CN108807122B - 供电装置及包括该供电装置的基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

所公开的发明为供电装置和包括该供电装置的基板处理装置。所述供电装置包括高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用所述高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率。所述功率分配器包括第一可变器件，其控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；以及第二可变器件，其对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿。

Description

供电装置及包括该供电装置的基板处理装置
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及供电装置和包括该供电装置的基板处理装置，并且更具体地涉及在使用多个等离子体源的基板处理装置中有效地控制供应给每个等离子体源的功率比。
背景技术
制造半导体的工艺可以包括使用等离子体的基板处理工艺。例如，在制造半导体的工艺期间，可以使用腔室来产生用于蚀刻或灰化工序的等离子体，其中可以通过使用等离子体来蚀刻或灰化基板。
近来，随着使用等离子体处理的基板的尺寸增加，已使用等离子体处理装置来处理大面积基板。然而，这种等离子体处理装置已经使等离子体均匀性劣化。为了对其进行补偿，已经开发了通过使用多个等离子体源来控制腔室中的等离子体密度的方法，并且通过控制供应到多个等离子体源的功率比来调节等离子体的密度。
为了控制功率比，已经使用了利用可变电容器的方法。然而，由于通过可变电容值的功率比呈现非线性，因此难以精确地控制功率比和TTTM(工具-工具匹配)。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了当向多个等离子体源供电时对功率比的容易控制。
本发明的目的可以不限于以上，并且根据下面提供的发明构思以及附图，本领域普通技术人员将清楚地理解其它目的。
根据示例性实施方式，一种供电装置包括：高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在高频电源和等离子体源之间，用于分配供应给第一天线和第二天线的高频功率，其中功率分配器包括第一可变器件，其控制供应给第一天线和第二天线的高频功率；以及第二可变器件，其对供应给第一天线和第二天线的高频功率的非线性进行补偿。
第一可变器件和第二可变器件可以是可变电容器。
该装置还可以包括阻抗匹配单元，其连接在高频电源和功率分配器之间以执行阻抗匹配。
功率分配器的第一可变器件和第二可变器件可以以对称结构设置在阻抗匹配单元和等离子体源之间。
功率分配器可以还包括一对电抗器件，其连接在第一可变器件和第二可变器件之间的，并且该一对电抗器件可以被设置为相对于阻抗匹配单元彼此对称。
功率分配器的第一可变器件和第二可变器件可以以不对称结构设置在阻抗匹配单元和等离子体源之间。
功率分配器还可以包括电抗器件，其连接在第一可变器件和第二可变器件之间。
根据示例性实施方式，一种基板处理装置包括：腔室，其具有用于在其中处理基板的空间；基板支撑组件，其置于腔室中以支撑基板；供气单元，其将气体供应到所述腔室中；以及电源单元，其供应高频功率，使得腔室中的气体被激发成等离子体态，其中，所述电源单元包括：高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在高频功率源和等离子体源之间以分配供应给第一天线和第二天线的高频功率，其中功率分配器包括控制供应给第一天线和第二天线的高频功率的第一可变器件；以及对供应给第一天线和第二天线的高频功率的非线性进行补偿的第二可变器件。
第一可变器件和第二可变器件可以是可变电容器。
所述电源单元还可以包括阻抗匹配单元，其连接在高频电源和功率分配器之间以执行阻抗匹配。
功率分配器的第一可变器件和第二可变器件可以以对称结构设置在阻抗匹配单元和等离子体源之间。
功率分配器还可以包括一对电抗器件，其连接在第一可变器件和第二可变器件之间，并且该一对电抗器件可以被设置为相对于阻抗匹配单元彼此对称。
功率分配器的第一可变器件和第二可变器件可以以不对称结构设置在阻抗匹配单元和等离子体源之间。
功率分配器还可以包括电抗器件，其连接在第一可变器件和第二可变器件之间。
根据本发明构思的实施方式，当向多个等离子体源供电时，可以容易地控制功率比。
本发明构思的效果可以不限于以上，并且根据以下提供的本发明构思以及附图，本发明构思的其它效果对于本领域普通技术人员来说将是显而易见的。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的以上及其它目的和特征将变得显而易见。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示例性视图。
图2是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置中使用的电源单元的配置的示例性视图。
图3至图5是示出根据本发明构思的实施方式的在电源单元中以对称结构设置功率分配器的情况的示例性视图。
图6至图8是示出根据本发明构思的实施方式的在电源单元中以非对称结构设置功率分配器的情况的示例性视图。
图9是示出在本发明构思的实施方式中对由调节第一可变器件(位置C3)引起的功率比的非线性进行补偿的曲线图。
图10是示出在本发明构思的实施方式中确保通过调节第一可变器件和第二可变器件(位置C3和C4)而引起的功率比的线性的曲线图。
图11是示出根据本发明构思的实施方式的通过调节第一可变器件和第二可变器件(位置C3和C4)而流过每个天线的电流比(CR)的曲线图。
具体实施方式
参考随后的附图和详细说明，本发明构思的实施方式的优点和特征及其实现方法将变得显而易见。但是，应该理解，本发明构思不限于以下实施方式并且可以以不同方式实施，并且给出实施方式是为了提供本发明构思的完全公开并且为了向本领域技术人员提供对本发明构思的透彻理解，而本发明构思的范围仅由所附权利要求及其等同方案限定。
尽管没有定义，但是本文使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)与属于本发明构思的术语具有相同的含义，通常被本领域的常用技术所接受。在一般字典中定义的术语可以被解释为与在本申请的相关技术和/或文本中使用的那些具有相同的含义，并且即使当一些术语没有被明确定义时，它们也不应被解释为是概念性的或过度正式的。
本说明书中使用的术语被提供用于描述实施方式，而不旨在对其限制。单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。应进一步理解，本文使用的术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。在本公开中，术语“和/或”表示每个列出的部件或其各种组合。
本发明构思的实施方式提供了一种供电装置，当向多个等离子体源供电时其能够容易地控制功率比，并且涉及一种包括该供电装置的基板处理装置。在现有技术中，存在以下问题：由于在使用可变器件的功率分配器中根据的可变器件的值而供应的功率的非线性，所以难以精确地控制供应给每个天线的功率。为了解决该问题，根据本发明构思的实施方式的供电装置还包括被配置为对非线性进行补偿的可变器件。根据一个实施方式，通过控制两个可变器件，可以确保提供给每个天线的功率的线性，使得可以容易地执行精确的工艺控制和工具-工具匹配(TTTM)。
在下文中，将参考附图详细描述本发明构思的实施方式。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置10的示例性视图。
参考图1，基板处理装置10通过使用等离子体来处理基板W。例如，基板处理装置10可以在基板W上执行蚀刻处理。基板处理装置10可以包括腔室620、基板支撑组件200、喷头300、供气单元400、挡板单元500和电源单元600。
腔室620可以提供在其中执行基板处理工艺的处理空间。腔室620可以在其中具有处理空间并且可以被设置为密封形式。腔室620可以由金属材料形成。腔室620可以由铝形成。腔室620可以接地。在腔室620的底表面上可以形成有排气孔102。排气孔102可以连接到排气管线151。在该工艺中产生的反应副产物和留在腔室的内部空间中的气体可以通过排气管线151被排出到外部。通过排气处理，腔室620的内部可被减压到预定压力。
根据一个实施方式，衬层130可以设置在腔室620中。衬层130可以具有上表面和下表面都敞开的圆柱形状。衬层130可以被设置为与腔室620的内表面接触。衬层130保护腔室620的内壁以防止腔室620的内壁被电弧放电损坏。另外，可以防止在基板处理过程中产生的杂质沉积在腔室620的内壁上。可选地，可以不提供衬层130。
基板支撑组件200可以位于腔室620中。基板支撑组件200可以支撑基板W。基板支撑组件200可以包括静电卡盘以用于通过使用静电力来吸引基板W。或者，基板支撑组件200可以以多种方式支撑基板W，例如机械夹紧。以下，将描述包括静电卡盘的基板支撑组件200。
基板支撑组件200可以包括静电卡盘、下盖250和板270。基板支撑组件200可以在腔室620内从腔室620的底表面向上间隔开。
静电卡盘可以包括介电板220、主体230和聚焦环240a和240b。静电卡盘可以支撑基板W。介电板220可以位于静电卡盘的上端。介电板220可以被设置为具有盘形的介电物质。基板W可以位于介电板220的上表面上。介电板220的上表面可以具有比基板W更小的半径。因此，基板W的边缘区域可以位于介电板220之外。
介电板220可以包括第一电极223、加热器225和第一供应路径221。第一供应路径221可以设置为从介电板220的上表面到下表面。多个第一供应路径221可以彼此间隔开并且可以被设置为将传热介质供应到基板W的下表面的通道。
第一电极223可以电连接到第一电源223a。第一电源223a可以包括直流(DC)电源。开关223b可以安装在第一电极223和第一电源223a之间。通过打开/关闭开关223b，第一电极223可以电连接到第一电源223a。当开关223b接通时，直流电可以被施加到第一电极223。静电力可以通过被施加到第一电极223的电流而施加在第一电极223和基板W之间，并且基板W可以是通过静电力而被吸引到介电板220上。
加热器225可位于第一电极223下方。加热器225可电连接至第二电源225a。加热器225可以通过使得从第二电源225a施加的电流流过电阻来产生热量。产生的热量可以通过介电板220传递到基板W。由于加热器225产生的热量，基板W可以保持在预定温度。加热器225可以包括螺旋线圈。
主体230可以位于介电板220下方。介电板220的下表面和主体230的上表面可以用粘合剂236彼此粘合。主体230可以由铝形成。主体230的上表面可被定位成使得中心区域高于边缘区域。主体230的上表面的中心区域可以具有与介电板220的下表面对应的面积，并且可以粘附到介电板220的下表面。主体230可以在其中设置有第一循环路径231、第二循环路径232和第二供应路径233。
第一循环路径231可以设置为供传热介质循环通过的通道。第一循环路径231可以在主体230内部形成为螺旋形状。或者，第一循环路径231可以被布置为使得具有不同半径的环形路径同中心。多个第一循环路径231可以彼此连通。多个第一循环路径231可以形成在相同的高度。
第二循环路径232可以被设置为供冷却流体循环通过的通道。第二循环路径232可以在主体230内部形成为螺旋形状。或者，第二循环路径232可以被布置成使得具有不同半径的环形路径同中心。多个第二循环路径232可以彼此连通。第二循环路径232可以具有比第一循环路径231更大的横截面面积。多个第二循环路径232可以形成在相同的高度。第二循环路径232可以位于第一循环路径231的下方。
第二供应路径233可从第一循环路径231向上延伸并设置在主体230的上表面上。第二供应路径233的数量可与第一供应路径221的数量对应。第二供应路径233可以将第一循环路径231连接到第一供应路径221。
第一循环路径231可以通过传热介质供应管线231b连接到传热介质储存单元231a。传热介质可以储存在传热介质储存单元231a中。传热介质可以包括惰性气体。根据一个实施方式，传热介质可以包括氦(He)气。氦气可以通过供应管线231b被供应到第一循环路径231，并且可以依次通过第二供应路径233和第一供应路径221被供应到基板W的下表面。氦气可以用作将从等离子体传递到基板W的热量传递到静电卡盘的介质。
第二循环路径232可以通过冷却流体供应管线232c连接到冷却流体储存单元232a。冷却流体可以储存在冷却流体储存单元232a中。冷却器232b可以设置在冷却流体储存单元232a中。冷却器232b可将冷却流体冷却到预定温度。或者，冷却器232b可以安装在冷却流体供应管线232c上。通过冷却流体供应管线232c供应到第二循环路径232的冷却流体可以沿着第二循环路径232循环并且可以冷却主体230。当主体230被冷却时，介电板220和基板W可以一起被冷却以将基片W保持在预定的温度。
主体230可以包括金属板。根据一个实施方式，整个主体230可以设置有金属板。
聚焦环240a和240b可以布置在静电卡盘的边缘区域中。聚焦环240a和240b可以具有环形形状并且沿着介电板220的圆周布置。聚焦环240a和240b的上表面可以被放置为使得外部部分240a高于内部部分240b。聚焦环240a和240b的内上表面240b可以位于与介电板220的上表面相同的高度处。聚焦环240a和240b的内上表面240b可以支撑基板W的位于介电板220的外部的边缘区域。聚焦环240a和240b的外部部分240a可以围绕基板W的边缘区域。聚焦环240a和240b可以控制电磁场，使得等离子体的密度均匀分布在基板W的整个区域上。因此，等离子体可以均匀地形成在基板W的整个区域上，因此基板W的每个区域可以被均匀地蚀刻。
下盖250可以位于基板支撑组件200的下端。下盖250可以从腔室620的底表面向上间隔开。下盖250可以在其中设置有其上表面是开放的空间。下盖250的外半径可以设置为具有等于主体230的外半径的长度。用于将待传送的基板W从外部传送构件移动到静电卡盘的升降销模块(未示出)可以置于下盖250的内部空间255中。升降销模块(未示出)可以与下盖250间隔开预定距离。下盖250的下表面可以由金属材料形成。下盖250的内部空间255可以被提供空气。由于空气具有比绝缘体更低的介电常数，所以空气可用于减小基板支撑组件200内部的电磁场。
下盖250可以具有连接构件253。连接构件253可以将下盖250的外表面和腔室620的内壁连接。多个连接构件253可以设置在下盖250的外表面上同时彼此间隔开预定间隔。连接构件253可以在腔室620中支撑基板支撑组件200。此外，连接构件253可以连接到腔室620的内壁，使得下盖250电接地。与第一电源223a连接的第一电力线223c、与第二电源225a连接的第二电力线225c、与传热介质储存单元231a连接的传热介质供应管线231b、与冷却流体储存单元232a连接的冷却流体供应管线232c等可以通过连接构件253的内部空间255延伸到下盖250的内部。
板270可以置于静电卡盘和下盖250之间。板270可以覆盖下盖250的上表面。板270可以设置成具有与主体230对应的截面面积。板270可以包括绝缘体。根据一个实施方式，可以设置有一个或多个板270。板270可用于增加主体230与下盖250之间的电距离。
喷头300可以位于腔室620中的基板支撑组件200的上部。喷头300可以面向基板支撑组件200。
喷头300可以包括气体分配板310和支撑单元330。气体分配板310可以从底部与腔室620的上表面间隔开预定距离。在气体分配板310与腔室620的上表面之间可以形成预定的空间。气体分配板310可以设置为具有恒定厚度的板状。气体分配板310的下表面可以被极化以防止等离子体产生电弧。气体分配板310的横截面可以被设置为与基板支撑组件200具有相同的形状和截面面积。气体分配板310可以包括多个注入孔311。注入孔311可以沿竖直方向穿过气体分配板310的上表面和下表面。气体分配板310可以包括金属材料。
支撑单元330可以支撑气体分配板310的侧部。支撑单元330的上端可以连接到腔室620的上表面，下端可以连接到气体分配板310的侧部。支撑单元330可以包括非金属材料。
供气单元400可以将处理气体供应到腔室620中。供气单元400可以包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体储存单元430。气体供应喷嘴410可以被安装在腔室620的上表面的中心处。注入端口可以形成在气体供应喷嘴410的下表面上。注入端口可以将处理气体供应到腔室620中。气体供应管线420可以连接气体供应喷嘴410和气体储存单元430。气体供应管线420可以将储存在气体储存单元430中的处理气体供应到气体供应喷嘴410。阀421可以安装到气体供应管线420。阀421可以打开和关闭气体供应管线420并且可以控制通过气体供应管线420供应的处理气体的流速。
挡板单元500可以置于腔室620的内壁和基板支撑组件200之间。挡板510可以设置为环形环的形状。在挡板510中可以形成有多个通孔511。提供到腔室620中的处理气体可以通过挡板510的通孔511被排出到排气孔102。可以对应于挡板510和通孔511的形状而控制处理气体的流动。
电源单元600可以供应高频功率以将腔室620中的处理气体激发为等离子体态。根据本发明构思的实施方式，电源单元600可以被配置为电感耦合等离子体(ICP)类型。在这种情况下，如图1所示，电源单元600可以包括被配置为供应高频功率的高频电源610、以及与高频电源610电连接以接收高频功率的等离子体源621和622。等离子体源621和622可以包括第一天线621和第二天线622。
第一天线621和第二天线622可以被布置为面向基板W。例如，第一天线621和第二天线622可以安装在腔室620的上部上。第一天线621的直径可以小于第二天线622的直径，使得第一天线621置于在腔室620的上部的内部并且第二天线622置于腔室620的上部的外部。第一天线621和第二天线622可以从高频电源610接收高频功率并且可以向腔室620引入时变磁场。因此，供应到腔室620的处理气体可以被激发成等离子体。
在下文中，将描述使用上述基板处理装置处理基板的过程。
当基板W被放置在基板支撑组件200上时，DC电流可以从第一电源223a被施加到第一电极223。通过施加到第一电极223的DC电流可以在第一电极223和基板W之间施加静电力，使得基板W通过静电力被吸引到静电卡盘。
当基板W被吸引到静电卡盘时，可通过气体供应喷嘴410将处理气体供应到腔室620中。处理气体可通过喷头300的注入孔311被均匀地注入腔室620内部。从高频电源产生的高频功率可以被施加到等离子体源，使得在腔室620中产生电磁力。电磁力可以将基板支撑组件200和喷头300之间的处理气体激发成等离子体。可以将等离子体提供给基板W以处理基板W。可以通过等离子体执行蚀刻工艺。
图2是示出根据本发明构思的实施方式的在基板处理装置中使用的电源单元600的配置的示例性视图。
参考图2，电源单元600可以包括高频电源610、多个等离子体源621和622、功率分配器630以及阻抗匹配单元640。
高频电源610可以产生高频功率并且将所产生的高频功率提供给设置在腔室620中的等离子体源621和622。高频电源610可以通过射频(RF)信号传输高频功率。根据本发明构思的实施方式，高频电源610可以产生正弦波形式的RF信号并将RF信号提供给等离子体源621和622。然而，RF信号不限于此并且可以具有各种波形，诸如锯齿波形、三角波形、脉冲波形等。
等离子体源621和622可以通过使用高频功率从供应到腔室620的气体产生等离子体。如图2所示，等离子体源621和622可以是多个并且可以并联连接。根据一个实施方式，多个等离子体源可以包括第一天线621和第二天线622。如以上参考图1所述，等离子体源621和622中的至少一个可以是使用高频功率引起磁场的线圈。根据一个实施方式，线圈可以安装在腔室620的上部。
第一天线621的直径可以小于第二天线622的直径。因此，第一天线621可以被布置在第二天线622的内部。如上所述，由于第一天线621和第二天线622的直径之间的差异，第一天线621的电感L1可以小于第二天线622的电感L2。
功率分配器630可以包括可变器件，并且可以控制对应于可变器件值的供应给等离子体源的功率之比。
阻抗匹配单元640可以使输出阻抗和负载阻抗在高频电源610的输出端处彼此匹配。功率分配器630可以连接在阻抗匹配单元640与等离子体源621和622之间。
根据本发明构思的实施方式，阻抗匹配单元640可以设置为L型、T型和Π型中之一。在本发明构思的实施方式中，第一天线621和第二天线622可以设置为平面型、螺线管型和堆叠型中之一。
功率分配器630可以连接在阻抗匹配单元640和等离子体源621和622之间以将功率分配给每个等离子源(例如天线)。功率分配器630还可以包括被提供用于控制功率比的可变器件，以及被提供用于对单独提供的功率的非线性进行补偿的可变器件。
在下文中，将参考图3至图8描述功率分配器630的实施方式。
如图3至图8所示，功率分配器630可以包括多个可变器件631和632。在一个实施方式中，可变器件631和632可以是可变电容器。功率分配器630可以被设置为对称电路或非对称电路。
图3至图5是示出根据本发明构思的实施方式的在电源单元中以对称结构设置功率分配器的情况的示例性视图。
根据一个实施方式，如图3所示，功率分配器630可以以对称结构设置在阻抗匹配单元640和等离子体源621和622之间。功率分配器630的第一可变器件631和第二可变器件632可以并联连接。第一天线621和第二天线622可以分别连接到以并联方式连接的第一可变器件631和第二可变器件632。
第一可变器件631可以被调节以控制第一天线621和第二天线622之间的功率比。在这种情况下，第二可变器件632可以被调节到合适的值以对第一天线621和第二天线622的功率变化的非线性进行补偿。根据另一个实施方式，功率分配器630还可以包括连接在第一可变器件631和第二可变器件632之间的一对电抗器件。该对电抗器件也可以设置为对称结构，如图4和图5所示。参考图4和图5，该对电抗器件可以是电容器或电感器。
图6至图8是示出根据本发明构思的实施方式的在电源单元中以非对称结构设置功率分配器的情况的示例性视图。
根据一个实施方式，如图6所示，可以在阻抗匹配单元640和等离子体源621和622之间以非对称结构设置功率分配器630。可以调节第一可变器件631以控制第一天线621和第二天线622之间的功率比。例如，当调节图6中所示的功率分配器630的第一可变器件631时，第一天线621和第二天线622之间的互感被改变，使得功率比可以被调节。在这种情况下，第二可变器件632可以被调节到合适的值以对由于调节第一可变器件631而引起的第一天线621和第二天线622的功率变化的非线性进行补偿。
根据又一个实施方式，功率分配器630还可以包括连接在第一可变器件631和第二可变器件632之间的电抗器件。参考图7和图8，电抗器件可以是电容器或电感器。
尽管已经参考图3至图8说明了功率分配器630的示例性电路结构，但本发明构思的实施方式不限于此，并且可以用包括如下的电路结构来实现：第一可变器件631，其被配置为控制对天线的功率分配；和第二可变器件632，其被配置为对由第一可变器件631引起的天线功率变化的非线性进行补偿。
图9是示出在本发明构思的实施方式中对由调节第一可变器件(位置C3)引起的功率比的非线性进行补偿的曲线图。
参考图9的图表，可以理解，当第一可变器件(位置C3)被调节而第二可变器件没有对非线性进行补偿时，流过每个天线的电流I1和I2的变化呈现非线性。如上所述，为了解决在未保证线性时难以控制供应给多个天线的功率的问题，本发明构思的实施方式通过添加第二可变器件来对线性进行补偿。通过添加第二可变器件并调节第二可变器件，如图9的图表中的黑线所示，当调节第二可变器件时，流过每个天线的电流是线性的。图10是示出在本发明构思的实施方式中确保通过调节第一可变器件和第二可变器件(位置C3和C4)而引起的功率比的线性的曲线图。
如果第一可变器件是电容器C3并且第二可变器件是电容器C4，如图10所示，则当第一可变器件和第二可变器件的值(位置C3和C4)改变时，流过每个天线的电流I1和I2的变化可以是线性的。由电容器C3获得的最大值和最小值以及由电容器C4获得的最大值和最小值可以在工艺开始之前通过扫描来确定。
图11是示出根据本发明构思的实施方式的通过调节如图10所示的第一可变器件和第二可变器件(位置C3和C4)而流过每个天线的电流比(CR)的曲线图。由于当调节第一可变器件和第二可变器件时流过每个天线的电流I1和I2是线性的，所以电流比(CR)可以如图11所示。
由于提供上述实施方式是为了帮助理解本发明构思，所以应该理解，它们不限制本发明构思的范围，并且其各种变型也属于本发明构思的范围。例如，被描述为一体类型的每个部件可以以分布式方式实现。同样，被描述为分布式的部件可以以组合的方式实现。因此，本发明构思的技术保护范围应由所附权利要求的技术精神限定，并且应理解，本发明构思的技术保护范围不限于权利要求的措辞，而是实际上达成具有等同技术价值的发明。

Claims (10)

1.一种供电装置，所述装置包括：
高频电源，所述高频电源被配置为提供高频功率；
等离子体源，所述等离子体源包括被配置为通过使用所述高频功率来产生等离子体的第一天线和第二天线；和
功率分配器，所述功率分配器连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的高频功率，
其中所述功率分配器包括：
第一可变器件，所述第一可变器件被配置为控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；
第二可变器件，所述第二可变器件被配置为对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿；和
一对电抗器件，所述一对电抗器件连接在所述第一可变器件和所述第二可变器件之间，且
其中所述一对电抗器件被设置为关于阻抗匹配单元而彼此对称。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一可变器件和所述第二可变器件是可变电容器。
3.根据权利要求1所述的装置，还包括：
阻抗匹配单元，所述阻抗匹配单元连接在所述高频电源和所述功率分配器之间以执行阻抗匹配。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述功率分配器的所述第一可变器件和所述第二可变器件以对称结构设置在所述阻抗匹配单元与所述等离子体源之间。
5.根据权利要求3所述的装置，其中所述功率分配器的所述第一可变器件和所述第二可变器件以不对称结构设置在所述阻抗匹配单元与所述等离子体源之间。
6.一种基板处理装置，所述装置包括：
腔室，所述腔室具有用于在其中处理所述基板的空间；
基板支撑组件，所述基板支撑组件置于所述腔室中以支撑所述基板；
供气单元，所述供气单元被配置成将气体供应到所述腔室中；和
电源单元，所述电源单元被配置为供应高频功率，使得所述腔室中的所述气体被激发成等离子体态，其中所述电源单元包括：
高频电源，所述高频电源被配置为提供高频功率；
等离子体源，所述等离子体源包括被配置为通过使用所述高频功率来产生等离子体的第一天线和第二天线；和
功率分配器，所述功率分配器连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率，
其中所述功率分配器包括：
第一可变器件，所述第一可变器件被配置为控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；
第二可变器件，所述第二可变器件被配置为对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿；和
一对电抗器件，所述一对电抗器件连接在所述第一可变器件和所述第二可变器件之间，
其中所述一对电抗器件被设置为关于阻抗匹配单元而彼此对称。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一可变器件和所述第二可变器件是可变电容器。
8.根据权利要求6所述的装置，其中所述电源单元还包括：
阻抗匹配单元，所述阻抗匹配单元连接在所述高频电源和所述功率分配器之间以执行阻抗匹配。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述功率分配器的所述第一可变器件和所述第二可变器件以对称结构设置在所述阻抗匹配单元与所述等离子体源之间。
10.根据权利要求8所述的装置，其中所述功率分配器的所述第一可变器件和所述第二可变器件以不对称结构设置在所述阻抗匹配单元与所述等离子体源之间。
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