KR100777467B1 - 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치 - Google Patents

기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100777467B1
KR100777467B1 KR1020060089860A KR20060089860A KR100777467B1 KR 100777467 B1 KR100777467 B1 KR 100777467B1 KR 1020060089860 A KR1020060089860 A KR 1020060089860A KR 20060089860 A KR20060089860 A KR 20060089860A KR 100777467 B1 KR100777467 B1 KR 100777467B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
lift pin
processed
rear surface
lift
Prior art date
Application number
KR1020060089860A
Other languages
English (en)
Inventor
최대규
이정호
Original Assignee
주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 뉴파워 프라즈마 filed Critical 주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority to KR1020060089860A priority Critical patent/KR100777467B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100777467B1 publication Critical patent/KR100777467B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H01J37/32385—Treating the edge of the workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 피처리 기판의 가장 자리 및 후면을 식각하기 위한 플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치에 관한 것이다. 플라즈마 식각 장치는 공정 가스가 수용되는 기판 처리 공간을 갖는 기판 처리 챔버, 기판 처리 챔버의 상부에 설치되며 하단 가장 자리 부분이 계단지게 형성되어 피처리 기판의 평면보다 작은 반경의 돌출된 평면을 갖는 상부 전극, 상부 전극과 마주 대향하여 기판 처리 챔버의 하부에 설치되는 하부 전극, 및 상부 전극과 하부 전극 사이에서 피처리 기판을 지지하되 피처리 기판의 전면과 상부 전극의 돌출된 평면 사이에서 플라즈마 방전이 발생되지 않도록 피처리 기판을 상부 전극에 가깝게 밀접 되도록 지지하는 기판 리프팅 장치를 포함한다. 플라즈마 식각 장치는 피처리 기판의 후면과 하부 전극 사이에서 플라즈마 방전이 이루어져 피처리 기판의 후면과 가장자리 부분이 동시에 식각이 이루어진다. 그럼으로 피처리 기판의 처리 시간을 빠르게 할 수 있어서 생산성을 높일 수 있으며, 후면 식각시 교대적으로 피처리 기판이 지지됨으로서 후면 식각이 보다 균일하게 이루어질 수 있다.
리프트 핀, 후면 식각, 가장 자리 식각

Description

기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치{APPARATUS FOR BACKSIDE AND EDGE ETCH PROCESS AND SUBSTRATE LIFTING DEVICE THEREFOR}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 챔버의 단면도이다.
도 2는 기판 처리 챔버의 내부에 놓인 피처리 기판의 가장 자리 영역을 확대해서 보여주는 도면이다.
도 3은 가스 분사구와 리프트 핀 홀의 배치 구조를 보여주는 하부 전극의 평면도이다.
도 4는 하부 전극과 제1 및 제2 리프트 핀 유닛의 조립 구조를 보여주는 도면이다.
도 5는 제1 및 제2 리프트 핀의 상세 구조를 보여주는 사시도이다.
도 6a 및 도 6b는 제1 및 제2 리프트 핀의 동작 상태를 보여주는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 제1 및 제2 리프트 핀에 접촉되는 기판의 후면 부분을 보여주는 도면이다.
도 8은 플라즈마 식각 장치의 가스 공급 및 배기 구조를 변형한 예에 따른 기판 처리 챔버의 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 기판 처리 챔버 20: 하부 전극
30: 무선 주파수 전원 공급원 40: 제1 리프트 핀 유닛
50: 제2 리프트 핀 유닛
본 발명은 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 피처리 기판의 가장 자리 및 후면을 식각하기 위한 플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치에 관한 것이다.
고집적 반도체 칩, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 공정에서는 물리적 또는 화학적 증착이나 물리적 또는 화학적 식각 공정을 통하여 웨이퍼 기판이나 유리 기판과 같은 피처리 기판 위에 원하는 패턴의 막을 형성한다.
이러한 반도체 제조 공정에서 회로 패턴이 형성되지 않는 기판의 가장 자리 영역이나 후면에도 불필요한 막이 형성되는데 이렇게 형성되어지는 막은 불필요한 오염원으로 작용하게 된다. 그럼으로 기판의 전면과 후면에 불필요하게 증착된 막을 제거하기 위한 식각 장치 및 공정이 반도체 제조 공정에 사용되고 있다.
그러나 지금까지 반도체 제조 공정에서는 기판의 가장자리를 식각하기 위한 공정과 기판의 후면을 식각하기 공정이 필요함으로 이를 위한 피처리 기판의 처리 시간의 증가나 설비 구성의 비용 부담이 있어 왔다.
특히, 기판의 후면을 식각하기 위해서는 기판을 뒤집어서 처리하거나 기판의 후면을 지지한 상태에서 식각 처리를 한다. 그러나 기판을 뒤집어야 하는 경우에는 기판의 전면이 손상될 위험과 처리 시간이 소요됨으로 바람직하지 않다. 기판을 후면에서 지지한 상태에서 식각 처리를 하는 경우에는 기판의 지지되는 접촉 부분이 존재하게 됨으로 균일한 식각이 어렵다.
본 발명의 목적은 피처리 기판의 가장 자리 및 후면을 동시에 식각할 수 있는 플라즈마 식각 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 피처리 기판의 후면을 고르게 식각할 수 있도록 피처리 기판 후면의 서로 다른 위치에서 피처리 기판을 교대적으로 지지하는 리프팅 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판의 가장 자리와 후면을 동시에 식각하되 기판의 후면을 고르게 식각 할 수 있는 플라즈마 식각 장치를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 반도체 장치의 제조에 사용되는 기판 리프팅 장치에 관한 것이다. 기판 리프팅 장치는: 제1 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제1 리프트 핀 유닛; 제1 위치와 다른 위치인 제2 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제2 리프트 핀 유닛; 및 제1 및 제2 리프트 핀 유닛을 승강 및 하강 구동하기 위한 구동부를 포함하고, 제1 및 제2 리프트 핀 유닛은 기판 처리 공정에서 기판 후면의 서로 다른 제1 및 제2 위치를 교대적으로 지지하여 피처리 기판의 후면이 고르게 공정 처리 되도록 한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 리프트 핀 유닛은: 다수의 리프트 핀; 및 다수의 리프트 핀의 하부를 공통적으로 연결하는 연결부재를 각기 포함한다.
본 발명의 다른 일면은 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치는: 공정 가스가 수용되는 기판 처리 공간을 갖는 기판 처리 챔버; 기판 처리 챔버의 상부에 설치되며 하단 가장 자리 부분이 계단지게 형성되어 피처리 기판의 평면보다 작은 반경의 돌출된 평면을 갖는 상부 전극; 상부 전극과 마주 대향하여 기판 처리 챔버의 하부에 설치되는 하부 전극; 및 상부 전극과 하부 전극 사이에서 피처리 기판을 지지하되, 피처리 기판의 전면과 상부 전극의 돌출된 평면 사이에서 플라즈마 방전이 발생되지 않도록 피처리 기판을 상부 전극에 가깝게 밀접 되도록 지지하는 기판 리프팅 장치를 포함하여, 피처리 기판의 후면과 하부 전극 사이에서 플라즈마 방전이 이루어져 피처리 기판의 후면과 가장자리 부분이 동시에 식각이 이루어진다.
일 실시예에 있어서, 상기 하부 전극은: 피처리 기판의 후면을 향하여 공정 가스가 분사되도록 상부면에 형성된 다수의 가스 분사구; 및 가스 공급원으로부터 제공되는 공정 가스가 가스 분사구로 전달되게 하는 가스 공급 경로를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 챔버는 천정 중심 부분에 설치된 가스 출구를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 챔버는 가스 출구와 가스 입구를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 기판 리프팅 장치의 제1 및 제2 리프트 핀 유닛에 구성되는 다수의 리프트 핀들이 승강 및 하강 할 수 있도록 형성된 다수의 리프트 핀 홀들을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 기판 리프팅 장치는: 제1 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제1 리프트 핀 유닛; 제1 위치와 다른 위치인 제2 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제2 리프트 핀 유닛; 및 제1 및 제2 리프트 핀 유닛을 승강 및 하강 구동하기 위한 구동부를 포함하고, 제1 및 제2 리프트 핀 유닛은 기판 처리 공정에서 기판 후면의 서로 다른 제1 및 제2 위치를 교대적으로 지지하여 피처리 기판의 후면이 고르게 식각 처리 되도록 한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 리프트 핀 유닛은: 다수의 리프트 핀; 및 다수의 리프트 핀의 하부를 공통적으로 연결하는 연결부재를 각기 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 기판 리프팅 장치의 제1 및 제2 리프트 핀 유닛에 구성되는 다수의 리프트 핀들이 승강 및 하강 할 수 있도록 형성된다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 챔버의 단면도이고, 도 2는 기판 처리 챔버의 내부에 놓인 피처리 기판의 가장 자리 영역을 확대해서 보여주는 도면이다. 그리고 도 3은 가스 분사구와 리프트 핀 홀의 배치 구조를 보여주는 하부 전극의 평면도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는 공정 가스가 수용되는 기판 처리 공간을 갖는 기판 처리 챔버(10)가 구비된다. 기판 처리 챔버(10)의 상부에는 상부 전극(31)이 구비된다. 상부 전극(31)은 하단 가장 자리 부분(32)이 계단지게 형성되어 피처리 기판(W)의 평면보다 작은 반경의 돌출된 평면(33)을 갖는다. 그럼으로 피처리 기판의 상부 가장 자리 부분(62)은 상부 전극(31)의 가장 자리 부분(32)과 마주 대하게 되며 이 사이 공간은 플라즈마가 발생 및 유지되기에 충분한 거리를 갖는다.
상부 전극(31)과 마주 대향하여 기판 처리 챔버(10)의 하부에는 하부 전극(20)이 구성된다. 상부 전극(31)은 무선 주파수 전원 공급원(30)에 전기적으로 연결되고, 하부 전극(20)은 접지에 전기적으로 연결된다.
하부 전극(20)에는 피처리 기판(W)의 후면을 향하여 공정 가스가 분사되도록 상부(22)면에 다수의 가스 분사구(23)가 분산되어 구성되어 있다. 가스 공급원(미도시)으로부터 제공되는 공정 가스는 가스 공급 경로(21)를 따라서 다수의 가스 분사구(23)로 전달된다. 가스 공급 경로(21)는 기판 처리 챔버(10)의 하부에 구성되는 가스 입구(12)에 연결되고 하부 전극(20)의 내부를 통하여 다수의 가스 분사구(23)로 연결된다. 기판 처리 챔버(10)는 천정 중심 부분에 가스 출구(11)가 설치된다.
그럼으로 하부 전극(20)의 가스 분사구(23)를 통해서 플라즈마 식각 챔버(10)로 가스가 공급되고, 기판 처리 챔버(10)의 천정에 설치된 가스 출구(11)를 통하여 가스가 배출되도록 하여 가스 흐름이 하부에서 상부로 흐르도록 할 수 있다. 또는 도 8에 도시된 바와 같이, 기판 처리 챔버(10)의 천정 중심부에 가스 입구(17)를 설치하고, 하부에 가스 출구(18)를 설치하여 가스 흐름이 위에서 아래로 흐르도록 할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았으나 가스 출구(11, 18)는 진공 펌프에 연결된다.
피처리 기판(W)을 지지하기 위해서 기판 리프팅 장치는 상부 전극(31)과 하부 전극(20) 사이에서 피처리 기판(W)을 지지하되, 피처리 기판(W)의 전면과 상부 전극(31)의 돌출된 평면(33) 사이 영역(34)에서 플라즈마 방전이 발생되지 않도록 피처리 기판(W)을 상부 전극(31)에 가깝게 밀접 되도록 지지한다. 그러나 피처리 기판(W)과 상부 전극(31)의 돌출된 평면(33)은 접촉하지는 않는다.
이와 같은 플라즈마 식각 장치는 피처리 기판의 후면과 하부 전극 사이에서 플라즈마 방전이 이루어져 피처리 기판의 후면과 기판의 가장자리 부분이 동시에 식각이 이루어진다.
도 4는 하부 전극과 제1 및 제2 리프트 핀 유닛의 조립 구조를 보여주는 도면이고 도 5는 제1 및 제2 리프트 핀의 상세 구조를 보여주는 사시도이다.
도 4를 참조하여, 기판 리프팅 장치는 피처리 기판(W)을 제1 위치에서 지지하기 위한 제1 리프트 핀 유닛(40)과 제1 위치와 다른 위치인 제2 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제2 리프트 핀 유닛(50) 그리고 제1 및 제2 리프트 핀 유닛(40, 50)을 승강 및 하강 구동하기 위한 구동부(70)를 포함하여 구성된다. 제1 및 제2 리프트 핀 유닛(40, 50)은 기판 처리 공정에서 피처리 기판 후면의 서로 다른 위치를 교대적으로 지지하여 피처리 기판(W)의 후면이 고르게 공정 처리 될 수 있도록 한다.
도 5를 참조하여, 제1 및 제2 리프팅 유닛(40), 50)은 각기 다수의 리프트 핀(42, 52) 및 다수의 리프트 핀(42, 52)의 하부를 공통적으로 연결하는 연결부재(41, 51)로 구성된다. 연결 부재(41, 51)는 서로 간섭되지 않도록 제1 연결부재(41)는 내측으로 다수의 돌기부(43)가 구성되고, 다수의 돌기부(43)에 리프트 핀(42)이 고정된다. 그리고 제2 연결 부재(51)는 제1 연결 부재(51)의 안쪽으로 배치될 수 있는 사이즈를 갖고, 다수의 돌기부(43)와 대응하여 적절히 굴곡된 형 상(53)이 연결 부재에(51)에 다수 형성된다. 이와 같이 구성된 제1 및 제2 리프팅 유닛(40, 50)은 상호 간섭되지 않으면서 독립적으로 상승 및 하강이 이루어진다.
이를 위해서 하부 전극(20)은 기판 리프팅 장치의 제1 및 제2 리프트 핀 유닛(40, 50)에 구성되는 다수의 리프트 핀들(42, 52)이 승강 및 하강 할 수 있도록 형성된 다수의 리프트 핀 홀들(24a, 24b)이 해당되는 위치에 상하로 수직 관통되어 구성된다.
도 6a 및 도 6b는 제1 및 제2 리프트 핀의 동작 상태를 보여주는 도면이고, 도 7a 및 도 7b는 제1 및 제2 리프트 핀에 접촉되는 기판의 후면 부분을 보여주는 도면이다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 제2 리프트 핀 유닛(50)이 상승된 상태에서는 제1 리프트 핀 유닛(40)이 하강 된 상태를 유지한다. 도 6b에는 그 반대의 경우를 보여준다. 이와 같이, 제1 및 제2 리프트 핀 유닛(40, 50)은 피처리 기판(W)의 후면 및 가장 자리에 대한 식각 공정 처리가 진행되는 동안 적절히 피처리 기판(W)을 교대적으로 지지하게 된다.
도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 피처리 기판(W)의 후면에서 교대적으로 지지되는 부분(60a, 60b)이 서로 다른 위치를 갖게 됨으로 피처리 기판(W)의 후면은 보다 균일하게 식각이 이루어 질 수 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 한다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치에 의하면, 피처리 기판의 가장 자리와 후면에 대한 식각을 동시에 진행함으로서 피처리 기판의 처리 시간을 빠르게 할 수 있어서 생산성을 높일 수 있으며, 후면 식각시 교대적으로 피처리 기판이 지지됨으로서 후면 식각이 보다 균일하게 이루어질 수 있다.

Claims (9)

  1. 반도체 장치의 제조에 사용되는 기판 리프팅 장치에 있어서:
    제1 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제1 리프트 핀 유닛;
    제1 위치와 다른 위치인 제2 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제2 리프트 핀 유닛; 및
    제1 및 제2 리프트 핀 유닛을 승강 및 하강 구동하기 위한 구동부를 포함하고,
    제1 및 제2 리프트 핀 유닛은 기판 처리 공정에서 기판 후면의 서로 다른 제1 및 제2 위치를 교대적으로 지지하여 피처리 기판의 후면이 고르게 공정 처리 되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 리프팅 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 리프트 핀 유닛은: 다수의 리프트 핀; 및 다수의 리프트 핀의 하부를 공통적으로 연결하는 연결부재를 각기 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 리프팅 장치.
  3. 공정 가스가 수용되는 기판 처리 공간을 갖는 기판 처리 챔버;
    기판 처리 챔버의 상부에 설치되며 하단 가장 자리 부분이 계단지게 형성되어 피처리 기판의 평면보다 작은 반경의 돌출된 평면을 갖는 상부 전극;
    상부 전극과 마주 대향하여 기판 처리 챔버의 하부에 설치되는 하부 전극; 및
    상부 전극과 하부 전극 사이에서 피처리 기판을 지지하되, 피처리 기판의 전면과 상부 전극의 돌출된 평면 사이에서 플라즈마 방전이 발생되지 않도록 피처리 기판을 상부 전극에 가깝게 밀접 되도록 지지하는 기판 리프팅 장치를 포함하여,
    피처리 기판의 후면과 하부 전극 사이에서 플라즈마 방전이 이루어져 피처리 기판의 후면과 가장자리 부분이 동시에 식각이 이루어지는 플라즈마 식각 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 하부 전극은:
    피처리 기판의 후면을 향하여 공정 가스가 분사되도록 상부면에 형성된 다수의 가스 분사구; 및
    가스 공급원으로부터 제공되는 공정 가스가 가스 분사구로 전달되게 하는 가스 공급 경로를 포함하는 플라즈마 식각 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 기판 처리 챔버는 천정 중심 부분에 설치된 가스 출구를 포함하는 플라즈마 식각 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 기판 처리 챔버는 가스 출구와 가스 입구를 포함하는 플라즈마 식각 장치.
  7. 제3항에 있어서, 기판 리프팅 장치는:
    제1 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제1 리프트 핀 유닛;
    제1 위치와 다른 위치인 제2 위치에서 피처리 기판을 지지하기 위한 제2 리프트 핀 유닛; 및
    제1 및 제2 리프트 핀 유닛을 승강 및 하강 구동하기 위한 구동부를 포함하고,
    제1 및 제2 리프트 핀 유닛은 기판 처리 공정에서 기판 후면의 서로 다른 제1 및 제2 위치를 교대적으로 지지하여 피처리 기판의 후면이 고르게 식각 처리 되도록 하는 플라즈마 식각 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 리프트 핀 유닛은: 다수의 리프트 핀; 및 다수의 리프트 핀의 하부를 공통적으로 연결하는 연결부재를 각기 포함하는 플라즈마 식각 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 기판 리프팅 장치의 제1 및 제2 리프트 핀 유닛에 구성되는 다수의 리프트 핀들이 승강 및 하강 할 수 있도록 형성된 다수의 리프트 핀 홀들을 포함하는 플라즈마 식각 장치.
KR1020060089860A 2006-09-16 2006-09-16 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치 KR100777467B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060089860A KR100777467B1 (ko) 2006-09-16 2006-09-16 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060089860A KR100777467B1 (ko) 2006-09-16 2006-09-16 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100777467B1 true KR100777467B1 (ko) 2007-11-21

Family

ID=39080120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060089860A KR100777467B1 (ko) 2006-09-16 2006-09-16 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100777467B1 (ko)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009125951A3 (en) * 2008-04-07 2009-12-30 Sosul Co., Ltd. Plasma processing apparatus and method for plasma processing
KR101277503B1 (ko) * 2007-12-03 2013-06-21 참엔지니어링(주) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
KR101290544B1 (ko) * 2008-04-07 2013-07-31 참엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR101318705B1 (ko) * 2008-04-07 2013-10-16 참엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR101507937B1 (ko) 2008-02-05 2015-04-03 참엔지니어링(주) 플라즈마 식각장치
KR101569886B1 (ko) * 2013-11-29 2015-11-17 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN110021546A (zh) * 2018-01-05 2019-07-16 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质
US10900142B2 (en) 2016-07-26 2021-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for manufacturing a second substrate on a first substrate including removal of the first substrate
KR102492410B1 (ko) 2022-08-24 2023-01-27 주식회사 제스코 플라즈마 식각 장비용 히터 링 재생 장치
CN116313943A (zh) * 2023-05-23 2023-06-23 盛奕半导体科技(无锡)有限公司 一种晶圆表面清洗装置及其在晶圆清洗制程中的应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175162A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Hitachi Ltd ドライエッチング装置
KR100269041B1 (ko) 1996-04-12 2000-10-16 니시히라 순지 기판
JP2002289576A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Shibaura Mechatronics Corp ドライエッチング装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175162A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Hitachi Ltd ドライエッチング装置
KR100269041B1 (ko) 1996-04-12 2000-10-16 니시히라 순지 기판
JP2002289576A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Shibaura Mechatronics Corp ドライエッチング装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101277503B1 (ko) * 2007-12-03 2013-06-21 참엔지니어링(주) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
KR101507937B1 (ko) 2008-02-05 2015-04-03 참엔지니어링(주) 플라즈마 식각장치
WO2009125951A3 (en) * 2008-04-07 2009-12-30 Sosul Co., Ltd. Plasma processing apparatus and method for plasma processing
US8373086B2 (en) 2008-04-07 2013-02-12 Charm Engineering Co., Ltd. Plasma processing apparatus and method for plasma processing
KR101290544B1 (ko) * 2008-04-07 2013-07-31 참엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR101318705B1 (ko) * 2008-04-07 2013-10-16 참엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR101569886B1 (ko) * 2013-11-29 2015-11-17 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10900142B2 (en) 2016-07-26 2021-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for manufacturing a second substrate on a first substrate including removal of the first substrate
CN110021546A (zh) * 2018-01-05 2019-07-16 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质
US11126086B2 (en) * 2018-01-05 2021-09-21 Tokyo Electron Limited Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and computer storage medium
CN110021546B (zh) * 2018-01-05 2024-04-12 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质
KR102492410B1 (ko) 2022-08-24 2023-01-27 주식회사 제스코 플라즈마 식각 장비용 히터 링 재생 장치
CN116313943A (zh) * 2023-05-23 2023-06-23 盛奕半导体科技(无锡)有限公司 一种晶圆表面清洗装置及其在晶圆清洗制程中的应用
CN116313943B (zh) * 2023-05-23 2023-08-15 盛奕半导体科技(无锡)有限公司 一种晶圆表面清洗装置及其在晶圆清洗制程中的应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100777467B1 (ko) 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치
JP5548841B2 (ja) 基板処理装置
TWI393163B (zh) 電漿處理設備
JP5597891B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4757856B2 (ja) プラズマ処理装置
JP7339062B2 (ja) 載置台及び基板処理装置
KR20100043844A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100777466B1 (ko) 피처리 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치
KR20140101996A (ko) 기판 지지유닛 및 이를 구비한 플라즈마 식각장치
KR100488057B1 (ko) 다중 배열된 평판 전극 어셈블리 및 이를 이용한 진공프로세스 챔버
KR20190098918A (ko) 피처리체의 탑재 장치 및 처리 장치
KR101333521B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101277503B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
KR20080092766A (ko) 기판 지지대 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 장치
KR101390785B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20070012131A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 배기 판
KR102444873B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR20090106729A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR100697665B1 (ko) 상부 전극부 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치
KR101435973B1 (ko) 웨이퍼 후면 크리닝 장치 및 방법
KR101463961B1 (ko) 플라즈마 처리 시스템
KR102121799B1 (ko) 기판처리장치
KR101362813B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101000310B1 (ko) 박막증착장치
KR100712225B1 (ko) 정전척

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121109

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131111

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141112

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151109

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161108

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171109

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191113

Year of fee payment: 13