KR20200072933A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20200072933A
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송정일
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 내부에 기판을 처리하기 위한 처리공간을 가지는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련되며, 고주파전원이 인가되는 하부전극을 포함하는 정전척을 구비하는 기판지지 유닛과, 상기 챔버 내에 마련되며 상기 하부전극과 대향하는 상부전극과, 상기 상부전극의 외측둘레에 배치되어 상기 상부전극 및 상기 하부전극과 전계커플링을 유도하는 상부확장전극과, 상기 상부확장전극에 전기적으로 연결되어 상기 상부확장전극의 임피던스를 조절함으로써, 상기 정전척 가장자리로 입사하는 전기장을 제어하는 상부확장전극 임피던스 제어부를 포함한다.

Description

기판처리장치{A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 챔버 내 플라즈마 밀도를 균일하게 제어할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조 공정 중 에칭 공정은 플라즈마를 이용하여 기판상의 박막을 제거할 수 있다.
플라즈마를 이용한 건식 식각 공정에 이용되는 기판 처리장치는 정전척의 상하에 설치된 전극을 이용하여 플라즈마를 생성한다. 전극의 설치부분까지는 플라즈마의 제어가 용이하지만, 상대적으로 정전척의 외측 주변부에서는 플라즈마의 직접적인 제어가 용이하지 않다.
예를 들어, 외측 주변부에 생성되는 플라즈마의 양이 상대적으로 적으며, 그에 따라, 웨이퍼의 가장자리의 식각율이 중앙 영역에 비해 다소 낮아질 수 있다. 결과적으로, 웨이퍼의 전면에 걸친 균일한 식각율을 달성하기 어렵다.
한편, 웨이퍼의 식각 균일도를 향상시키기 위하여, 정전척의 둘레에 포커스 링을 장착하는 방안이 채택된다. 포커스 링의 형상, 높이 등에 따라 플라즈마의 생성량 및 그 패턴이 변화되기 때문에, 이를 미세하게 조절함으로써 웨이퍼 표면 상에서 보다 균일한 플라즈마가 생성되어, 웨이퍼의 상면에 반응 이온들이 균일하게 도달하도록 한다.
그러나, 포커스 링의 형상 및 높이의 미세 조절에는 구조적인 한계가 있으므로, 목표로 하는 정밀한 플라즈마 생성 패턴 조절에 도달하는 것이 매우 어렵다.
더 나아가, 건식 식각 공정을 수행하면, 웨이퍼 및/또는 그 위의 구조물뿐만 아니라, 포커스 링도 함께 식각된다. 포커스 링이 식각되면, 그 형상 및 높이가 변화하므로, 당초 설정하였던 플라즈마의 생성 패턴을 변화시키게 된다. 그에 따라 웨이퍼 전면에 걸친 균일한 식각율이라는 공정 목표를 달성하기가 어려워진다. 이를 방지하기 위하여, 소정 회수의 식각을 수행한 후, 포커스 링을 교체할 수 있으나, 포커스 링의 잦은 교체는 공정 시간을 지연시키며, 공정 비용을 상승시킨다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 기판 가장자리 영역에 형성되는 플라즈마의 균일도를 용이하게 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 기판 가장자리 영역에 형성되는 플라즈마의 균일도를 향상시켜, 포커스링이 마모되는 정도를 줄여 공정 비용을 절감하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는, 내부에 기판을 처리하기 위한 처리공간을 가지는 챔버; 상기 챔버 내에 마련되며, 고주파전원이 인가되는 하부전극을 포함하는 정전척을 구비하고, 상기 피처리 기판이 배치되는 기판지지 유닛; 상기 챔버 내에 마련되며, 상기 하부전극과 대향하는 상부전극; 상기 상부전극의 외측둘레에 배치되어 상기 상부 전극 및 상기 하부전극과 전계커플링을 유도하는 상부확장전극과, 상기 상부확장전극에 전기적으로 연결되어 상기 상부확장전극의 임피던스를 조절함으로써, 상기 정전척 가장자리로 입사하는 전기장을 제어하는 상부확장전극 임피던스 제어부를 포함한다.
또한 실시예에 있어서, 상기 상부확장전극 임피던스 제어부는 직렬 또는 병렬로 연결된 인덕터 및 가변 커패시터를 포함할 수 있다.
또한 실시예에 있어서, 상기 상부확장전극 임피던스 제어부는 하나이고, 상기 하나의 상부확장전극 임피던스 제어부는, 상기 상부확장전극 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한 실시예에 있어서, 상기 상부확장전극 임피던스 제어부는 복수개이고, 상기 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부 각각은, 상기 상부확장전극 내 분산된 복수의 서로 다른 위치에 연결될 수 있다.
또한 실시예에 있어서, 상기 상부확장전극은 복수개의 부분상부확장전극을 포함하고, 상기 상부확장전극 임피던스 제어부는, 상기 복수개의 부분상부확장전극 모두에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한 실시예에 있어서, 제1항에 있어서, 상기 상부확장전극은 복수개의 부분상부확장전극을 포함하고, 상기 상부확장전극 임피던스 제어부는 복수개이며, 상기 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부 각각은 상기 복수개의 부분상부확장전극 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한 실시예에 있어서, 상기 기판지지 유닛은, 기판이 놓이되, 고주파 전원이 인가되는 하부전극을 포함하는 정전척; 정전척에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 제1링; 상기 정전척의 둘레를 감싸며, 절연재질을 포함하는 제2링; 상기 제2링 내에 배치되어 상기 상부전극 및 상기 하부전극과 전계커플링을 유도하는 하부확장전극; 상기 하부확장전극과 전기적으로 연결되어, 상기 하부확장전극의 임피던스를 조절하는 하부확장전극 임피던스 제어부를 포함한다.
또한 실시예에 있어서, 상기 하부확장전극 임피던스 제어부는 직렬 또는 병렬로 연결된 인덕터 및 가변 커패시터를 포함할 수 있다.
또한 실시예에 있어서, 상기 하부확장전극 임피던스 제어부는 적어도 하나이고, 상기 적어도 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부는, 상기 하부확장전극 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한 실시예에 있어서, 상기 하부확장전극은 복수개의 부분하부확장전극을 포함하고, 상기 하부확장전극 임피던스 제어부는 적어도 하나이고, 상기 적어도 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부는, 상기 복수개의 부분하부확장전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명은 상부전극 외측둘레에 상부확장전극과, 정전척 둘레를 감싸는 절연링 내부에 하부확장전극을 구비하고, 상부확장전극 및 하부확장전극의 임피던스를 제어함으로써, 기판 가장자리 영역에 형성되는 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 균일도를 향상시켜, 포커스링이 마모되는 정도를 줄일 수 있을 뿐 아니라 포커스링의 교체 주기를 연장함으로써 공정 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판처리장치의 일부를 간략하게 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 상부확장전극 임피던스 제어부에 포함되는 예시적인 회로도이다.
도 4는 도 2에 도시된 상부확장전극 임피던스 제어부의 동작을 설명하기 위한 예시적인 회로도이다
도 5는 도 2에 도시된 상부확장전극과 상부확장전극 임피던스 제어부의 다양한 결합 구성을 간략하게 도시한 도면이다.
도 6는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리장치의 일부를 나타내는 도면이다.
도 7은 하부확장전극 임피던스 제어부에 포함되는 예시적인 회로도이다.
도 8는 도 6에 도시된 상부확장전극 임피던스 제어부 및 하부확장전극 임피던스 제어부의 동작을 설명하기 위한 예시적인 회로도이다
도 9는 하부확장전극과 하부확장전극 임피던스 제어부의 다양한 연결형태를 도시한 도면이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 전계 커플링 효과를 유도할 수 있는 상부확장전극 둘레에 상부확장전극과 상부확장전극의 임피던스를 제어할 수 있는 상부확장전극 임피던스 제어부를 구비함으로써, 정전척 가장자리의 전기장의 변화를 제어하여, 포커스링 상부에 생성되는 플라즈마 쉬스를 통과하는 이온을 제어할 수 있다. 또한 플라즈마에 노출되어 마모가 발생하는 포커스 링의 마모 정도를 완화하여 포커스링의 교체 주기를 연장할 수 있다.
이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치(10)를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판처리장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(S)을 처리한다. 예를 들어, 기판처리장치(10)는 기판(S)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판지지 유닛(200), 플라즈마 발생 유닛(300), 가스 공급 유닛(400) 및 배플 유닛(500)을 포함할 수 있다.
챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 챔버(100)는 내부에 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.
일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
챔버(100)의 내부에는 기판지지 유닛(200)이 위치할 수 있다. 기판지지 유닛(200)은 기판(S)을 지지할 수 있다. 기판지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(S)을 흡착하는 정전척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(S)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
기판지지 유닛(200)은 정전척(210), 하부커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 기판지지 유닛(200)는 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면으로부터 상부로 이격되어 위치할 수 있다.
정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 포커스링(240)을 포함할 수 있다. 정전척(210)은 기판(S)을 지지할 수 있다.
유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(220)의 상면에는 기판(S)이 놓일 수 있다. 유전판(220)의 상면은 기판(S)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 때문에, 기판(S)의 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치할 수 있다.
유전판(220)은 내부에 제1 전극(223), 히터(225) 그리고 제1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수 개 형성되며, 기판(S)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다.
제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제1 전극(223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(S) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(S)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다.
히터(225)는 제1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 히터(225)는 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 히터(225)는 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(S)으로 전달될 수 있다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(S)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다.
유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(S) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(S)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 할 수 있다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(S)을 함께 냉각시켜 기판(S)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.
몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원을 포함할 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가받을 수 있다. 이로 인하여 몸체(230)는 전극, 즉 하부 전극으로서 기능할 수 있다.
링부재(240)는 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 링부재(240)는 환형의 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 특히 링부재(240)는 포커스링을 포함하는 다수의 링으로 구성될 수 있다. 특히 링부재(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 링부재(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다. 링부재(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 링부재(240)의 외측부(240a)는 기판(S)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 링부재(240)는 기판(S)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(S)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(S)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.
하부 커버(250)는 기판지지 유닛(200)의 하단부에 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간(255)이 내부에 형성될 수 있다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)에는 반송되는 기판(S)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 리프트 핀 모듈(미도시)은 하부 커버(250)로부터 일정 간격 이격되어 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)은 공기가 제공될 수 있다. 공기는 절연체보다 유전율이 낮으므로 기판지지 유닛(200) 내부의 전자기장을 감소시키는 역할을 할 수 있다.
하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 가질 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(100)의 내측벽을 연결할 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 기판지지 유닛(200)를 챔버(100) 내부에서 지지할 수 있다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(100)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지되도록 할 수 있다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 제3 전원(235a)과 연결되는 제3 전원라인(235c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(253)의 내부 공간(255)을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장될 수 있다.
정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치할 수 있다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮을 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(270)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)의 전기적 거리를 증가시키는 역할을 할 수 있다.
플라즈마 발생 유닛(300)은 챔버(100) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 상기 플라즈마 발생 유닛(300)은 용량 결합형 플라즈마 타입의 플라즈마 소스를 사용할 수 있다. CCP 타입의 플라즈마 소스가 사용되는 경우, 챔버(100)에 상부 전극(330) 및 하부 전극(230), 즉 몸체가 포함될 수 있다. 상부 전극(330) 및 하부 전극(230)은 처리 공간을 사이에 두고 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 하부 전극(230)뿐만 아니라 상부 전극(330)도 RF 전원(310)에 의해 RF 신호를 인가받아 플라즈마를 생성하기 위한 에너지를 공급받을 수 있으며, 각 전극에 인가되는 RF 신호의 수는 도시된 바와 같이 하나로 제한되지는 않는다. 양 전극 간의 공간에는 전기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다. 본 명세서에 있어서 설명되는 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively coupled plasma) 타입으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않으며 플라즈마 발생 유닛(600)은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 타입으로 구성될 수도 있다.
플라즈마 발생 유닛(300)은 가스분산판이 구비될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 가스분산판은 챔버(100)의 상면으로부터 일정거리 이격되어 배치될 수 있다. 가스분산판은 챔버(100)의 상면 가장자리에 형성되는 지지부에 의해 고정될 수 있다. 가스분산판은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스분산판의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위해 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스분산판의 단면적은 기판지지 유닛(200)의 단면적과 동일하게 제공될 수 있다. 가스분산판은 복수개의 분사홀을 포함한다. 분사홀은 가스분산판의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통할 수 있다. 가스분산판(310)은 금속재질을 포함할 수 있다. 금속재질의 가스분산판(310)은 상부 전극으로의 기능을 수행할 수 있다.
한편, 상부 전극(330)의 외측둘레에 상부확장전극(332)가 배치된다. 상부확장전극(332)은 적어도 하나의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)과 전기적으로 연결된다. 임피던스 제어부(333)는 상부확장전극(332)의 임피던스를 조절함으로써 정전 척(210)의 가장자리 부분의 전기장을 제어하여 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치될 수 있다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.
배플 유닛(500)은 챔버(100)의 내측벽과 기판지지 유닛(200)의 사이에 위치될 수 있다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성될 수 있다. 챔버(100) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기될 수 있다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.
이하 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치의 상부확장전극에 대해 상세히 알아본다.
도 2는 도 1에 도시된 기판처리장치의 일부를 간략하게 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 챔버의 하부에는 기판지지 유닛(200)이 배치되고, 챔버의 상부에는 상부전극(330)과 상부확장전극(332)이 배치된다.
기판지지 유닛(200)은 하부전극(230)과 링부재(240)를 포함한다.
하부전극(230)에 고주파 전원이 인가됨으로써, 하부전극(230)은 상부전극(330)과 함께 플라즈마를 생성할 수 있다. 이와는 다르게, 상부전극(330)에 고주파 전원이 인가될 수도 있다.
링부재(240)는 포커스링(241), 절연링(242), 금속링(243), 외측링(244)를 포함한다.
포커스링(241)은 정전척(210)에 놓인 기판의 둘레를 감싸도록 제공될 수 있다. 포커스링(241)은 플라즈마 공정 중 생성된 이온이 기판 위로 집중될 수 있도록 한다.
절연링(242)은 정전척(210)의 둘레를 감싸도록 제공될 수 있다. 절연링(242)은 절연재질로 제공될 수 있다. 절연링(242)는 정전척(210)과 챔버의 외벽을 분리할 수 있다. 절연링(242)은 포커스링(241)을 정전척(210)의 하부에 있는 모듈들과 전기적으로 절연시킬 수 있다.
포커스링(241)과 절연링(242) 사이에는 금속재질의 금속링(243)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 금속링(243)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(240)과 금속링(243)를 감싸는 외측링(244)이 더 제공될 수 있다. 외측링(244)은 절연체로 제공될 수 있다.
상부전극(330)은 하부전극(230)에 대향하는 위치에 구비된다.
상부전극(330)의 외측둘레에 환형의 링 형상의 상부확장전극(332)이 배치된다. 상부확장전극(332)은 환형의 링 형상 일체로 구성되거나 또는 복수개의 부분상부확장전극으로 분할되어 구성될 수 있다. 상부확장전극(332)은 상부확장전극 임피던스 제어부(333)와 전기적으로 연결된다. 상부확장전극(332)은 상부전극(330) 및 하부전극(230)과 전계커플링을 유도하고, 임피던스 제어부(333)는 상부확장전극(332)의 임피던스를 조절한다. 따라서 기판처리장치(10)는 상부확장전극(332) 및 상부확장전극 임피던스 제어부(333)을 이용하여, 정전 척(210)의 가장자리 부분의 전기장을 제어하여 플라즈마 밀도를 더욱 균일하게 할 수 있다.
상부확장전극(332)에는 절연부재(331)가 구비될 수 있다. 절연부재(331)는 상부확장전극(332)을 상부전극(330)으로부터 전기적으로 절연시킬 수 있다. 절연부재(331)는 상부확장전극(332)의 상면, 하면, 내측면, 외측면 중 적어도 하나를 커버하도록 형성될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 상부확장전극 임피던스 제어부에 포함되는 예시적인 회로도이다.
도 3을 참조하면, 상부확장전극 임피던스 제어부(333)의 일측은 상부확장전극(332)에 전기적으로 연결되고, 상부확장전극 임피던스 제어부(333)의 타측은 접지된다. 상부확장전극 임피던스 제어부(333)는 가변 커패시터 및 인덕터를 포함할 수 있다. 예를 들어 도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 상부확장전극 임피던스 제어부(333)는 직렬 또는 병렬로 연결된 가변 커패시터와 인덕터를 포함할 수 있다.
한편 상부확장전극 임피던스 제어부(333)가 구현될 수 있는 회로의 구성은 도 3에 도시된 회로에 제한되지 않는다. 상부확장전극 임피던스 제어부(333)는 상부확장전극(332)에 전기적으로 연결되어 정전척(210) 주변부에 커플링되는 고주파 전력을 제어할 수 있는 어떠한 구성의 회로로도 제공될 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 상부확장전극 임피던스 제어부의 동작을 설명하기 위한 예시적인 회로도이다
도 4에 도시된 바와 같이, 상부확장전극 임피던스 제어부(333)는 플라즈마 임피던스(Z)와 정전척(210)에 제공된 전극으로 RF 전력을 제공하는 고주파 전원 사이의 커플링을 조절할 수 있다. 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 통해 제2 링(242)의 임피던스를 변화시킴에 따라 정전척 가장자리에 형성되는 플라즈마 쉬스의 전위를 변화시킬 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 쉬스를 통해 입사되는 이온들의 제어가 가능해진다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판지지 유닛은 기판 가장자리의 식각률 및 식각 프로파일의 제어기능이 강화된다.
도 5는 도 2에 도시된 상부확장전극과 상부확장전극 임피던스 제어부의 다양한 결합 구성을 간략하게 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 기판처리장치(10)는 환형의 링 형상 일체 또는 분할된 상부확장전극(332)과 하나 또는 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 포함한다. 환형의 일체 또는 분할된 상부확장전극(332)은 하나 또는 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 예로 도5의 (a)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 환형의 링 형상 일체로 구성된 상부확장전극(332)과, 하나의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 포함한다. 상부확장전극 임피던스 제어부(333)는 상부확장전극(332)의 어느 하나의 특정 부분과 전기적으로 연결될 수 있다.
다른 예로서 도 5의 (b)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 환형의 링 형상 일체로 구성된 상부확장전극(332)과, 하나의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 포함한다. 하나의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)는 다수의 연결선을 이용하여 상부확장전극(332) 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 5의 (a)를 참조하면, 도 5의 (a)에 도시된 상부확장전극(332)의 제1 부분은 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 거쳐 접지로 연결된다. 따라서 임피던스 제어부(333)와 연결된 상부확장전극(332)의 제1 부분 근처의 플라즈마 밀도는, 제1 부분으로부터 먼 거리에 위치한 상부확장전극(332)의 제2 부분 근처의 플라즈마 밀도와 상이할 수 있다.
하지만 도 5의 (b)에 도시된 구성에 의하면, 상부확장전극 임피던스 제어부(333)가 다수의 연결선을 이용하여 상부확장전극(332) 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결됨으로써, 어느 하나의 특정부분이 다른 부분에 비해 플라즈마 밀도가 크거나 작게 제어되는 것을 방지할 수 있다.
또 다른 예로서 도 5의 (c)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 환형의 링 형상 일체로 구성된 상부확장전극(332)과, 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 포함한다. 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부(333) 각각은 상부확장전극(332) 내 분산된 복수의 서로 다른 위치에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 구성에 의하면, 상부확장전극 임피던스 제어부(333)와 연결되는 상부확장전극(332)의 각 부분에서의 플라즈마 밀도가 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 이용하여 개별적으로 제어할 수 있다.
또 다른 예로서 도 5의 (d)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 복수개의 부분상부확장전극(334)으로 이루어지는 상부확장전극(332)과, 하나의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 포함한다. 도 5의 (d)에 도시된 상부확장전극(332)은 복수개의 부분상부확장전극(334)로 분할되어 있다. 하나의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)는 다수의 연결선을 이용하여 복수개의 부분상부확장전극(332) 모두에 전기적으로 연결된다.
또 다른 예로서 도 5의 (e)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 복수개로 분할된 부분상부확장전극(334)으로 이루어지는 상부확장전극(332)과, 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부(333)를 포함한다. 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부(333) 각각은 복수개의 부분상부확장전극(332) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리장치의 일부를 나타내는 도면이다. 제2 실시예에 따른 기판처리장치는 제1 실시예에 따른 기판처리장치의 구성에 하부확장전극이 추가된 구성을 갖는다. 이하 제1 실시예와 중복되는 상부확장전극 및 상부확장전극 임피던스 제어부에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 챔버의 하부에는 하부전극(230)과 링부재(240)가 배치되고, 챔버의 상부에는 상부전극(330)과 상부확장전극(332)이 배치된다.
상부전극(330)의 둘레에는 상부확장전극(332)이 배치된다. 상부확장전극(332)은 상부확장전극 임피던스 제어부(333)가 전기적으로 연결된다. 상부확장전극 임피던스 제어부(333)는 상부확장전극(332)의 임피던스를 조절한다. 상부확장전극(332) 및 상부확장전극 임피던스 제어부(333)에 대한 설명은 제1 실시예의 도 3 내지 도 5와 관련하여 설명한 바와 같다.
기판지지 유닛(200)은 하부전극(230)과 링부재(240)을 포함한다.
하부전극(230)은 고주파 전원이 인가되어 상부전극(330)과 함께 플라즈마를 생성할 수 있다.
링부재(240)는 포커스링(241), 절연링(242), 금속링(243), 외측링(244)를 포함한다.
포커스링(241)은 정전척(210)에 놓인 기판의 둘레를 감싸도록 제공될 수 있다. 포커스링(241)은 플라즈마 공정 중 생성된 이온이 기판 위로 집중될 수 있도록 한다.
절연링(242)은 정전척(210)의 둘레를 감싸도록 제공될 수 있다. 절연링(242)은 절연재질로 제공될 수 있다. 절연링(242)는 정전척(210)과 챔버의 외벽을 분리할 수 있다. 절연링(242)은 포커스링(241)을 정전척(210)의 하부에 있는 모듈들과 전기적으로 절연시킬 수 있다.
포커스링(241)과 절연링(242) 사이에는 금속재질의 금속링(243)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 금속링(243)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(240)과 금속링(243)를 감싸는 외측링(244)이 더 제공될 수 있다. 외측링(244)은 절연체로 제공될 수 있다.
상부전극(330)은 하부전극(230)에 대향하는 위치에 구비된다.
절연링(242) 내부에 전도성 재질로 제공되는 하부확장전극(245)가 제공될 수 있다. 하부확장전극(245)은 하부확장전극 임피던스 제어부(246)과 전기적으로 연결될 수 있다. 하부확장전극 임피던스 제어부(246)는 하부확장전극(245)의 임피던스를 조절한다.
하부확장전극(245)은 절연링(242) 내에 배치되어 상부전극(330), 하부전극(230) 및 상부확장전극(332)와 전계커플링을 유도한다. 하부확장전극(245)은 상부확장전극(332)와 함께 기판 가장자리 및 정전 척(210)의 가장자리 부분의 전기장을 제어하여 플라즈마 밀도를 더욱 균일하게 할 수 있다.
도 7은 하부확장전극 임피던스 제어부(246)에 포함되는 예시적인 회로도이다.
도 7을 참조하면, 하부확장전극 임피던스 제어부(246)의 일측은 하부확장전극(245)에 전기적으로 연결되고, 하부확장전극 임피던스 제어부(246)의 타측은 접지된다. 하부확장전극 임피던스 제어부(246)는 가변 커패시터 및 인덕터를 포함할 수 있다. 도 7의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 하부확장전극 임피던스 제어부(246)는 직렬 또는 병렬로 연결된 가변 커패시터와 인덕터를 포함한다.
한편, 하부확장전극 임피던스 제어부(246)가 구현될 수 있는 회로의 구성은 이에 제한되지 않으며, 하부확장전극(245)에 전기적으로 연결되어 정전척(210) 주변부에 커플링되는 고주파 전력을 제어할 수 있는 어떠한 구성의 회로로도 제공될 수 있다.
도 8는 도 6에 도시된 상부확장전극 임피던스 제어부 및 하부확장전극 임피던스 제어부의 동작을 설명하기 위한 예시적인 회로도이다.
도 8을 참조하면, 상부확장전극 임피던스 제어부(333) 및 하부확장전극 임피던스 제어부(246)은 플라즈마 임피던스(Z)와 정전척(210)에 제공된 전극으로 RF 전력을 제공하는 고주파 전원 사이의 커플링을 조절할 수 있다. 상부확장전극 임피던스 제어부(333) 및 하부확장전극 임피던스 제어부(246)를 통해 정전척 가장자리에 형성되는 플라즈마 쉬스의 전위를 변화시킬 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 쉬스를 통해 입사되는 이온들의 제어가 가능해진다. 따라서, 기판 가장자리의 식각률 및 식각 프로파일의 제어기능이 강화된다.
도 9는 하부확장전극과 하부확장전극 임피던스 제어부의 다양한 연결형태를 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 기판처리장치(10)는 환형의 링 형상 일체 또는 분할된 하부확장전극(245)과, 하나 또는 복수개의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)를 포함한다. 환형의 일체 또는 분할된 하부확장전극(245)은 하나 또는 복수개의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 예로 도 9의 (a)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 환형의 링 형상 일체로 구성된 하부확장전극(245)과, 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)를 포함한다. 하부확장전극 임피던스 제어부(246)는 하부확장전극(245)의 어느 하나의 특정 부분과 전기적으로 연결될 수 있다.
다른 예로서 도 9의 (b)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 환형의 링 형상 일체로 구성된 하부확장전극(245)과, 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)를 포함한다. 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)는 다수의 연결선을 이용하여 하부확장전극(245) 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결될 수 있다.
하부확장전극 임피던스 제어부(246)가 다수의 연결선을 이용하여 하부확장전극(245) 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결됨으로써, 하부확장전극(245)의 특정부분이 다른 부분에 비해 플라즈마 밀도가 크거나 작게 제어되는 것을 방지할 수 있다.
또 다른 예로서 도 9의 (c)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 환형의 링 형상 일체로 구성된 하부확장전극(245)과, 복수개의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)를 포함한다. 복수개의 하부확장전극 임피던스 제어부(246) 각각은 하부확장전극(245) 내 분산된 복수의 서로 다른 위치에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 구성에 의하면, 하부확장전극 임피던스 제어부(246)와 연결되는 하부확장전극(245)의 각 부분에서의 플라즈마 밀도를 개별적으로 제어할 수 있다.
또 다른 예로서 도 9의 (d)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 복수개의 부분하부확장전극(257)으로 이루어지는 하부확장전극(245)과, 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)를 포함한다. 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)는 다수의 연결선을 이용하여 복수개의 부분하부확장전극(257) 모두에 전기적으로 연결된다.
또 다른 예로서 도 9의 (e)를 참조하면, 기판처리장치(10)는 복수개의 부분하부확장전극(257)으로 이루어지는 하부확장전극(245)과, 복수개의 하부확장전극 임피던스 제어부(246)를 포함한다. 복수개의 하부확장전극 임피던스 제어부(246) 각각은 복수개의 부분하부확장전극(257) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명은 상부전극 외측둘레에 상부확장전극과, 정전척 둘레를 감싸는 절연링 내부에 하부확장전극을 구비하고, 상부확장전극 및 하부확장전극의 임피던스를 제어함으로써, 기판 가장자리 영역에 형성되는 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 균일도를 향상시켜, 포커스링이 마모되는 정도를 줄일 수 있을 뿐 아니라 포커스링의 교체 주기를 연장함으로써 공정 비용을 절감할 수 있다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속할 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 도시된 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 반대로 여러 개로 분산된 구성 요소들은 결합되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
10: 기판처리장치 100: 챔버
102: 배기홀 130: 라이너
200: 기판지지 유닛 210: 정전척
220: 유전판 230: 하부전극
232: 하부확장전극 240: 링부재
241: 포커스링 242: 절연링
243; 금속링 244: 외측링
245: 하부확장전극 246: 하부확장전극 임피던스 제어부
300: 플라즈마 발생유닛 332: 상부확장전극
333: 상부확장전극 임피던스 제어부 400: 가스공급유닛
500: 배플유닛

Claims (10)

  1. 내부에 기판을 처리하기 위한 처리공간을 가지는 챔버;
    상기 챔버 내에 마련되며, 고주파전원이 인가되는 하부전극을 포함하는 정전척을 구비하는 기판지지 유닛;
    상기 챔버 내에 마련되며, 상기 하부전극과 대향하는 상부전극;
    상기 상부전극의 외측둘레에 배치되어 상기 상부전극 및 상기 하부전극과 전계커플링을 유도하는 상부확장전극과,
    상기 상부확장전극에 전기적으로 연결되어 상기 상부확장전극의 임피던스를 조절함으로써, 상기 정전척 가장자리로 입사하는 전기장을 제어하는 상부확장전극 임피던스 제어부를 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부확장전극 임피던스 제어부는 직렬 또는 병렬로 연결된 인덕터 및 가변 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상부확장전극 임피던스 제어부는 하나이고,
    상기 하나의 상부확장전극 임피던스 제어부는, 상기 상부확장전극 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 상부확장전극 임피던스 제어부는 복수개이고,
    상기 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부 각각은, 상기 상부확장전극 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 상부확장전극은 복수개의 부분상부확장전극을 포함하고,
    상기 상부확장전극 임피던스 제어부는, 상기 복수개의 부분상부확장전극 모두에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 상부확장전극은 복수개의 부분상부확장전극을 포함하고,
    상기 상부확장전극 임피던스 제어부는 복수개이며,
    상기 복수개의 상부확장전극 임피던스 제어부 각각은 상기 복수개의 부분상부확장전극 각각에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판지지 유닛은,
    상기 정전척에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 제1링;
    상기 정전척의 둘레를 감싸며, 절연재질을 포함하는 제2링;
    상기 제2링 내에 배치되어 상기 상부전극 및 상기 하부전극과 전계커플링을 유도하는 하부확장전극;
    상기 하부확장전극과 전기적으로 연결되어, 상기 하부확장전극의 임피던스를 조절하는 하부확장전극 임피던스 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 하부확장전극 임피던스 제어부는 직렬 또는 병렬로 연결된 인덕터 및 가변 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 하부확장전극 임피던스 제어부는 적어도 하나이고,
    상기 적어도 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부는, 상기 하부확장전극 내 분산된 복수의 위치에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 하부확장전극은 복수개의 부분하부확장전극을 포함하고,
    상기 하부확장전극 임피던스 제어부는 적어도 하나이고,
    상기 적어도 하나의 하부확장전극 임피던스 제어부는, 상기 복수개의 부분하부확장전극에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102225605B1 (ko) * 2020-09-14 2021-03-10 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220061330A (ko) * 2020-11-05 2022-05-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220089530A (ko) * 2020-12-21 2022-06-28 주식회사 테스 기판처리장치

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