一種用於蝕刻基板的設備。該 設備包括腔室主體，該腔室主體具有界定內部處理區域的側壁、底部、以及頂壁。該設備也包括：電漿源，配置於該頂壁上方；第一磁屏蔽件，環繞該電漿源；RF匹配器，耦接該電漿源；以及覆蓋件，覆蓋該RF匹配器的側面與頂部。該覆蓋件包含相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000的材料。該設備進一步包括基板支座，該基板支座配置在該腔室主體之該內部處理區域中且面向該頂壁。介於該基板支座與該頂壁之間的區域界定出電漿區域。該設備進一步包括第二磁屏蔽件，該第二磁屏蔽件配置在該側壁外側且環繞該電漿區域。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧腔室主體
103‧‧‧側壁
104‧‧‧底壁
105‧‧‧內部處理空間
106‧‧‧電接地
107‧‧‧電漿區域
108‧‧‧頂壁
110‧‧‧電漿源
110a、110b‧‧‧同軸元件
112‧‧‧RF電源
114‧‧‧RF匹配器
116‧‧‧入口
118‧‧‧通道
120‧‧‧氣體分配板
122‧‧‧基板
126‧‧‧基板支座
130‧‧‧升舉銷
132‧‧‧夾持電極
136‧‧‧導孔
138‧‧‧升舉機構
140‧‧‧偏壓電源
142‧‧‧匹配網絡
146‧‧‧控制器
148‧‧‧記憶體
150‧‧‧CPU
152‧‧‧支援電路
156‧‧‧氣源
158‧‧‧氣體導管
159‧‧‧通道
160‧‧‧靜電夾盤
162‧‧‧節流閥
164‧‧‧真空泵
166‧‧‧夾持電源供應器
168‧‧‧台架
169‧‧‧上表面
170‧‧‧覆蓋件
172‧‧‧電漿源側壁
174‧‧‧電漿源頂壁
175‧‧‧磁場
180‧‧‧處理環
182‧‧‧磁屏蔽件
190‧‧‧狹縫閥開口
200‧‧‧磁屏蔽件
202‧‧‧覆蓋件
204‧‧‧腔室主體屏蔽件
206‧‧‧腔室主體配接器
208‧‧‧開口
藉由參考實施例(一些實施例說明於附圖中)，可 獲得於上文中簡要總結的本發明之更特定的說明，而能詳細瞭解上述的本發明之特徵。然而應注意附圖僅說明此發明的典型實施例，因而不應將該等附圖視為限制本發明之範疇，因為本發明可容許其他等效實施例。
第1圖示意性繪示根據本發明之一個實施例的電漿處理系統的剖面視圖。
第2圖繪示根據本發明之一個實施例的電漿處理系統的磁屏蔽件。
為了助於瞭解，如可能則已使用同一元件符號指定各圖共通的同一元件。應考量一個實施例的元件與特徵可有利地併入其他實施例而無需進一步記敘。
本發明之實施例大體上關於用於處理基板的設備，該設備具有改良的磁屏蔽。更特定而言，本發明的實施例提供一種電漿蝕刻腔室，該電漿蝕刻腔室具有磁屏蔽件，該磁屏蔽件配置在RF匹配器、電漿源、與電漿區域之至少一者周圍，該電漿區域是界定在腔室頂壁與基板支座之間。屏蔽材料具有範圍從約20,000至約200,000的相對磁導率。透過減少或消除外部磁場(諸如地球之磁場)引發的不均勻性，可有效地減少硬體的固有不均勻性。
第1圖繪示根據本發明之一個實施例的處理腔室100的示意剖面視圖。處理腔室100可以是蝕刻腔室、電漿增強化學氣相沉積腔室、或物理氣相沉積腔室。處理腔室100大體上包括腔室主體102，該腔室主體102具有界定內部處理區域105的底壁104、側壁103、與頂壁108。一個實施例中，頂壁108是介電窗且實質上平坦。處理腔室100的其他實施例可具有其他類型的頂壁，例如圓頂狀的頂壁。基板支座126配置在內部處理區域105中，且具有面向頂壁108的基板接 收表面。基板支座126與頂壁108之間的區域被界定成電漿區域107。一般而言，側壁103是由諸如鋁、不鏽鋼、與類似物的金屬形成，且耦接電接地106。狹縫閥開口190形成為穿過側壁103，以容許基板與基板傳送機構通過，該基板傳送機構用於放置基板及從基板支座126收回基板。
電漿源110配置在頂壁108上方。電漿源110可以 是任何電漿源。一個實施例中，電漿源110是天線，該天線包含一或多個感應線圈元件，該等感應線圈元件可選擇性地受到控制(第1圖中顯示兩個同軸元件110a與110b)。電漿源110被電漿源側壁172環繞，且電漿源側壁172支撐電漿源頂壁174。電漿源頂壁174可以是接地板。電漿源110透過RF匹配器114耦接至RF電源112。RF匹配器114透過電漿源頂壁174中的開口耦接電漿源110。RF電源112一般能夠在約100kHz至約60MHz範圍內的調諧頻率下產生多達約3000瓦(W)。覆蓋件170覆蓋RF匹配器114的側面與頂部。
氣體分配板(gas panel)120耦接處理腔室100以提供處理氣體及/或其他氣體至腔室主體102之內部。在第1圖所繪的實施例中，氣體分配板120耦接一或多個入口116，該等入口116形成在通道118中，該通道118位於腔室主體102的側壁103中。電漿是透過施加RF電力給處理氣體而形成，且該電漿限制在電漿區域107中。應考量可在其他位置設置一或多個入口116，例如，在處理腔室100之頂壁108中。處理氣體經選擇以選擇性蝕刻基板122上所配置的目標材料。常見的處理氣體之範例尤其包括含氧氣體、含氯氣體、與含 氟氣體。
處理腔室100中的壓力是使用節流閥162與真空泵 164控制。真空泵164與節流閥162能夠將腔室壓力維持在約0.2至約20mTorr的範圍內。
基板支座126用於支撐基板122。基板支座126透 過匹配網絡142耦接偏壓電源140。偏壓電源140提供約500Hz至約10kHz之範圍內的可調諧脈衝頻率下約5瓦至約500瓦之間的偏壓電力。偏壓電源140產生脈衝式RF電力輸出。 或者，偏壓電源140可產生脈衝式DC電力輸出。應考量偏壓電源140也可提供恆定的DC及/或RF電力輸出。偏壓給予基板支座126正電荷，該正電荷吸引稍微帶負電的電漿，以達成更各向異性的蝕刻輪廓。
一個實施例中，基板支座126包括靜電夾盤160。 靜電夾盤160包含至少一個夾持電極132，且由夾持電源供應器166所控制。在替代性實施例中，基板支座126可包含基板保持機構，諸如基座夾持環、真空夾持件、機械式夾持件、與類似物。
一個實施例中，靜電夾盤160具有徑向向外延伸的 台架(ledge)168，該台架168位在靜電夾盤160的上表面169下方，如第1圖所示。上表面169在處理期間支撐基板122。處理環180配置在台架168上且環繞該上表面169。
升舉機構138用於將基板122降下至基板支座126 上或將基板122從基板支座126抬升。大體而言，升舉機構138包含複數個升舉銷(圖中顯示一個升舉銷130)，該升舉 銷行進穿過各別的導孔136。
來自氣源156的背側氣體(例如氦氣(He))是經 由氣體導管158提供至出口(諸如通道159)，該出口形成在基板122下方的基板支座126的上表面169上。
控制器146包含中央處理單元(CPU)150、記憶體 148、與CPU 150所用的支援電路152且助於對處理腔室100之部件的控制並因而助於對蝕刻製程的控制，這在下文中將更詳細討論。控制器146可以是可用在工業環境中的任何形式的通用電腦處理器之一，以控制各種腔室與次處理器。CPU 150之記憶體148可以是一或多種易於取得的記憶體，諸如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他形式的遠端或本地端的數位儲存器。支援電路152耦接CPU 150以用習知方式支援處理器。這些電路包括高速緩衝存儲器、電源供應器、時脈電路、輸入/輸出電路、次系統、與類似物。本發明之方法大體上儲存在記憶體148或CPU 150可存取之其他電腦可讀媒體中作為軟體常式。或者，這樣的軟體常式亦可儲存於第二CPU(圖中未示)及/或由第二CPU執行，該第二CPU位在由該CPU 150控制的硬體的遠端。
傳統上，具有與覆蓋件170相同形狀與尺寸的鋁覆 蓋件用於覆蓋RF匹配器114與其他配置在電漿源頂壁174上方的部件以用於裝飾及安全用途。此外，移動部件可配置在電漿源頂壁174上方，從而鋁覆蓋件屏蔽人員以免受移動所傷害。然而，鋁覆蓋件從來未用作為磁屏蔽件。已知金屬的磁導率是指金屬中誘導的磁通量對誘導該通量的磁場強度的 比值，大體上是指相對磁導率。因此，金屬的高相對磁導率確保磁通量將集中在金屬上，從而使金屬成為有效的磁屏蔽件。鋁具有約1的相對磁導率，該相對磁導率太低而無法有效阻擋外部磁場，諸如地球之磁場。
為了提供有效的磁屏蔽，覆蓋件170由高μ(μ是指 材料對磁場的通透能力)材料製成，該材料具有範圍從約20,000至約200,000的相對磁導率，且厚度為約0.04英吋或更厚。此類材料之範例包括MUMETAL®、HIPERNOM®、與PERMALLOY®。用於該覆蓋件170的材料也可具有大於75%的鎳含量。因此，除了作為裝飾與安全用的覆蓋件之外，該覆蓋件170也作為磁屏蔽件，以阻擋外部磁場，諸如地球之磁場及/或來自相鄰處理腔室的磁場。因此，可將外部磁場引發的各種製程條件中的偏斜減至最小。一個實施例中，該等製程條件之一是蝕刻速率。
也可將額外的磁屏蔽件耦接處理腔室100以阻擋外 部磁場。一般而言，處理腔室100的側壁103與電漿源側壁172是由鋁製成。如上文所述，鋁具有低的相對磁導率，且不適合有效地阻擋磁場。鋁電漿源側壁也可作為RF屏蔽件。因此，諸如地球磁場之外部磁場可能引發各種製程條件的偏斜。透過選擇性地放置磁屏蔽件於處理腔室100上，有效阻擋外部磁場。
一個實施例中，覆蓋件170耦接電漿源側壁172且 覆蓋RF匹配器114。在RF匹配器114之頂部與覆蓋件170之間有約1英吋的淨空。覆蓋件170可具有複數個孔洞，該 等孔洞配置在上表面上，以容許強制送風(forced)的冷卻空氣離開。另一實施例中，磁屏蔽件175可耦接電漿源側壁172且環繞電漿源110。磁屏蔽件175可垂直對準且由與覆蓋件170相同的材料製成。磁屏蔽件175可以是兩個半圓形垂直對準的片狀物，該等片狀物夾至電漿源側壁172的外側。磁屏蔽件175可具有約0.04英吋或更厚的厚度。
一個實施例中，另一磁屏蔽件182耦接側壁103且 環繞電漿區域107。磁屏蔽件182可以是環繞電漿區域107的垂直對準的片狀材料且可由與覆蓋件170相同的材料製成。磁屏蔽件182可具有約0.04英吋或更厚的厚度。覆蓋件170與磁屏蔽件172、182可個別使用或組合使用，以阻擋外部磁場。
第2圖繪示根據本發明之一個實施例的電漿處理系 統之磁屏蔽件200。該磁屏蔽件200可製造成類似上文所述的覆蓋件170與磁屏蔽件175、182，例如，該磁屏蔽件200可由如上文所述之高μ材料製成。磁屏蔽件200可包括頂覆蓋件202、腔室主體屏蔽件204、與腔室主體配接器206。不像繪示於第1圖中之覆蓋件170僅覆蓋匹配器114，該頂覆蓋件202覆蓋匹配器114也覆蓋電漿源110。一個實施例中，頂覆蓋件202具有約0.06英吋的厚度。頂覆蓋件202也可具有複數個孔洞，該等孔洞配置在頂表面上以容許強制通風的冷卻空氣離開。
腔室主體屏蔽件204可環繞側壁103，但除去狹縫 閥開口190所在的側面。一個實施例中，腔室主體屏蔽件204 具有與頂覆蓋件202相同的厚度。
為了屏蔽狹縫閥開口所在的腔室之側面同時不阻擋 基板之傳送，利用腔室主體配接器206。腔室主體配接器206具有開口208，該開口208對準狹縫閥開口108以使基板被機器人傳送進出處理腔室。腔室主體配接器206可比頂覆蓋件202與腔室主體屏蔽件204厚。一個實施例中，腔室主體配接器206為約0.5英吋厚。
總結而論，透過以由具高相對磁導率的材料製成的覆蓋件取代覆蓋RF匹配器的鋁覆蓋件，將諸如地球磁場之外部磁場引發的偏斜減至最小。額外的磁屏蔽件可以覆蓋電漿源以及電漿區域，以強化磁屏蔽。
雖然前述內容涉及本發明之實施例，但可不背離本發明之基本範疇而設計本發明之其他與進一步之實施例，且本發明之範疇是由隨後的申請專利範圍所界定。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧腔室主體
103‧‧‧側壁
104‧‧‧底壁
105‧‧‧內部處理空間
106‧‧‧電接地
107‧‧‧電漿區域
108‧‧‧頂壁
110‧‧‧電漿源
110a、110b‧‧‧同軸元件
112‧‧‧RF電源
114‧‧‧RF匹配器
116‧‧‧入口
118‧‧‧通道
120‧‧‧氣體分配板
122‧‧‧基板
126‧‧‧基板支座
130‧‧‧升舉銷
132‧‧‧夾持電極
136‧‧‧導孔
138‧‧‧升舉機構
140‧‧‧偏壓電源
142‧‧‧匹配網絡
146‧‧‧控制器
148‧‧‧記憶體
150‧‧‧CPU
152‧‧‧支援電路
156‧‧‧氣源
158‧‧‧氣體導管
159‧‧‧通道
160‧‧‧靜電夾盤
162‧‧‧節流閥
164‧‧‧真空泵
166‧‧‧夾持電源供應器
168‧‧‧台架
169‧‧‧上表面
170‧‧‧覆蓋件
172‧‧‧電漿源側壁
174‧‧‧電漿圓頂壁
175‧‧‧磁場
180‧‧‧處理環
182‧‧‧磁屏蔽件
190‧‧‧狹縫閥開口

Claims (20)

  1. 一種用於處理基板的設備，包括：一腔室主體，具有界定一內部處理區域的一側壁、一底部、以及一頂壁；一電漿源，配置於該頂壁上方；一RF匹配器，耦接該電漿源且配置於該頂壁上方；一覆蓋件(cover)，覆蓋該RF匹配器的側面與一頂部，其中該覆蓋件包含一材料，該材料之一相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000；一基板支座，配置在該腔室主體之該內部處理區域中且面向該頂壁。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該電漿源包含至少一個感應線圈。
  3. 如請求項2所述之設備，進一步包含一屏蔽件(shield)，該屏蔽件環繞該電漿源。
  4. 如請求項3所述之設備，其中該屏蔽件包含一片狀材料，該片狀材料之一相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000。
  5. 如請求項1所述之設備，其中該頂壁是一介電窗。
  6. 如請求項5所述之設備，進一步包含一電漿區域，該電漿區域界定在該基板支座與該介電窗之間。
  7. 如請求項6所述之設備，進一步包含一屏蔽件，該屏蔽件配置在該側壁之外側，其中該屏蔽件對準該電漿區域且環繞該電漿區域。
  8. 如請求項7所述之設備，其中該屏蔽件包含一片狀材料，該片狀材料之一相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000。
  9. 一種用於處理基板的設備，包括：一腔室主體，具有界定一內部處理區域的一側壁、一底部、以及一頂壁；一電漿源，配置於該頂壁上方；一第一屏蔽件，對準該電漿源且環繞該電漿源；一RF匹配器，耦接該電漿源；一基板支座，配置在該腔室主體之該內部處理區域中且面向該頂壁，其中在該基板支座與該頂壁之間的區域界定一電漿區域；以及一第二屏蔽件，配置在該側壁之外側且環繞該電漿區域。
  10. 如請求項9所述之設備，其中該頂壁是一介電窗。
  11. 請求項10所述之設備，其中該第一屏蔽件包含一片狀材料，該片狀材料之一相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000。
  12. 請求項9所述之設備，進一步包含一覆蓋件，該覆蓋件覆蓋該RF匹配器的側面與一頂部，其中該覆蓋件包含一材料，該材料之一相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000。
  13. 請求項9所述之設備，其中該電漿源包含至少一個感應線圈。
  14. 請求項9所述之設備，其中該第二屏蔽件包含一片狀材料，該片狀材料之一相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000。
  15. 一種用於蝕刻基板的設備，包括：一腔室主體，具有界定一內部處理區域的一側壁、一底部、以及一頂壁；一電漿源，配置於該頂壁上方；一第一磁屏蔽件，環繞該電漿源；一RF匹配器，耦接該電漿源；一覆蓋件(cover)，覆蓋該RF匹配器的側面與一頂部，其中該覆蓋件包含一材料，該材料之一相對磁導率之範圍是 從約20,000至約200,000；一基板支座，配置在該腔室主體之該內部處理區域中且面向該頂壁，其中介於該基板支座與該頂壁之間的區域界定出一電漿區域；以及一第二磁屏蔽件，配置在該側壁外側且環繞該電漿區域。
  16. 如請求項15所述之設備，其中該頂壁是一介電窗。
  17. 如請求項15所述之設備，其中該電漿源包含複數個感應線圈。
  18. 如請求項15所述之設備，其中該第一屏蔽件包含一片狀材料，該片狀材料之一相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000。
  19. 如請求項18所述之設備，其中該第二屏蔽件包含一片狀材料，該片狀材料之一相對磁導率之範圍是從約20,000至約200,000。
  20. 如請求項15所述之設備，其中該覆蓋件、該第一屏蔽件、與該第二屏蔽件包含一高磁導率材料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI633572B (zh) * 2015-12-31 2018-08-21 大陸商中微半導體設備（上海）有限公司 Plasma processing device
TWI820374B (zh) * 2020-12-23 2023-11-01 台灣積體電路製造股份有限公司 感應耦合電漿設備及其操作方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102432857B1 (ko) * 2017-09-01 2022-08-16 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN109979854B (zh) * 2019-03-19 2021-07-06 拓荆科技股份有限公司 半导体薄膜沉积设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW502264B (en) * 2000-08-26 2002-09-11 Samsung Electronics Co Ltd RF matching unit
US7374636B2 (en) * 2001-07-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor
KR100425453B1 (ko) * 2001-07-06 2004-03-30 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마용 자석과 그 제조방법 및 이를 이용한고밀도 플라즈마용 반도체 제조장치
US6846396B2 (en) * 2002-08-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Active magnetic shielding
TW201301335A (zh) * 2011-05-17 2013-01-01 Intevac Inc 供電漿應用的大面積電感耦合式電漿源

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI633572B (zh) * 2015-12-31 2018-08-21 大陸商中微半導體設備（上海）有限公司 Plasma processing device
TWI820374B (zh) * 2020-12-23 2023-11-01 台灣積體電路製造股份有限公司 感應耦合電漿設備及其操作方法

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