CN115295386A - 支承单元和包括该支承单元的基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。

Description

支承单元和包括该支承单元的基板处理装置
本申请是申请日为2018年10月30日、申请号为201811276800.0、发明创造名称为“支承单元和包括该支承单元的基板处理装置”的中国发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月30日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0142659的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
在此，所描述的本发明构思的实施例涉及一种基板处理装置和基板处理方法，尤其涉及一种调节等离子体到基板上的入射角(incident angle)的基板处理装置、和基板处理方法。
背景技术
半导体制造工艺可包括通过使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体工艺的蚀刻工艺中，可通过使用等离子体去除基板上的薄膜。
在基板处理工艺中，例如使用等离子体的蚀刻工艺，必须将等离子体区域扩展到基板的周边区域，以将工艺均匀性增加到基板的周边。为此，将可以呈现电场耦合的环构件设置成围绕基板支承件，并且使用环形绝缘体将环组件与设备的下模块电隔离。
同时，环构件包括诸如Si、SiC、或石英的材料，并且随着环构件与因等离子体工艺期间产生的离子的碰撞而被磨损或蚀刻，等离子体鞘(plasma sheath)的电位会随时间降低。因此，如图7中，虽然在环构件被磨损或蚀刻之前，等离子体离子在基板上具有角度，但是在环构件被磨损或蚀刻时，如图8中，输入到基板的末端边缘(extreme edge)的离子的角度逐渐朝向基板的中心偏转。因此，该工艺改变，作为结果，基板的图案的轮廓偏转。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种可控制等离子体到基板上的入射角的支承单元，和一种包括该支承单元的基板处理装置。
本发明构思将要解决的问题不限于上述问题，本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。
根据本发明构思的一个方面，提供了一种基板处理装置，其包括：腔室，在所述腔室的内部具有处理空间；支承单元，其配置为在所述处理空间中支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为从所述气体生成等离子体，其中，所述支承单元还包括：支承板，所述基板定位在所述支承板上；环组件，其围绕所述支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向所述环形电极施加电压来控制等离子体到所述基板上的入射角，且其中，所述电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源(DC power source)，其配置为向所述底板施加直流电压；和多个连接体，其连接所述底板和所述环形电极，由导电材料形成，并彼此间隔开。
所述环组件可包括：聚焦环，其围绕定位在所述支承板上的所述基板；和绝缘材料的下环，其围绕所述支承板并设置在所述聚焦环下方。
所述环形电极可设置在所述下环内，并且所述多个连接体以相同间隔设置。
所述底板可具有环形形状，并且所述多个连接体具有棒状。
所述底板可包括连接件，其设置在所述底板的一个表面上，且直流电源可连接至所述底板的所述连接件。
所述环组件还可包括金属材料的金属环，其设置在所述聚焦环和所述下环之间。
所述环组件还可包括石英材料的石英环，其设置在所述聚焦环和所述下环之间。
所述多个连接体可以为三个导电材料的棒，并在底板上彼此间隔120度。
所述电压施加单元还可包括直流滤波器，其配置成中断来自由所述直流电源供应的电压的特定射频频率RF。
所述直流滤波器可包括电感器和电容器。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种用于在等离子体处理腔室中支承基板的支承单元，所述支承单元包括：支承板，所述基板定位在所述支承板上；环组件，其围绕所述支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向所述环形电极施加电压来控制等离子体到所述基板上的入射角，且其中，所述电压施加单元还包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向所述底板施加直流电压；和多个连接体，其连接所述底板和所述环形电极，由导电材料形成，并彼此间隔开。
所述环组件还可包括：聚焦环，其围绕定位在所述支承板上的所述基板；和绝缘材料的下环，其围绕所述支承板并设置在所述聚焦环下方。
所述环形电极可设置在所述下环内，并且所述多个连接体以相同间隔设置。
所述底板可具有环形形状，并且所述多个连接体可具有棒状。
所述多个连接体可以为三个导电材料的棒并在所述底板上彼此间隔120度。
所述电压施加单元还可包括直流滤波器，其配置成中断来自由所述直流电源供应的电压的特定射频频率RF。
根据本发明构思的又一方面，提供了一种用于控制基板处理装置的方法，所述方法包括：向所述环形电极施加直流电压，和通过调节直流电压来控制所述等离子体到基板上的入射角。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其他目的和特征将变得显而易见。
图1为示出了根据本发明构思的实施例的基板处理装置的示例性视图；
图2为示出了根据本发明构思的实施例的支承单元的示例性剖视图；
图3为示出了根据本发明构思的实施例的底板的视图；
图4为示出了根据本发明构思的实施例的环形电极的视图；
图5为示出了根据本发明构思的实施例的另一直流滤波器的电路图；
图6为示出了根据本发明构思的实施例的控制方法的流程图；和
图7和图8为用于根据相关技术解释基板处理装置的问题的视图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例。
图1为示出了根据本发明构思的实施例的基板处理装置的示例性视图。
参照图1，基板处理装置10通过使用等离子体来处理基板W。例如，基板处理装置10可在基板W上执行蚀刻工艺。基板处理装置10可包括：腔室620、支承单元200、喷头(showerhead)300、气体供应单元400、导流件单元(baffle unit)500、和等离子体生成单元600。
腔室620可提供处理空间，基板处理工艺在该处理空间的内部执行。腔室620可在其内部具有处理空间，并可具有闭合形状。腔室620可由金属材料形成。进一步地，腔室620可由铝形成。腔室620可接地。腔室620的底表面上可形成排气孔102。排气孔102可连接至排气管线151。可通过排气管线151将工艺中生成的反应副产物和留在腔室的内部空间中的气体排放到外部。通过排放工艺，可将腔室620的内部的压力降低到特定压力。
根据实施例，内衬(liner)130可设置在腔室620的内部。内衬130的上和下表面可具有敞开的圆柱形形状。管线130可配置成接触腔室620的内表面。内衬130可通过保护腔室620的内壁来防止腔室620的内壁由于电弧放电而受损。另外，内衬130可防止在基板处理工艺期间生成的杂质沉积到腔室620的内壁。可选地，可不设置内衬130。
支承单元200可位于腔室620的内部。支承单元200可支承基板W。支承单元200可包括支承板210，其配置成通过使用静电力来吸附基板W。与此不同，支承单元200可以以诸如机械夹持的不同的方式支承基板W。下文中，将描述包括支承板210的支承单元200。
支承单元200可包括：支承板210、环组件240、下盖250、和板270。支承单元200可位于腔室620的内部以与腔室620的底表面向上间隔开。
支承板210可包括介电板220和主体230。支承板210可支承基板W。介电板220可位于支承板210的上端部处。介电板220可由介电物质制成，并可具有圆盘形状。基板W可定位在介电板220的上表面上。介电板220的上表面可具有比基板W的半径小的半径。因此，基板W的末端边缘可位于介电板220的外侧。
第一电极223、加热单元225、和第一供应通道221可包括在介电板220的内部中。第一供应通道221可从介电板210的上表面延伸至介电板210的下表面。多个第一供应通道221形成为彼此间隔开以设置为通道，通过这些通道将传热介质供应到基板W的底表面。
第一电极223可电连接至第一电源223a。第一电源223a可包括直流电源。开关223b可安装在第一电极223和第一电源223a之间。通过接通和切断开关223b，第一电极223可而电连接至第一电源223a。如果开关223b接通，则可将直流电流施加到第一电极223。可通过施加到第一电极223的电流，在第一电极223和基板W之间施加静电力，并且可通过静电力，使基板W吸附至介电板220。
加热单元225可位于第一电极223下方。加热单元225可电连接至第二电源225a。加热单元225因施加到第二电源225a的电流而通过电阻产生热量。产生的热量可通过介电板220传送到基板W。基板W可通过由加热单元225产生的热量来维持在特定温度。加热单元225可包括螺旋线圈。
主体230可位于介电板220下方。介电板220的底表面和主体230的上表面可通过粘合剂236彼此粘结。主体230可由铝形成。主体230的上表面可定位成使得其中心区域高于其末端边缘区域。主体230的上表面的中心区域可具有对应于介电板220底表面的区域，并且可与介电板220的底表面粘结。主体230在其内部可具有第一循环通道231、第二循环通道232和第二供应通道233。
第一循环通道231可设置成通道，传热介质通过该通道循环。第一循环通道231可在主体230的内部形成，以具有螺旋形状。进一步地，第一循环通道231可设置成使得具有不同半径的环形形状的通道具有相同的圆心。第一循环通道231可彼此连通。第一循环通道231可在相同的高度处形成。
第二循环通道232可设置成通道，冷却流体通过该通道循环。第二循环通道232可在主体230的内部形成，以具有螺旋形状。进一步地，第二循环通道232可设置成使得具有不同半径的环形形状的通道具有相同的圆心。第二循环通道232可彼此连通。第二循环通道232可具有比第一循环通道231的截面积大的截面积。第二循环通道232可在相同的高度处形成。第二循环通道232可位于第一循环通道231下方。
第二供应通道233可从第一循环通道231向上延伸，并可设置在主体230的上表面上。第二供应通道233的数量与第一供应通道221对应，并且可连接第一循环通道231和第一供应通道221。
第一循环通道231可通过传热介质供应管线231b连接至传热介质存储器231a。传热介质可储存在传热介质存储器231a中。传热介质可包括惰性气体。根据实施例，传热介质可包括氦(He)气。可通过供应管线231b将氦气供应至第一循环通道231，并可在依序经过第二供应通道233和第一供应通道221后，供应至基板W的底表面。氦气可起到介质的作用，通过该介质，从等离子体向基板W传送的热量传送至支承板210。
通过冷却流体供应管线232c，第二循环通道232可连接至冷却流体存储器232a。冷却流体存储器232a可储存冷却流体。冷却器232b可设置在冷却流体存储器232a中。冷却器232b可将冷却流体冷却至特定温度。与此不同，冷却器232b可安装在冷却流体供应管线232c上。通过冷却流体供应管线232c供应到第二循环通道232的冷却流体可在沿第二循环通道232循环时冷却主体230。主体230可在被冷却时一同冷却介电板220和基板W，以使基板W维持在特定温度。
主体230可包括金属板。根据实施例，整个主体230可由金属板形成。
环组件240可设置在支承板210的末端边缘处。环组件240可具有环形形状，并可沿介电板220的周围设置。环组件240的上表面定位成使得其外侧240a高于其内侧240b。环组件240的上表面的内侧240b可位于与介电板220的上表面的高度相同的高度处。环组件240的上表面的内侧240b可支承位于介电板220的外侧的基板W的末端边缘。环组件240的外侧240a可配置成围绕基板W的末端边缘。环组件240可控制电磁场，使得等离子体的密度均匀地分布在基板W的整个区域中。因此，等离子体在基板W的整个区域均匀地形成，使得基板W的区域可被均匀地蚀刻。
具体地，环组件240可包括：聚焦环241，其围绕定位在支承板210上的基板；和下环242，其围绕支承板210并设置在聚焦环241的下侧。此处，下环242由绝缘材料形成。进一步地，下环242在其内部可包括环形电极261。通过调节施加至环形电极261的电压可调节腔室620中的等离子体鞘，因此，可以控制等离子体到基板上的入射角。
第一环243可设置在聚焦环241和下环242之间。此处，第一环243可以是金属材料的金属环。作为示例，金属环可由铝形成，但本发明构思并不限于此，且金属环可由不同的金属材料形成。作为另一示例，第一环243可以是石英材料的石英环。当第一环243为石英环时，等离子体到基板上的入射角可比第一环243为金属环时大。进一步地，第二环244可设置在聚焦环241的外侧。此处，第二环244可由绝缘体形成。
下盖250可位于支承单元200的下端处。下盖250可与腔室620的底表面向上间隔开。下盖250的内部中形成有开顶型(open-topped)空间255。下盖270的外半径可与主体230的外半径相同。将传送的基板W从外侧的传送构件移动至支承板210提升销模块(未示出)可位于下盖250的内部空间255中。升降销模块(未示出)可以特定间隔与下盖250间隔开。下盖250的底表面可由金属材料形成。下盖250的内部空间255可设置有空气。因为空气的介电常数低于绝缘体的介电常数，因此，空气可减弱支承单元200的内部中的电磁场。
下盖250可具有连接构件253。连接构件253可连接下盖250的外表面和腔室620的内壁。多个连接构件253可以特定间隔设置在下盖250的外表面上。连接构件253可支承腔室620的内部的支承单元200。进一步地，下盖250可连接至腔室620的内壁，从而电接地。连接至第一电源223a的第一电源线223c、连接至第二电源225a的第二电源线225c、连接至传热介质存储器231a的传热介质供应管线231b、以及连接至冷却流体存储器232a的冷却流体供应管线232c可通过连接构件253的内部空间255延伸到下盖250中。
板270可位于支承板210和下盖250之间。板270可覆盖下盖250的上表面。板270可具有对应于主体230的截面积。板270可包括绝缘体。根据实施例，可设置一个或多个板270。板270可起增加主体230和下盖250之间的电距离的作用。
喷头300可位于腔室620的内部的支承单元200上方。喷头300可定位成面向支承单元200。
喷头300可包括气体扩散板(gas dispersing plate)310和支承件330。气体扩散板310可与腔室620的上表面向下间隔开。气体分散板310和腔室620的上表面之间可形成空间。气体分散板310可以是具有特定厚度的板形形状。可以对气体扩散板310的底表面进行阳极氧化以防止通过等离子体产生电弧。气体扩散板310可具有与支承单元200相同的形状和横截面。气体扩散板310可包括多个喷射孔311。喷射孔311可垂直地穿过气体扩散板310的上表面和下表面。气体扩散板310可包括金属材料。
支承件330可支承气体扩散板310的一侧。支承件330的上端可连接至腔室620的上表面，且支承件330的下端可连接至气体扩散板310的一侧。主体330可包括非金属板。
气体供应单元400可将工艺气体供应到腔室620的内部中。气体供应单元400可包括：气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体存储单元430。气体供应喷嘴410可安装在腔室620的上表面的中心部位。气体供应喷嘴410的底面上可形成喷射孔。可通过该喷射孔将工艺气体供应到腔室620的内部中。气体供应单元400可连接气体供应喷嘴410和气体存储单元430。气体供应管线420可将存储在气体存储单元430中的工艺气体供应到气体供应喷嘴410。阀421可安装在气体供应管线420中。阀421可打开和关闭气体供应管线420，并可调节通过气体供应管线420供应的工艺气体的流速。
导流板单元500可位于腔室620的内壁和支承单元200之间。导流件510可具有圆环形状。导流件510可具有多个贯穿孔511。提供到腔室620中的工艺气体可穿过导流件510的贯穿孔511通过排气孔102排出。可根据导流件510的形状和贯穿孔511的形状来控制工艺气体的流动。
等离子体生成单元600可将腔室620中的工艺气体激发至等离子体状态。根据本发明构思的实施例，等离子体生成单元600可以是电感耦合等离子体(ICP)型。在这种情况下，如图1所示，等离子体生成单元600可包括：高频电源610，其配置成供应高频电力；和第一线圈621以及第二线圈622电连接至高频电源610以接收高频电力。
虽然已经在说明书中描述了等离子体生成单元600为电感耦合等离子体(ICP)型，但是本发明构思不限于此，而是等离子体生成单元600可以是电容耦合等离子体(CCP)型。
当使用CCP型的等离子体源时，上电极和下电极，即主体可包括在腔室620中。上电极和下电极可彼此平行地垂直设置，且处理空间插入二者之间。上电极和下电极可接收来自RF电源的RF信号，以接收用于生成等离子体的能量，且施加到电极的RF信号的数量不限于所示的一个。在两个电极之间的空间中可形成电磁场，并且供应到该空间中的工艺气体可被激发到等离子体状态。通过使用该等离子体执行基板处理工艺。
再次参照图1，第一线圈621和第二线圈622可设置在面向基板W的位置处。例如，第一线圈621和第二线圈622可安装在腔室620的上方。第一线圈621的直径可小于第二线圈622的直径，以便第一线圈位于腔室620的上侧之内，且第二线圈622位于腔室620的上侧之外。第一线圈621和第二线圈622可接收来自高频电源610的高频电力以在腔室中诱发时变磁场，并因此，可通过等离子体激发供应到腔室的工艺气体。
图2为示出了根据本发明构思的实施例的支承单元的示例性剖视图。
参照图2，根据本发明构思的实施例的支承单元200包括支承板210、环组件240、和电压施加单元260。
支承板210支承基板，并通过使用静电力来吸附基板。环组件240围绕支承板210的周围，并具有环形电极261。环组件240可包括聚焦环241、下环242、第一环243、和第二环244。聚焦环241可配置成围绕定位在支承板210上的基板，且下环242可设置在聚焦环241的下侧上并可配置成围绕支承板210。下环242可由绝缘材料形成，并可在其内部包括环形电极261。第一环243设置在聚焦环241和下环242之间。作为示例，第一环243可以是金属材料的金属环。作为另一示例，第一环243可以是石英材料的石英环。当第一环243为石英环时，等离子体到基板上的入射角可比第一环243为金属环时大。进一步地，第二环244可设置在聚焦环241的外侧上。此处，第二环244可由绝缘体形成。
电压施加单元260包括底板262、直流电源263、和多个连接体264。底板262可由导电材料形成，并可具有环形形状。多个连接体264可设置在底板262的上表面上。多个连接体264在连接底板262和环形电极261时，可设置成彼此间隔开。多个连接体264可由导电材料形成，以便由直流电源263供应的电压可施加到环形电极261。进一步地，多个连接体264可以相同间隔设置成彼此间隔开。作为示例，如图3所示，多个连接体264可以是3个导电材料棒，它们在环形底板262上以120度的间隔彼此间隔开。因此，因为多个连接体264设置在环形底板262的上表面上以相同间隔彼此间隔开，并向如图4中的环形电极261中以相同间隔彼此间隔开的多个位置施加电压，所以电压可均匀地施加到环形电极261的所有区域。因此，可在基板的所有边缘区域中均匀地控制等离子体的入射角。即，根据本发明构思的实施例，可以减轻因环形电极261的电阻引起的电压的失衡所导致的不对称现象。
进一步地，连接件267可设置在底板262的一个表面上，并且直流电源263连接至连接件267，以便电压可以通过底板262和多个连接体264施加到环形电极261。
直流电源263供应直流电压。通过向环形电极261供应直流电压，根据本发明构思的实施例的电压施加单元260可以比在供应高频电压时更大程度地改变等离子体鞘，并且可以容易地控制等离子体到基板上的入射角。进一步地，电压施加单元260可包括连接至直流电源263的直流滤波器265，并可以中断由直流电源263供应的电压中的特定RF频率。直流滤波器265可包括电感器和电容器。作为示例，如图5中，直流滤波器265可包括电阻器、电感器、和可变电容器，并且除了直流电压，可通过中断RF频率仅允许直流电压施加到环形电极261。
图6为示出了根据本发明构思的实施例的控制方法的流程图。
参照图6，根据本发明构思的实施例的基板处理装置的控制方法可包括向环形电极施加直流电压的操作(S810)，和通过调节直流电压来控制等离子体到基板上的入射角的操作(S820)。
如上所述，根据本发明构思的不同实施例，通过向环形电极施加电压可容易地控制等离子体到基板上的入射角。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员能够从说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
值得注意的是，上述实施例被建议用于本发明构思的理解，并且不限制本发明构思的范围，并且不同的可修改的实施例也落入本发明构思的范围内。例如，可以单独地实现本发明构思的实施例中示出的元件，并且可以将一些单独的元件彼此耦合以实现。应当理解，本发明构思的技术保护范围必须由权利要求的技术精髓确定，并且本发明构思的技术保护范围不限于权利要求的词义，而是甚至达到等同的发明。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
腔室，在所述腔室的内部具有处理空间；
支承单元，所述支承单元被配置为在所述处理空间中支承基板；
气体供应单元，所述气体供应单元被配置为将气体供应到所述处理空间中；和
等离子体源，所述等离子体源被配置为从所述气体生成等离子体，
其中，所述支承单元还包括：
支承板，所述基板定位在所述支承板上；
环组件，所述环组件围绕所述支承板的周围；和
电压施加单元，所述电压施加单元被配置为通过向所述环组件施加电压来控制所述等离子体到所述基板上的入射角，
其中，所述电压施加单元包括：
导电材料的底板；
直流电源，所述直流电源被配置为向所述底板施加所述电压；和
多个连接体，所述多个连接体设置在所述支承板的外部并且连接所述底板和所述环组件，且
其中，所述底板具有环形状并且与所述支承板的下侧间隔开。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述环组件包括：
聚焦环，所述聚焦环围绕定位在所述支承板上的所述基板；和
绝缘材料的下环，所述下环围绕所述支承板并设置在所述聚焦环的下方。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述环组件还包括：
环形电极，所述环形电极设置在所述下环内，
其中，所述电压施加单元向所述环形电极施加所述电压。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个连接体由导电材料形成。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个连接体以相同间隔彼此间隔开。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述底板包括：
连接件，所述连接件设置在所述底板的侧表面上，且
其中，所述直流电源连接至所述底板的所述连接件。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述电压施加单元还包括：
直流滤波器，所述直流滤波器被配置成中断来自由所述直流电源供应的电压的特定射频频率RF。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述直流滤波器包括电感器和电容器。
9.一种用于在等离子体处理腔室中支承基板的支承单元，所述支承单元包括：
支承板，所述基板定位在所述支承板上；
环组件，所述环组件围绕所述支承板的周围；和
电压施加单元，所述电压施加单元被配置为通过向所述环组件施加电压来控制等离子体到所述基板上的入射角，且
其中，所述电压施加单元还包括：
导电材料的底板；
直流电源，所述直流电源被配置为向所述底板施加所述电压；和
多个连接体，所述多个连接体设置在所述支承板的外部并且连接所述底板和所述环组件，并且所述多个连接体由导电材料形成，且
其中，所述底板具有环形状并且与所述支承板的下侧间隔开。
10.根据权利要求9所述的支承单元，其中，所述环组件包括：
聚焦环，所述聚焦环围绕定位在所述支承板上的所述基板；和
绝缘材料的下环，所述下环围绕所述支承板并设置在所述聚焦环的下方。
11.根据权利要求10所述的支承单元，其中，所述环组件还包括：
环形电极，所述环形电极设置在所述下环内，
其中，所述电压施加单元向所述环形电极施加所述电压。
12.根据权利要求9所述的支承单元，其中，所述多个连接体以相同间隔彼此间隔开。
13.根据权利要求9所述的支承单元，其中，所述电压施加单元还包括：
直流滤波器，所述直流滤波器被配置成中断来自由所述直流电源供应的电压的特定射频频率RF。
14.一种用于控制权利要求1所述的基板处理装置的方法，所述方法包括：
向所述环组件施加所述电压；以及
通过调节所述电压来控制所述等离子体到所述基板上的入射角。
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