KR102491002B1 - 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치 - Google Patents

링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 링 부재가 수납되는 용기가 놓이는 로드 포트, 제1핸드를 가지는 제1반송 로봇이 제공된 상압 이송 모듈, 제2핸드를 가지는 제2반송 로봇이 제공된 진공 이송 모듈, 상기 상압 이송 모듈과 상기 진공 이송 모듈 사이에 배치되며, 내부 공간이 상압, 그리고 진공 간에 변환 가능한 로드락 챔버 및 상기 진공 이송 모듈에 결합되어 기판을 플라즈마 처리하는 공정 챔버를 포함하되, 상기 공정 챔버는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 처리 공간 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 상기 처리 공간 내부에 공급된 상기 공정 가스를 여기시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은 기판이 놓이는 지지체, 상기 지지체에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며, 상기 지지체로부터 착탈 가능하게 제공되는 상기 링 부재를 포함하며, 상기 링 부재는 환형의 링 형상을 가지고, 상기 링 부재가 상기 용기에 놓일 때, 상기 링 부재가 설정 위치로 정렬되도록 상기 링 부재의 하면에 정렬부가 형성될 수 있다.

Description

링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치{A RING MEMBER AND AN APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE WITH THE RING MEMBER}
본 발명은 링 부재 및 이를 가지는 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화 된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도, 강한 전계, 또는 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 등의 기판 상에 형성된 박막을 제거하는 에칭 공정(Etching Process)을 포함할 수 있다. 에칭 공정은 플라즈마의 이온 및/또는 라디칼들이 기판 상의 박막과 충돌하거나, 박막과 반응하여 수행된다.
플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 어셈블리, 그리고 기판을 처리하는 가스로부터 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스를 가진다. 지지 어셈블리는 정전기력으로 기판을 고정하는 정전 척과 정전 척에 안착된 기판의 외주를 둘러싸는 포커스 링을 포함한다. 포커스 링은 기판 표면 상에서 플라즈마를 균일성 높게 분포시킨다. 기판에 대한 에칭이 반복적으로 행해지면, 포커스 링도 함께 에칭되며, 이로 인해 포커스 링의 형상은 점차 변화된다. 이러한 포커스 링의 형상 변화에 따라 이온 및/또는 라디칼이 기판에 입사하는 방향이 변화되어 기판에 대한 에칭 특성이 변화된다. 따라서, 기판에 대한 에칭 처리가 반복 수행되는 경우, 또는 포커스 링의 형상이 변화되어 허용 범위 밖에 있는 경우에는 포커스 링에 대한 교체가 필요하다.
포커스 링의 교체는 반송 로봇이 사용된 포커스 링을 공정 챔버에서 반출하여 용기로 반입하고, 이후 용기에서 신규 포커스 링을 반출하여 공정 챔버로 반입한다. 반송 로봇이 신규 포커스 링을 공정 챔버 내의 원하는 위치에 적절히 안착시키기 위해서는, 반송 로봇이 용기에서 신규 포커스 링을 반출할 때, 정확한 위치에서 신규 포커스 링을 들어 올려야 한다. 용기에 수납된 신규 포커스 링의 위치가 정확하기 않으면, 신규 포커스 링이 공정 챔버 내에서 안착되는 위치가 정 위치에서 벗어난다. 이는 기판에 대한 에칭 특성의 정밀한 제어를 어렵게 한다.
본 발명은 용기 내에서 위치가 정렬될 수 있는 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정 챔버의 정확한 위치로 안착될 수 있는 링 부재 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 링 부재가 수납되는 용기가 놓이는 로드 포트, 제1핸드를 가지는 제1반송 로봇이 제공된 상압 이송 모듈, 제2핸드를 가지는 제2반송 로봇이 제공된 진공 이송 모듈, 상기 상압 이송 모듈과 상기 진공 이송 모듈 사이에 배치되며, 내부 공간이 상압, 그리고 진공 간에 변환 가능한 로드락 챔버 및 상기 진공 이송 모듈에 결합되어 기판을 플라즈마 처리하는 공정 챔버를 포함하되, 상기 공정 챔버는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 처리 공간 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 상기 처리 공간 내부에 공급된 상기 공정 가스를 여기시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은 기판이 놓이는 지지체, 상기 지지체에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며, 상기 지지체로부터 착탈 가능하게 제공되는 상기 링 부재를 포함하며, 상기 링 부재는 환형의 링 형상을 가지고, 상기 링 부재가 상기 용기에 놓일 때, 상기 링 부재가 설정 위치로 정렬되도록 상기 링 부재의 하면에 정렬부가 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 정렬부는 상기 링 부재의 하면으로부터 상면을 향해 인입되어 형성되되, 상기 정렬부의 높이는 상기 링 부재의 높이보다 낮을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 링 부재는 상기 정렬부가 상기 용기에 제공되는 정렬 핀에 삽입되어 상기 설정 위치로 정렬될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 링 부재의 내주면은 플랫 존(Flat Zone)을 포함하고, 상기 정렬부는 복수 개가 제공되며, 상기 플랫 존은 상기 정렬부 사이에 배치될 수 있다.
플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정 챔버에 제공되는 링 부재를 제공한다. 링 부재는 상기 기판의 둘레를 감싸도록 환형의 링 형상을 가지고, 상기 링 부재를 수납하는 용기에 상기 링 부재가 놓일 때, 상기 링 부재가 설정 위치로 정렬되도록 상기 링 부재의 하면에 정렬부가 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 정렬부는 홈으로 제공되고, 상기 링 부재는 상기 정렬부가 상기 용기에 제공되는 정렬 핀에 삽입되어 상기 설정 위치로 정렬될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 링 부재의 내주면은 플랫 존(Flat Zone)을 포함하고, 상기 정렬부는 복수 개가 제공되며, 상기 플랫 존은 상기 정렬부 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 용기 내에서 링 부재의 위치를 정렬할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 링 부재가 공정 챔버의 정확한 위치로 안착될 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 로드락 챔버의 모습을 보여주는 평단면도이다.
도 3은 도 1의 공정 챔버에 대한 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 공정 챔버에 제공되는 링 부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 링 부재를 정면에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 1의 용기를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 6의 용기를 정면에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 6의 정렬 핀을 확대한 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 6의 용기에 링 부재가 놓인 모습을 상부에서 바라본 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하에서는, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(10), 상압 이송 모듈(20), 진공 이송 모듈(30), 로드락 챔버(40), 그리고 공정 챔버(50)를 포함할 수 있다.
로드 포트(10)에는 용기(100)가 안착될 수 있다. 로드 포트(10)에 안착되는 용기(100) 중 일부는 후술하는 공정 챔버(50)로 반송되는 기판(예컨대, 웨이퍼)을 수납할 수 있다. 로드 포트(10)에 안착되는 용기(100) 중 다른 일부는 공정 챔버(50)로 반송되는 링 부재(R)를 수납할 수 있다. 로드 포트(10)에 안착되는 용기(100) 중 다른 일부는 링 부재(R), 그리고 링 부재(R)를 반송하는데 사용되는 캐리어(C)를 수납할 수 있다. 일 예로, 제1용기(100a)에는 기판(W)이 수납될 수 있고, 제2용기(100b)에는 링 부재(R)가 수납될 수 있다. 다른 예로, 제1용기(100a)에는 기판(W)이 수납될 수 있고, 제2용기(100b)에는 링 부재(R), 그리고 캐리어(C)가 함께 수납될 수 있다.
용기(100)는 용기 반송 장치에 의해 로드 포트(10)로 반송되어 로드 포트(10)에 로딩(Loading)되거나, 로드 포트(10)로부터 언로딩(Unloading)되어 반송될 수 있다. 용기 반송 장치는 천장 이송 장치(Overhead Transfer Apparatus, OHT), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)이 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 용기 반송 장치는 용기(100)를 반송하는 다양한 장치에 의해 반송될 수 있다. 선택적으로, 작업자가 용기(100)를 직접 로드 포트(10)에 로딩하거나, 로드 포트(10)에 안착된 용기(100)를 로드 포트(10)로부터 언로딩할 수 있다.
상압 이송 모듈(20)과 진공 이송 모듈(30)은 상부에서 바라볼 때, 제1방향(2)을 따라 배열될 수 있다. 이하에서는, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(2)과 수직한 방향을 제2방향(4)으로 정의한다. 또한, 제1방향(2)과 제2방향(4)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(6)으로 정의한다. 여기서 제3방향(6)은 지면에 대해 수직한 방향이다.
상압 이송 모듈(20)은 용기(100)와 후술하는 로드락 챔버(40) 간에 기판(W) 또는 링 부재(R)를 선택적으로 반송할 수 있다. 예를 들어, 상압 이송 모듈(20)은 용기(100)로부터 후술하는 공정 챔버에 사용될 새로운 링 부재(R)를 인출하여 로드락 챔버(40)로 반송하거나, 로드락 챔버(40)로부터 공정 챔버에서 사용된 링 부재(R)를 인출하여 용기(100)로 반송할 수 있다. 상압 이송 모듈(20)은 반송 프레임(220)과 제1반송 로봇(240)을 포함할 수 있다. 반송 프레임(220)은 로드 포트(10)와 로드락 챔버(40) 사이에 제공될 수 있다. 즉, 반송 프레임(220)에는 로드 포트(10)가 접속될 수 있다. 반송 프레임(220)은 내부가 상압으로 제공될 수 있다. 반송 프레임(220)은 내부가 대기압 분위기로 유지될 수 있다.
반송 프레임(220)에는 제1반송 로봇(240)이 제공될 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 로드 포트(10)에 안착된 용기(100), 그리고 후술하는 로드락 챔버(40) 사이에서 기판(W) 또는 링 부재(R)를 선택적으로 반송할 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 수직 방향으로 이동할 수 있다. 제1반송 로봇(240)은 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전하는 제1반송 핸드(242)를 가질 수 있다. 제1반송 로봇(240)의 제1반송 핸드(242)는 적어도 하나 이상으로 제공될 수 있다. 제1반송 핸드(242) 상에 기판(W)이 놓일 수 있다. 선택적으로, 제1반송 핸드(242) 상에 링 부재(R)를 반송하는데 사용되는 캐리어(C)가 놓일 수 있다.
진공 이송 모듈(30)은 후술하는 로드락 챔버(40), 그리고 후술하는 공정 챔버(50) 사이에 배치될 수 있다. 진공 이송 모듈(30)은 트랜스퍼 챔버(320), 그리고 제2반송 로봇(340)을 포함할 수 있다.
트랜스퍼 챔버(320)는 내부 분위기가 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)에는 제2반송 로봇(340)이 제공될 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 트랜스퍼 챔버(320)의 내부 공간에 위치한다. 일 예로, 제2반송 로봇(340)은 트랜스퍼 챔버(320)의 중앙부에 위치될 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(50) 간에 기판(W) 또는 링 부재(R)를 선택적으로 반송할 수 있다. 선택적으로, 진공 이송 모듈(30)은 공정 챔버(50)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있다. 제2반송 로봇(340)은 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전을 하는 제2반송 핸드(342)를 가질 수 있다. 제2반송 로봇(340)의 제2반송 핸드(342)는 적어도 하나 이상으로 제공될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(320)에는 적어도 하나 이상의 후술하는 공정 챔버(50)가 접속될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)는 다각형의 형상으로 제공될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(320)의 둘레에는 로드락 챔버(40), 그리고 공정 챔버(50)가 배치될 수 있다. 일 예로, 도 1과 같이, 진공 이송 모듈(30)의 중앙부에 육각형 형상의 트랜스퍼 챔버(320)가 배치되고, 그 둘레에 로드락 챔버(40), 그리고 공정 챔버(50)가 배치될 수 있다. 다만, 트랜스퍼 챔버(320)의 형상 및 공정 챔버의 수는 사용자의 필요에 따라, 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220), 그리고 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(220)과 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 기판(W) 또는 링 부재(R)가 교환되는 버퍼 공간(B)을 제공한다. 일 예로, 공정 챔버(50)에 배치된 링 부재(R)의 교체를 위해, 로드락 챔버(40)에는 공정 챔버(50)에서 사용된 링 부재(R)가 일시적으로 머무를 수 있다. 일 예로, 공정 챔버(50)로 교체가 예정된 새로운 링 부재(R)의 반송을 위해, 로드락 챔버(40)에는 새로운 링 부재(R)가 일시적으로 머무를 수 있다.
상술한 바와 같이, 반송 프레임(220)은 내부 분위기가 대기압 분위기로 유지될 수 있으며, 트랜스퍼 챔버(320)는 내부 분위기가 진공압 분위기로 유지될 수 있다. 로드락 챔버(40)에는 도시되지 않은 진공 펌프, 그리고 밸브가 설치되어, 반송 프레임(220), 그리고 트랜스퍼 챔버(320) 사이에서 그 내부 분위기가 대기압 분위기와 진공압 분위기 사이에서 전환될 수 있다.
도 2는 도 1의 로드락 챔버를 개략적으로 보여주는 평단면도이다. 도 2를 참조하면, 로드락 챔버(40)는 하우징(420)과 지지 선반(440)을 포함할 수 있다. 하우징(420)은 기판(W) 또는 링 부재(R)가 놓이는 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(420)은 반송 프레임(220)과 트랜스퍼 챔버(320) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 하우징(420)에는 제1개구(422) 및 제2개구(423)가 형성될 수 있다. 제1개구(422)는 반송 프레임(220)과 마주보는 면에 제공되고, 게이트 밸브(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 제2개구(423)는 트랜스퍼 챔버(320)와 마주보는 면에 제공되고, 게이트 밸브(미도시)에 의해 개폐될 수 있다.
하우징(420)에는 하우징(420)의 내부 공간(421)으로 가스를 공급하는 가스 공급 홀(424)이 형성될 수 있다. 가스는 불활성 가스일 수 있다. 예컨대, 가스는 질소, 아르곤 등을 포함하는 가스일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 가스는 공지된 불활성 가스로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
하우징(420)에는 하우징(420)의 내부 공간(421)을 감압하는 감압 홀(425)이 형성될 수 있다. 감압 홀(425)은 감압 부재(미도시)와 연결될 수 있다. 감압 부재는 펌프일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 감압 부재는 내부 공간(421)을 감압시키는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
하우징(420)에 가스 공급 홀(424), 그리고 감압 홀(425)이 형성됨에 따라, 하우징(420)의 내부 공간의 압력은 대기압, 그리고 진공압 사이에서 전환될 수 있다.
내부 공간(421)에는 지지 선반(440)이 제공될 수 있다. 지지 선반(440)은 내부 공간(421)에서 기판(W) 또는 링 부재(R)를 지지할 수 있다. 링 부재(R)가 가지는 직경은 기판(W)의 직경보다 클 수 있다. 지지 선반(440)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 선택적으로, 지지 선반(440)은 복수로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지 선반(440)은 3개가 제공될 수 있다. 지지 선반(440)은 상부에서 바라볼 때, 서로 이격되어 제공될 수 있다. 복수의 지지 선반(440)은 서로 상하로 이격될 수 있다. 이로 인해, 내부 공간(421)에서 기판(W) 또는 링 부재(R)를 다층으로 지지할 수 있다.
각각의 지지 선반(440)은 지지 돌기(442)를 구비할 수 있다. 지지 돌기(442)는 링 부재(R)를 지지할 수 있다. 지지 돌기(442)의 상면에 링 부재(R)의 하면이 놓일 수 있다. 지지 돌기(442)는 그 단면에서 바라볼 때, 대체로 'ㄱ' 형상을 가질 수 있다. 지지 돌기(442)는 제1선반 패드(444), 그리고 제2선반 패드(446)를 포함할 수 있다.
제1선반 패드(444), 그리고 제2선반 패드(446)는 기판(W) 또는 링 부재(R)에 대하여 마찰성을 가지는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1선반 패드(444)와 제2선반 패드(446)는 탄소 충진된 폴리 에테르 에테르 케톤(Poly-Ether-Ether-Ketone, PEEK)과 같은 재질로 제공될 수 있다. 그러나, 제1선반 패드(444)와 제2선반 패드(446)의 재질로 PEEK가 이용되는 것은 일 예시에 불과하고, 이와 유사한 성질을 가지는 공지된 다른 재질로 다양하게 변형될 수 있다.
제1선반 패드(444)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 그 길이 방향이 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 제1선반 패드(444)는 제2선반 패드(446)보다 감압 홀(425)에 인접하게 배치될 수 있다. 제1선반 패드(444)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주보다 안쪽에 배치될 수 있다. 이로 인해, 제1선반 패드(444)는 기판(W)과 링 부재(R) 중 기판(W)을 지지할 수 있다.
제2선반 패드(446)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 그 길이 방향이 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 제2선반 패드(446)는 제1선반 패드(444)보다 감압 홀(425)으로부터 멀리 배치될 수 있다. 제2선반 패드(446)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 외주, 그리고 링 부재(R)의 내주보다 바깥 쪽에 배치되되, 링 부재(R)의 외주보다는 안쪽에 배치될 수 있다. 이로 인해, 제2선반 패드(446)는 기판(W)과 링 부재(R) 중 링 부재(R)를 지지할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(320)는 적어도 하나 이상의 공정 챔버(50)가 접속될 수 있다. 공정 챔버(50)는 복수 개로 제공될 수 있다. 공정 챔버(50)는 기판(W)에 대해 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버일 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(50)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상의 박막을 제거하는 에칭(Etching) 공정, 포토 레지스트 막을 제거하는 애싱(Ashing) 공정, 기판(W) 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 또는 드라이 클리닝 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 공정 챔버(50)에서 수행하는 플라즈마 처리 공정은 공지된 플라즈마 처리 공정으로 다양하게 변형될 수 있다.
도 3은 도 1의 공정 챔버에 대한 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 공정 챔버(50)는 기판(W)에 플라즈마를 전달하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 공정 챔버(50)는 하우징(510), 지지 유닛(520), 가스 공급 유닛(530), 그리고 플라즈마 소스(540)를 포함할 수 있다.
하우징(510)은 내부에 기판 처리 공간이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 하우징(510)은 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 기판(W)을 처리할 때, 하우징(510)의 처리 공간은 대체로 진공 분위기로 유지될 수 있다. 하우징(510)은 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 하우징(510)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(510)은 접지될 수 있다. 하우징(510)의 일 측에는 기판(W), 그리고 링 부재(R)가 반입 또는 반출되는 반입구(512)가 형성될 수 있다. 반입구(512)는 게이트 밸브(514)에 의해 선택적으로 개폐될 수 있다.
하우징(510)의 바닥면에는 배기 홀(516)이 형성될 수 있다. 배기 라인(560)은 배기 홀(516)에 연결될 수 있다. 배기 라인(560)은 배기 홀(516)을 통해 하우징(510)의 처리 공간에 공급된 공정 가스, 공정 부산물 등을 하우징(510)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 홀(516)의 상부에는 처리 공간에 대한 배기가 보다 균일하게 이루어질 수 있도록 하는 배기 배플(552)이 제공될 수 있다. 배기 배플(552)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 배기 배플(552)에는 적어도 하나 이상의 홀이 형성될 수 있다.
하우징(510)의 벽에는 히터(518)가 제공된다. 히터(518)는 하우징(510)의 벽을 가열한다. 히터(518)는 가열 전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 히터(518)는 가열 전원(미도시)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 히터(518)에서 발생된 열은 처리 공간으로 전달되어 처리 공간을 소정 온도로 유지시킨다. 히터(518)는 코일 형상의 열선으로 제공될 수 있다. 히터(518)는 하우징(510)의 벽에 복수 개가 제공될 수 있다.
지지 유닛(520)은 하우징(510)의 내부에 위치한다. 지지 유닛(520)은 하우징(510)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다. 지지 유닛(520)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(520)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함한다. 이와 달리, 지지 유닛(520)은 진공 흡착 방식 또는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 이하에서는 정전 척을 포함하는 지지 유닛(520)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(520)은 유전판(521), 냉각판(522), 절연판(523), 그리고 하부 바디(524)를 포함할 수 있다. 유전판(521)은 지지 유닛(520)의 상단부에 위치한다. 유전판(521)은 외부의 전원을 공급받아 기판(W)에 대해 정전기력을 작용한다. 유전판(521)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(521)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(521)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 기판(W)이 유전판(521) 상면에 놓일 때, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(521)의 외측에 위치한다. 유전판(521) 내에는 전극(525)과 히터(526)가 매설된다. 전극(525)은 히터(526)의 상부에 위치할 수 있다.
전극(525)은 제1전원(525a)과 전기적으로 연결된다. 제1전원(525a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 전극(525)과 제1전원(525a) 사이에는 스위치(525b)가 설치된다. 전극(525)은 스위치(525b)의 온/오프에 의해 제1전원(525a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(525b)가 온(ON) 되면, 전극(525)에는 직류 전류가 인가된다. 전극(525)에 인가된 전류에 의해 전극(525)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용한다. 이에 따라, 기판(W)은 유전판(521)에 흡착된다.
히터(526)는 제2전원(526a)과 전기적으로 연결된다. 히터(526)는 제2전원(526a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(521)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(526)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정의 온도로 유지될 수 있다. 히터(526)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. 히터(526)는 복수 개가 제공된다. 히터(526)는 유전판(521)의 서로 다른 영역에 각각 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(521)의 중앙 영역을 가열하는 히터(526)와 유전판(521)의 가장자리 영역을 가열하는 히터(526)가 각각 제공될 수 있고, 이들 히터(526)들은 서로 간에 독립적으로 제어될 수 있다.
상술한 예에서는 유전판(521) 내에 히터(526)가 제공되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 유전판(521) 내에 히터(526)가 제공되지 않을 수 있다.
냉각판(522)은 유전판(521)의 하부에 위치한다. 냉각판(522)은 원판 형상으로 제공될 수 있다. 냉각판(522)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 냉각판(522)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 냉각판(522)의 상부 중심 영역은 유전판(521)의 저면과 상응하는 면적을 가질 수 있다.
냉각판(522)의 내부에는 상부 유로(522a)가 제공될 수 있다. 상부 유로(522a)는 냉각판(522) 내부에 나선 형성으로 형성될 수 있다. 상부 유로(522a)는 냉각판(522)을 냉각할 수 있다. 상부 유로(522a)에는 냉각 유체가 공급될 수 있다. 일 예로, 냉각 유체는 냉각수로 제공될 수 있다.
냉각판(522)은 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각판(522)의 전 영역이 금속판으로 제공될 수 있다. 냉각판(522)은 제3전원(522b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3전원(525b)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. RF 전원은 하이 바이어스 파워 알에프(High Bias Power RF) 전원으로 제공될 수 있다. 냉각판(522)은 제3전원(525b)으로부터 고주파 전력을 인가받는다. 이로 인해, 냉각판(522)은 전극으로서 기능할 수 있다. 냉각판(522)은 접지되어 제공될 수 있다.
냉각판(522)의 하부에는 절연판(523)이 제공된다. 절연판(523)은 절연 재질로 제공되며, 냉각판(522)과 후술할 하부 바디(524)를 전기적으로 절연시킨다. 절연판(523)은 상부에서 바라볼 때, 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 절연판(523)은 냉각판(522)과 상응하는 면적으로 제공될 수 있다.
하부 바디(524)는 냉각판(522)의 하부에 제공된다. 하부 바디(524)는 절연판(523)의 하부에 제공될 수 있다. 하부 바디(524)는 상부에서 바라볼 때, 링 형상으로 제공될 수 있다. 하부 바디(524)의 내부 공간에는 후술하는 제1리프트 핀 모듈(570)과 후술하는 제2리프트 핀 모듈(580)이 위치할 수 있다.
하부 바디(524)는 연결 부재(524b)를 갖는다. 연결 부재(524b)는 하부 바디(524)의 외측면과 하우징(510)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(524b)는 하부 바디(524)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(524b)는 지지 유닛(520)을 하우징(510)의 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(524b)는 하우징(510)의 내측벽과 연결됨으로써, 하부 바디(524)가 전기적으로 접지(Grounding)되도록 한다. 제1전원(525a)과 연결되는 제1전원 라인(525c), 제2전원(526a)과 연결되는 제2전원 라인(526c), 제3전원과 연결되는 제3전원 라인(522c), 상부 유로(522a)와 연결되는 제1유체 공급 라인(522d), 그리고 하부 유로(524a)와 연결되는 제2유체 공급 라인(524d) 등은 연결 부재(524b)의 내부 공간을 통해 하우징(510)의 외부로 연장된다.
링 부재(R)는 지지 유닛(520)의 가장자리 영역에 배치된다. 링 부재(R)는 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가질 수 있다. 링 부재(R)는 내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이보다 더 낮은 형상을 가질 수 있다. 링 부재(R)의 내측 상면에는 기판(W)의 가장자리 영역의 하면이 놓일 수 있다. 또한, 링 부재(R)는 내측 상면과 외측 상면 사이에 기판(W)의 중심에서 기판(W)의 외측을 향하는 방향으로 상향 경사진 경사면을 가질 수 있다. 이로 인해, 기판(W)이 링 부재(R)의 내측 상면에 놓일 때, 놓이는 위치가 다소 부정확하더라도, 기판(W)이 링 부재(R)의 경사면을 따라 슬라이딩 되어 링 부재(R)의 내측 상면에 적절히 놓일 수 있다.
가스 공급 유닛(530)은 하우징(510)의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(530)은 가스 공급 노즐(532), 가스 공급 라인(534), 가스 저장부(536)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(532)은 하우징(510)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(532)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 하우징(510) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(534)은 가스 공급 노즐(532)과 가스 저장부(536)를 연결한다. 가스 공급 라인(534)은 가스 저장부(536)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(532)에 공급한다. 가스 공급 라인(534)에는 밸브(538)가 설치된다. 밸브(538)는 가스 공급 라인(534)을 개폐하여, 가스 공급 라인(534)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.
플라즈마 소스(540)는 하우징(510) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 실시예에서는, 플라즈마 소스로 용량 결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP)가 사용된다. 용량 결합형 플라즈마 소스는 하우징(510) 내부에 상부 전극 및 하부 전극을 포함할 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 하우징(510) 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 후술할 샤워 헤드 유닛(590)으로 제공되고, 하부 전극은 상술한 금속판으로 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 각각 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인해, 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 하우징(510) 내부에 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
제1리프트 핀 모듈(570)은 유전판(521)의 상면에 놓이는 링 부재(R)를 승강시킬 수 있다. 제1리프트 핀 모듈(570)은 제1리프트 핀(572), 그리고 제1핀 구동부(574)를 포함할 수 있다. 제1리프트 핀(572)은 유전판(521), 냉각판(522), 및/또는 절연판(523)에 형성된 핀 홀을 따라 상하 방향으로 이동할 수 있다. 제1리프트 핀(572)은 복수로 제공될 수 있다. 제1리프트 핀(572)은 상부에서 바라볼 때, 히터(526) 및 상부 유로(522a)와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 제1핀 구동부(574)는 제1리프트 핀(572)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 제1핀 구동부(574)는 복수로 제공될 수 있다. 제1핀 구동부(574)는 공압 또는 유압을 이용한 실린더 또는 모터일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 제1핀 구동부(574)는 구동력을 제공할 수 있는 다양한 공지된 장치로 제공될 수 있다.
제2리프트 핀 모듈(580)은 기판(W)을 승강시킬 수 있다. 제2리프트 핀 모듈(580)은 제2리프트 핀(582), 승강 플레이트(584), 그리고 제2핀 구동부(586)를 포함할 수 있다. 제2리프트 핀(582)은 승강 플레이트(584)에 결합될 수 있다. 승강 플레이트(584)는 제2핀 구동부(586)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다.
샤워 헤드 유닛(590)은 샤워 헤드(592), 가스 분사판(594), 그리고 지지부(596)를 포함할 수 있다. 샤워 헤드(592)는 하우징(510)의 상면에서 하부로 일정 거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분사판(594)과 하우징(510)의 상면 사이에 일정한 공간이 형성될 수 있다. 샤워 헤드(592)는 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(592)의 저면은 플라즈마에 의한 아크(arc) 발생을 방지하기 위해 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 샤워 헤드(592)의 단면은 지지 유닛(520)과 동일한 형상과 단면적을 갖도록 제공될 수 있다. 샤워 헤드(592)는 복수 개의 관통 홀(593)을 포함한다. 관통 홀(593)은 샤워 헤드(592)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 샤워 헤드(592)는 금속 재질을 포함할 수 있다. 샤워 헤드(592)는 제4전원(592a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4전원(592a)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 샤워 헤드(592)는 전기적으로 접지될 수 있다.
가스 분사판(594)은 샤워 헤드(592)의 상면에 위치할 수 있다. 가스 분사판(594)은 하우징(510)의 상면에서 일정 거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분사판(594)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분사판(594)에는 분사 홀(595)이 제공된다. 분사 홀(595)은 가스 분사판(594)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 분사 홀(595)은 샤워 헤드(592)의 관통 홀(593)과 대향되게 위치한다. 가스 분사판(594)은 금속 재질을 포함할 수 있다.
지지부(596)는 샤워 헤드(592)와 가스 분사판(594)의 측부를 지지한다. 지지부(596)의 상단은 하우징(510)의 상면과 연결되고, 하단은 샤워 헤드(592)와 가스 분사판(594)의 측부와 연결된다. 지지부(596)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
도 4는 도 3의 공정 챔버에 제공되는 링 부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 5는 도 4의 링 부재를 정면에서 바라본 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 링 부재(R)는 지지 유닛(520)의 가장자리 영역에 배치된다. 링 부재(R)는 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가질 수 있다. 링 부재(R)는 내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이보다 더 낮은 형상을 가질 수 있다. 링 부재(R)의 내측 상면에는 기판(W)의 가장자리 영역의 하면이 놓일 수 있다. 또한, 링 부재(R)는 내측 상면과 외측 상면 사이에 기판(W)의 중심에서 기판(W)의 외측을 향하는 방향으로 상향 경사진 경사면을 가질 수 있다. 이로 인해, 기판(W)이 링 부재(R)의 내측 상면에 놓일 때, 놓이는 위치가 다소 부정확하더라도, 기판(W)이 링 부재(R)의 경사면을 따라 슬라이딩 되어 링 부재(R)의 내측 상면에 적절히 놓일 수 있다. 링 부재(R)는 ISO 링이거나, 포커스 링일 수 있다.
링 부재(R)의 내주는 플랫-존(Flat Zone, FZ), 그리고 라운드-존(Round Zone, RZ)을 가질 수 있다. 링 부재(R)의 외주는 원형일 수 있다. 링 부재(R)는 상면과 하면을 가질 수 있다. 링 부재(R)의 하면에는 정렬부(G)가 제공될 수 있다. 링 부재(R)의 상면에 정렬부(G)가 형성되는 경우, 링 부재(R)가 공정 챔버(50)로 반입되어 기판(W) 처리시, 정렬부(G)가 기판(W)에 대한 처리에 영향을 주는 것을 최소화하기 위함이다.
정렬부(G)는 링 부재(R)의 하면으로부터 상면을 향해 인입되어 형성될 수 있다. 정렬부(G)의 높이는 링 부재(R)의 상면에서 하면까지의 높이보다 낮게 제공된다. 링 부재(R)의 정렬의 정확성과 공정 챔버(50)에서 공정 진행 과정에서 소모되는 링 부재(R)의 내구성을 함께 고려할 수 있는 높이로 제공될 수 있다.
정렬부(G)는 복수 개로 제공될 수 있다. 일 예로, 정렬부(G)는 두 개로 제공될 수 있다. 정렬부(G)는 180도의 간격을 두고 두 개로 제공될 수 있다. 정렬부(G) 각각은 후술하는 정렬 핀(192a)에 삽입되어 링 부재(R)의 위치를 정렬할 수 있다. 정렬부(G)가 복수로 제공되는 경우, 이와 대응되는 개수로 형성되는 정렬 핀(192a)에 삽입됨으로써 링 부재(R)의 위치를 보다 더 정확하게 정렬할 수 있다.
플랫-존(FZ)은 복수 개의 정렬부(G) 사이에 배치된다. 일 예로, 플랫-존(FZ)은 두 개의 정렬부(G) 사이에 배치될 수 있다. 플랫-존(FZ)은 180도 간격으로 배치된 두 개의 정렬부(G) 사이에 배치될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 용기(100)에 대하여 상세히 설명한다. 구체적으로, 이하에서는 용기(100)들 중 공정 챔버(50)에 제공되는 링 부재(R)를 수납하는 용기(100)에 대해 상세히 설명한다. 용기(100)는 미사용된 링 부재(R)를 수납할 수 있다. 이에, 공정 챔버(50)에서 링 부재(R)의 교체가 필요한 경우, 용기(100)에 수납된 미사용된 링 부재(R)가 공정 챔버(50)로 반송될 수 있다. 선택적으로, 공정 챔버(50)에서 사용된 링 부재(R)는 용기(100)로 반입될 수 있다.
도 6은 도 1의 용기를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 7은 도 6의 용기를 정면에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8은 도 6의 정렬 핀을 확대한 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9는 도 6의 용기에 링 부재가 놓인 모습을 상부에서 바라본 도면이다. 도 6 내지 도 9를 참조하면, 용기(100)는 하우징(110), 플랜지(130), 그립 부(150), 도어(170), 그리고 지지 부(190)를 포함할 수 있다.
하우징(110)은 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(110)의 내부 공간에는 링 부재(R), 그리고 캐리어(C)들 중 적어도 어느 하나가 수납될 수 있다. 하우징(110)의 상면에는 플랜지(130)가 설치될 수 있다. 플랜지(130)는 용기 반송 장치, 예컨대 오버 헤드 트랜스퍼 장치(OHT)가 가지는 그립퍼에 의해 파지될 수 있다.
하우징(110)의 측면에는 그립 부(150)가 설치될 수 있다. 그립 부(150)는 하우징(110)의 양 측면에 설치될 수 있다. 그립 부(150)는 작업자로 하여금 용기(100)를 파지할 수 있게 하는 핸들일 수 있다. 이에, 작업자는 그립 부(150)를 파지하여 용기(100)를 로드 포트(10)에 직접 안착시키거나, 로드 포트(10)로부터 용기(100)를 분리할 수 있다.
도어(170)는 하우징(110)의 내부 공간을 선택적으로 개폐시킬 수 있다. 도어(170)는 하우징(110)과 서로 조합되어 내부 공간을 형성할 수 있다. 도어(170)는 하우징(110)의 전면 부에 도킹되거나, 하우징(110)의 전면 부로부터 언 도킹될 수 있다. 도어(170)가 가지는 면들 중 하우징(110)의 내부 공간과 대향하는 면에는 내부 공간에 수납된 링 부재(R)를 클램핑하는 리테이너(172)가 제공될 수 있다. 리테이너(172)는 상하 방향을 따라 연장되는 구조를 가질 수 있다. 리테이너(172)는 내부 공간에 수납된 링 부재(R)의 측부를 클램핑하여, 내부 공간에 수납된 링 부재(R)의 위치 변경을 제한시킬 수 있다.
하우징(110)의 내부 공간에는 지지 부(190)가 제공될 수 있다. 지지 부(190)는 하우징(210)의 내부 공간에서 링 부재(R)를 지지할 수 있다. 지지 부(190)는 지지 슬롯(192), 그리고 분리 판(194)을 포함할 수 있다.
지지 슬롯(192)은 바(Bar) 형상을 가질 수 있다. 지지 슬롯(192)은 링 부재(R)를 지지할 수 있다. 지지 슬롯(192)은 링 부재(R)의 가장자리 영역 저면을 지지할 수 있다. 예컨대, 지지 슬롯(192)은 링 부재(R)의 가장자리 영역 저면의 적어도 일부를 지지할 수 있다. 또한, 지지 슬롯(192)은 링 부재(R)의 가장자리 영역 저면의 일 측 및 타 측을 지지할 수 있다.
지지 슬롯(192)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 지지 슬롯(192)은 복수로 제공될 수 있다. 지지 슬롯(192)들은 상하 방향인 제3방향(6)을 따라 배열될 수 있다. 이에, 지지 슬롯(192)들에 의해 지지되는 링 부재(R)들은 상하 방향을 따라 하우징(110)의 내부 공간에서 수납될 수 있다.
지지 슬롯(192)에는 정렬부(G)가 삽입되는 정렬 핀(192a)이 제공된다. 정렬 핀(192a)은 정렬부(G)와 대응하는 형상으로 제공될 수 있다. 링 부재(R)가 용기(100)에 놓일 때, 정렬 핀(192a)에 정렬부(G)가 삽입되어 링 부재(R)가 용기(100) 내에서 그 위치가 정렬될 수 있다. 정렬 핀(192a)이 정렬부(G)에 삽입됨으로써, 링 부재(R)가 설정 위치로 정렬될 수 있다. 설정 위치란, 공정 챔버(50)로 반송된 링 부재(R)가 공정 챔버(50) 내의 정 위치에 안착될 수 있는 위치를 의미한다. 일 예로, 링 부재(R)의 플랫-존(FZ)이 공정 챔버(50)의 반입구(512)를 향하는 방향으로, 용기(100) 내에서 링 부재(R)를 정렬시키는 위치를 설정 위치로 정의할 수 있다.
정렬 핀(192a)이 정렬부(G)에 삽입됨으로써, 링 부재(R)가 설정 위치로 정렬될 수 있으므로, 작업자의 작업 숙련도가 다소 떨어지더라도 링 부재(R)를 용기(100) 내에서 설정 위치로 정확히 정렬할 수 있다. 즉, 링 부재(R)를 용기(100) 내에 안착시 정렬부(G)와 정렬 핀(192a)의 위치를 일치시키는 것만으로도 링 부재(R)가 설정 위치로 정렬될 수 있다. 이에 따라, 링 부재(R)가 용기(100) 내에서 정렬되지 않아 공정 챔버(50)에 반송된 링 부재(R)가 공정 챔버(50) 내에서 설정 위치에 적절히 안착되지 못하는 문제를 최소화할 수 있다. 또한, 정렬부(G)에 정렬 핀(192a)이 삽입되어, 용기(100) 반송시 링 부재(R)의 위치 변경을 제한할 수 있다. 이에 따라, 용기(100)가 반송되는 과정에서 링 부재(R)의 위치가 변경되어 링 부재(R)가 공정 챔버(50) 내에서 설정 위치에 정확히 안착하지 못하는 문제를 해소할 수 있다.
분리 판(194)은 하우징(110)의 내부 공간을 구획할 수 있다. 예컨대, 분리 판(194)은 하우징(110)의 내부 공간을 캐리어(C)가 수납되는 공간, 그리고 링 부재(R)가 수납되는 공간으로 분리할 수 있다. 분리 판(194)은 지지 슬롯(192)들 중 가장 아래에 설치되는 지지 슬롯(192)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 분리 판(194)은 지지 슬롯(192)들 중 가장 아래에 설치되는 지지 슬롯(192)의 하면과 결합될 수 있다. 분리 판(194)을 기준으로, 분리 판(194)의 위 방향에 제공된 지지 슬롯(192)에는 링 부재(R)가 수납되고, 분리 판(194)의 아래 방향에 제공된 캐리어 지지대(196)는 캐리어(C)를 수납할 수 있다.
이로 인해, 제1반송 핸드(242)가 하우징(110)의 내부 공간으로 진입할 때, 캐리어(C)와 제1반송 핸드(242)가 서로 충돌하는 위험을 최소화할 수 있다. 또한, 분리 판(194)은 공정 챔버(50)에서 사용된 링 부재(R)가 하우징(110)의 내부 공간으로 반입될 때, 링 부재(R)에 부착된 불순물이 캐리어(C)에 전달되는 것을 최소화할 수 있다. 이에, 캐리어(C)가 후속 링 부재(R)를 반송할 때 후속 링 부재(R)를 오염시키는 것을 최소화할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 로드 포트20: 상압 이송 모듈
30: 진공 이송 모듈40: 로드락 챔버
50: 공정 챔버100: 용기
192: 지지 슬롯192a:정렬 핀
240: 제1반송 로봇340: 제2반송 로봇
R: 링 부재G:정렬부

Claims (7)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    링 부재가 수납되는 용기가 놓이는 로드 포트;
    제1핸드를 가지는 제1반송 로봇이 제공된 상압 이송 모듈;
    제2핸드를 가지는 제2반송 로봇이 제공된 진공 이송 모듈;
    상기 상압 이송 모듈과 상기 진공 이송 모듈 사이에 배치되며, 내부 공간이 상압, 그리고 진공 간에 변환 가능한 로드락 챔버; 및
    상기 진공 이송 모듈에 결합되어 기판을 플라즈마 처리하는 공정 챔버를 포함하되,
    상기 공정 챔버는,
    내부에 처리 공간을 가지는 하우징;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 처리 공간 내부에 공급된 상기 공정 가스를 여기시키는 플라즈마 생성 유닛을 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    기판이 놓이는 지지체; 및
    상기 지지체에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며, 상기 지지체로부터 착탈 가능하게 제공되는 상기 링 부재를 포함하며,
    상기 링 부재는,
    환형의 링 형상을 가지고,
    상기 링 부재가 상기 용기에 놓일 때, 상기 링 부재가 설정 위치로 정렬되도록 상기 링 부재의 하면에 정렬부가 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정렬부는 상기 링 부재의 하면으로부터 상면을 향해 인입되어 형성되되,
    상기 정렬부의 높이는 상기 링 부재의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 링 부재는,
    상기 정렬부가 상기 용기에 제공되는 정렬 핀에 삽입되어 상기 설정 위치로 정렬되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 링 부재의 내주면은 플랫 존(Flat Zone)을 포함하고,
    상기 정렬부는 복수 개가 제공되며,
    상기 플랫 존은 상기 정렬부 사이에 배치되는 기판 처리 장치.
  5. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정 챔버에 제공되는 링 부재에 있어서,
    상기 링 부재는,
    상기 기판의 둘레를 감싸도록 환형의 링 형상을 가지고,
    상기 링 부재를 수납하는 용기에 상기 링 부재가 놓일 때, 상기 링 부재가 설정 위치로 정렬되도록 상기 링 부재의 하면에 정렬부가 형성되는 링 부재.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 정렬부는 홈으로 제공되고,
    상기 링 부재는,
    상기 정렬부가 상기 용기에 제공되는 정렬 핀에 삽입되어 상기 설정 위치로 정렬되는 것을 특징으로 하는 링 부재.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 링 부재의 내주면은 플랫 존(Flat Zone)을 포함하고,
    상기 정렬부는 복수 개가 제공되며,
    상기 플랫 존은 상기 정렬부 사이에 배치되는 링 부재.
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