KR20120013201A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
플라즈마 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120013201A KR20120013201A KR1020110077573A KR20110077573A KR20120013201A KR 20120013201 A KR20120013201 A KR 20120013201A KR 1020110077573 A KR1020110077573 A KR 1020110077573A KR 20110077573 A KR20110077573 A KR 20110077573A KR 20120013201 A KR20120013201 A KR 20120013201A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dielectric window
- antennas
- plasma
- high frequency
- processing apparatus
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 33
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 150
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 4
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
RF 안테나에 1 대 1로 대응하는 플라즈마를 파워에 따라 생성할 수 있고, 처리실 내의 플라즈마 분포를 임의로 제어할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 기판(G)에 플라즈마 처리를 실시하는 진공 배기 가능한 챔버(11)와, 챔버(11) 내에서 기판(G)을 재치하는 서셉터(12)와, 서셉터(12)와 처리 공간(S)을 사이에 두고 대향 배치된 유전체창(30)과, 유전체창(30)을 개재하여 처리 공간(S)과 인접하는 공간 내에 설치된 복수의 RF 안테나(30a, 30b)와, 처리 공간(S)으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부(37)와, 복수의 RF 안테나(30a, 30b)에 고주파 RFH를 인가하여 유도 결합에 의해 처리 공간(S) 내에 플라즈마를 발생시키는 고주파 전원을 가지고, 유도 자장 합성 방지 수단으로서 복수의 RF 안테나 상호간에 대응하는 유전체창의 하면에 유전체로 이루어진 돌출부(34)가 설치되어 있다.
Description
본 발명은 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 액정 표시 장치(LCD)를 비롯한 FPD(Flat Panel Display)의 제조 공정에서, 글라스 기판을 비롯한 각종 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 생성 방법의 차이에 따라 용량 결합형 플라즈마 처리 장치와 유도 결합형 플라즈마 처리 장치로 대별된다.
유도 결합형 플라즈마 처리 장치(이하, ‘ICP 처리 장치’라고 함)는 처리실(챔버)의 일부에 설치된 석영 등의 유전체를 개재하여 챔버의 외부에 배치된 소용돌이 형상, 코일 형상 또는 나선 형상의 고주파 안테나(이하, ‘RF 안테나’라고 함)에 고주파 전력을 인가하고, 이 고주파 전력이 인가된 RF 안테나의 주위에 유도 자장을 형성하고, 이 유도 자장에 기초하여 챔버 내에 형성되는 유도 전계에 의해 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 이용하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 것이다.
이러한 ICP 처리 장치는 주로 유도 전계에 의해 플라즈마가 생성되기 때문에 고밀도의 플라즈마가 얻어진다고 하는 점에서 뛰어나며, FPD 등의 제조에서의 에칭 및 성막 공정에서 적합하게 이용되고 있다.
또한, 최근에는 ICP 처리 장치의 챔버 내에 배치된 유전체에 플라즈마 처리 중에 발생한 이물이 부착되는 것을 효과적으로 방지하기 위한 기술 등도 개발되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
그러나 이러한 ICP 처리 장치에서, 예를 들면 다중으로 RF 안테나를 배치하고, 이 RF 안테나에 인가하는 플라즈마 생성용의 고주파 전력(이하, ‘여기용 RFH’라고 함)의 파워를 제어하더라도 RF 안테나에 대하여 1 대 1로 대응하도록 분포하는 플라즈마를 발생시키는 것이 곤란하므로, 챔버 내의 플라즈마 분포를 임의로 제어할 수 없다고 하는 문제가 있다.
도 16은 고주파 안테나에 대응하는 위치와는 상이한 위치에 플라즈마가 발생하는 상황을 설명하기 위한 플라즈마 처리 장치의 단면도이다.
도 16에서, 플라즈마 처리 장치(200)의 챔버(201)의 천장 부분에 유전체(이하, ‘유전체창’이라고 함)(202)가 배치되어 있고, 유전체창(202) 상, 즉 유전체창(202)을 개재하여 챔버(201)의 처리 공간(S)과 인접하는 공간 내에, 원환 형상의 RF 안테나(203a 및 203b)가 동심원 형상으로 배치되어 있다. 원환 형상의 RF 안테나(203a 및 203b)의 일단은 각각 정합기를 개재하여 플라즈마 생성용의 고주파 전원(204a 및 204b)에 전기적으로 접속되어 있고, 타단은 각각 그라운드 전위로 접지되어 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치(200)에 있어서, RF 안테나(203a 및 203b)에 여기용 RFH를 인가했을 경우, 동심원 형상으로 배치된 2 개의 원환 형상의 RF 안테나(203a 및 203b)에 각각 대응하는 2개의 플라즈마가 생성되지 않고, 2 개의 원환 형상의 RF 안테나(203a 및 203b)의 중간부에 대응하는 1 개의 원환 형상의 플라즈마(205)가 생성되는 경우가 있다.
이 원인은 이하와 같이 생각된다. 즉, 원환 형상의 RF 안테나(203a 및 203b)에 여기용 RFH를 인가하면, RF 안테나(203a 및 203b)에는 고주파 전류가 흐르고, RF 안테나(203a 및 203b)의 각각의 주위에 유도 자장(206)이 형성된다. 그리고, 합성된 유도 자장이 강한 곳에 대응하여 1 개의 원환 형상의 플라즈마(205)가 형성된다.
즉, 종래의 플라즈마 처리 장치에서는, RF 안테나(203a 및 203b)에 1 대 1로 대응하는 플라즈마를 생성하는 것이 곤란하므로, 챔버 내의 플라즈마 분포를 임의로 제어할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
본 발명의 과제는, 고주파 안테나에 1 대 1로 대응하는 플라즈마를 파워에 따라 생성시킬 수 있고, 처리실 내의 플라즈마 분포를 임의로 제어할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 청구항 1에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 진공 배기 가능한 처리실과, 상기 처리실 내에서 상기 기판을 재치하는 기판 재치대와, 상기 기판 재치대와 처리 공간을 사이에 두고 대향하도록 설치된 유전체창과, 상기 유전체창을 개재하여 상기 처리 공간과 인접하는 공간 내에 설치된 복수의 고주파 안테나와, 상기 처리 공간에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 복수의 고주파 안테나에 고주파 전력을 인가하여 유도 결합에 의해 상기 처리 공간 내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 고주파 전원을 가지고, 상기 복수의 고주파 안테나에 대응하여 형성되는 유도 자장의 합성을 방지하는 유도 자장 합성 방지 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 유도 자장 합성 방지 수단이 상기 유전체창의 상기 처리 공간측 표면에서의 상기 복수의 고주파 안테나 상호간에 대응하는 위치에 설치된 유전체로 이루어진 돌출부인 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 유전체창의 상기 복수의 고주파 안테나에 대응하는 부분의 두께가 상기 유전체창에서의 그 외의 부분의 두께보다 얇아진 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 청구항 1 내지 3항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 유전체창에서의 상기 복수의 고주파 안테나 상호간에 대응하는 위치에, 상기 유전체창과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부가 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 청구항 4에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 유전체창과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부는, 상기 유전체창에서의 상기 처리 공간측 표면 또는 상기 처리 공간측 표면과는 반대의 표면에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 청구항 4에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 유전체창과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부는, 그 일부가 상기 유전체창에 매몰되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 7에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 청구항 1 내지 3항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 복수의 고주파 안테나 상호간이 상기 복수의 고주파 안테나에 대응하여 생성되는 유도 자장의 합성을 회피하는데 충분한 간격이 되도록 조정되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 8에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 청구항 1 내지 3항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 복수의 고주파 안테나에 대응하여 상기 유전체창이 분할되어 있고, 분할된 유전체창 상호간에 그라운드 전위로 접지된 도전체가 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 고주파 안테나에 1 대 1로 대응하는 플라즈마를 파워에 따라 생성시킬 수 있고, 처리실 내의 플라즈마 분포를 임의로 제어할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 3 실시예의 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 5는 제 3 실시예의 다른 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 7 실시예의 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제 9 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제 11 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제 12 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 16은 고주파 안테나에 대응하는 위치와는 상이한 위치에 플라즈마가 발생하는 상황을 설명하기 위한 플라즈마 처리 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 3 실시예의 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 5는 제 3 실시예의 다른 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 7 실시예의 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제 9 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제 11 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제 12 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 16은 고주파 안테나에 대응하는 위치와는 상이한 위치에 플라즈마가 발생하는 상황을 설명하기 위한 플라즈마 처리 장치의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 도시한 단면도이다. 이 플라즈마 처리 장치는 예를 들면 액정 표시 장치(LCD) 제조용의 글라스 기판에 에칭 또는 성막 등의 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 것이다.
도 1에서, 플라즈마 처리 장치(10)는 처리 대상인 글라스 기판(이하, 간단히 ‘기판’이라고 함)(G)을 수용하는 처리실(챔버)(11)을 가지고, 이 챔버(11)의 도면 중 하방에는 기판(G)을 재치하는 원통 형상의 재치대(서셉터)(12)가 배치되어 있다. 서셉터(12)는 예를 들면 표면이 알루마이트 처리된 알루미늄으로 이루어진 기재(13)로 주로 구성되어 있고, 기재(13)는 절연 부재(14)를 개재하여 챔버(11)의 저부(底部)에 지지되어 있다. 기재(13)의 상부 평면은 기판(G)을 재치하는 기판 재치면으로 되어 있고, 기판 재치면의 주위를 둘러싸도록 포커스 링(15)이 설치되어 있다.
기재(13)의 기판 재치면에는 정전 전극판(16)을 내장하는 정전 척(ESC)(20)이 형성되어 있다. 정전 전극판(16)에는 직류 전원(17)이 접속되어 있고, 정전 전극판(16)에 양의 직류 전압이 인가되면 기판 재치면에 재치된 기판(G)에서의 정전 전극판(16)측의 면(이하, ‘이면’이라고 함)에는 음전위가 발생하고, 이에 따라 정전 전극판(16) 및 기판(G)의 이면 간에 전위차가 생기고, 이 전위차에 기인하는 쿨롱력 또는 존슨 라벡력에 의해 기판(G)이 기판 재치면에 흡착 보지(保持)된다.
서셉터(12)에서의 기재(13)의 내부에는 예를 들면 원주 방향으로 연장하는 환상(環狀)의 냉매 유로(18)가 형성되어 있다. 냉매 유로(18)에는 칠러 유닛(도시 생략)으로부터 냉매용 배관(19)을 거쳐 저온의 냉매, 예를 들면 냉각수 또는 갈덴(등록 상표)이 순환 공급된다. 냉매에 의해 냉각된 서셉터(12)는 상부의 정전 척(20)을 개재하여 기판(G) 및 포커스 링(15)을 냉각한다.
기재(13) 및 정전 척(20)에는 복수의 전열 가스 공급홀(21)이 개구되어 있다. 복수의 전열 가스 공급홀(21)은 도시 생략된 전열 가스 공급부에 접속되고, 전열 가스 공급부로부터 전열 가스로서, 예를 들면 헬륨(He) 가스가 정전 척(20) 및 기판(G)의 이면의 간격으로 공급된다. 정전 척(20) 및 기판(G)의 이면의 간격으로 공급된 헬륨 가스는 기판(G)의 열을 서셉터(12)로 효과적으로 전달한다.
서셉터(12)의 기재(13)에는 바이어스용 고주파 전력(이하, ‘바이어스용 RFL’이라고 함)을 공급하기 위한 고주파 전원(24)이 급전봉(22) 및 정합기(23)를 개재하여 접속되어 있다. 서셉터(12)는 하부 전극으로서 기능하고, 정합기(23)는 서셉터(12)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여 고주파 전력의 서셉터(12)에의 인가 효율을 최대로 한다. 고주파 전원(24)으로부터는 40 MHz 이하, 예를 들면 13.56 MHz의 바이어스용 RFL이 서셉터(12)에 인가되고, 이에 의해 처리 공간(S)에서 생성되는 플라즈마가 기판(G)으로 인입된다.
플라즈마 처리 장치(10)에서는 챔버(11)의 내측벽과 서셉터(12)의 측면 간에 측방 배기로(26)가 형성된다. 이 측방 배기로(26)는 배기관(27)을 개재하여 배기 장치(28)에 접속되어 있다. 배기 장치(28)로서의 TMP(Turbo Molecular Pump) 및 DP(Dry Pump)(모두 도시 생략)는 챔버(11) 내를 진공 배기하여 감압한다. 구체적으로, DP는 챔버(11) 내를 대기압으로부터 중진공 상태(예를 들면, 1.3 × 10 Pa(0.1 Torr) 이하)까지 감압하고, TMP는 DP와 협동하여 챔버(11) 내를 중진공 상태보다 낮은 압력인 고진공 상태(예를 들면, 1.3 × 10－3 Pa(1.0 × 10－5 Torr) 이하)까지 감압한다. 또한, 챔버(11) 내의 압력은 APC 밸브(도시 생략)에 의해 제어된다.
챔버(11)의 천장 부분에는 서셉터(12)와 처리 공간(S)을 개재하여 대향하도록 유전체창(30)이 배치되어 있다. 유전체창(30)은 예를 들면 석영판으로 이루어진 기밀 형상인 것으로 자력선을 투과시킨다. 유전체창(30)의 상부 공간(29)에는 원환 형상의 RF 안테나(31a 및 31b)가 동심원 형상으로, 또한, 예를 들면 서셉터(12)와 동축 형상으로 배치되어 있다. 원환 형상의 RF 안테나(31a 및 31b)는 예를 들면 절연체로 이루어진 고정 부재(도시 생략)에 의해 유전체창(30)에서의 처리 공간(S)측의 표면과는 반대의 표면(이하, ‘상면’이라고 함)에 고정되어 있다.
RF 안테나(31a 및 31b)의 일단은 각각 정합기(32a, 32b)를 개재하여 플라즈마 생성용의 고주파 전원(33a 및 33b)에 전기적으로 접속되어 있고, 타단은 각각 그라운드 전위로 접지되어 있다. 고주파 전원(33a 및 33b)은 고주파 방전에 의해 플라즈마의 생성에 적합한 일정 주파수, 예를 들면 13.56 MHz의 고주파 전력 RFH를 출력하고, RF 안테나(31a 및 31b)에 인가한다. 정합기(32a 및 32b)의 기능은 정합기(23)의 기능과 동일하다.
유전체창(30)의 하방의 챔버(11)의 측벽에는 챔버(11)의 내주를 따라 환상의 매니폴드(36)가 설치되어 있고, 이 환상의 매니폴드(36)는 가스 유로를 개재하여 처리 가스 공급원(37)에 접속되어 있다. 매니폴드(36)에는 예를 들면 등간격으로 복수의 가스 토출구(36a)가 형성되어 있고, 처리 가스 공급원(37)으로부터 매니폴드(36)로 도입된 처리 가스는 가스 토출구(36a)를 거쳐 챔버(11) 내로 공급된다.
이 플라즈마 처리 장치(10)에서는 고주파 전원(33a 및 33b)으로부터 고주파 전력이 인가된 RF 안테나(31a 및 31b)의 주위에 형성되는 유도 자장이 합성하는 것을 방지하기 위한 유도 자장 합성 방지 수단이 설치되어 있다.
즉, 도 1 중 유전체창(30)의 처리 공간(S)측의 표면(이하, ‘하면’이라고 함)에서의 원환 형상의 RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 위치에 각각 유전체로 이루어진 돌출부(34)가 설치되어 있다. 여기서 RF 안테나 상호간이란, 별개 독립으로 설치된 RF 안테나 상호간에 추가하여, 소용돌이 형상 또는 나선 형상의 RF 안테나에서의 소용돌이 형상 혹은 나선 형상을 형성하는 간극 부분 및 원환 형상의 RF 안테나의 중심부 공간을 포함하는 넓은 개념이다 (이하, 본 명세서에서 동일). 돌출부(34)를 구성하는 유전체로서는, 예를 들면 이트리아, 알루미나 등을 적용할 수 있고, 적합하게는 글라스가 적용된다. 돌출부(34)는 합성 자장이 발생하는 개소에 물리적으로 설치되므로, 합성 자장에 기초하는 플라즈마가 존재할 수 없고, 결과적으로 RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 대응하는 개소에 플라즈마가 생성된다.
챔버(11)의 측벽에는 기판 반입출구(38)가 형성되어 있고, 이 기판 반입출구(38)는 게이트 밸브(39)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 기판 반입출구(38)를 통하여 처리 대상인 기판(G)이 챔버(11) 내에 반출입된다.
이러한 구성의 플라즈마 처리 장치(10)에서, 처리 가스 공급원(37)으로부터 매니폴드(36) 및 가스 토출구(36a)를 거쳐 챔버(11)의 처리 공간(S) 내로 처리 가스가 공급된다. 한편, 고주파 전원(33a 및 33b)으로부터 정합기(32a 및 32b)를 개재하여 RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 여기용 RFH가 인가되어, RF 안테나(31a 및 31b)에 고주파 전류가 흐른다. 고주파 전류가 흐름으로써 RF 안테나(31a 및 31b)의 주위에 유도 자장이 발생하고, 이 유도 자장에 의해 처리 공간(S)에 유도 전계가 발생한다. 그리고, 이 유도 전계에 의해 가속된 전자가 처리 가스의 분자 또는 원자와 전리 충돌을 일으켜, 유도 전계에 대응한 처리 가스의 플라즈마가 생성된다.
생성된 플라즈마 중의 이온은 고주파 전원(24)으로부터 정합기(23) 및 급전봉(22)을 개재하여 서셉터(12)에 인가되는 바이어스용 RFL에 의해 기판(G)으로 인입되고, 기판(G)에 대하여 소정의 플라즈마 처리가 실시된다.
플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성 부품의 동작은 플라즈마 처리 장치(10)가 구비하는 제어부(도시 생략)의 CPU가 플라즈마 처리에 대응하는 프로그램에 따라 제어된다.
본 실시예에 따르면, 유전체창(30)의 하면에서의 RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 위치, 구체적으로는 RF 안테나(31a 및 31b)와의 사이 및 원환 형상의 RF 안테나(31a)에서의 중심부에 대응하는 위치에 각각 글라스로 이루어진 원환 형상의 돌출부 및 원형의 돌출부(34)를 설치했기 때문에, RF 안테나(31a)의 주위에 형성되는 유도 자장과 RF 안테나(31b)의 주위에 형성되는 유도 자장과의 합성 자장의 발생 개소에 플라즈마가 존재할 수 없고, 결과적으로 RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 대응하는 유도 자장이 유지된다. 또한, 각 유도 자장에 기초하여 각각 유도 전계가 발생하고, 각 유도 전계에 기인하여 각각 RF 안테나(31a 및 31b)에 1 대 1로 대응하고, 또한, 인가된 고주파 RFH의 파워에 따른 플라즈마가 생성된다.
본 실시예에 따르면, 챔버(11) 내의 플라즈마를 생성하고자 하는 임의의 위치에 대응하여 RF 안테나를 배치하고 이 RF 안테나에 인가하는 고주파 RFH의 출력을 조정함으로써, 챔버(11) 내에서의 플라즈마 분포를 임의로 제어할 수 있다.
본 실시예에서, 유전체로 이루어진 돌출부(34)는 유전체창(30)과 동일한 재료를 이용하여 일체로 형성할 수 있고, 또한 유전체창(30)과는 다른 재료를 이용하여 별체로 형성할 수도 있다.
본 실시예에서, 유전체로 이루어진 원환 형상 또는 원형의 돌출부(34)에, 예를 들면 매니폴드를 설치하여 가스 도입 수단을 겸용시킬 수도 있다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
최근, 처리 대상이 되는 기판(G)의 대형화에 수반하여 챔버(11)도 대형화되고, 또한 큰 챔버(11)의 내부 공간의 진공도를 유지하기 위하여, 유전체창(30)의 두께도 두꺼워 지고 있다. 유전체창(30)이 두꺼워지면 RF 안테나(31a 및 31b)와 챔버(11) 내의 처리 공간(S)의 거리가 길어져, 인접하는 RF 안테나 상호의 중간부에 합성 자장이 형성되기 쉽고, 이에 따라 RF 안테나에 1 대 1로 대응하는 플라즈마가 쉽게 생성되지 않도록 되어 있다. 본 실시예는 이러한 문제를 해결하기 위한 것이며, 유전체창(30)에서의 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 위치의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 하고, 이에 의해 챔버(11) 내에 RF 안테나(31a 및 31b)에 1 대 1로 대응하는 플라즈마(42)를 발생시키도록 한 것이다.
구체적으로는, 도 2에 도시한 플라즈마 처리 장치(40)는 도 1의 플라즈마 처리 장치(10)와 상이하며, 유전체창(30)의 하면에서의 RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 위치에 유전체로 이루어진 원환 형상 또는 원형의 돌출부(34)를 설치하는 대신에, 유전체창(30)의 하면에서의 RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 대응하는 부분에 원환 형상의 오목부(41)를 형성하고, RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 부분의 유전체창(30)의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 했다.
본 실시예에 따르면, 유전체창(30)의 하면에서의 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 부분에 원환 형상의 오목부(41)를 형성하고 그 부분의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 했기 때문에, 합성 자장보다 강한 유도 자장이 RF 안테나(31a 및 31b)의 바로 밑에 각각 형성된다. 이에 따라, 챔버(11) 내에 각 RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 대응하는 플라즈마(42)를 생성시킬 수 있다.
본 실시예에서, 유전체창(30)의 두께는 예를 들면 20 ~ 50 mm이며, 원환 형상의 오목부(41)를 형성한 부분의 두께는 예를 들면 10 ~ 20 mm이다.
본 실시예에서, 원환 형상의 오목부(41)는 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하여 전 둘레에 걸쳐 형성되지만, 유전체창(30)의 강도 등을 고려하여 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 전 원주의 일부에 형성될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 3에서, 이 플라즈마 처리 장치(50)가 도 1의 플라즈마 처리 장치(10)와 상이한 점은, 유전체창(30)의 하면에서의 RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 위치에 유전체로 이루어진 돌출부(34)를 설치하는 대신에 유전체창(30)의 상면에 서의 RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 유전체창(30)과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 원환 형상 또는 원형의 돌출부(51a)를 설치한 점이다.
본 실시예에 따르면, RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 각각 유전체창(30)과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 원환 형상 또는 원형의 돌출부(51a)를 설치했기 때문에, RF 안테나(31a 및 31b)의 주위에 각각 생성되는 유도 자장에서의 자력선이 돌출부(51a)에 의해 변화하여 생성되는 플라즈마가 바뀐다. 이에 따라, 합성 자장의 생성이 저해되고, 결과적으로 챔버(11) 내에 각 RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 대응하는 유도 전계가 형성되고, 이 유도 전계에 기초하여 각각 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 원환 형상의 플라즈마(52)가 생성된다.
본 실시예에 따르면, RF 안테나(31a 및 31b)에 1 대 1로 대응하는 위치에 플라즈마(52)를 생성할 수 있고 그 강도를 인가하는 여기용 RFH의 파워에 따라 제어할 수 있으므로, 챔버(11) 내에서의 플라즈마의 제어성이 현저하게 향상된다.
본 실시예에서, 유전체창(30)과는 투자율이 상이한 부재로서는 예를 들면 페라이트, 퍼멀로이 등을 들 수 있고, 돌출부(51a)는 예를 들면 페라이트에 의해 형성된다.
도 4는 제 3 실시예의 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 4에서, 이 플라즈마 처리 장치(50)가 도 3의 플라즈마 처리 장치와 상이한 점은 유전체창(30)과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부(51b)의 단면적을 도 3의 돌출부(51a)의 단면적보다 약간 크게 하고, 또한, 그 일부를 유전체창(30)의 상면에 설치된 예를 들면 스폿 페이싱 부분에 감합하여 매몰시킨 점이다.
본 실시예의 변형예에서도 상기 실시예와 동일한 효과가 얻어진다.
또한, 본 실시예의 변형예에 따르면, 원환 형상의 돌출부(51b)의 단면적을 상기 실시예의 돌출부(51a)의 단면적보다 약간 크게 했기 때문에, 합성 자장의 생성을 저해하는 효과가 커져, 각 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 위치에 정확하게 플라즈마(52)를 생성할 수 있다. 또한, 돌출부(51b)의 일부를 유전체창(30)에 매몰시킴으로써, 돌출부(51b)를 정확하게 위치 결정하여 고정시킬 수 있다.
도 5는 제 3 실시예의 다른 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 5에서, 이 플라즈마 처리 장치(50)가 도 3의 플라즈마 처리 장치와 상이한 점은, 원환 형상의 돌출부(51c)의 단면적을 상기 실시예의 돌출부(51a)의 단면적보다 약간 크게 하고, 유전체창(30)의 하면에 배치한 점이다.
본 실시예의 다른 변형예에서도, 상기 실시예와 동일한 효과가 얻어진다.
또한 본 실시예의 다른 변형예에 따르면, 원환 형상의 돌출부(51c)의 단면적을 상기 실시예의 돌출부(51a)의 단면적보다 약간 크게 했기 때문에, 합성 자장의 생성을 저해하는 효과가 커져, 각 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 위치에 정확하게 플라즈마(52)를 생성할 수 있다.
본 실시예의 다른 변형예에서, 돌출부(51c)는 챔버(11) 내에서 발생하는 플라즈마에 노출되므로, 예를 들면 SiO2 또는 이트리아 등에 의해 피복하는 것이 바람직하다. 이에 의해 돌출부(51c)의 수명을 연장할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 6에서, 이 플라즈마 처리 장치(60)가 도 1의 플라즈마 처리 장치(10)와 상이한 점은, 유전체창(30)의 하면에서의 RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 위치에 유전체로 이루어진 돌출부(34)를 설치하는 대신에 RF 안테나(31b)의 원환 형상의 직경을 RF 안테나(31a)의 원환 형상의 직경보다 매우 크게 하고, RF 안테나(31b)를 챔버(11) 내에 설치한 것이다. 구체적으로는, 기판(G)의 직경보다 큰 직경의 RF 안테나(31b)를 유전체창(30)의 외측이며, 또한 챔버(11) 내에 배치한 것이다.
본 실시예에 따르면, RF 안테나(31a와 31b)의 간격을 크게 했기 때문에, RF 안테나(31a 및 31b)의 주위에 각각 발생하는 유도 자장에 기인하는 와전류가 겹치지 않는다. 따라서 합성 와전류의 생성이 회피되고, 챔버(11) 내에 각 RF 안테나(31a 및 31b)에 1 대 1로 대응하는 유도 전계, 나아가서는 플라즈마(62)를 생성시킬 수 있다.
본 실시예에서 챔버(11) 내에 설치된 RF 안테나(31b)를, 예를 들면 SiO2 또는 이트리아 등의 유전체로 피복하는 것이 바람직하다. 이에 의해, RF 안테나(31b)에 대한 플라즈마의 직접 조사를 회피할 수 있어, RF 안테나(31b)의 수명을 연장할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 7에서, 이 플라즈마 처리 장치(70)가 도 1의 플라즈마 처리 장치(10)와 상이한 점은, 유전체창(30)의 하면에서의 RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 위치에 유전체의 돌출부(34)를 설치하는 대신에 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하여 유전체창(30)을 분할하고, 분할 부분에 그라운드 전위로 접지된 도전체로서의 메탈(71)을 배치한 점이다. 메탈(71)로서는 예를 들면 알루미늄 등이 사용된다. 플라즈마에 접하는 알루미늄의 면은 SiO2 또는 이트리아로 피복하는 것이 바람직하다.
챔버(11)의 중앙부에 배치된 유전체창(30a) 상에 원환 형상의 RF 안테나(31a)가 설치되고, 챔버(11)의 내주부에 배치된 유전체창(30b) 상에는 원환 형상의 RF 안테나(31b)가 설치되어 있다.
본 실시예에 따르면, 유전체창을 챔버(11)의 중앙부에 배치된 유전체창(30a)과 챔버(11)의 내주부에 배치된 유전체창(30b)으로 분할하고 분할한 유전체창 상호간에 그라운드 전위로 접지된 메탈(71)을 배치했기 때문에, 유전체창(30a) 상에 설치된 RF 안테나(31a) 및 유전창(30b) 상에 설치된 RF 안테나(31b)의 주위에 각각 형성되는 유도 자장에서의 와전류가 메탈(71)을 통하여 그라운드로 흐른다. 이에 따라, 와전류의 합성이 회피되고 각 RF 안테나(31a 및 31b)에 1 대 1로 대응하는 플라즈마(72)가 생성된다.
본 실시예에서, 분할한 유전체창 상호간에 설치된 메탈(71)에 처리 가스 도입 수단을 설치하여 샤워 헤드로서 기능시킬 수도 있다.
도 8은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 8에서 이 플라즈마 처리 장치(80)는 제 5 실시예의 특징 부분과 제 2 실시예의 특징 부분을 조합한 것이며, 유전체창(30)을 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하여 분할하고, 분할 부분에 그라운드 전위로 접지된 메탈(81)을 배치한다. 또한, RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 유전체창(30a 및 30b)의 하면에 원환 형상의 오목부(82)를 형성하고, 그 부분에서의 유전체창(30a 및 30b)의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 한 것이다.
본 실시예에 따르면, 유전체창을 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하여 유전체창(30a 및 30b)으로 분할하고, 분할한 유전체창 상호간에 그라운드 전위로 접지된 메탈(81)을 배치하고, 또한, RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하는 유전체창(30a 및 30b)의 하면에 원환 형상의 오목부(82)를 형성하고, 그 부분의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 했기 때문에, 그라운드 전위로 접지된 메탈(81)에 의한 와전류를 해소하는 작용과, 유전체창을 얇게 하여 합성 자장보다 강한 유도 자장에 의해 RF 안테나 바로 밑의 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 작용과의 상승 작용에 의해, 챔버(11) 내에 RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 대응하는 플라즈마(83)를 생성시킬 수 있다. 또한 이에 따라, RF 안테나(31a 및 31b)의 배치 위치에 대응하여 챔버(11) 내의 임의의 위치에 플라즈마(83)를 형성할 수 있게 되어, 챔버(11) 내에서의 플라즈마 분포의 제어성이 향상된다.
도 9는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 9에서, 이 플라즈마 처리 장치(90)는 제 5 실시예의 특징 부분과 제 1 실시예의 특징 부분을 조합한 것이다. 유전체창을 RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하여 유전체창(30a와 30b)으로 분할하고 분할 부분에 그라운드 전위로 접지된 메탈(91)을 배치하고, 또한, 유전체창(30a) 상에 RF 안테나(31a)보다 직경이 큰 RF 안테나(31c)를 설치하고, RF 안테나(31a 및 31c) 상호간에 대응하는 유전체창(30a)의 하면에 유전체로 이루어진 돌출부(92)를 설치한 것이다.
본 실시예에 따르면, RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하여 유전체창을 유전체창(30a와 30b)으로 분할하고, 분할한 유전체창 상호간에 그라운드 전위로 접지된 메탈(91)을 배치하고, 또한, 유전체창(30a) 상에 RF 안테나(31a)보다 직경이 큰 RF 안테나(31c)를 설치하고, RF 안테나(31a 및 31c) 상호간에 대응하는 유전체창(30a)의 하면에 유전체, 예를 들면 글라스로 이루어진 돌출부(92)를 설치했기 때문에, 그라운드 전위로 접지된 메탈(91)에 의한 와전류를 해소하는 작용과, 유전체로 이루어진 돌출부(92)에 의한 합성 자장의 발생 개소에 플라즈마를 물리적으로 존재시키지 않도록 하는 작용과의 상승 작용에 의해, 챔버(11) 내에 RF 안테나(31a ~ 31c)에 각각 1 대 1로 대응하는 플라즈마(93)를 생성시킬 수 있다. 또한, RF 안테나(31a ~ 31c)에 대응하여 임의의 위치에 플라즈마를 생성시킬 수 있으므로, 챔버(11) 내에서의 플라즈마 제어성이 향상된다.
도 10은 본 발명의 제 7 실시예의 변형예의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 10에서, 이 플라즈마 처리 장치(90)가 도 9의 플라즈마 처리 장치와 상이한 점은, 유전체창(30a)에서의 RF 안테나(31a)의 외주부에 RF 안테나(31c)를 설치하는 대신에 챔버(11)의 내주부에 설치된 유전체창(30b) 상에 RF 안테나(31b)보다 직경이 작은 RF 안테나(31c)를 설치하고, RF 안테나(31b와 31c) 상호간에 대응하는 유전체창(30b)의 하면에 글라스로 이루어진 원환 형상의 돌출부(94)를 설치한 점이다.
본 실시예에서도 제 7 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도 11은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 11에서, 이 플라즈마 처리 장치(100)는 제 5 실시예의 특징 부분과 제 3 실시예의 특징 부분을 조합한 것이며, 유전체창을 챔버(11)의 중앙부의 유전체창(30a)과 챔버(11)의 내주부의 유전체창(30b)으로 분할하고, 분할 부분에 그라운드 전위로 접지된 메탈(101)을 배치하고 또한, 유전체창(30a) 상에 RF 안테나(31a)보다 직경이 큰 RF 안테나(31c)를 설치하고, RF 안테나(31a 및 31c) 상호간에 대응하는 유전체창(30a)의 상면에 유전체창(30a)과는 투자율이 상이한 원환 형상 또는 원형의 돌출부(102)를 설치한 것이다.
본 실시예에 따르면, RF 안테나(31a 및 31b)에 대응하여 유전체창을 유전체창(30a 및 30b)으로 분할하고, 분할한 유전체창 상호간에 그라운드 전위로 접지된 메탈(101)을 배치하고 또한, 유전체창(30a) 상에 RF 안테나(31a)보다 직경이 큰 RF 안테나(31c)를 설치하고, RF 안테나(31a 및 31c) 상호간에 대응하는 유전체창(30a)의 상면에 유전체창(30a)과는 투자율이 상이한 원환 형상 또는 원형의 돌출부(102)를 설치했기 때문에, 그라운드 전위로 접지된 메탈(101)에 의한 와전류를 해소하는 작용과 투자율이 상이한 돌출부(102)에 의한 자력선을 분단하는 작용과의 상승 작용에 의해, RF 안테나(31a ~ 31c)에 각각 1 대 1로 대응하는 플라즈마(103)를 형성할 수 있다. 또한, RF 안테나(31a ~ 31c)에 대응하여 챔버(11) 내의 임의의 위치에 플라즈마(103)를 형성할 수 있으므로, 플라즈마 제어성이 향상된다.
도 12는 본 발명의 제 9 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 12에서, 이 플라즈마 처리 장치(110)는 제 3 실시예의 특징 부분과 제 2 실시예의 특징 부분을 조합한 것이며, RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 유전체창(30)과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 원환 형상 또는 원형의 돌출부(111)를 설치하고 또한, RF 안테나(31a) 및 RF 안테나(31b)에 대응하는 유전체창(30)의 하면에 오목부(112)를 형성하고, 그 부분의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 한 것이다.
본 실시예에 따르면, RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 유전체창(30)의 상면에 유전체창(30)과는 투자율이 상이한 원환 형상 또는 원형의 돌출부(111)를 설치하고 또한, RF 안테나(31a) 및 RF 안테나(31b)에 대응하는 유전체창(30)의 하면에 오목부(112)를 형성하고, 그 부분의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 했기 때문에, 투자율이 상이한 돌출부(111)에 의한 자력선을 분단하는 작용과, 유전체창(30)을 얇게 하여 합성 자장보다 강한 유도 자장에 의해 RF 안테나 직하에 플라즈마를 발생시키는 작용과의 상승 작용에 의해, RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 대응하여 플라즈마(113)를 생성시킬 수 있다.
도 13은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 13에서, 이 플라즈마 처리 장치(120)는 제 2 실시예의 특징 부분과 제 1 실시예의 특징 부분을 조합한 것이며, RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 유전체창(30)의 하면에 유전체로 이루어진 원환 형상 또는 원형의 돌출부(121)를 설치하고 또한, RF 안테나(31a) 및 RF 안테나(31b)에 대응하는 유전체창(30)의 하면에 오목부(122)를 형성하고, 그 부분의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 한 것이다.
본 실시예에 따르면, RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 유전체창(30)의 하면에 유전체로 이루어진 원환 형상의 돌출부(121)를 설치하고, 또한 RF 안테나(31a) 및 RF 안테나(31b)에 대응하는 유전체창(30)의 하면에 원환 형상의 오목부(122)를 형성하고, 그 부분의 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 했기 때문에, 유전체로 이루어진 돌출부(121)에 의한 합성 자장의 발생 개소에 플라즈마를 물리적으로 존재시키지 않도록 하는 작용과, RF 안테나에 대응하는 유전체창(30)을 얇게 하여 합성 자장보다 강한 유도 자장에 의해 RF 안테나 직하에 플라즈마를 발생시키는 작용과의 상승 작용에 의해, RF 안테나(31a 및 31b)에 각각 대응하는 플라즈마 (123)를 형성할 수 있고, 또한 이에 따라, 상기 실시예와 마찬가지로 챔버(11) 내의 플라즈마 제어성이 향상된다.
도 14는 본 발명의 제 11 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 14에서, 이 플라즈마 처리 장치(130)는 제 1 실시예의 특징 부분과 제 4 실시예의 특징 부분을 조합한 것이며, RF 안테나(31b)의 직경보다 큰 직경을 가지는 RF 안테나(31c)를 유전체창(30)의 외주부의 외측의 챔버(11) 내에 배치하고, RF 안테나(31a 내지 31c) 상호간에 대응하는 유전체창(30)의 하면에 유전체로 이루어진 원환 형상의 돌출부(131)를 설치한 것이다.
본 실시예에 따르면, 유전체로 이루어진 돌출부(131)에 의한 합성 자장의 발생 개소에 플라즈마를 물리적으로 존재시키지 않도록 하는 작용과, RF 안테나(31c)를 RF 안테나(31b)로부터 떨어뜨려 챔버(11) 내에 배치하는 것에 따른 합성 자장의 생성을 방지하는 작용과의 상승 작용에 의해, RF 안테나(31a 내지 31c)에 각각 대응하는 독립된 플라즈마(132)를 형성할 수 있다. 또한 이에 따라, 상기 실시예와 마찬가지로 챔버(11) 내의 플라즈마 제어성이 향상된다.
본 실시예에서, RF 안테나(31b와 31c)에서 고주파 전원(33b)을 공용시켰지만 각 고주파 전원으로서 각각 독립된 것을 설치할 수도 있다.
도 15는, 본 발명의 제 12 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 주요부의 개략 구성을 도시한 단면도이다.
도 15에서, 이 플라즈마 처리 장치(140)는 제 1 내지 제 5 실시예의 특징 부분을 모두 구비한 것으로, 유전체창을 챔버(11)의 중앙부의 유전체창(30a)과 내주부 근방을 따른 유전체창(30b)으로 분할하고, 분할 부분에 그라운드 전위로 접지된 메탈(141)을 배치하고, 유전체창(30a)의 하면에서의 RF 안테나(31a 및 31b) 상호간에 대응하는 위치에 유전체로 이루어진 원환 형상 또는 원형의 돌출부(142)를 설치하고, 상면에 유전체창(30a)과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 원환 형상 또는 원형의 돌출부(143)를 설치하고, 유전체창(30a 및 30b)의 하면에서의 RF 안테나(31a 내지 31c)에 대응하는 위치에 오목부(144)를 형성하고, 그 두께를 그 이외의 부분의 두께보다 얇게 하고, 또한 유전체창(30b) 상에 설치한 RF 안테나(31c)의 직경보다 큰 직경을 가지는 RF 안테나(31d)를 유전체창(30b)의 외주부의 외측의 챔버(11) 내에 배치한 것이다.
본 실시예에 따르면, 제1 내지 제 5 실시예의 특징적인 구성을 모두 구비함으로써, 그 특징적인 구성의 상승 작용에 의해, 각 RF 안테나(31a 내지 31d)에 1 대 1로 대응하는 위치에 각각 플라즈마(145)를 정확하게 발생시킬 수 있고, 이에 따라, 상기 각 실시예와 마찬가지로 챔버(11) 내에서의 플라즈마 분포의 제어성을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에서 RF 안테나(31a 및 31b)에서 그리고 RF 안테나(31c 및 31d)에서, 각각 고주파 전원(33a 및 33b)을 공용했지만, 각 RF 안테나(31a ~ 31d)에 대응하여 각각 별개의 고주파 전원을 설치할 수도 있다. 즉, 고주파 전력의 인가 방법은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 유전체창(30)의 분할 방법도 특별히 한정되지 않는다.
상술한 각 실시예에서, 플라즈마 처리가 실시되는 기판은 액정 디스플레이(LCD)용의 글라스 기판뿐만 아니라, 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence；EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등을 비롯한 FPD(Flat Panel Display)에 이용하는 각종 기판이어도 좋다.
10 : 플라즈마 처리 장치
30, 30a, 30b : 유전체창
31a ~ 31d : RF 안테나
33a, 33b : 고주파 전원
34, 92, 94 : 유전체로 이루어진 돌출부
41, 82, 112 : 오목부
42, 52, 62, 72 : 플라즈마
51a ~ 51c : 유전체창과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부
71, 81, 91 : 메탈
30, 30a, 30b : 유전체창
31a ~ 31d : RF 안테나
33a, 33b : 고주파 전원
34, 92, 94 : 유전체로 이루어진 돌출부
41, 82, 112 : 오목부
42, 52, 62, 72 : 플라즈마
51a ~ 51c : 유전체창과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부
71, 81, 91 : 메탈
Claims (8)
- 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 진공 배기 가능한 처리실과,
상기 처리실 내에서, 상기 기판을 재치하는 기판 재치대와,
상기 기판 재치대와 처리 공간을 사이에 두고 대향하도록 설치된 유전체창과,
상기 유전체창을 개재하여 상기 처리 공간과 인접하는 공간 내에 설치된 복수의 고주파 안테나와,
상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 복수의 고주파 안테나에 고주파 전력을 인가하여 유도 결합에 의해 상기 처리 공간 내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 고주파 전원을 가지고,
상기 복수의 고주파 안테나에 대응하여 형성되는 유도 자장의 합성을 방지하는 유도 자장 합성 방지 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 유도 자장 합성 방지 수단은, 상기 유전체창의 상기 처리 공간측 표면에서의 상기 복수의 고주파 안테나 상호간에 대응하는 위치에 설치된 유전체로 이루어진 돌출부인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 유전체창의 상기 복수의 고주파 안테나에 대응하는 부분의 두께가 상기 유전체창에서의 그 외의 부분의 두께보다 얇아진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유전체창에서의 상기 복수의 고주파 안테나 상호간에 대응하는 위치에, 상기 유전체창과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 유전체창과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부는, 상기 유전체창에서의 상기 처리 공간측 표면 또는 상기 처리 공간측 표면과는 반대의 표면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 유전체창과는 투자율이 상이한 부재로 이루어진 돌출부는, 그 일부가 상기 유전체창에 매몰되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 고주파 안테나 상호간이 상기 복수의 고주파 안테나에 대응하여 생성되는 유도 자장의 합성을 회피하는데 충분한 간격이 되도록 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 고주파 안테나에 대응하여 상기 유전체창이 분할되어 있고, 분할된 유전체창 상호간에 그라운드 전위로 접지된 도전체가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010175401A JP5606821B2 (ja) | 2010-08-04 | 2010-08-04 | プラズマ処理装置 |
| JPJP-P-2010-175401 | 2010-08-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120013201A true KR20120013201A (ko) | 2012-02-14 |
| KR101902505B1 KR101902505B1 (ko) | 2018-09-28 |
Family
ID=45555214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110077573A KR101902505B1 (ko) | 2010-08-04 | 2011-08-04 | 플라즈마 처리 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120031560A1 (ko) |
| JP (1) | JP5606821B2 (ko) |
| KR (1) | KR101902505B1 (ko) |
| CN (1) | CN102378462B (ko) |
| TW (1) | TWI542259B (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9903444B2 (en) | 2015-12-10 | 2018-02-27 | Hyundai Motor Company | Planetary gear train of automatic transmission for vehicle |
| KR20180061712A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 주식회사 엘지화학 | Hbd를 이용한 배터리 시스템의 통신 품질 분석 방법 및 시스템 |
| US12087554B2 (en) | 2019-07-24 | 2024-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating system having the same |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101962499B1 (ko) | 2011-10-28 | 2019-03-26 | 코닝 인코포레이티드 | 적외선 반사도를 갖는 유리 제품 및 이의 제조방법 |
| JP6101535B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-03-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | プラズマ処理装置 |
| US10553398B2 (en) * | 2013-09-06 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Power deposition control in inductively coupled plasma (ICP) reactors |
| KR102020622B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2019-09-10 | 주식회사 원익아이피에스 | 유도결합 플라즈마 처리장치 |
| JP6582391B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2019-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN105810545B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-09-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种电感耦合等离子反应器 |
| CN107531562B (zh) | 2015-04-30 | 2021-05-28 | 康宁股份有限公司 | 具有离散的金属银层的导电制品及其制造方法 |
| CN104918401A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-09-16 | 山东专利工程总公司 | 一种感应耦合型等离子体处理装置 |
| CN106711005B (zh) * | 2015-11-13 | 2019-02-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备及等离子体产生方法 |
| KR102432857B1 (ko) | 2017-09-01 | 2022-08-16 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP7210094B2 (ja) * | 2017-11-16 | 2023-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 信号変調同期式プラズマ処理システム |
| CN110318028A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 株式会社新柯隆 | 等离子体源机构及薄膜形成装置 |
| TWI716725B (zh) * | 2018-06-13 | 2021-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 電漿處理裝置 |
| JP2021077451A (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| KR20210056646A (ko) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장비 |
| CN113337809A (zh) * | 2020-02-14 | 2021-09-03 | 株式会社新柯隆 | 薄膜形成装置 |
| CN114023622B (zh) * | 2022-01-05 | 2022-04-08 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 电感耦合等离子体装置及半导体薄膜设备 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104210A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JP2770753B2 (ja) * | 1994-09-16 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH08316205A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US6000360A (en) * | 1996-07-03 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| EP0838839B1 (en) * | 1996-09-27 | 2008-05-21 | Surface Technology Systems Plc | Plasma processing apparatus |
| KR100297552B1 (ko) * | 1998-08-03 | 2001-11-30 | 윤종용 | 반도체소자제조용식각장치의절연창 |
| JP4046207B2 (ja) * | 1998-08-06 | 2008-02-13 | 株式会社エフオーアイ | プラズマ処理装置 |
| JP4471514B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2010-06-02 | 株式会社エフオーアイ | プラズマ処理装置 |
| JP2003077902A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Mikuni Denshi Kk | プラズマ発生装置 |
| TWI290810B (en) * | 2001-09-27 | 2007-12-01 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment device |
| US7311797B2 (en) * | 2002-06-27 | 2007-12-25 | Lam Research Corporation | Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor |
| JP3935401B2 (ja) * | 2002-07-22 | 2007-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| JP2004200307A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| CN100492591C (zh) * | 2003-09-04 | 2009-05-27 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子处理装置 |
| JP2005285564A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| EP1662546A1 (en) * | 2004-11-25 | 2006-05-31 | The European Community, represented by the European Commission | Inductively coupled plasma processing apparatus |
| JP5213150B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2013-06-19 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた製品の製造方法 |
| US8608856B2 (en) * | 2005-09-30 | 2013-12-17 | Tokyo Electron Limited | Sealing part and substrate processing apparatus |
| KR100745329B1 (ko) * | 2005-12-16 | 2007-08-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 건식 식각 장치 |
| JP2007173033A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2008060258A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| TW200845197A (en) * | 2007-03-28 | 2008-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma etching apparatus |
| WO2008153052A1 (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法 |
| CN101548364B (zh) * | 2007-08-28 | 2013-02-06 | 东京毅力科创株式会社 | 顶板以及等离子体处理装置 |
| JP5139029B2 (ja) * | 2007-10-24 | 2013-02-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置 |
| JP5407388B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2010
- 2010-08-04 JP JP2010175401A patent/JP5606821B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-02 US US13/196,193 patent/US20120031560A1/en not_active Abandoned
- 2011-08-03 TW TW100127483A patent/TWI542259B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-08-04 CN CN2011102258283A patent/CN102378462B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-04 KR KR1020110077573A patent/KR101902505B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9903444B2 (en) | 2015-12-10 | 2018-02-27 | Hyundai Motor Company | Planetary gear train of automatic transmission for vehicle |
| KR20180061712A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 주식회사 엘지화학 | Hbd를 이용한 배터리 시스템의 통신 품질 분석 방법 및 시스템 |
| US12087554B2 (en) | 2019-07-24 | 2024-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating system having the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102378462B (zh) | 2013-12-04 |
| TWI542259B (zh) | 2016-07-11 |
| JP2012038461A (ja) | 2012-02-23 |
| CN102378462A (zh) | 2012-03-14 |
| TW201228480A (en) | 2012-07-01 |
| KR101902505B1 (ko) | 2018-09-28 |
| JP5606821B2 (ja) | 2014-10-15 |
| US20120031560A1 (en) | 2012-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20120013201A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| US8651049B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP6423706B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP6324717B2 (ja) | 基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置 | |
| TWI734185B (zh) | 電漿處理裝置 | |
| JP2001185542A (ja) | プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法 | |
| US20130299091A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR101887160B1 (ko) | 반응 챔버와 반도체 제조 장치 | |
| KR101496841B1 (ko) | 혼합형 플라즈마 반응기 | |
| KR101720373B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 생성 장치, 안테나 구조체, 및 플라즈마 생성 방법 | |
| TWI661465B (zh) | Plasma processing device | |
| US20130220975A1 (en) | Hybrid plasma processing systems | |
| KR101274515B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| TW201438056A (zh) | 電漿處理腔室的磁屏蔽 | |
| KR100980287B1 (ko) | 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마반응기 | |
| KR20080028848A (ko) | 대면적 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
| KR102207755B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 | |
| KR20080070125A (ko) | 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
| JP6298293B2 (ja) | 基板処理装置、シャッタ機構およびプラズマ処理装置 | |
| US20150279623A1 (en) | Combined inductive and capacitive sources for semiconductor process equipment | |
| KR101117922B1 (ko) | 전극 구조체 및 기판 처리 장치 | |
| US20120073755A1 (en) | Electrode and plasma processing apparatus | |
| JP2012023098A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20080079788A (ko) | 기판 처리 장치 및 플라즈마 밀도의 제어 방법 | |
| KR20160062699A (ko) | 플라즈마 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |