CN110462781A - 用于等离子体处理设备的基座组件 - Google Patents

用于等离子体处理设备的基座组件 Download PDF

Info

Publication number
CN110462781A
CN110462781A CN201880021041.5A CN201880021041A CN110462781A CN 110462781 A CN110462781 A CN 110462781A CN 201880021041 A CN201880021041 A CN 201880021041A CN 110462781 A CN110462781 A CN 110462781A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ring
focusing ring
base assembly
substrate
slit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880021041.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110462781B (zh
Inventor
M·L·祖克
T·F·王
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd
Mattson Technology Inc
Original Assignee
Mattson Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mattson Technology Inc filed Critical Mattson Technology Inc
Publication of CN110462781A publication Critical patent/CN110462781A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110462781B publication Critical patent/CN110462781B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供了用于处理设备诸如等离子体处理设备的基座组件。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备可以包括具有处理室内部的处理室。该设备可以包括等离子体源，其配置成在处理室内部中诱发等离子体。该设备可以包括基座，该基座配置成在处理衬底期间支撑处理室内部中的衬底。该设备可以包括聚焦环，该聚焦环配置成当衬底被支撑在基座上时围绕衬底的外围设置。聚焦环可以具有多个均匀间隔开的狭槽。每个狭槽可以配置成与位于基座上的相应突起接合。

Description

用于等离子体处理设备的基座组件
优先权
本申请要求于2017年3月31日提交的名称为“用于等离子体处理设备的基座组件”的美国临时申请序列号62/479,483的优先权，该申请通过引用并入本文用于所有目的。
技术领域
本公开总体上涉及在处理设备诸如等离子体处理设备中的基座基板支撑件。
背景技术
等离子体处理工具可以用于装置诸如集成电路、微机械装置、平板显示器和其他装置的制造中。用于现代等离子体蚀刻应用的等离子体处理工具可能需要提供高等离子体均匀性和多个等离子体控制，包括独立的等离子体轮廓、等离子体密度和离子能量控制。在某些情况下，等离子体处理工具可能需要在各种处理气体和各种不同条件(例如气流、气体压力等)下维持稳定的等离子体。
基座组件可以用于支撑在等离子体处理设备和其他处理工具(例如，热处理工具)中的衬底。基座组件可以包括围绕基座基板的绝缘环。绝缘环与基座基板之间的接触会对晶圆处理的均匀性产生不利影响。
聚焦环可以与等离子体处理工具中的基座组件结合使用。在处理衬底(例如，半导体晶圆)期间，聚焦环的偏心热膨胀会产生不利影响。例如，由于衬底边缘处的不均匀电场，处理的均匀性可能会降低。在一些情况下，在聚焦环与衬底之间的间隙增大的区域中存在电弧的可能性增加。
发明内容
本发明的各方面和优点将部分地在以下描述中阐述，或者可以从描述中显而易见，或者可以通过实践本发明来学习。
本公开的一个示例性方面涉及等离子体处理设备。等离子体处理设备包括具有处理室内部的处理室。等离子体处理设备包括等离子体源，该等离子体源配置成在处理室内部诱导等离子体。该设备包括基座，该基座配置成在衬底的处理期间支撑处理室内部中的衬底。该设备包括聚焦环，该聚焦环配置成当衬底被支撑在基座上时围绕衬底的外围设置。聚焦环可以具有多个均匀间隔开的狭槽。每个狭槽可以配置成与位于基座上的相应突起接合。
本公开的另一示例性方面涉及一种基座组件。基座组件可以包括配置成支撑衬底的圆盘。基座组件可以包括配置成支撑圆盘的基板结构。基板结构可以包括底部绝缘体，该底部绝缘体包括外径配准表面，该外径配准表面延伸超过基板结构的外径。基板结构可以包括至少部分地围绕基板结构的内绝缘环。内绝缘环可具有内径配准表面，该内径配准表面配置成接触底部绝缘体的外径配准表面。
可以对本公开的示例性实施例进行变型和修改。
参考以下描述和所附权利要求，将更好地理解本发明的这些和其他特征、方面和优点。包含在本说明书中并且构成其一部分的附图示出了本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
附图说明
本说明书的其余部分，包括参考附图，更具体地阐述了对本领域普通技术人员而言完整且可行的公开内容，附图中：
图1描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体处理设备；
图2描绘了根据本公开的示例性实施例的基座组件的一部分的放大横截面视图；
图3描绘了根据本公开的示例性实施例的聚焦环的底部表面的立体图；
图4描绘了根据本公开的示例性实施例的包括狭槽的聚焦环的底部表面的一部分的放大视图；
图5描绘了根据本公开示例性实施例的基座组件的上部环结构的顶部表面的立体图；
图6描绘了根据本公开的示例性实施例的包括突起的上部环结构的顶部表面的一部分的放大视图；和
图7描绘了根据本公开的示例性实施例的基座组件的一部分的放大横截面视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施例，其一个或多个示例在附图中示出。提供每个实施例是为了解释本发明，而不是限制本发明。事实上，对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的范围或者精神的情况下，可以在本发明中进行各种修改和变型。例如，作为一个实施例的一部分示出或者描述的特征可以与另一个实施例一起使用，以产生又一个实施例。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的这些修改和变型。
本公开的示例性方面涉及与处理设备(诸如等离子体处理设备)中的基座支撑件结合使用的基座组件。等离子体处理设备可以包括处理室。基座可位于处理室内。基座可以在等离子体处理期间支撑衬底(诸如半导体晶圆)。聚焦环可以围绕在基座上的衬底的外围，并且可以用于例如减少在衬底外围处或者其附近的等离子体处理中的不均匀性(例如，蚀刻速率)。
根据本公开的示例性方面，聚焦环可以具有顶部表面和相对的底部表面。聚焦环可以包括在聚焦环的底部表面上的多个间隔开的狭槽(例如，三个间隔开的狭槽)。狭槽可以径向延伸穿过聚焦环的底部表面的至少一部分。狭槽可以与位于上部环结构的顶部表面上的相应突起(例如，销)接合，该上部环结构与处理设备中的基座相关联。在一些实施例中，上部环结构可以由石英材料或者其他材料形成，其在处理过程中由于其低热膨胀系数而基本上不改变其形状。
本公开的示例性方面可以具有许多技术效果和益处。例如，在处理期间，随着聚焦环被加热和膨胀，在聚焦环的底部表面上的均匀间隔的狭槽沿着位于上部环结构的顶部表面中的相应突起径向膨胀。结果，聚焦环在处理期间保持与衬底大致同心。这可以导致改善的处理的均匀性，诸如改善的在半导体衬底外围处的蚀刻速率的均匀性。
在一些实施例中，基座组件可以包括各种部件，其被设计成防止与基座部件(例如，圆盘和基板结构)和围绕基座部件的绝缘体接触。作为一个示例，基座组件可以包括具有外径配准表面的底部绝缘体，该外径配准表面略微延伸超过基座基板结构的外径。基座组件可以包括具有配准表面的内绝缘环、外绝缘环、上部环结构和/或聚焦环，所述配准表面配置成减小和/或防止绝缘体与基板结构和圆盘的垂直表面之间的接触。这可以导致改善的在处理期间由基座组件支撑的衬底上的处理的均匀性(例如，蚀刻速率)。
本公开的各方面可以提供对等离子体处理设备的增强。例如，本公开的一个示例性实施例涉及等离子体处理设备。等离子体处理设备包括具有处理室内部的处理室。等离子体处理设备包括等离子体源，该等离子体源配置成在处理室内部诱导等离子体。例如，在一些实施例中，等离子体源可以包括电感耦合元件，该电感耦合元件配置成在处理室内部中诱导大量电感等离子体。
等离子体处理设备可以包括基座，该基座配置成在处理衬底期间支撑处理室内部中的衬底。该装置包括聚焦环，该聚焦环配置成当衬底被支撑在基座上时围绕衬底的外围设置。聚焦环具有多个均匀间隔开的狭槽。每个狭槽可以配置成与位于基座上的相应突起接合。
在一些实施例中，每个狭槽沿着聚焦环的底部表面的至少一部分径向延伸。每个狭槽可以均匀地间隔开，使得在处理过程中的聚焦环的热膨胀期间，聚焦环保持与衬底同心。在一些实施例中，多个均匀间隔开的狭槽包括三个均匀间隔开的狭槽。
在一些实施例中，每个突起位于与基座相关联的上部环结构上，诸如上部环结构的顶部表面。上部环结构可以包括热膨胀系数小于与聚焦环相关的热膨胀系数的材料。例如，在一些实施例中，上部环结构可以是石英材料。在一些实施例中，每个突起是销。
本公开的另一示例性实施例涉及一种聚焦环。聚焦环可以用于例如等离子体处理设备。聚焦环可具有顶部表面和相对的底部表面。聚焦环可以包括设置在底部表面上的多个均匀间隔的径向延伸的狭槽。
在一些实施例中，聚焦环可以是基本上环形的。聚焦环可以包括三个均匀间隔的径向延伸的狭槽。在一些实施例中，每个狭槽可以径向延伸穿过底部表面的至少一部分。在一些实施例中，每个狭槽延伸到聚焦环的外围。
本公开的又一示例性实施例涉及一种基座组件。基座组件可以用在例如等离子体处理设备中。基座组件可以包括：圆盘，配置成支撑衬底；以及基板结构，配置成支撑圆盘。基座组件可以包括底部绝缘体，该底部绝缘体具有外径配准表面，该外径配准表面延伸超过基板结构的外径。基座组件可以包括至少部分地围绕基板结构的内绝缘环。绝缘环可以具有内径配准表面，该内径配准表面配置成接触底部绝缘体的外径配准表面。
在一些实施例中，基座组件包括外绝缘环。内绝缘环可以包括第一外径配准表面，该第一外径配准表面配置成接触与基座组件的外绝缘环相关联的内径配准表面。基座组件可以包括围绕圆盘的至少一部分设置的上部环结构。绝缘环可以具有第二外径配准表面，该第二外径配准表面配置成接触与上部环结构相关联的内径配准表面。
在一些实施例中，上部环结构可具有外径配准表面，该外径配准表面配置成接触与聚焦环相关联的内径配准表面。在一些实施例中，内绝缘环不接触基板结构的垂直表面。
在一些实施例中，上部环结构包括多个均匀间隔的突起。多个均匀间隔的突起中的每一个可以配置成接合形成在聚焦环的底部表面中的多个均匀间隔的狭槽中的一个。多个均匀间隔的突起可以包括销。上部环结构是石英材料。多个均匀间隔的突起包括三个均匀间隔的突起。
出于说明和讨论的目的，参考“工件”、“衬底”或者“晶圆”讨论了本公开的各方面。使用本文提供的公开内容，本领域普通技术人员将理解，本公开的示例性方面可以与任何半导体衬底或者其他合适的衬底或者工件结合使用。另外，术语“大约”与数值的结合使用旨在表示在所述数值的10％范围以内。
图1描绘了根据本公开的示例性实施例的等离子体处理设备100。出于说明和讨论的目的，参考在图1中描绘的等离子体处理设备100讨论本公开的各方面。使用本文提供的公开内容，本领域普通技术人员将理解，在不偏离本公开的范围的情况下，本公开的示例性方面可以与其他处理工具和/或设备(诸如等离子体条带工具、热处理工具等)一起使用。
等离子体处理设备100包括限定内部空间102的处理室。基座组件104用于在内部空间102内支撑衬底106(诸如半导体晶圆)。电介质窗110位于衬底支架104上方并且用作处理室的顶板。电介质窗110包括相对平坦的中央部分112和成角度的外围部分114。电介质窗110包括位于中央部分112中的用于喷头120的空间，以将处理气体供给到内部空间102中。
设备100还包括多个电感元件，诸如初级电感元件130和次级电感元件140，用于在内部空间102中产生电感等离子体。电感元件130、140可以包括线圈或者天线元件，当被提供RF功率时，该线圈或者天线元件在等离子体处理设备100的内部空间102中的处理气体中诱导出等离子体。例如，第一RF发生器160可以配置成通过匹配网络162向初级电感元件130提供电磁能量。第二RF发生器170可以配置成通过匹配网络172向次级电感元件140提供电磁能量。
虽然本公开参考了初级电感元件和次级电感元件，但是本领域普通技术人员应该理解，术语“初级”和“次级”仅用于方便目的。次级电感元件可以独立于初级电感元件操作。初级电感元件可以独立于次级电感元件操作。另外，在一些实施例中，等离子体处理设备可以仅具有单个电感耦合元件。
根据本公开的各个方面，设备100可以包括围绕次级电感元件140设置的金属罩部分152。金属罩部分152将初级电感元件130和次级电感元件140分开以减少在电感元件130和140之间的串扰。设备100可以进一步包括设置在初级电感元件130与电介质窗110之间的第一法拉第罩154。第一法拉第罩154可以是开狭槽金属罩，其减少在初级电感元件154与处理室102之间的电容耦合。如图所示，第一法拉第罩154可以配合在电介质罩110的成角度部分上。
在一些实施例中，金属罩152和第一法拉第罩154可以形成单一主体150，以便于制造和其他目的。初级电感元件130的多匝线圈可以位于单一主体金属罩/法拉第罩150的法拉第罩部分154附件。次级电感元件140可以位于金属罩/法拉第罩单一主体150的金属罩部分152附近，诸如在金属罩部分152和电介质窗110之间。
将初级电感元件130和次级电感元件140布置在金属罩152的相对侧上允许初级电感元件130和次级电感元件140具有不同的结构配置并且执行不同的功能。例如，初级电感元件130可以包括位于邻近处理室的外围部分的多匝线圈。初级电感元件130可以用于在固有瞬态点火阶段期间的基本等离子体的产生和可靠启动。初级电感元件130可以耦合到RF发生器和自动调谐匹配网络，并且可以在增加的RF频率下操作，诸如大约13.56MHz。
次级电感元件140可以用于校正和支持功能，并且用于在稳态操作期间改善等离子体的稳定性。由于次级电感元件140可主要用于校正和支持功能并且在稳态操作期间改善等离子体的稳定性，因此次级电感元件140不必耦合到与第一电感元件130一样强大的RF发生器，并且可以设计成不同的且具有成本效益以克服与先前设计相关的困难。如下面详细讨论的，次级电感元件140也可以在较低频率下操作，诸如大约2MHz，允许次级电感元件140非常紧凑并且配合在电介质窗顶部的有限空间中。
初级电感元件130和次级电感元件140可以以不同的频率操作。频率可以充分地不同，以减少在初级电感元件130与次级电感元件140之间的等离子体中的串扰。例如，施加到初级电感元件130的频率可以是施加到次级电感元件140的频率的至少大约1.5倍。在一些实施例中，施加到初级电感元件130的频率可以是大约13.56MHz，并且施加到次级电感元件140的频率可以在大约1.75MHz到大约2.15MHz的范围内。也可以使用其他合适的频率，诸如大约400kHz、大约4MHz和大约27MHz。虽然参考初级电感元件130相对于次级电感元件140以更高的频率操作来讨论本公开，但是使用本文提供的公开内容，本领域普通技术人员应当理解在不脱离本公开的范围的情况下，次级电感元件140可以以更高的频率操作。
次级电感元件140可以包括平面线圈142和磁通量集中器144。磁通量集中器144可由铁氧体材料制成。使用具有适当线圈的磁通量集中器可以提供高的等离子体耦合以及次级电感元件140的良好能量传递效率，并且可以显著减少其与金属罩150的耦合。使用较低频率(诸如大约2MHz)，可以在次级电感元件140上增加表层，这也改善了等离子体的加热效率。
根据本公开的各个方面，不同的电感元件130和140可以承担不同的功能。具体地，初级电感元件130可以用于执行点火期间产生等离子体，并且为次级电感元件140提供足够的灌注的基本功能。初级电感元件130可以耦合到等离子体和接地罩以稳定等离子体的势能。与第一电感元件130相关联的第一法拉第罩154避免窗溅射并且可以用于提供与地面的耦合。
可以在由初级电感元件130提供的良好等离子体灌注的存在下操作额外线圈，并且因此优选地具有良好的等离子体耦合和对等离子体的良好能量传递效率。包括磁通量集中器144的次级电感元件140提供磁通量到等离子体体积的良好传递，并且同时提供次级电感元件140与周围金属罩150的良好去耦。磁通量集中器144的使用和次级电感元件140的对称驱动进一步减小了在线圈端与周围接地元件之间的电压幅度。这可以减少圆顶的溅射，但是同时为等离子体提供一些小的电容耦合，这些小的电容耦合可以用于辅助点火。在一些实施例中，第二法拉第罩可以与该次级电感元件140结合使用，以减小次级电感元件140的电容耦合。
图2描绘了基座组件104的对应于图1的窗200的一部分的放大视图。如图所示，基座组件104可以包括圆盘202，圆盘202配置成支撑衬底106(诸如半导体晶圆)。在一些实施例中，圆盘202可以包括静电卡盘，该静电卡盘具有一个或多个夹持电极，夹持电极配置成经由静电电荷保持衬底。圆盘202还可以包括温度调节系统(例如，流体通道、电加热器等)，其可以用于控制衬底106上的温度分布。
基座组件104可以包括各种其他结构元件。例如，基座104可以包括基板结构204，基板结构204具有配置成支撑圆盘202的一个或多个基座基板。基座组件104可以包括围绕基座基板204设置的内绝缘环208和外绝缘环206。
基座104还可以包括上部环结构220。上部环结构220可以围绕圆盘202的至少一部分设置。上部环结构220可以设置在外绝缘环206的顶部上。上部环结构220可以由具有低热膨胀系数的材料形成。例如，上部环结构220可以是石英材料。
如图2中所示，聚焦环210可以相对于基座104设置，使得聚焦环210围绕衬底106。聚焦环210可以与衬底106同心设置，使得聚焦环210的中心(例如，由聚焦环210限定的内部空间的中心)对应于衬底106的中心(例如，距衬底中心大约20mm，诸如距衬底中心大约10mm，诸如大约离衬底中心5毫米)。
根据本公开的示例性方面，聚焦环210可以包括在处理衬底106期间帮助聚焦环210相对于衬底106保持同心的特征。例如，聚焦环210可以包括均匀间隔的径向延伸的狭槽215，该狭槽215配置成接合从上部环结构220延伸的突起225(例如，销)。
更具体地，图3描绘了聚焦环210的底部表面的立体图。如图所示，聚焦环210的底部表面包括围绕聚焦环210的底部表面的三个均匀间隔的狭槽215。图3中示出了三个均匀间隔的狭槽215。在等离子体处理(诸如等离子体蚀刻处理)过程中发生热膨胀的期间，三个均匀间隔的狭槽215可以提供改善的效果，以维持聚焦环210与衬底106同心。然而，使用本文提供的公开内容，本领域普通技术人员将理解在不偏离本公开的范围的情况下，聚焦环210可以包括更多的狭槽215。
图4描绘了聚焦环210的底部表面的一部分的放大视图，包括示例性狭槽215。如图所示，狭槽215沿径向方向延伸-从聚焦环的中心的方向径向延伸到聚焦环的外围-横跨聚焦环210的底部表面。如本文所使用的，当狭槽具有如图3中所示在从聚焦环210的中心216延伸到聚焦环的外围边缘218的半径限定的方向上延伸的尺寸(例如，长度尺寸或者宽度尺寸)时，狭槽径向地或者在径向方向上延伸。示例性径向方向由图3中的方向“r”限定。
参考图4，狭槽215在径向方向上延伸穿过聚焦环210的底部表面的一部分。狭槽215延伸穿过聚焦环210的底部表面的一部分，使得狭槽215延伸到聚焦环210的外围边缘218。如下面将详细讨论的，狭槽215可以具有配置成容纳和/或接合在与基座相关联的上部环结构中限定的突起的形状。
更具体地，图5描绘了根据本公开的示例性实施例的上部环结构220的顶部表面的立体图。如图所示，上部环结构220包括从上部环结构220的顶部表面延伸的多个均匀间隔的突起225(例如，销)。图5中描绘了三个均匀间隔的突起225。均匀间隔的突起225的数量可以对应于在聚焦环210的底部表面中限定的狭槽215的数量。
图6描绘了包括示例性突起225的上部环结构220的顶部表面的一部分的放大视图。突起225可以由与上部环结构220相同的材料(例如，石英材料)形成。突起225可以与上部环结构220成一体。如图所示，突起225在上部环结构220的外围边缘228处从上部环结构220延伸。根据本公开的示例性方面，突起225可以具有与限定在聚焦环210的底部表面中的狭槽215互补的形状和/或配置成与的狭槽215接合。
参考图2，在聚焦环210的热膨胀期间(例如，在等离子体蚀刻处理期间)，狭槽215将以均匀的方式引导聚焦环210沿突起225的膨胀，使得聚焦环210保持相对于聚焦环210同心。例如，上部环部分220可以是热膨胀系数小于聚焦环210的热膨胀系数的材料。在一些实施例中，上部环部分220的线性热膨胀系数可以在大约0.25至大约0.75的范围内，诸如大约0.55。在处理期间，聚焦环210将膨胀。然而，包括突起225的上部环部分220将相对于聚焦环210保持相对静止。
在膨胀期间，当狭槽215相对于突起225滑动时，上部环结构220中的突起225将引导聚焦环210的膨胀。狭槽215和突起225的均匀间隔将迫使聚焦环210以更均匀的方式膨胀。，使得聚焦环210保持与衬底106同心。这导致在处理衬底期间增加的处理的均匀性。例如，相对于聚焦环210的不均匀膨胀，可以改善衬底106外围处的蚀刻速率的均匀性。
图7描绘了根据本公开的示例性实施例的基座组件104的一部分的放大视图。如图所示，基座组件104可以包括圆盘202，圆盘202配置成支撑衬底106(诸如半导体晶圆)。在一些实施例中，圆盘202可以包括静电卡盘，该静电卡盘具有一个或多个夹持电极，夹持电极配置成经由静电电荷保持衬底。圆盘202还可以包括温度调节系统(例如，流体通道、电加热器等)，其可以用于控制衬底106上的温度分布。
基座组件104可以包括各种其他结构元件。例如，基座104可以包括基板结构204，基板结构204具有配置成支撑圆盘202的一个或多个基座基板。基座组件104可以包括围绕基座基板204设置的内绝缘环208和外绝缘环206。基座组件104可以包括位于基板结构204下方的底部绝缘体240。基座组件104还可以包括夹持环230和接地罩230。接地罩230可接地。
基座104还可以包括上部环结构220。上部环结构220可以围绕圆盘202的至少一部分设置。上部环结构220可以设置在外绝缘环206的顶部上。上部环结构220可以由具有低热膨胀系数的材料形成。例如，上部环结构220可以是石英材料。聚焦环210可以设置在环结构的顶部上，使得聚焦环210围绕衬底106。
根据本公开的示例性方面，基座组件104的部件可以包括各种配准表面，使得内绝缘环208不接触基板结构204的任何垂直表面。此外，上部环结构210以及聚焦环220不接触圆盘202的任何垂直表面。这可以在处理衬底106期间导致改善的处理的均匀性。
更具体地，底部绝缘体240可以包括外径配准表面242，其稍微延伸超过基板结构204的外径。内绝缘环208包括内径配准表面212，其配置成接合或者接触底部绝缘体240的外径配准表面242。
内绝缘环208还可以包括第一外径配准表面216。第一外径配准表面216可以配置成接触或者接合与外绝缘环206相关联的内径配准表面214。内绝缘环208还可以包括第二外径配准表面222。第二外径配准表面222可以配置成接合或者接触与上部环结构210相关联的内径配准表面224。
上部环结构210可以包括外径配准表面226。外径配准表面226可以配置成接合或者接触与聚焦环220相关联的内径配准表面228。这样，内绝缘环208、上部环结构210和聚焦环220避免与基板结构204和圆盘202的垂直表面接触。
在不脱离在所附权利要求中更具体地阐述的本发明的精神和范围的情况下，本领域普通技术人员可以实施对本发明的这些和其他修改和变型。另外，应该理解，各种实施例的各方面可以全部或者部分地互换。此外，本领域普通技术人员将理解，前面的描述仅是示例性的，并且不旨在限制在所附权利要求中进一步描述的本发明。

Claims (20)

1.一种等离子处理设备，包括
处理室，具有处理室内部；
等离子体源，配置成在所述处理室内部诱导等离子体；
基座，配置成在衬底的处理期间将所述衬底支撑在所述处理室内部；
聚焦环，配置成当所述衬底支撑在所述基座上时围绕所述衬底的周边设置；
其中所述聚焦环具有多个间隔开的狭槽，每个狭槽配置成与位于所述基座上的相应突起接合。
2.根据权利要求1所述的设备，其中每个狭槽沿着所述聚焦环的底部表面的至少一部分径向延伸。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个间隔开的狭槽均匀地间隔开，使得在处理过程中所述聚焦环的热膨胀期间，所述聚焦环保持与所述衬底同心。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述多个均匀地间隔开的狭槽包括三个均匀地间隔开的狭槽。
5.根据权利要求1所述的设备，其中每个突起位于与所述基座相关联的上部环结构上。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述上部环结构包括具有热膨胀系数小于与所述聚焦环相关联的热膨胀系数的材料。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述上部环结构包括石英材料。
8.根据权利要求1所述的设备，其中每个突起是销。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述等离子体源包括电感耦合元件，所述电感耦合元件配置为在所述处理室内部大量地诱导电感等离子体。
10.一种聚焦环，所述聚焦环包括：
顶部表面；
底部表面，与所述顶部表面相对；
多个均匀间隔的狭槽，设置在所述底部表面上。
11.根据权利要求10所述的聚焦环，其中所述聚焦环包括三个均匀间隔的径向延伸的狭槽。
12.根据权利要求10所述的聚焦环，其中每个狭槽径向延伸穿过所述底部表面的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的聚焦环，其中每个狭槽延伸到所述聚焦环的周边。
14.根据权利要求10所述的聚焦环，其中所述多个狭槽中的每一个配置成与从上部环结构延伸的突起配合，所述上部环结构与基座相关联，所述基座配置成将衬底支撑在处理设备中。
15.一种用于处理设备的基座组件，所述基座组件包括：
圆盘，配置成支撑衬底；
基板结构，配置成支撑所述圆盘；
底部绝缘体，包括外径配准表面，所述外径配准表面延伸超过所述基板结构的外径；
内绝缘环，至少部分地围绕所述基板结构，所述绝缘环具有内径配准表面，所述内径配准表面配置成接触所述底部绝缘体的所述外径配准表面。
16.根据权利要求15所述的基座组件，其中所述基座组件包括外绝缘环，所述内绝缘环包括第一外径配准表面，所述第一外径配准表面配置成接触与所述基座组件的所述外绝缘环相关联的内径配准表面。
17.根据权利要求15所述的基座组件，其中所述基座组件包括围绕所述圆盘的至少一部分设置的上部环结构。
18.根据权利要求17所述的基座组件，其中所述绝缘环具有第二外径配准表面，所述第二外径配准表面配置成接触与所述上部环结构相关联的内径配准表面。
19.根据权利要求17所述的基座组件，其中所述上部环结构具有外径配准表面，所述外径配准表面配置成接触与聚焦环相关联的内径配准表面。
20.根据权利要求19所述的基座组件，其中所述内绝缘环不接触所述基板结构的垂直表面。
CN201880021041.5A 2017-03-31 2018-03-27 用于等离子体处理设备的基座组件 Active CN110462781B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762479483P 2017-03-31 2017-03-31
US62/479,483 2017-03-31
PCT/US2018/024442 WO2018183243A1 (en) 2017-03-31 2018-03-27 Pedestal assembly for plasma processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110462781A true CN110462781A (zh) 2019-11-15
CN110462781B CN110462781B (zh) 2022-03-11

Family

ID=63671745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880021041.5A Active CN110462781B (zh) 2017-03-31 2018-03-27 用于等离子体处理设备的基座组件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11195704B2 (zh)
JP (2) JP7065875B2 (zh)
KR (1) KR102251664B1 (zh)
CN (1) CN110462781B (zh)
TW (1) TWI762609B (zh)
WO (1) WO2018183243A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114823265A (zh) * 2021-01-19 2022-07-29 Psk有限公司 法拉第屏蔽罩与处理基板的设备

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018140126A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 株式会社三洋物産 遊技機
JP2018140123A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 株式会社三洋物産 遊技機
JP2018140124A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 株式会社三洋物産 遊技機
JP7065875B2 (ja) * 2017-03-31 2022-05-12 マトソン テクノロジー インコーポレイテッド プラズマ処理装置のためのペデスタルアセンブリ
JP7359000B2 (ja) * 2020-01-20 2023-10-11 東京エレクトロン株式会社 基板を処理する装置、及び基板を処理する方法
JP7530807B2 (ja) 2020-11-13 2024-08-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理システム及びエッジリングの位置合わせ方法
CN112435913B (zh) * 2020-11-23 2024-04-12 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及其下电极
KR102464460B1 (ko) * 2020-12-22 2022-11-09 (주)원세미콘 반도체 식각장치의 플라즈마 쉬라우드 링 및 그 체결방법
KR102491002B1 (ko) * 2021-06-28 2023-01-27 세메스 주식회사 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치
CN114975056A (zh) * 2021-09-08 2022-08-30 北京屹唐半导体科技股份有限公司 用于清洁等离子体加工设备的聚焦环的导电构件
EP4148774A1 (en) * 2021-09-08 2023-03-15 Mattson Technology, Inc. Conductive member for cleaning focus ring of a plasma processing apparatus
CN115799034A (zh) * 2022-12-01 2023-03-14 拓荆科技股份有限公司 具有聚焦环的下电极组件及半导体沉淀设备

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020036065A1 (en) * 2000-08-22 2002-03-28 Takayuki Yamagishi Semiconductor processing module and apparatus
US20030000647A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber
US6521292B1 (en) * 2000-08-04 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Substrate support including purge ring having inner edge aligned to wafer edge
WO2004027815A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-01 Lam Research Corporation Plasma apparatus with device for reducing polymer deposition on a substrate and method for reducing polymer deposition
US20050061447A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma etching apparatus
CN101150044A (zh) * 2006-09-19 2008-03-26 东京毅力科创株式会社 聚焦环和等离子体处理装置
CN102124820A (zh) * 2008-08-19 2011-07-13 朗姆研究公司 用于静电卡盘的边缘环
CN102187741A (zh) * 2008-10-31 2011-09-14 朗姆研究公司 等离子体处理腔室的下电极组件
JP2013125823A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Toshiba Corp エッチング装置およびフォーカスリング
US20150107773A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN104701126A (zh) * 2013-12-10 2015-06-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置以及聚焦环

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6022809A (en) 1998-12-03 2000-02-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite shadow ring for an etch chamber and method of using
US6466426B1 (en) 1999-08-03 2002-10-15 Applied Materials Inc. Method and apparatus for thermal control of a semiconductor substrate
US7381293B2 (en) 2003-01-09 2008-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Convex insert ring for etch chamber
KR101141488B1 (ko) 2003-03-21 2012-05-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리중의 기판이면(裏面) 증착 감소방법 및 장치
KR20050074701A (ko) * 2004-01-14 2005-07-19 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 포커스링 고정장치
US7338578B2 (en) 2004-01-20 2008-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Step edge insert ring for etch chamber
KR20060018338A (ko) * 2004-08-24 2006-03-02 동부아남반도체 주식회사 웨이퍼 고정용 정전척
JP2005154271A (ja) 2005-02-07 2005-06-16 Atsumi Yamamoto 合わせガラス
WO2010090948A1 (en) 2009-02-04 2010-08-12 Mattson Technology, Inc. Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate
JP5429796B2 (ja) 2009-08-25 2014-02-26 キヤノンアネルバ株式会社 マスク位置合わせ機構及びマスク位置合わせ方法並びに真空処理装置
US8415884B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-09 Tokyo Electron Limited Stable surface wave plasma source
JP5514310B2 (ja) * 2010-06-28 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US9443753B2 (en) 2010-07-30 2016-09-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber
KR101927821B1 (ko) 2010-12-17 2019-03-13 맷슨 테크놀로지, 인크. 플라즈마 처리를 위한 유도 결합 플라즈마 소스
JP2012151414A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Toshiba Corp プラズマ処理装置
US9679751B2 (en) * 2012-03-15 2017-06-13 Lam Research Corporation Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching
WO2013181140A2 (en) 2012-05-30 2013-12-05 Mattson Technology, Inc. Method for forming microlenses
JP5893516B2 (ja) 2012-06-22 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理装置及び被処理体の載置台
US9245761B2 (en) * 2013-04-05 2016-01-26 Lam Research Corporation Internal plasma grid for semiconductor fabrication
JP2015065024A (ja) 2013-09-25 2015-04-09 株式会社ニコン プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および環状部材
US10910195B2 (en) * 2017-01-05 2021-02-02 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
JP7065875B2 (ja) 2017-03-31 2022-05-12 マトソン テクノロジー インコーポレイテッド プラズマ処理装置のためのペデスタルアセンブリ

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521292B1 (en) * 2000-08-04 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Substrate support including purge ring having inner edge aligned to wafer edge
US20020036065A1 (en) * 2000-08-22 2002-03-28 Takayuki Yamagishi Semiconductor processing module and apparatus
US20030000647A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber
WO2004027815A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-01 Lam Research Corporation Plasma apparatus with device for reducing polymer deposition on a substrate and method for reducing polymer deposition
US20050061447A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma etching apparatus
CN101150044A (zh) * 2006-09-19 2008-03-26 东京毅力科创株式会社 聚焦环和等离子体处理装置
CN102124820A (zh) * 2008-08-19 2011-07-13 朗姆研究公司 用于静电卡盘的边缘环
CN102187741A (zh) * 2008-10-31 2011-09-14 朗姆研究公司 等离子体处理腔室的下电极组件
JP2013125823A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Toshiba Corp エッチング装置およびフォーカスリング
US20150107773A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN104701126A (zh) * 2013-12-10 2015-06-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置以及聚焦环

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114823265A (zh) * 2021-01-19 2022-07-29 Psk有限公司 法拉第屏蔽罩与处理基板的设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190112826A (ko) 2019-10-07
CN110462781B (zh) 2022-03-11
US20180286639A1 (en) 2018-10-04
WO2018183243A1 (en) 2018-10-04
TW201838484A (zh) 2018-10-16
TWI762609B (zh) 2022-05-01
JP2021145139A (ja) 2021-09-24
JP7065875B2 (ja) 2022-05-12
JP2020512699A (ja) 2020-04-23
US11195704B2 (en) 2021-12-07
JP7239637B2 (ja) 2023-03-14
KR102251664B1 (ko) 2021-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110462781A (zh) 用于等离子体处理设备的基座组件
US10170279B2 (en) Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
TWI697951B (zh) 透過邊緣局部的離子軌跡控制與電漿操作之極限邊緣鞘及晶圓輪廓調整
TWI618455B (zh) 用於電漿處理之感應耦合電漿源
KR20170021747A (ko) 웨이퍼의 선단 에지에서의 피처 프로파일 틸팅을 개선하기 위한 에지 링 어셈블리
KR102332189B1 (ko) 플라즈마 처리 장치를 위한 냉각된 포커스 링
JP2018014337A (ja) 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）リアクタの電力堆積制御
WO2015103521A1 (en) High efficiency inductively coupled plasma source with customized rf shield for plasma profile control
KR20140050560A (ko) 플라즈마 처리 장치
CN104217914B (zh) 等离子体处理装置
CN115295386A (zh) 支承单元和包括该支承单元的基板处理装置
CN106711007B (zh) 一种感应耦合型等离子体处理装置
KR20160123388A (ko) 플라즈마 처리 챔버에서의 에칭 프로세스의 방위 방향 균일성 제어
CN105789011B (zh) 感应耦合型等离子体处理装置
TW201525184A (zh) 電漿體處理裝置
US20230071494A1 (en) Conductive Member for Cleaning Focus Ring of a Plasma Processing Apparatus
KR20210112412A (ko) 플라즈마 처리 장치 내의 각을 이룬 인젝터를 갖는 가스 공급부
KR20230007953A (ko) 플라즈마 처리 장치용 리프트 핀 조립체
EP4148774A1 (en) Conductive member for cleaning focus ring of a plasma processing apparatus
KR20130019935A (ko) 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리 장치
TW202420383A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
CN116711466A (zh) 用于等离子体处理装置的感应线圈组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20191108

Address after: California, USA

Applicant after: Mattson Technology Co., Ltd.

Applicant after: Beijing Yitang Semiconductor Technology Co., Ltd.

Address before: California, USA

Applicant before: Mattson Technology Co., Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: California, USA

Applicant after: MATTSON TECHNOLOGY, Inc.

Applicant after: Beijing Yitang Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Address before: California, USA

Applicant before: MATTSON TECHNOLOGY, Inc.

Applicant before: Beijing Yitang Semiconductor Technology Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: California, USA

Applicant after: MATTSON TECHNOLOGY, Inc.

Applicant after: Beijing Yitang Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Address before: California, USA

Applicant before: MATTSON TECHNOLOGY, Inc.

Applicant before: Beijing Yitang Semiconductor Technology Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant