KR20090022564A - 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마반응기 - Google Patents

다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마반응기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 유도 결합 플라브마 반응기는 플라즈마 방전 영역을 갖는 반응 챔버, 상기 반응 챔버에 플라즈마 방전을 발생시키기 위한 유도 기전력을 제공하는 다중 무선 주파수 안테나, 다중 무선 주파수 안테나로 구동 전력을 제공하는 전원 공급원, 및 상기 전원 공급원으로부터 제공되는 구동 전력을 상기 다중 무선 주파수 안테나로 제공하되 각각의 무선 주파수 안테나로 제공되는 전력 비율을 가변시킬 수 있는 전력 가변 분배기를 포함한다. 본 발명의 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기에 의하면, 유도 결합 플라즈마의 에지 영역과 중앙 영역의 플라즈마 커플링 에너지에 대한 개별적인 조절이 가능하다. 그럼으로 에지 영역과 중앙 영역의 플라즈마 밀도를 균일하도록 제어할 수 있어서 보다 향상된 고균일한 고밀도의 플라즈마를 발생할 수 있다.
유도 결합 플라즈마, 유도 결합, 무선 주파수, 안테나

Description

다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기{INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR HAVING MULTI RF ANTENNA}
본 발명은 무선 주파수(radio frequency)를 이용한 유도 결합 플라즈마 반응기(inductively coupled plasma reactor)에 관한 것으로, 구체적으로는 다중 무선 주파수 안테나를 사용하여 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고 보다 균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있는 유도 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다.
용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다. 반면, 무선 주파수 전원의 에너지가 거의 배타적으로 용량 결합을 통하여 플라즈마에 연결되기 때문에 플라즈마 이온 밀도는 용량 결합된 무선 주파수 전력의 증가 또는 감소에 의해서만 증가 또는 감소될 수 있다. 그러나 무선 주파수 전력의 증가는 이온 충격 에너지를 증가시킨다. 결과적으로 이온 충격에 의한 손상을 방지하기 위해서는 공급되는 무선 주파수 전력의 한계성을 갖게 된다.
한편, 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 쉽게 증가시킬 수 있으며 이에 따른 이온 충격은 상대적으로 낮아서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다. 그럼으로 유도 결합 플라즈마 소스는 고밀도의 플라즈마를 얻기 위하여 일반적으로 사용되고 있다. 유도 결합 플라즈마 소스는 대표적으로 무선 주파수 안테나(RF antenna)를 이용하는 방식과 변압기를 이용한 방식(변압기 결합 플라즈마(transformer coupled plasma)라고도 함)으로 기술 개발이 이루어지고 있다. 여기에 전자석이나 영구 자석을 추가하거나, 용량 결합 전극을 추가하여 플라즈마의 특성을 향상 시키고 재현성과 제어 능력을 높이기 위하여 기술 개발이 이루어지고 있다.
무선 주파수 안테나는 나선 타입 안테나(spiral type antenna) 또는 실린더 타입 안테나(cylinder type antenna)가 일반적으로 사용된다. 무선 주파수 안테나는 플라즈마 반응기(plasma reactor)의 외부에 배치되며, 석영과 같은 유전체 위도 우(dielectric window)를 통하여 플라즈마 반응기의 내부로 유도 기전력을 전달한다. 무선 주파수 안테나를 이용한 유도 결합 플라즈마는 고밀도의 플라즈마를 비교적 손쉽게 얻을 수 있으나, 안테나의 구조적 특징에 따라서 플라즈마 균일도가 영향을 받는다. 그럼으로 무선 주파수 안테나의 구조를 개선하여 균일한 고밀도의 플라즈마를 얻기 위해 노력하고 있다.
그러나 대면적의 플라즈마를 얻기 위하여 안테나의 구조를 넓게 하거나 안테나에 공급되는 전력을 높이는 것은 한계성을 갖는다. 예를 들어, 정상파 효과(standing wave effect)에 의해 방사선상으로 비균일한 플라즈마가 발생되는 것으로 알려져 있다. 또한, 안테나에 높은 전력이 인가되는 경우 무선 주파수 안테나의 용량성 결합(capacitive coupling)이 증가하게 됨으로 유전체 윈도우를 두껍게 해야 하며, 이로 인하여 무선 주파수 안테나와 플라즈마 사이의 거리가 증가함으로 전력 전달 효율이 낮아지는 문제점이 발생된다.
최근 반도체 제조 산업에서는 반도체 소자의 초미세화, 반도체 회로를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판의 대형화, 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판의 대형화 그리고 새로운 처리 대상 물질 등장 등과 같은 여러 요인으로 인하여 더욱 향상된 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 대면적의 피처리물에 대한 우수한 처리 능력을 갖는 향상된 플라즈마 소스 및 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다.
따라서 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 유도 결합 플라즈마를 대면적화 함에 있어서 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고 보다 고균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있는 유도 결합 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 유도 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는: 플라즈마 방전 영역을 갖는 반응 챔버; 상기 반응 챔버에 플라즈마 방전을 발생시키기 위한 유도 기전력을 제공하는 다중 무선 주파수 안테나; 다중 무선 주파수 안테나로 구동 전력을 제공하는 전원 공급원; 및 상기 전원 공급원으로부터 제공되는 구동 전력을 상기 다중 무선 주파수 안테나로 제공하되 각각의 무선 주파수 안테나로 제공되는 전력 비율을 가변시킬 수 있는 전력 가변 분배기를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전력 가변 분배기는 상기 다중 무선 주파수 안테나로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나에 전기적으로 연결되는 권선비 조절이 가능한 하나 이상의 트랜스포머를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전력 가변 분배기는 상기 다중 무선 주파수 안테나로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 가변 인덕터를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전력 가변 분배기는 상기 다중 무선 주파수 안테나로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나에 전기적으 로 연결되며 권선비 조절이 가능한 하나 이상의 가변 커패시터를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 다중 무선 주파수 안테나는 에지 영역에 배치되는 제1 무선 주파수 안테나와 중앙 영역에 배치되는 제2 무선 주파수 안테나를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무선 주파수 안테나와 상기 제2 무선 주파수 안테나는 각각의 전원 입력단이 대칭된 구조로 배치된다.
일 실시예에 있어서, 상기 반응 챔버는 상기 다중 무선 주파수 안테나와 상기 반응 챔버의 방전 영역 사이에 설치되는 유전체 윈도우를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 유전체 윈도우는 상기 다중 무선 주파수 안테나가 설치되는 트랜치 영역; 및 상기 반응 챔버 내부로 개구된 하나 이상의 가스 공급홀을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 자속 출입구가 상기 반응 챔버의 내부를 지향하면서 상기 다중 무선 주파수 안테나를 덮는 코어 커버를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 유전체 윈도우의 가스 공급홀을 통하여 상기 반응 챔버의 방전 영역으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 가스 공급부는 둘 이상의 분리된 가스 공급 구조를 갖는다.
일 실시예에 있어서, 상기 가스 공급부는 상기 유전체 윈도우의 에지 영역에 개구된 제1 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 채널; 및 상기 유전체 윈도우의 중앙 영역에 개구된 제2 그룹의 가스 공급홀을 통하 여 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급 채널을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 반응 챔버는 피처리 기판을 지지하는 기판 지지대를 포함하고, 상기 기판 지지대는 하나 이상의 무선 주파수를 공급받아서 바이어스 되거나 또는 전혀 바이어스가 되지 않는 것 중 어느 하나로 구성된다.
본 발명의 다른 일면에 따른 유도 결합 플라즈마 반응기는: 플라즈마 방전 영역과 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 갖는 반응 챔버; 상기 기판 지지대에 대향된 반응 챔버의 천정을 구성하도록 설치되며 에지 영역에 개구된 제1 그룹의 가스 공급홀과 중앙 영역에 개구된 제2 그룹의 가스 공급홀을 갖는 유전체 윈도우; 상기 유전체 윈도우의 상부 에지 영역에 설치되는 제1 무선 주파수 안테나; 상기 유전체 윈도우의 상부 중앙 영역에 설치되는 제2 무선 주파수 안테나; 및 상기 제1 그룹의 가스 공급홀과 상기 제2 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 가스 공급부는 상기 제1 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 채널; 및 상기 제2 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급 채널을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무선 주파수 안테나와 상기 제2 무선 주파수 안테나로 구동 전력을 제공하는 전원 공급원; 및 상기 전원 공급원으로부터 제공되는 구동 전력을 상기 제1 및 제2 무선 주파수 안테나로 제공하되 상기 제1 및 제2 무선 주파수 안테나로 제공되는 전력 비율을 가변시킬 수 있는 전력 가변 분배기를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 가스 공급 채널을 통하여 공급되는 가스 유량과 전력 가변 분배기의 전력 분배 비율은 서로 상관되어 조절된다.
본 발명의 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기에 의하면, 유도 결합 플라즈마의 에지 영역과 중앙 영역의 플라즈마 커플링 에너지에 대한 개별적인 조절이 가능하다. 그럼으로 에지 영역과 중앙 영역의 플라즈마 밀도를 균일하도록 제어할 수 있어서 보다 향상된 고균일한 고밀도의 플라즈마를 발생할 수 있다. 또한, 에지 영역과 중앙 영역으로 공급되는 가스 유량을 각기 제어할 수 있어서 보다 균일한 가스 공급이 가능하다. 또한, 다중 무선 주파수 안테나가 코어 커버에 의해 덥혀짐으로 유도되는 자속은 세기가 강화되어 플라즈마와 커플링 효과가 매우 향상된다. 그럼으로 비교적 낮은 주파수를 사용하여도 보다 고밀도의 플라즈마가 형성될 수 있으며 평면적으로도 균일한 플라즈마 발생 분포를 얻을 수 있다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도 면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 반응기의 구성도이다. 도 1을 참조하여, 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는 반응 챔버(10)와 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)를 구비한다. 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)는 예를 들어, 제1 무선 주파수 안테나(30)와 제2 무선 주파수 안테나(32)로 구성된다. 제1 무선 주파수 안테나(30)와 제2 무선 주파수 안테나(32)는 전원 공급원(40)으로부터 제공되는 무선 주파수 전력에 의해 구동되어 반응 챔버(10)의 내부 영역으로 플라즈마 발생을 위한 유도 기전력을 제공한다. 특히, 제1 및 제2 무선 주파수 안테나(30, 32)는 전력 가변 분배기(44)에 의해서 전력 분배 비율이 조절될 수 있으며, 이에 따라 보다 향상된 고균일한 플라즈마를 반응 챔버(10)의 내부에 형성할 수 있다. 이에 대한 구체적인 설명은 후술한다.
반응 챔버(10)는 플라즈마 방전 영역을 형성하는 챔버 하우징(12)과 챔버 하우징(12)의 천정을 형성하는 유전체 윈도우(20)를 구비한다. 유전체 윈도우(20)는 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)와 반응 챔버(10)의 내부 영역 사이에 위치한다. 반응 챔버(10)의 내부에는 피처리 기판(18)을 지지하기 위한 기판 지지대(16)가 구비된다. 피처리 기판(18)은 예를 들어, 반도체 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 또는 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 제조를 위한 유리 기판이다. 구체적으로 도시하지는 안았으나 챔버 하우징(12)의 하단에는 가스 배기를 위해 진공 펌프에 연결되는 가스 출구가 구비된다. 챔버 하우징(12)은 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 재작된다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 재작될 수 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 또 다른 대안으로 챔버 하우징(12)을 전체적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 재작하는 것도 가능하며, 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 다른 물질로도 재작될 수 있다. 이러한 경우에는 별도의 유전체 윈도우(20)를 구성할 필요가 없을 수 있다.
반응 챔버(10)의 내부에는 기판 지지대(16)가 구비되며, 이 기판 지지대(16)는 하나 이상의 바이어스 전원 공급원(50, 52)으로부터 임피던스 정합기(54)를 통하여 바이어스 전력을 공급 받아 바이어스 된다. 도면에 도시되지 않았으나 직류 전원 공급원으로부터 직류 전원이 기판 지지대(16)로 공급될 수 있다. 둘 이상의 바이어스 전원 공급원(50, 52)으로부터 바이어스 전력이 공급되는 경우 각각의 바이어스 전력은 서로 다른 주파수를 갖는다. 또한 공정 특성에 따라 기판 지지대(18)는 바이어스가 전혀 인가되지 않을 수 있다.
도 2는 유도 결합 플라즈마 소스를 구성하는 다중 무선 주파수 안테나의 배치 구조 및 전기적 연결 구성도이다. 도 2를 참조하여, 다중 무선 주파수 안테나(30, 31)는 에지 영역에 배치되는 제1 무선 주파수 안테나(30)와 중앙 영역에 배치되는 제2 무선 주파수 안테나(32)로 구성될 수 있다. 제1 및 제2 무선 주파수 안테나(30, 32)는 원형의 평판 나선형으로 구성될 수 있다. 또는 첨부도면 도 3에 도시된 바와 같이, 사각형의 평판 나선형 구조의 안테나(30a, 32a)로 구성될 수도 있다. 제1 무선 주파수 안테나(30)와 제2 무선 주파수 안테나(32)는 각각의 전원 입력단이 대칭된 구조로 배치된다. 제1 및 제2 무선 주파수 안테나(30, 32)의 전원 입력단은 각기 나선형의 외측 일단이 전원 입력단으로 구성되거나 또는 도 4에 도시된 바와 같이 내측 일단이 전원 입력단이 될 수 있다. 이와 같은 전원 입력단의 대칭된 구조와 나선형의 외측 도는 내측에서 선택되는 것은 플라즈마 효율을 향상시키기 위해 선택될 수 있다.
도 5는 평판형 구조의 유전체 윈도우(20)을 보여주는 도면이고, 도 6은 돔형 구조의 유전체 윈도우(20a)를 보여주는 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 유전체 윈도우(20)는 평판형 구조를 갖거나 또는 도 6에 도시된 바와 같이 돔형 구조의 유전체 윈도우(20b)로 구성될 수 있다. 균일한 플라즈마 처리를 위해서 유전체 윈도우(20)의 구조는 평판형 구조나 돔형 구조와 또는 그 외 다른 구조로부터 가작 적합한 효율적인 구조가 선택될 수 있다.
도 7은 다중 무선 주파수 안테나에 마그네틱 코어 커버를 설치한 예를 보여주는 부분 단면도이다. 도 7을 참조하여, 보다 향상된 플라즈마 균일성과 고밀도의 플라즈마를 생성하기 위하여 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)는 코어 커버(34)에 의해 덮여질 수 있다. 예를 들어, 첨부도면 도 8에는 평판형 구조의 유전체 윈도우(20)에 마그네틱 코어 커버(34)가 설치된 예를 보여준다. 첨부도면 도 9에는 돔형 구조의 유전체 윈도우(20)에 마그네틱 코어 커버가 설치된 예를 보여준다.
코어 커버(34)는 자속 출입구가 반응 챔버(10)의 내부를 지향하면서 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)를 덮는다. 코어 커버(34)는 페라이트 재질로 제작되지 만 다른 대안의 재료로 제작될 수 도 있다. 코어 커버(34)는 다수의 말편자 형상의 페라이트 코어 조각들을 조립하여 구성할 수 있다. 여러 개의 조각을 사용하여 구성하는 경우 각 조각의 조립면에 절연 물질과 같은 비자성 물질층을 삽입하여 연결할 수 있다. 또는 일체형의 페라이트 코어를 사용할 수도 있다.
다중 무선 주파수 안테나(30, 32)가 코어 커버(34)에 의해 덥혀짐으로 유도되는 자속은 세기가 강화되어 반응 챔버(10)의 내부에 발생된 플라즈마와 커플링 효과가 매우 향상된다. 그럼으로 비교적 낮은 주파수를 사용하여도 보다 고밀도의 플라즈마가 형성될 수 있으며 평면적으로도 균일한 플라즈마 발생 분포를 얻을 수 있다. 도면에는 도시하지 않았으나 유전체 윈도우(20)와 다중 무선 주파수 안테나(30, 32) 사이에는 페러데이 실드를 선택적으로 구성할 수도 있다.
도 10은 유전체 윈도우 상부에 가스 공급부를 설치한 예를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하여, 유전체 윈도우(20b)의 상부는 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)가 설치되는 트렌치(trench) 영역(22)이 구비된 요철 구조를 가질 수 있다. 트렌치 영역(22)은 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)의 평면 배치 구조와 동일하게 형성된다. 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)와 트렌치 영역(22)의 구조는 예를 들어, 평판 나선 구조일 수 있으며 플라즈마 효율을 높이기 위하여 여타의 다른 구조로 변형이 가능하다. 유전체 윈도우(20b)는 전체적으로 평판 구조를 갖지만, 돔형 구조를 가질 수도 있다. 또는 플라즈마의 균일한 발생을 위하여 다른 어떠한 형태의 구조로 변형이 가능하다. 유전체 윈도우(20b)는 반응 챔버(10)의 내부로 개구된 하나 이상 바람직하게는 복수개의 가스 공급홀(24)이 트렌치 영역(22) 사이의 융기된 부분에 구성된다.
유전체 윈도우(20)의 상부에는 가스 공급부(60)가 구비된다. 가스 공급부(60)는 가스 공급원(미도시)에 연결되는 가스 입구(62)와 하나 이상의 가스 분배판(64)을 구비하며 유전체 윈도우(20)의 상부에서 복수개의 가스 공급홀(24)을 통하여 반응 챔버(10)의 내부로 공정 가스를 입력한다. 가스 공급부(60)의 하단은 복수개의 가스 공급홀(24)과 대응된 복수개의 개구부(66)가 형성되어 있다. 그리고 공정 가스가 반응 챔버(10)의 내부로 전달되는 과정에서 가스 누설을 방지하기 위한 구조와 그에 따른 필요한 구성들은 구체적으로 도시하지 않았지만 예들 들어, 오링과 같은 가스 누설 방지를 위한 구성과 이를 유도 결합 플라즈마 반응기에 설치하기 위한 적절한 설치 구조가 유도 결합 플라즈마 반응기에 제공될 것이다. 이와 같은 가스 공급부(60)와 유전체 윈도우(20b)의 복수개의 가스 공급홀(24)을 통하여 반응 챔버(10)의 내부 영역으로 고르게 가스 분사가 이루어진다.
도 11은 가스 공급부를 분리된 이중 가스 공급 구조로 변형한 예를 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하여, 가스 공급부(60a)는 공정 가스를 분리 공급할 수 있는 두 개의 가스 공급 채널(60-1, 60-2)을 구성할 수 있다. 즉, 유전체 윈도우(20b)의 에지 영역에 개구된 제1 그룹의 가스 공급홀(24-1)을 통하여 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 채널(60-1) 및 유전체 윈도우(20b)의 중앙 영역에 개구된 제2 그룹의 가스 공급홀(24-2)을 통하여 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급 채널(60-2)을 포함한다. 제1 및 제2 가스 공급 채널(60-1, 60-2)에는 하나 이상의 가스 분배판(64-1, 64-2)이 구비될 수 있다. 각각의 하단은 제1 및 제2 그룹의 가 스 공급홀(24-1, 24-2)과 대응된 복수개의 개구부(66-1, 66-2)가 형성되어 있다.
도 12는 내지 도 19는 전력 가변 분배기의 회로 구성의 다양한 에들을 보여주는 도면이다. 전력 가변 분배기(44)는 다음과 같이 다양한 형태 실시예들 중에서 선택적으로 실시될 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하여, 전력 가변 분배기(44)는 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나에 전기적으로 연결되는 권선비 조절이 가능한 하나 이상의 트랜스포머(45, 46)로 구성될 수 있다. 트랜스포머(45, 46)의 일차측은 직렬로 연결되며, 각기 권선비 조절이 가능한 멀티탭 구조를 갖는다. 이차측은 각기 대응된 무선 주파수 안테나(30, 32)에 연결된다. 전력 가변 분배기(44)는 트랜스포머(45, 46)의 일차측에 구성된 멀티탭(47, 48)의 권선비를 조절하는 것에 의해서 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)로의 전력 분배 비율을 가변시킬 수 있다. 트랜스포머(45, 46)의 이차측의 전기적인 연결 구조는 도 12 또는 도 13과 같은 구조의 연결 방식을 취할 수 있다.
도 14를 참조하여, 전력 가변 분배기(44a)는 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 가변 인덕터(VL1, VL2)로 구성될 수 있다. 또 다른 변형예의 전력 가변 분배기(44c, 44e)는 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)가 직렬로 연결된 구조에서 각 안테나의 양단에 가변 인덕터(VL1, VL2)가 연결(도 16 참조)되거나 또는 전원 입력단과 접지 연결단 사이에 각기 연결(도 18 참조)될 수 있다.
도 15를 참조하여, 전력 가변 분배기(44b)는 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 가변 커패시터(VC1, VC2)로 구성될 수 있다. 또 다른 변형예의 전력 가변 분배기(44c, 44e)는 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)가 직렬로 연결된 구조에서 각 안테나의 양단에 가변 커패시터(VC1, VC2)가 연결(도 17 참조)되거나 또는 전원 입력단과 접지 연결단 사이에 각기 연결(도 19 참조)될 수 있다.
유도 결합 플라즈마 반응기는 에지 영역에서 구동되는 제1 무선 주파수 안테나(30)와 중앙 영역에서 구동되는 제2 무선 주파수 안테나(32)의 전력 분배 비율이 가변적으로 제어될 수 있음으로 반응 챔버(10)의 내부에 발생되는 유도 결합 플라즈마의 에지 영역과 중앙 영역의 플라즈마 커플링 에너지에 대한 개별적인 조절이 가능하다. 그럼으로 에지 영역과 중앙 영역의 플라즈마 밀도를 균일하도록 제어할 수 있어서 보다 향상된 고균일한 고밀도의 플라즈마를 발생할 수 있다.
또한, 반응 챔버(10)의 내부로 공급되는 공정 가스의 경우 에지 영역과 중앙 영역으로 공정 가스를 공급하는 두 개의 가스 공급 채널(60-1, 60-2)을 통하여 가스 유량을 각기 제어할 수 있어서 보다 균일한 가스 공급이 가능하다. 또한, 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)의 전력 분배 비율과 두 개의 가스 공급 채널(60-1, 60-2)을 통하여 공급되는 가스 유량은 플라즈마 밀도와 균일성을 향상시키기 위하여 서로 상관되어 조절될 수 있다.
또한, 다중 무선 주파수 안테나(30, 32)가 코어 커버(34)에 의해 덥혀짐으로 유도되는 자속은 세기가 강화되어 반응 챔버(10)의 내부에 발생된 플라즈마와 커플링 효과가 매우 향상된다. 그럼으로 비교적 낮은 주파수를 사용하여도 보다 고밀도의 플라즈마가 형성될 수 있으며 평면적으로도 균일한 플라즈마 발생 분포를 얻을 수 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기는 반도체 집적 회로의 제조나 평판 디스플레이 제조를 위한 박막 형성을 위한 플라즈마 처리 공정에 매우 유용하게 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 2는 유도 결합 플라즈마 소스를 구성하는 다중 무선 주파수 안테나의 배치 구조 및 전기적 연결 구성도이다.
도 3은 다중 무선 주파수 안테나를 평판 사각 구조로 변형한 예를 보여주는 도면이다.
도 4는 다중 무선 주파수 안테나의 전원 인가 방식을 변형한 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 평판형 구조의 유전체 윈도우를 보여주는 도면이다.
도 6은 돔형 구조의 유전체 윈도우를 보여주는 도면이다.
도 7은 다중 무선 주파수 안테나에 마그네틱 코어 커버를 설치한 예를 보여주는 부분 단면도이다.
도 8은 평판형 구조의 유전체 윈도우에 마그네틱 코어 커버가 설치된 예를 보여주는 도면이다.
도 9는 돔형 구조의 유전체 윈도우에 마그네틱 코어 커버가 설치된 예를 보여주는 도면이다.
도 10은 유전체 윈도우 상부에 가스 공급부를 설치한 예를 보여주는 도면이다.
도 11은 가스 공급부를 분리된 이중 가스 공급 구조로 변형한 예를 보여주는 도면이다.
도 12는 내지 도 19는 전력 가변 분배기의 회로 구성의 다양한 에들을 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 반응 챔버 12: 챔버 하우징
16: 기판 지지대 20: 유전체 윈도우
22: 트랜치 영역 24: 가스 공급홀
30: 제1 무선 주파수 안테나 32: 제2 무선 주파수 안테나
34: 코어 커버 40: 전원 공급원
42: 임피던스 정합기 44: 전력 가변 분배기
50: 전원 공급원 52: 전원 공급원
54: 임피던스 정합기 60: 가스 공급부
64: 가스 분배판 66: 개구부

Claims (17)

  1. 플라즈마 방전 영역을 갖는 반응 챔버;
    상기 반응 챔버에 플라즈마 방전을 발생시키기 위한 유도 기전력을 제공하는 다중 무선 주파수 안테나;
    다중 무선 주파수 안테나로 구동 전력을 제공하는 전원 공급원; 및
    상기 전원 공급원으로부터 제공되는 구동 전력을 상기 다중 무선 주파수 안테나로 제공하되 각각의 무선 주파수 안테나로 제공되는 전력 비율을 가변시킬 수 있는 전력 가변 분배기를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전력 가변 분배기는
    상기 다중 무선 주파수 안테나로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나에 전기적으로 연결되는 권선비 조절이 가능한 하나 이상의 트랜스포머를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전력 가변 분배기는
    상기 다중 무선 주파수 안테나로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나에 전기적으로 연결되는 하나 이상의 가변 인덕터를 포함하 는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전력 가변 분배기는
    상기 다중 무선 주파수 안테나로 공급되는 전력 비율을 조절할 수 있도록 다중 무선 주파수 안테나에 전기적으로 연결되며 권선비 조절이 가능한 하나 이상의 가변 커패시터를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다중 무선 주파수 안테나는
    에지 영역에 배치되는 제1 무선 주파수 안테나와 중앙 영역에 배치되는 제2 무선 주파수 안테나를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 무선 주파수 안테나와 상기 제2 무선 주파수 안테나는 각각의 전원 입력단이 대칭된 구조로 배치되는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반응 챔버는
    상기 다중 무선 주파수 안테나와 상기 반응 챔버의 방전 영역 사이에 설치되 는 유전체 윈도우를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 유전체 윈도우는
    상기 다중 무선 주파수 안테나가 설치되는 트랜치 영역; 및
    상기 반응 챔버 내부로 개구된 하나 이상의 가스 공급홀을 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    자속 출입구가 상기 반응 챔버의 내부를 지향하면서 상기 다중 무선 주파수 안테나를 덮는 코어 커버를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 유전체 윈도우의 가스 공급홀을 통하여 상기 반응 챔버의 방전 영역으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 둘 이상의 분리된 가스 공급 구조를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 가스 공급부는
    상기 유전체 윈도우의 에지 영역에 개구된 제1 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 채널; 및
    상기 유전체 윈도우의 중앙 영역에 개구된 제2 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급 채널을 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 반응 챔버는
    피처리 기판을 지지하는 기판 지지대를 포함하고, 상기 기판 지지대는 하나 이상의 무선 주파수를 공급받아서 바이어스 되거나 또는 전혀 바이어스가 되지 않는 것 중 어느 하나인 유도 결합 플라즈마 반응기.
  14. 플라즈마 방전 영역과 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 갖는 반응 챔버;
    상기 기판 지지대에 대향된 반응 챔버의 천정을 구성하도록 설치되며 에지 영역에 개구된 제1 그룹의 가스 공급홀과 중앙 영역에 개구된 제2 그룹의 가스 공급홀을 갖는 유전체 윈도우;
    상기 유전체 윈도우의 상부 에지 영역에 설치되는 제1 무선 주파수 안테나;
    상기 유전체 윈도우의 상부 중앙 영역에 설치되는 제2 무선 주파수 안테나; 및
    상기 제1 그룹의 가스 공급홀과 상기 제2 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 가스 공급부는
    상기 제1 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 채널; 및
    상기 제2 그룹의 가스 공급홀을 통하여 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급 채널을 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 무선 주파수 안테나와 상기 제2 무선 주파수 안테나로 구동 전력을 제공하는 전원 공급원; 및
    상기 전원 공급원으로부터 제공되는 구동 전력을 상기 제1 및 제2 무선 주파수 안테나로 제공하되 상기 제1 및 제2 무선 주파수 안테나로 제공되는 전력 비율을 가변시킬 수 있는 전력 가변 분배기를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 가스 공급 채널을 통하여 공급되는 가스 유량과 전력 가변 분배기의 전력 분배 비율은 서로 상관되어 조절되는 유도 결합 플라즈마 반응기.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180120306A (ko) * 2017-04-26 2018-11-06 세메스 주식회사 전력 공급 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
TWI709360B (zh) * 2018-03-20 2020-11-01 日商日新電機股份有限公司 電漿控制系統以及電漿控制系統用程式

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102045059B1 (ko) * 2018-02-28 2019-12-03 주식회사 인포비온 고밀도 선형 유도 결합형 플라즈마 소스

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846883A (en) * 1996-07-10 1998-12-08 Cvc, Inc. Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation
JP2929275B2 (ja) * 1996-10-16 1999-08-03 株式会社アドテック 透磁コアを有する誘導結合型−平面状プラズマの発生装置
KR20070033222A (ko) * 2005-09-21 2007-03-26 주성엔지니어링(주) 플라즈마 발생용 안테나
KR20070041220A (ko) * 2005-10-14 2007-04-18 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180120306A (ko) * 2017-04-26 2018-11-06 세메스 주식회사 전력 공급 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
CN108807122A (zh) * 2017-04-26 2018-11-13 细美事有限公司 供电装置及包括该供电装置的基板处理装置
CN108807122B (zh) * 2017-04-26 2021-05-14 细美事有限公司 供电装置及包括该供电装置的基板处理装置
TWI709360B (zh) * 2018-03-20 2020-11-01 日商日新電機股份有限公司 電漿控制系統以及電漿控制系統用程式

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