KR20150062907A - 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150062907A
KR20150062907A KR1020140011013A KR20140011013A KR20150062907A KR 20150062907 A KR20150062907 A KR 20150062907A KR 1020140011013 A KR1020140011013 A KR 1020140011013A KR 20140011013 A KR20140011013 A KR 20140011013A KR 20150062907 A KR20150062907 A KR 20150062907A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
substrate
heater
electrode
disposed
Prior art date
Application number
KR1020140011013A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101569886B1 (ko
Inventor
김형준
노재민
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to CN201410714558.6A priority Critical patent/CN104681387B/zh
Publication of KR20150062907A publication Critical patent/KR20150062907A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101569886B1 publication Critical patent/KR101569886B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징과, 상기 하우징 내에 제공되며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과, 상기 하우징 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 제1고주파 전력이 인가되어 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전극을 가지는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 바디와, 상기 바디 내에 배치되며 교류 전류의 인가에 의해 가열되는 히터와, 상기 바디 내에 상기 전극과 상기 히터 사이에 배치되며, 상기 전극에 인가되는 주파수와 상기 히터에 인가되는 주파수 간의 간섭을 줄이는 제1플레이트를 갖는다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는 플라즈마 발생을 위한 고주파 전력의 주파수와 가열을 위해 히터에 인가되는 교류 전류의 주파수 간의 간섭으로 인해 기판에서 온도 분포가 불균일해지는 것을 최소화할 수 있다.

Description

기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 지지 유닛을 통해 기판을 지지하고 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그래피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.
이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
일반적으로 기판의 온도를 제어하기 위해 기판 지지 유닛에 매설되는 히터는 금속 재질로 제공된다. 이때, 기판 처리 공정 중에는 기판의 상부 및/또는 하부에서 고주파 전력이 인가되는데, 고주파 전력의 주파수와 히터의 주파수 간에 간섭이 일어난다. 이에 따라 히터가 전기적으로 불안정해지고, 기판에서 온도 분포가 불균일해진다.
본 발명은 플라즈마 발생을 위한 고주파 전력의 주파수와 가열을 위해 히터에 인가되는 교류 전류의 주파수 간의 간섭으로 인해 기판에서 온도 분포가 불균일해지는 것을 최소화할 수 있는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 기판의 온도를 정밀하게 제어할 수 있는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징과, 상기 하우징 내에 제공되며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과, 상기 하우징 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 제1고주파 전력이 인가되어 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전극을 가지는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 바디와, 상기 바디 내에 배치되며 교류 전류의 인가에 의해 가열되는 히터와, 상기 바디 내에 상기 전극과 상기 히터 사이에 배치되며, 상기 전극에 인가되는 주파수와 상기 히터에 인가되는 주파수 간의 간섭을 줄이는 제1플레이트를 갖는다.
일 예에 의하면, 상기 바디는, 기판이 놓이며 유전체 재질의 상부판과, 상기 상부판 내에 제공되며 기판을 정전기력으로 흡착하는 정전 전극을 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 전극은 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되는 상부 전극이다.
일 예에 의하면, 상기 상부 전극은 상기 하우징의 외부에 제공되는 안테나이다.
일 예에 의하면, 상기 히터는 상기 상부판 내에서 상기 정전 전극 아래에 배치되고, 상기 제1플레이트는 상기 정전 전극과 상기 히터 사이에 배치된다.
일 예에 의하면, 상기 제1플레이트의 두께는 상기 정전 전극의 두께보다 두껍다.
일 예에 의하면, 상기 제1플레이트의 두께는 20㎛ 이상이다.
일 예에 의하면, 상기 제1플레이트는 금속 재질로 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 금속은 텅스텐이다.
일 예에 의하면, 상기 정전 전극과 상기 제1플레이트는 동일한 재질로 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 제1플레이트는 원판 형상으로 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 제1플레이트에는 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀들이 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 관통홀들은 상부에서 바라볼 때 상기 제1플레이트의 중심을 기준으로 동심원의 형상으로 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 제1플레이트에는 상하 방향으로 관통된 복수의 리프트 핀 홀들이 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 관통홀들의 직경은 상기 리프트 핀 홀의 직경보다 작게 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 상부판 아래에 배치되며 제2고주파 전력이 인가되는 금속 재질의 하부판과, 상기 히터 아래에 배치되는 제2플레이트를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 상부판과 상기 하부판을 접착시키는 절연 재질의 접착층을 더 포함하되, 상기 제2플레이트는 상기 접착층 내에 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 제2플레이트는 상기 상부판 내에 제공된다.
또한, 본 발명은 기판 지지 유닛을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛은, 기판이 놓이며 유전체 재질의 상부판을 갖는 바디와, 상기 상부판 내에 배치되며 교류 전류의 인가에 의해 가열되는 히터와, 상기 바디 내에서 상기 히터의 상부 또는 하부에 배치되며, 상기 상부판의 외부에 배치된 외부 전극에 인가되는 고주파 전력의 주파수와 상기 히터에 인가되는 주파수 간의 간섭을 줄이는 플레이트를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 바디는, 상기 상부판 내에 제공되며 기판을 정전기력으로 흡착하는 정전 전극을 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 외부 전극은 상기 기판 지지 유닛의 상부에 제공되고, 상기 플레이트는 상기 히터의 상부에 배치된다.
일 예에 의하면, 상기 히터는 상기 상부판 내에서 상기 정전 전극 아래에 배치되고, 상기 플레이트는 상기 정전 전극과 상기 히터 사이에 배치된다.
일 예에 의하면, 상기 바디는 상기 상부판 아래에 배치되는 금속 재질의 하부판을 더 포함하고, 상기 외부 전극은 상기 상부판의 하부에 제공되고, 상기 플레이트는 상기 히터의 하부에 배치된다.
일 예에 의하면, 상기 상부판과 상기 하부판을 접착시키는 절연 재질의 접착층을 더 포함하되, 상기 플레이트는 상기 접착층 내에 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 플레이트의 두께는 상기 정전 전극의 두께보다 두껍다.
일 예에 의하면, 상기 플레이트는 금속 재질로 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 정전 전극과 상기 플레이트는 동일한 재질로 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 플레이트는 원판 형상으로 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 플레이트에는 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀들이 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 제1플레이트에는 상하 방향으로 관통된 복수의 리프트 핀 홀들이 형성되고, 상기 관통홀들의 직경은 상기 리프트 핀 홀의 직경보다 작게 제공된다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는 플라즈마 발생을 위한 고주파 전력의 주파수와 가열을 위해 히터에 인가되는 교류 전류의 주파수 간의 간섭으로 인해 기판에서 온도 분포가 불균일해지는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는 기판의 온도 범위를 일정하도록 제어하여 온도 불균일 문제를 개선할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 지지 유닛의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 지지 유닛에 히터가 배치된 모습을 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 또 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 7의 기판 처리 장치의 다른 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 7의 기판 처리 장치의 또 다른 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 1의 플레이트의 모습을 나타내는 평면도이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 그 상부에 놓여진 기판을 가열하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 기판 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 그리고 배기 유닛(500)을 포함한다.
챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120) 및 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징(110)의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 라이너(130)는 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 하우징(110) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라즈마 소스(400)는 기판 지지 유닛(200)의 상부에 배치된다. 플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내의 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 전극(401), 안테나 실(410), 그리고 전원(430)을 포함한다.
전극(401)은 기판 지지 유닛(200)의 상부에 배치되는 상부 전극(402)이다. 상부 전극(402)은 하우징(110)의 외부에 제공되는 안테나(420)일 수 있다. 즉, 안테나(420)는 후술하는 히터(225)보다 위에 제공되며, 챔버(100)의 상부 또는 측부에 위치될 수 있다.
안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다.
안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 이와 달리 안테나의 형상 및 수는 다양하게 변경될 수 있다. 안테나(420)에는 플라즈마 전원(430)이 연결된다. 플라즈마 전원(430)과 안테나(420) 사이에는 임피던스 매칭 박스(IMB)가 배치될 수 있다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 일 예로, 안테나(420)에는 제1고주파 전력(431)이 인가될 수 있다. 제1고주파 전력(431)이 인가되면, 플라즈마 소스(400)의 전극(401)은 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다.
플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 제1고주파 전력(431)이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리 공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정 가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.
도 2는 도 1의 기판 지지 유닛의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 하우징(110)의 내부에는 기판 지지 유닛(200)이 위치한다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
기판 지지 유닛(200)은 정전 척(210) 및 하부 커버(270)를 포함한다. 기판 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.
정전 척(210)은 바디(215), 제1플레이트(224a), 히터(225), 제2플레이트(224b) 및 절연 플레이트(250)를 가진다. 바디(215)는 상부판(220), 정전 전극(223), 하부판(230), 그리고 접착층(236)을 포함한다.
도 1을 참조하면, 상부판(220)은 정전 척(210)의 상단부로 제공된다. 일 예에 의하면, 상부판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance) 재질로 제공될 있다. 상부판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 상부판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 상부판(220)에는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.
정전 전극(223)은 상부판(220)의 내부에 매설된다. 정전 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 정전 전극(223)과 제1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 정전 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 정전 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 정전 전극(223)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 상부판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 바디(215) 내에 위치된다. 히터(225)는 상부판(220) 내에서 정전 전극(223) 아래에 배치될 수 있다. 히터(225)는 바디(215)를 가열한다. 히터(225)는 교류 전류의 인가에 의해 가열된다. 즉, 히터(225)는 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 상부판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다.
도 3은 도 1의 기판 지지 유닛에 히터가 배치된 모습을 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 히터(225)는 상부판(220) 내에 매설되는 열선일 수 있다. 열선은 상부판(220)의 일정 영역별로 규칙적인 배열로 배치될 수 있다. 상부판(220)에는 리프트 핀 홀(227)들 또는 헬륨(He) 가스와 같은 열전달 매체 공급 라인(231b) 등이 형성된다.
기판 지지 유닛(200)에 매설되는 히터(225)는 대부분 금속 재질로 제공된다. 금속 재질의 히터(225)는 기판의 상부 및/또는 하부에서 각각 인가되는 고주파 전력의 주파수와 커플링(coupling)을 발생시킨다. 이에 따라 전기적인 불안정성이 증가한다. 또한, 열선은 리프트 핀 홀(227) 또는 열전달 매체 공급 라인(231b)과 같은 구조물에서는 규칙적으로 배열되지 못하고 꺾이게 된다. 이러한 열선의 꺾임은 기판(W)의 온도 불균일 문제를 야기한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 기판 지지 유닛(200) 내에 플레이트(224)를 제공한다. 플레이트(224)는 제1플레이트(224a)와 제2플레이트(224b)를 포함한다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이고, 도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 또 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 제1플레이트(224a)는 바디(215) 내부에 매설된다. 제1플레이트(224a)는 바디(215) 내에서 전극(401)과 히터(225) 사이에 배치된다. 제1플레이트(224a)는 정전 전극(223)과 히터(225) 사이에 배치될 수 있다. 제1플레이트(224a)는 플라즈마 소스(400)의 전극(401)에 인가되는 제1고주파 전력(431)의 주파수와 히터(225)에 인가되는 주파수 간의 간섭을 줄인다. 즉, 제1플레이트(224a)는 플라즈마 소스(400)의 전극(401)에 인가되는 주파수와 히터(225)에 인가되는 주파수 간에 발생하는 교란을 필터링한다.
하부판(230)은 상부판(220) 아래에 배치된다. 접착층(236)은 상부판(220)과 하부판(230)을 접착시킨다. 접착층(236)은 절연 재질로 형성된다. 하부판(230)은 금속 재질로 형성된다. 일 예로 하부판(230)은 알루미늄 재질로 형성될 수 있다. 하부판(230)에는 제2고주파 전력(432)이 인가된다. 금속 재질로 형성되는 하부판(230)은 하부 전극(403)으로서 작용한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제2플레이트(224b)는 히터(225)의 아래에 배치된다. 이는 하부 전극(403)으로 기능하는 하부판(230)에 인가되는 제2고주파 전력(432)의 주파수와 금속 재질의 히터(225)에 인가되는 주파수간의 간섭을 줄이기 위함이다. 도 4와 같이, 제2플레이트(224b)는 상부판(220) 내에 제공될 수 있다. 즉, 제2플레이트(224b)는 상부판(220) 내에서 히터(225)의 하부에 위치된다.
도 5를 참조하면, 하부판(230)은 접지될 수 있다. 도 5의 경우에는 하부판(230)에 제2 고주파 전력(432)이 인가되지 않으므로 히터(225)의 하부에는 제2플레이트(224b)가 배치될 필요가 없다. 따라서 이 경우에는 상부 전극(402)에만 제1고주파 전력(431)이 인가되므로 히터(225) 상부에 제1플레이트(224a)만 배치될 수 있다.
도 6을 참조하면, 하부판(230)에 제2고주파 전력(432)이 인가되는 경우 제2플레이트(224b)는 접착층(236) 내에 제공될 수 있다. 접착층(236) 역시 히터(225)의 하부에 위치되므로 제2플레이트(224b)가 배치되어 주파수 간의 간섭을 줄일 수 있다.
선택적으로, 플라즈마 소스(400)로는 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 8은 도 7의 기판 처리 장치의 다른 예를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 9는 도 7의 기판 처리 장치의 또 다른 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
플라즈마 소스(400')는 상부 전극(402')과 고주파 전력 공급부(431',432')를 포함한다. 고주파 전력 공급부(431',432')는 상부 전극(402')과 전기적으로 연결되며, 상부 전극(402')에 고주파 전력을 인가한다. 상부 전극(402')에 인가된 전력은 방전 공간에 머무르는 공정 가스를 여기시킨다. 여기서 상부 전극(402')은 샤워 헤드로 제공될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상부와 하부에서 모두 고주파 전력(431',432')이 인가되는 경우 제1플레이트(224a')는 바디(215') 내에서 상부 전극(402')과 히터(225') 사이에 배치되고, 제2플레이트(224b')는 상부판(220') 내에서 히터(225')의 아래에 배치된다.
도 8을 참조하면, 상부에서만 고주파 전력(431')이 인가되고 하부는 접지되는 경우, 제1플레이트(224a')만이 바디(215') 내에 상부 전극(402')과 히터(225') 사이에 배치된다.
도 9를 참조하면, 하부에서만 고주파 전력(432')이 인가되고 상부는 접지되는 경우, 제2플레이트(224b')만이 상부판(220') 내에서 히터(225')의 하부에 배치된다. 선택적으로, 제2플레이트(224b')는 접착층(236') 내에 제공될 수도 있다.
정전 전극(223)은 그 두께가 충분히 두껍지 않아서 상기와 같은 경우에 주파수 간의 간섭을 줄이기 어렵다. 따라서 제1플레이트(224a)는 정전 전극(223)보다 두께가 더 두껍게 제공될 수 있다. 제1플레이트(224a)의 두께는 20㎛ 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 제1플레이트(224a)는 금속 재질로 형성될 수 있다. 일 예로 상기 금속은 텅스텐 또는 텅스텐과 유사한 계열의 물질일 수 있다. 더불어, 정전 전극(223)과 제1플레이트(224a)는 동일한 재질로 형성될 수 있다. 선택적으로 제1플레이트(224a)는 비금속 재질로 제공될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1플레이트(224a)는 원판 형상으로 형성된다. 제1플레이트(224a)에는 복수의 관통홀들(226)이 형성된다. 관통홀들(226)은 제1플레이트(224a)의 상하 방향으로 관통되어 다수가 형성된다. 복수의 관통홀들(226)은 제1플레이트(224a)의 열팽창시 완충 역할을 한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 관통홀(226)들은 상부에서 바라볼 때 제1플레이트(224a)의 중심을 기준으로 동심원의 형상으로 제공될 수 있다. 즉, 관통홀(226)들은 제1플레이트(224a)의 중심에서 그리고 상호 간에 일정 간격으로 배치되어 상부에서 바라볼 때 제1플레이트(224a)의 중심을 기준으로 다수의 동심원의 형상으로 제공될 수 있다. 상기 동심원은 제1플레이트(224a)의 중앙 영역에 형성되는 내원과 가장자리 영역에 형성되는 외원을 포함할 수 있다.
추가적으로, 제1플레이트(224a)에는 다수의 리프트 핀 홀(227)들이 형성될 수 있다. 리프트 핀 홀(227)들은 상기 내원과 상기 외원의 사이에서 제1플레이트(224a)의 상하 방향으로 관통되면서 일정 간격 이격되어 복수개가 배치된다. 관통홀(226)들의 직경은 리프트 핀 홀(227)들의 직경보다 작게 제공될 수 있다.
선택적으로, 제1플레이트(224a)는 관통홀이 제공되지 않는 플레이트 형상일 수 있다.
플레이트(224)는 상부판(220)의 외부에 배치된 외부 전극(404)에 인가되는 고주파 전력(431,432)의 주파수와 히터(225)에 인가되는 주파수 간의 간섭을 줄인다. 외부 전극(404)은 상부 전극(402)과 하부 전극(403)을 포함한다. 따라서, 외부 전극(404)은 기판 지지 유닛(200)의 상부 및/또는 상부판(220)의 하부에 제공된다.
제2플레이트(224b)는 제1플레이트(224a)와 동일한 구성을 가지며 그 기능 또한 동일하다. 따라서 제2플레이트(224b)와 관련된 상세한 설명은 제1플레이트(224a)와 중복되므로 생략한다.
다시 도 1을 참조하면, 하부판(230)에는 순환 유로(231), 냉각 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 바디를 냉각시킨다. 냉각 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다. 포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 상부판(220)의 둘레를 따라 배치된다.
하부판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 하부판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다. 하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정 가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
상기와 같은 구성을 포함하는 본 발명은 플라즈마 발생을 위한 고주파 전력의 주파수와 가열을 위해 히터에 인가되는 교류 전류의 주파수 간의 간섭으로 인해 기판에서 온도 분포가 불균일해지는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명은 기판의 온도 범위를 일정하도록 제어하여 온도 불균일 문제를 개선할 수 있다. 즉, 본 발명은 바디(215) 내에 플레이트(224)를 배치함으로써, 주파수 간의 간섭을 줄이고 나아가 기판(W)의 전 영역에 걸쳐 균일한 온도를 제공할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 기판 처리 장치 110 : 하우징
200 : 기판 지지 유닛 215 : 바디
220 : 상부판 223 : 정전 전극
224 : 플레이트 224a : 제1플레이트
224b : 제2플레이트 225 : 히터
226 : 관통홀 230 : 하부판
236 : 접착층 300 : 가스 공급 유닛
400 : 플라즈마 소스 402 : 상부 전극
420 : 안테나 500 : 배기 유닛

Claims (30)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    하우징과,
    상기 하우징 내에 제공되며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과,
    상기 하우징 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과,
    제1고주파 전력이 인가되어 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전극을 가지는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 기판 지지 유닛은,
    바디와,
    상기 바디 내에 배치되며 교류 전류의 인가에 의해 가열되는 히터와,
    상기 바디 내에 상기 전극과 상기 히터 사이에 배치되며, 상기 전극에 인가되는 주파수와 상기 히터에 인가되는 주파수 간의 간섭을 줄이는 제1플레이트를 가지는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 바디는,
    기판이 놓이며 유전체 재질의 상부판과,
    상기 상부판 내에 제공되며 기판을 정전기력으로 흡착하는 정전 전극을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 전극은 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되는 상부 전극인 기판 처리 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 상부 전극은 상기 하우징의 외부에 제공되는 안테나인 기판 처리 장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 히터는 상기 상부판 내에서 상기 정전 전극 아래에 배치되고,
    상기 제1플레이트는 상기 정전 전극과 상기 히터 사이에 배치되는 기판 처리 장치.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 제1플레이트의 두께는 상기 정전 전극의 두께보다 두꺼운 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제1플레이트의 두께는 20㎛ 이상인 기판 처리 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제1플레이트는 금속 재질로 형성되는 기판 처리 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 금속은 텅스텐인 기판 처리 장치.
  10. 제 3항에 있어서,
    상기 정전 전극과 상기 제1플레이트는 동일한 재질로 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1플레이트는 원판 형상으로 형성되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제1플레이트에는 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀들이 형성되는 기판 처리 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 관통홀들은 상부에서 바라볼 때 상기 제1플레이트의 중심을 기준으로 동심원의 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 제1플레이트에는 상하 방향으로 관통된 복수의 리프트 핀 홀들이 형성되는 기판 처리 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 관통홀들의 직경은 상기 리프트 핀 홀의 직경보다 작게 제공되는 기판 처리 장치.
  16. 제 3항에 있어서,
    상기 상부판 아래에 배치되며 제2고주파 전력이 인가되는 금속 재질의 하부판과,
    상기 히터 아래에 배치되는 제2플레이트를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 상부판과 상기 하부판을 접착시키는 절연 재질의 접착층을 더 포함하되,
    상기 제2플레이트는 상기 접착층 내에 제공되는 기판 처리 장치.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 제2플레이트는 상기 상부판 내에 제공되는 기판 처리 장치.
  19. 기판을 지지하는 유닛에 있어서,
    기판이 놓이며 유전체 재질의 상부판을 갖는 바디와,
    상기 상부판 내에 배치되며 교류 전류의 인가에 의해 가열되는 히터와,
    상기 바디 내에서 상기 히터의 상부 또는 하부에 배치되며, 상기 상부판의 외부에 배치된 외부 전극에 인가되는 고주파 전력의 주파수와 상기 히터에 인가되는 주파수 간의 간섭을 줄이는 플레이트를 포함하는 기판 지지 유닛.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 바디는,
    상기 상부판 내에 제공되며 기판을 정전기력으로 흡착하는 정전 전극을 더 포함하는 기판 지지 유닛.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 외부 전극은 상기 기판 지지 유닛의 상부에 제공되고,
    상기 플레이트는 상기 히터의 상부에 배치되는 기판 지지 유닛.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 히터는 상기 상부판 내에서 상기 정전 전극 아래에 배치되고,
    상기 플레이트는 상기 정전 전극과 상기 히터 사이에 배치되는 기판 지지 유닛.
  23. 제 20항에 있어서,
    상기 바디는 상기 상부판 아래에 배치되는 금속 재질의 하부판을 더 포함하고,
    상기 외부 전극은 상기 상부판의 하부에 제공되고,
    상기 플레이트는 상기 히터의 하부에 배치되는 기판 지지 유닛.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 상부판과 상기 하부판을 접착시키는 절연 재질의 접착층을 더 포함하되,
    상기 플레이트는 상기 접착층 내에 제공되는 기판 지지 유닛.
  25. 제 20항 내지 제 24항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 플레이트의 두께는 상기 정전 전극의 두께보다 두꺼운 기판 지지 유닛.
  26. 제 20항 내지 제 24항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 플레이트는 금속 재질로 형성되는 기판 지지 유닛.
  27. 제 20항 내지 제 24항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 정전 전극과 상기 플레이트는 동일한 재질로 형성되는 기판 지지 유닛.
  28. 제 20항 내지 제 24항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 플레이트는 원판 형상으로 형성되는 기판 지지 유닛.
  29. 제 20항 내지 제 24항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 플레이트에는 상하 방향으로 관통된 복수의 관통홀들이 형성되는 기판 지지 유닛.
  30. 제 29항에 있어서,
    상기 제1플레이트에는 상하 방향으로 관통된 복수의 리프트 핀 홀들이 형성되고,
    상기 관통홀들의 직경은 상기 리프트 핀 홀의 직경보다 작게 제공되는 기판 지지 유닛.
KR1020140011013A 2013-11-29 2014-01-29 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR101569886B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410714558.6A CN104681387B (zh) 2013-11-29 2014-11-28 基板支撑单元及包含该基板支撑单元的基板处理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130147469 2013-11-29
KR1020130147469 2013-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150062907A true KR20150062907A (ko) 2015-06-08
KR101569886B1 KR101569886B1 (ko) 2015-11-17

Family

ID=53500822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140011013A KR101569886B1 (ko) 2013-11-29 2014-01-29 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101569886B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220060026A (ko) * 2020-11-02 2022-05-11 세메스 주식회사 지지 유닛 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190056552A (ko) 2017-11-17 2019-05-27 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223259A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電吸着電極
KR100777467B1 (ko) * 2006-09-16 2007-11-21 주식회사 뉴파워 프라즈마 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220060026A (ko) * 2020-11-02 2022-05-11 세메스 주식회사 지지 유닛 및 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101569886B1 (ko) 2015-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101980203B1 (ko) 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
US10236194B2 (en) Supporting unit and substrate treatment apparatus
KR20190033672A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101570177B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101670457B1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102323320B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102330281B1 (ko) 정전 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101569904B1 (ko) 전극 어셈블리, 그리고 기판 처리 장치 및 방법
KR101569886B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101909473B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101853365B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101970981B1 (ko) 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102186071B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101927937B1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101430745B1 (ko) 정전 척 및 기판 처리 장치
KR20160145865A (ko) 정전 척 및 기판 처리 장치
KR101885569B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102262107B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101502853B1 (ko) 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR101543686B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20140030016A (ko) 기판 처리 장치
KR101408790B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101955584B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101464205B1 (ko) 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치
KR101853363B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181113

Year of fee payment: 4