CN114207771B - 半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法 - Google Patents

Abstract

一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。隔离组件可以进一步包括与外隔离构件耦接的内隔离构件。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。

Description

半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月29日提出的美国临时专利申请第62/879,714号的优先权权益，所述申请的全部内容出于所有目的通过引用以其整体结合于此。

技术领域

本技术涉及半导体工艺和设备。更具体地，本技术涉及半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法。

背景技术

通过在基板表面上产生错综复杂地图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能。随着器件尺寸在下一代的器件中不断缩小，处理条件的均匀性的重要性不断增加，腔室设计和系统设置可以对所生产的器件的质量起重要作用。因此，需要可以用来生产高质量器件和结构的系统和方法。

发明内容

根据一个方面，一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并且将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括外隔离构件和内隔离构件。外隔离构件可以与金属环构件耦接。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。内隔离构件可以与外隔离构件耦接。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。

在一些实施例中，内隔离构件的一部分可以径向地与金属环构件对准。

在一些实施例中，内隔离构件可以包括第一内隔离部件和第二内隔离部件。第一内隔离部件可以与外隔离构件耦接。第二内隔离部件可以与第一内隔离部件耦接并且同轴地与第一内隔离部件对准。第二内隔离部件可以相对于第一内隔离部件轴向地偏移并且可以相对于第一内隔离部件设置在径向内部以限定多个开口。

在一些实施例中，多个开口包括多个周向间隙。第一内隔离部件可以包括第一圆柱形壁和多个第一臂，所述多个第一臂相对于第一圆柱形壁的底部部分径向向内地延伸。第二内隔离部件可以包括第二圆柱形壁和多个第二臂，所述多个第二臂相对于第二圆柱形壁的顶部部分径向向外地延伸。多个第二臂可以与多个第一臂耦接。可以将多个周向间隙限定在所耦接的多个第一臂与多个第二臂之间。

在一些实施例中，第二内隔离部件可以进一步包括唇部，所述唇部相对于第二圆柱形壁的底部部分径向向内地延伸。可以将唇部配置为支撑处理腔室的基板支撑件的边缘环。

在一些实施例中，多个开口中的每个开口的角度可以大于或为约5°。在一些实施例中，外隔离构件可以包括隔离环，所述隔离环围绕处理腔室的中心轴线同轴地与金属环构件对准。在一些实施例中，气体分布构件、金属环构件和隔离组件可以围绕处理腔室的中心轴线同轴地对准。

根据另一个方面，一种隔离组件可以包括环形外隔离构件和内隔离构件。环形外隔离构件可以围绕隔离组件的中心轴线设置。内隔离构件可以围绕中心轴线同轴地与环形外隔离构件对准。内隔离构件可以包括第一隔离部件和第二隔离部件。第一隔离部件可以包括第一圆柱形壁和多个第一臂，所述多个第一臂相对于第一圆柱形壁的下部径向向内地延伸。第二隔离部件可以包括第二圆柱形壁，所述第二圆柱形壁同轴地与第一圆柱形壁对准并且相对于第一圆柱形壁轴向地偏移。第二隔离部件可以进一步包括多个第二臂，所述多个第二臂相对于第二圆柱形壁的上部径向向外地延伸。多个第二臂可以与多个第一臂耦接。可以将多个周向间隙限定在所耦接的多个第一臂与多个第二臂之间。

在一些实施例中，多个第一臂中的每一者可以相对于两个相邻的第一臂以相等的距离设置，并且多个第二臂中的每一者可以相对于两个相邻的第二臂以相等的距离设置。在一些实施例中，多个第一臂的数量和多个第二臂的数量可以相等。在一些实施例中，环形外隔离构件、第一隔离部件、或第二隔离部件中的至少一者可以包括陶瓷材料。

根据进一步的方面，一种方法可以包括以下步骤：使清洁气体流动到处理腔室的处理容积中。处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述隔离组件将金属环构件与气体分布构件隔离。清洁气体可以从气体分布构件流动到处理容积中。所述方法可以进一步包括以下步骤：将处理腔室的基板支撑件维持在处理容积内部的第一位置处。可以将基板支撑件定位在由隔离组件所限定的多个开口上方。所述方法也可以包括以下步骤：使清洁气体朝向金属环构件流动通过多个开口。

在一些实施例中，所述方法可以进一步包括以下步骤：将基板支撑件维持在处理容积内部的位于多个开口下方的第二位置处。所述方法也可以包括以下步骤：使清洁气体流动通过多个开口，同时可以将基板支撑件维持在第二位置处。在一些实施例中，所述方法可以进一步包括以下步骤：将基板支撑件维持在处理容积内部的位于第二位置下方的第三位置处，同时使清洁气体流动到处理容积中。

在一些实施例中，隔离组件可以包括外隔离构件和内隔离构件。外隔离构件可以与金属环构件耦接。内隔离构件可以与外隔离构件耦接。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口以提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。

在一些实施例中，内隔离构件可以包括第一内隔离部件和第二内隔离部件。第一内隔离部件可以与外隔离构件耦接。第二内隔离部件可以与第一内隔离部件耦接并且同轴地与第一内隔离部件对准。第二内隔离部件可以相对于第一内隔离部件轴向地偏移并且可以相对于第一内隔离部件设置在径向内部以限定多个开口。

在一些实施例中，多个开口可以包括多个周向间隙。第一内隔离部件可以包括第一圆柱形壁和多个第一臂，所述多个第一臂相对于第一圆柱形壁的底部部分径向向内地延伸。第二内隔离部件可以包括第二圆柱形壁和多个第二臂，所述多个第二臂相对于第二圆柱形壁的顶部部分径向向外地延伸。多个第二臂可以与多个第一臂耦接。可以将多个周向间隙限定在所耦接的多个第一臂与多个第二臂之间。

在一些实施例中，所述方法可以进一步包括以下步骤：在处理腔室内部形成等离子体；以及用隔离组件屏蔽金属环构件以免受等离子体的影响。在一些实施例中，隔离组件的一部分可以径向地与金属环构件对准以屏蔽金属环构件以免受等离子体的影响。

相对于常规的系统和技术，本技术可以提供许多益处。例如，本技术可以屏蔽腔室部件免受等离子体损伤，同时为清洁气体提供流体进出口以高效地清洁被屏蔽而免受等离子体影响的腔室部件。可以与以下说明和附图结合来更详细地描述这些和其他实施例以及许多它们的优点和特征。

附图说明

可以通过参照说明书的其余部分和附图来实现对所公开的技术的本质和优点的进一步了解。

图1示出根据本技术的实施例的示例性处理腔室的示意横截面图。

图2A示意性地图示根据本技术的实施例的示例性处理腔室的选定腔室部件的部分横截面图。

图2B示意性地图示图2A的处理腔室的选定腔室部件的俯视图。

图3A和图3B示意性地图示图2A和图2B的处理腔室的各种区域处的流动容积。

图4是示出随着时间的推移的清洁气体自由基的质量分数的绘图。

图5示出清洁图2A和图2B的处理腔室的腔室部件的方法中的示例性操作。

图6A、图6B和图6C示意性地图示图2A和图2B的处理腔室的流动容积，同时可以执行图5的方法的一个或多个操作。

图7A、图7B和图7C示意性地图示根据本技术的实施例的内隔离构件的一个实施例。

图8A、图8B和图8C示意性地图示根据本技术的实施例的内隔离构件的进一步实施例。

图9示意性地图示根据本技术的实施例的内隔离构件的另一个实施例。

附图中的几个被包括作为示意图。要了解，附图用于说明目的，并且除非具体说明是按比例的，否则不被认为是按比例的。此外，作为示意图，附图被提供以促进理解，并且与现实的表示相比，可以不包括所有方面或信息，并且可以出于说明的目的而包括夸大的材料。

在附图中，类似的部件和/或特征可以具有相同的附图标记。进一步地，可以通过在附图标记之后加上区分类似部件的字母来区分相同类型的各种部件。如果在本说明书中仅使用第一附图标记，则说明可适用于具有相同第一附图标记的类似部件中的任何一者而不论字母如何。

具体实施方式

在制造半导体器件的期间，可以使用等离子体来将材料沉积于容纳在处理腔室中的半导体基板上。可以在处理腔室中产生等离子体，从而将各种腔室部件暴露于等离子体，所述腔室部件可以包括金属环构件和相邻的隔离构件。已经在金属环构件与相邻的隔离构件之间观察到等离子体弧痕，所述等离子体弧痕对金属环构件和/或相邻的隔离构件造成损伤且缩短暴露的部件的零件寿命，因为隔离构件中的一些可能在沉积期间的操作温度下(例如在约250℃下)频繁地破裂。

本技术通过提供内隔离构件克服了这些问题。内隔离构件中的至少一部分可以径向地与金属环构件对准，并且因此可以屏蔽金属环构件以免受等离子体影响。进一步地，内隔离构件可以利用两件式设计来产生间隙以供清洁气体接近金属环构件和/或外隔离构件，以便移除可能随着时间的推移累积在这些腔室部件上的任何材料沉积物，以防止由金属环构件和/或内隔离构件与外隔离构件释放颗粒。

虽然其余的公开内容将例行地识别利用所公开的技术进行的对处理腔室的部件的清洁，但不应将本技术认为是仅限于清洁工艺。可以将本技术用于其他的工艺，包括但不限于沉积、蚀刻等等。此外，虽然描述了示例性的半导体处理腔室以促进了解本技术，但不应将本技术认为是仅限于清洁和/或屏蔽半导体处理腔室的部件或限于所述的示例性腔室。要了解，可以将本技术用于任何类型的处理腔室。

图1示出示例性处理腔室100的示意横截面图。处理腔室100可以具有腔室容积101，腔室容积101至少部分地由气体分布构件或喷头102和腔室主体103所限定。气体分布构件102可以包括多个孔105，多个孔105被配置为提供进入腔室容积101的流体进出口。处理腔室100可以进一步包括基板支撑件104，基板支撑件104定位在腔室容积101内部在气体分布构件102下方。基板支撑件104可以沿着腔室容积101的中心轴线相对于气体分布构件102在腔室容积101内部上下移动，所述腔室容积101的中心轴线也可以是基板支撑件104的中心轴线。

气体分布构件102与基板支撑件104之间的距离可以取决于处理腔室100中正在执行的工艺而变化。例如，在沉积工艺期间，基板支撑件104可以向上移动，并且可以如图1中所示地相对靠近气体分布构件102。在清洁工艺期间，基板支撑件104可以远离基板支撑件104向下移动。如下文将更详细论述，取决于所实施的清洁方案，可以将基板支撑件104移动到各种位置并维持在相应位置以清洁处理腔室100的各种部件。

基板支撑件104可以包括边缘环108，边缘环108围绕基板支撑件104的顶表面的周边或径向边缘设置。边缘环108可以相对于基板支撑件104的顶表面的中心区域升起，在处理期间基板或半导体晶片可被支撑在所述中心区域处。边缘环108可以具有与晶片厚度类似的厚度，使得边缘环108的顶表面可以与基板或晶片的表面齐平。边缘环108可以径向地延伸超出基板支撑件104的顶表面的径向边缘以增加工艺气体的滞留时间。在一些实施例中，在基板支撑件104可以远离气体分布构件102向下移动且移动到相对于基板支撑件104设置在径向外部的阶梯形衬垫107下方时，边缘环108可以通过阶梯形衬垫107从基板支撑件104升离并且可以由阶梯形衬垫107的顶表面的内周边区域支撑。

继续参照图1，处理腔室100可以进一步包括金属环构件110、外隔离构件112和内隔离构件114。金属环构件110可以设置在阶梯形衬垫107上方或由阶梯形衬垫107支撑，并且可以是或包括铝环构件。外隔离构件112可以设置在金属环构件110上方或由金属环构件110支撑。外隔离构件112可以是或包括绝缘环构件，诸如陶瓷环构件。内隔离构件114可以与外隔离构件112耦接和/或由外隔离构件112支撑，并且可以相对于外隔离构件112和/或金属环构件110设置在径向内部。内隔离构件114可以是或包括绝缘环构件，诸如陶瓷环构件。外隔离构件112和内隔离构件114可以统称为隔离组件。外隔离构件112和内隔离构件114可被配置为将金属环构件110与处理腔室100的其他的腔室部件(诸如气体分布构件102)电隔离或绝缘。

如上文所论述，在常规的腔室设计中，金属环构件110可能在沉积和/或清洁工艺期间暴露于等离子体且可能被等离子体损伤。在图1中所示的实施例中，内隔离构件114可以轴向地向下延伸于金属环构件110下方。因此，可以通过内隔离构件114屏蔽金属环构件110以免受等离子体影响，从而减少或防止对金属环构件110造成否则可能由于暴露于和/或直接接触等离子体而产生的损伤。然而，内隔离构件114也可能限制可以在清洁工艺期间到达金属环构件110的清洁气体。因此，为了清洁金属环构件110，例如以移除随着时间的推移累积在金属环构件110上的材料沉积物，可能需要长的清洁周期，这可能影响生产量。进一步地，由有限地暴露于清洁气体所引起的任何未移除的材料沉积物可能使颗粒在沉积期间从金属环构件110释放，这可能影响所生产的器件的质量。在一些实施例中，可以利用平坦的衬垫而不是阶梯形衬垫107。然而，到达金属环构件110的清洁气体流量的改善可能有限，并且清洁时间可能仍然很长。

图2A示意性地图示示例性处理腔室200的选定腔室部件的部分横截面图。具体而言，图2A示意性地图示处理腔室200的选定腔室部件的一半的横截面图(例如左半部的横截面图)。所示的选定腔室部件可以各自围绕处理腔室200的中心轴线具有轴向对称性，并且因此可以围绕处理腔室200的中心轴线同轴地对准。因此，处理腔室200的另一半的横截面图可以是图2中所图示的内容的镜像。图2B示意性地图示图2A的处理腔室200的选定腔室部件的俯视图。

参照图2A，处理腔室200可以包括阶梯形衬垫207、金属环构件210和基板支撑件204，阶梯形衬垫207至少部分地限定处理腔室200的腔室容积，金属环构件210可以设置在阶梯形衬垫207上方和/或至少部分地由阶梯形衬垫207支撑，基板支撑件204位于腔室容积的内部。阶梯形衬垫207、金属环构件210和基板支撑件204可以各自分别与上文参照图1所描述的阶梯形衬垫107、金属环构件110和基板支撑件104类似或相同。虽然示出了阶梯形衬垫，但在一些实施例中，处理腔室200也可以利用平坦的衬垫。处理腔室200可以进一步包括边缘环208，边缘环208设置在基板支撑件204的周边区域周围。边缘环208可以与上文参照图1所描述的边缘环108类似或相同。虽然未示出，但处理腔室200可以进一步包括与上文参照图1所描述的气体分布构件102类似或相同的气体分布构件或喷头。

参照图2A和图2B，处理腔室200还可以包括外隔离构件212(仅示出在图2A中)和内隔离构件214，内隔离构件214与外隔离构件212耦接和/或由外隔离构件212支撑。内隔离构件214可以包括第一隔离部件216和第二隔离部件218。第一隔离部件216可以与外隔离构件212耦接和/或由外隔离构件212支撑，并且第二隔离部件218可以与第一隔离部件216耦接和/或由第一隔离部件216支撑。在一些实施例中，第一隔离部件216和第二隔离部件218可以是可以可移除地彼此耦接或牢固地彼此附接以形成内隔离构件214的两个单独的部件。在一些实施例中，可以将第一隔离部件216和第二隔离部件218形成为一个单体件作为内隔离构件214。外隔离构件212和内隔离构件214(例如第一隔离部件216和第二隔离部件218)可以围绕处理腔室200的中心轴线同轴地彼此对准，并且可以统称为隔离组件。外隔离构件212、第一隔离部件216、和/或第二隔离部件218可以由适于半导体处理的任何绝缘材料(诸如陶瓷材料)制成，所述绝缘材料可以将金属环构件210与处理腔室200的其他腔室部件(诸如处理腔室200的气体分布构件)电隔离或绝缘。

外隔离构件212可以是或包括围绕处理腔室200的中心轴线设置的环形或圆柱形构件。第一隔离部件216可以包括圆柱形壁220、环形凸缘或凸缘222和多个向内延伸的臂224，环形凸缘或凸缘222相对于圆柱形壁220的上部(例如上端)径向向外地延伸，多个向内延伸的臂224相对于圆柱形壁220的下部(例如下端)径向向内地延伸。第一隔离部件216的凸缘可以在第一隔离部件216的凸缘222的外部(例如外缘)处与外隔离构件212的上部(例如上端)耦接和/或由所述上部支撑。因此，第一隔离部件216的圆柱形壁220可以相对于外隔离构件212径向地偏移。径向间隙可以形成于外隔离构件212与第一隔离部件216的圆柱形壁220之间。

向内延伸的臂224可以周向地围绕第一隔离部件216的下部(例如下端)设置。向内延伸的臂224中的每一者均可以与两个相邻的向内延伸的臂224间隔开相等的旋转度数。例如，在一些实施例中，第一隔离部件216可以包括六个向内延伸的臂224，并且从向内延伸的臂224中的每一者的中心测量，向内延伸的臂224中的每一者均可以与两个相邻的向内延伸的臂224分开60°的旋转度数。

第二隔离部件218可以包括圆柱形壁230、环形唇部或唇部232和多个向外延伸的臂234，环形唇部或唇部232相对于圆柱形壁230的下部(例如下端)径向向内地延伸，多个向外延伸的臂234相对于圆柱形壁230的上部(例如上端)径向向外地延伸。进一步参照图2B，边缘环208可以包括多个向外延伸的臂209(诸如六个向外延伸的臂209)，其中每个向外延伸的臂均与两个相邻的向外延伸的臂209间隔开相等的距离。在一些实施例中，可以将第二隔离部件218的唇部232配置为在基板支撑件204可以下降时支撑边缘环208。具体而言，边缘环208的向外延伸的臂209可以径向地延伸超出第二隔离部件218的唇部232的内径。因此，在基板支撑件204可以下降到第二隔离部件218下方时，边缘环208可以通过唇部232从基板支撑件204升离并且可以搁置在第二隔离部件218的唇部232上。在一些实施例中，第二隔离部件218的唇部232和边缘环208的向外延伸的臂209可以不径向重叠。例如，唇部232可以包括较小的内径，和/或向外延伸的臂209可以径向向外地延伸到较小的程度，使得唇部232和向外延伸的臂209可以不重叠。因此，在基板支撑件204可以下降时，边缘环208可以不由第二隔离部件218支撑。在一些实施例中，在基板支撑件204可以进一步下降时，边缘环208可以由阶梯形衬垫207支撑。

第二隔离部件218的向外延伸的臂234的数量可以与第一隔离部件216的向内延伸的臂224的数量对应。例如，第二隔离部件218可以包括六个向外延伸的臂234，并且从向外延伸的臂234中的每一者的中心测量，向外延伸的臂234中的每一者均可以与两个相邻的向外延伸的臂234分开60°的旋转度数。可以将第二隔离部件218的向外延伸的臂234中的每一者配置为搁置在第一隔离部件216的向内延伸的臂224中的一个向内延伸的臂上、由所述向内延伸的臂支撑、和/或与所述向内延伸的臂耦接，使得第二隔离部件218可以搁置在第一隔离部件216上、由第一隔离部件216支撑、和/或与第一隔离部件216耦接。

如图2A中所示，在第二隔离部件218可以与第一隔离部件216耦接时，第二隔离部件218的圆柱形壁230可以相对于第一隔离部件216的圆柱形壁220轴向偏移。进一步地，如图2A和图2B中所示，在第二隔离部件218可以与第一隔离部件216耦接时，第二隔离部件218的圆柱形壁230也可以相对于第一隔离部件216径向偏移，并且可以相对于第一隔离部件216定位在径向内部。因此，可以通过第一隔离部件216和第二隔离部件218来形成多个开口或间隙240。

可以由不同的名称称呼间隙240。例如，可以将间隙240称为可以形成于相邻对的向内延伸的臂224和向外延伸的臂234之间的多个周向开口或周向间隙240。也可以将间隙240称为可以形成于第一隔离部件216的圆柱形壁220与第二隔离部件218的圆柱形壁230之间的多个径向间隙240。间隙240可以各自具有环形区段的形状。可以存在六个间隙240，并且取决于第一隔离部件216的向内延伸的臂224和/或第二隔离部件218的向外延伸的臂234中的每一者的角度，如在相邻对的向内延伸的臂224与向外延伸的臂234之间测量，间隙240中的每一者的角度可以小于或为约60°。

虽然第一隔离部件216、第二隔离部件218和边缘环208中的每一者被描述为分别具有六个向内延伸的臂224、六个向外延伸的臂234和六个向外延伸的臂209，但第一隔离部件216、第二隔离部件218、和/或边缘环208也可以各自包括多于或少于六个臂。例如，第一隔离部件216、第二隔离部件218、和/或边缘环208可以各自包括两个、三个、四个、五个、七个、八个、九个、十个、或任何数量的相应的臂。此外，第一隔离部件216、第二隔离部件218、和/或边缘环208还可以包括共同数量的臂，或可以包括不同数量的臂。在一些实施例中，第一隔离部件216可以包括一个或多个臂，所述一个或多个臂可以不向第二隔离部件218的任何臂提供支撑，和/或第二隔离部件218可以包括一个或多个臂，所述一个或多个臂可以不搁置在第一隔离部件216的任何臂上。进一步地，对于第一隔离部件216、第二隔离部件218、和/或边缘环208中的每一者，不是每个臂均可以与两个相邻的臂间隔开相等的旋转度数。臂中的一些可以设置得更靠近一个或两个相邻的臂，而臂中的一些可以设置得离一个或两个相邻的臂较远。然而，第一隔离部件216、第二隔离部件218、和/或边缘环208中的每一者的相邻的臂之间的相等间隔可以促进腔室容积内部均匀的气体流量或分布，这可以进一步促进均匀的沉积和/或清洁。

图3A示意性地图示间隙240中的一者附近的流动容积，并且图3B示意性地图示所述对的第一隔离部件216的向内延伸的臂224和第二隔离部件218的向外延伸的臂234中的一者附近的流动容积。注意，出于说明流动容积的目的，在图3B中将所述对的向内延伸的臂224和向外延伸的臂234图示为一个单体的连接250，并且在图3A和图3B中将金属环构件210和外隔离构件212图示为一个单体的块体255。

如先前在图2B以及图3A中所示，可以在所述对的第一隔离部件216和第二隔离部件218的臂之间存在大量的周向间隙240，或可以在第一隔离部件216的圆柱形壁220与第二隔离部件218的圆柱形壁230之间存在大量的径向间隙240。间隙240可以为清洁气体提供流体进出口以流动到第二隔离部件218与金属环构件210(或图3A和图3B中的块体255的下部)之间的径向或环形间隙中。因此，可以通过清洁气体来清洁金属环构件210和第二隔离部件218的外表面。

进一步地，间隙240也可以允许清洁气体扩散到外隔离构件212(或图3A和图3B中的块体255的上部)与第一隔离部件216之间的径向或环形间隙中以清洁外隔离构件212和第一隔离部件216的外表面。与图1中所示的实施例(其中清洁气体不能进出外隔离构件112与内隔离构件114之间的径向间隙)相比，形成于第一隔离部件216与第二隔离部件218之间的间隙240可以允许清洁气体到达外隔离构件212和第一隔离部件216以清洁这些部件。

图4是示出在外隔离构件212与第一隔离部件216之间的环形间隙中所测量到的随着时间的推移的清洁气体自由基质量分数(例如氧自由基质量分数)的绘图。一般而言，在清洁气体自由基质量分数可以达到平稳状态时，可以完成对所关心的区域的清洁。如图4中所示，在第一隔离部件216和第二隔离部件218可以提供开口或间隙240以允许清洁气体流动到外隔离构件212与第一隔离部件216之间的环形间隙中时，与不能在内绝缘体中形成开口或间隙240的实施例(诸如图1中所示的使用阶梯形衬垫或平坦衬垫中的任一者的实施例)相比，清洁气体径向质量分数可以在短得多的时间内达到平稳状态。进一步地，在第一隔离部件216和第二隔离部件218可以提供开口或间隙240时，与不能在内绝缘体中形成开口或间隙240的实施例相比，外隔离构件212与第一隔离部件216之间的环形间隙内部的清洁气体自由基的质量分数也可以高得多。

因此，通过在第一隔离部件216与第二隔离部件218之间提供开口或间隙240，可以实现更高效的清洁或较短的清洁周期。在一些实施例中，通过在第一隔离部件216与第二隔离部件218之间提供开口或间隙240，与不能在内绝缘体中形成开口或间隙240的实施例相比，可以减少清洁达至少50％、至少60％、至少70％、至少80％、或更多。例如，通过在第一隔离部件216与第二隔离部件218之间提供开口或间隙240，可以在小于0.5秒、小于0.4秒、小于0.3秒内、或更短的时间内清洁外隔离构件212和第一隔离部件216。

此外，在可以在第一隔离部件216与第二隔离部件218之间提供开口或间隙240时，在基板支撑件204可以向下移动直到基板支撑件204可以移动到阶梯形衬垫207的阶梯下方为止时，清洁气体流可以连续地到达并清洁外隔离构件212和/或金属环构件210。因此，在基板支撑件204可以与阶梯形衬垫207的阶梯齐平或处于较高的位置时，清洁气体可以连续地流动通过间隙240进入金属环构件210与第一隔离部件216或第二隔离部件218之间的环形间隙并进入外隔离构件212与第一隔离部件216或第二隔离部件218之间的环形间隙，以清洁金属环构件210、外隔离构件212、以及第一隔离部件216和第二隔离部件218的外表面。

虽然在图3B中，朝向金属环构件210的直接流动可能受到所述对的第一隔离部件216和第二隔离部件218的臂(或图3B中的连接250)的存在的影响，但流动通过间隙240的清洁气体仍然可以在相对高的浓度下到达金属环构件210的与所述对的第一隔离部件216和第二隔离部件218的臂对准的部分以实现有效地清洁整个金属环构件210。

在一些实施例中，为了限制或最小化所述对的第一隔离部件216和第二隔离部件218的臂的影响，第一隔离部件216和第二隔离部件218的臂的环形跨度或角度可以相对地小，以便使间隙240保持相对地大。例如，所有间隙240的总角度可以大于或为约180°、大于或为约210°、大于或为约240°、大于或为约270°、大于或为约300°、大于或为约330°、或接近360°。在一些实施例中，第一隔离部件216和第二隔离部件218可以共同限定六个均等划分的周向间隙240，并且每个间隙240的角度可以大于或为约30°、大于或为约35°、大于或为约40°、大于或为约45°、大于或为约50°、大于或为约55°、或接近60°。在一些实施例中，第一隔离部件216和第二隔离部件218可以共同限定少于六个均等划分的周向间隙240，并且每个间隙240的角度可以大于或为约60°、大于或为约70°、大于或为约80°、大于或为约90°、大于或为约100°、大于或为约120°、大于或为约140°、大于或为约160°、或接近180°。在一些实施例中，第一隔离部件216和第二隔离部件218可以共同限定多于六个均等划分的周向间隙240，并且每个间隙240的角度可以大于或为约5°、大于或为约10°、大于或为约15°、大于或为约20°、大于或为约25°、大于或为约30°、大于或为约35°、大于或为约40°、大于或为约45°、大于或为约50°、或更大。在一些实施例中，周向间隙240可以不被均等地划分。周向间隙240的角度可以变化。在一些实施例中，每个周向间隙240的角度的范围可以是在约5°与约355°之间、约15°与约300°之间、约30°与约240°之间、约45°与约180°之间、或约60°与约120°之间。

进一步地，为了促进使清洁气体流动通过间隙240，在第一隔离部件216的圆柱形壁220的内表面与第二隔离部件218的圆柱形壁230的外表面之间所测量到的间隙240的宽度或径向延伸部分可以大于或为约2mm、大于或为约3mm、大于或为约4mm、大于或为约5mm、大于或为约6mm、大于或为约7mm、大于或为约8mm、大于或为约9mm、大于或为约10mm、大于或为约11mm、大于或为约12mm、大于或为约13mm、大于或为约14mm、大于或为约15、或更大。

继续参照图3A和图3B，可以将至少第二隔离部件218相对于金属环构件210定位在径向内部，并且在一些实施例中，第二隔离部件218的圆柱形壁230的至少一部分可以径向地与金属环构件210对准。因此，金属环构件210可以至少被第二隔离部件218屏蔽以保护金属环构件210免受可能在沉积期间流动到处理腔室中或在所述处理腔室内部产生的等离子体的影响。在一些实施例中，第一隔离部件216的至少一部分(诸如第一隔离部件216的圆柱形壁220的一部分)可以径向地与金属环构件210对准。第一隔离部件216的圆柱形壁220可以接着保护金属环构件210免受任何等离子体损伤。因此，内隔离构件214的两件式或两部件式设计可以在工艺期间屏蔽金属环构件210以免受等离子体的影响，同时仍然允许通过在内隔离构件214的第一隔离部件216与第二隔离部件218之间提供多个开口或间隙240来高效地且有效地清洁金属环构件210。

图5示出处理腔室200的清洁腔室部件的方法500中的示例性操作。图6A、图6B和图6C示意性地图示处理腔室的流动容积，同时可以执行方法500的各种操作。方法500可以实施用来在每个阶段产生不同的清洁气体流量分布的多阶段清洁工艺以便在不同的清洁阶段朝向各种腔室部件引导清洁气体。

方法500可以通过以下步骤开始：在操作505处使清洁气体流动到处理腔室200的处理容积中。可以通过处理腔室200的气体分布构件202(示出在图6A-6C中)将清洁气体递送到处理容积中。清洁气体可以包括等离子体流出物，所述等离子体流出物可以在可以与处理腔室200流体耦接的远程等离子体源或单元中产生，然后从远程等离子体源或单元流动到处理腔室200中。在一些实施例中，可以在处理腔室200中本地地产生等离子体流出物，诸如在处理腔室200内部产生的电容耦合等离子体。

在操作510处，可以将基板支撑件204定位在如图6A中所示的第一位置处，使得可以维持气体分布构件202与基板支撑件204之间的第一间隙。第一间隙可以与一般在沉积工艺期间所维持的间隙相同或类似。在一些实施例中，第一间隙的范围可以是在100密耳(或千分之一英寸)与700密耳之间，诸如200密耳与600密耳之间、300密耳与500密耳之间，并且在实施例中可以为约100密耳、约200密耳、约300密耳、约400密耳、约500密耳、约600密耳、或约700密耳。

在基板支撑件204可以移动到第一位置时，清洁气体可以从气体分布构件202朝向基板支撑件204的径向边缘流动，然后朝向第一隔离部件216和第二隔离部件218流动并且流动通过由第一隔离部件216和第二隔离部件218所限定的间隙240，以清洁第一隔离部件216和第二隔离部件218以及如上文所论述的外隔离构件212和金属环构件210(在图6A中共同示为块体255)。

一旦可以充分地清洁第一隔离部件216和第二隔离部件218、外隔离构件212以及金属环构件210，在操作515处，就可以将基板支撑件204从第一位置下降到如图6B中所示的第二位置，使得可以维持气体分布构件202与基板支撑件204之间的第二间隙。在第二位置处，基板支撑件204可以与阶梯形衬垫207的阶梯齐平。第二间隙的范围可以是在1000密耳与3000密耳之间，诸如1250密耳与2750密耳之间、1500密耳与2500密耳之间、1750密耳与2250密耳之间，并且在实施例中可以为约1000密耳、约1250密耳、约1500密耳、约1750密耳、约2000密耳、约2250密耳、约2500密耳、约2750密耳、或约3000密耳。在基板支撑件204可以移动到第二位置时，可以朝向阶梯形衬垫207(包括阶梯形衬垫207的倾斜的、面朝下的表面)和其他附近的腔室部件引导清洁气体的流动以清洁那些腔室部件。

一旦可以充分地清洁阶梯形衬垫207，在操作520处，就可以将基板支撑件204从第二位置下降到如图6C中所示的第三位置，使得可以维持气体分布构件202与基板支撑件204之间的第三间隙。第三间隙的范围可以是在3000密耳与5500密耳之间，诸如3500密耳与5000密耳之间、4000密耳与4500密耳之间，并且在实施例中可以为约3000密耳、约3250密耳、约3500密耳、约3750密耳、约4000密耳、约4250密耳、约4500密耳、约4750密耳、约5000密耳、约5250密耳、或约5500密耳。在基板支撑件204可以移动到第三位置时，可以朝向阶梯形衬垫207下方的腔室壁、腔室主体的底部、以及基板支撑件204的下侧引导清洁气体的流动。

虽然方法500图示可以将基板支撑件204移动到不同的位置且维持在相应位置以清洁各种腔室部件的示例性清洁方法，但也可以将基板支撑件204用连续的方式逐渐从第一位置移动到第三位置以清洁各种腔室部件。如上文所论述，在由第一隔离部件216和第二隔离部件218提供间隙240的情况下，直到基板支撑件204可以移动到阶梯形衬垫207的阶梯下方为止，都可以将清洁气体连续地递送通过间隙240进入外隔离构件212与第一隔离部件216和/或第二隔离部件218之间的环形间隙以及金属环构件210与第一隔离部件216和/或第二隔离部件218之间的环形间隙。因此，可以实现有效地清洁金属环构件210以及外隔离构件212和内隔离构件214。

一旦可以清洁各种腔室部件，就可以停止清洁气体的流动，并且可以将基板支撑件204移动到较靠近气体分布构件202的位置(诸如图6A中所示的位置或任何其他合适的位置)以供执行沉积工艺。在沉积工艺期间，可以在处理腔室内部在气体分布构件202与基板支撑件204之间形成等离子体(诸如感应耦合等离子体)。利用本文中所述的隔离组件，可以屏蔽金属环构件210以免受等离子体的影响并且因此保护金属环构件210免受可能由等离子体所产生的任何损伤。

图7A、图7B和图7C示意性地图示根据本技术的实施例的内隔离构件214a(标记在图7C中)的另一个实施例。可以用与上述的内隔离构件214类似的方式配置内隔离构件214a，和/或内隔离构件214a可以用与上述的内隔离构件214类似的方式操作和/或作用。内隔离构件214可以包括第一隔离部件216a(示出在图7A和图7C中)和第二隔离部件218a(示出在图7B和图7C中)。应注意，图7A和图7B分别仅图示第一隔离部件216a的一部分和第二隔离部件218a的一部分，并且图7C仅图示内隔离构件214a或组装的第一隔离部件216a与第二隔离部件218a的一部分。第一隔离部件216a和/或第二隔离部件218a可以各自包括圆形的主体(诸如与上述的第一隔离部件216的圆柱形壁220和/或第二隔离部件218的圆柱形壁230类似的圆柱形壁)。

具体而言，与上述的第一隔离部件216类似，图7A中所示的第一隔离部件216a可以包括圆柱形壁220a、环形凸缘或凸缘222a和多个向内延伸的臂224a，环形凸缘或凸缘222a相对于圆柱形壁220a的上部(例如上端)径向向外地延伸，多个向内延伸的臂224a相对于圆柱形壁220a的下部(例如下端)径向向内地延伸。

与上述的第二隔离部件218类似，图7B中所示的第二隔离部件218a可以包括圆柱形壁230a和环形唇部或唇部232a，环形唇部或唇部232a相对于圆柱形壁230a的下部(例如下端)径向向内地延伸。与上述的第二隔离部件218不同，第二隔离部件218a可以包括环形凸缘或凸缘234a而不是多个向外延伸的臂234，环形凸缘或凸缘234a相对于圆柱形壁230a的上部(例如上端)径向向外地延伸。凸缘234a可以围绕圆柱形壁230a的上端的整个周边延伸。凸缘234a可以包括多个开口、孔洞、狭槽、或孔280a以提供通往金属环构件210与内隔离构件214a或组装的第一隔离部件216a与第二隔离部件218a之间的间隙或空腔的流体进出口。

在一些实施例中，开口、孔洞、狭槽、或孔280a可以具有共同的形状和/或尺寸，并且可以均匀地分布在整个凸缘234a内。在一些实施例中，开口、孔洞、狭槽、或孔280a可以具有变化的形状和/或变化的尺寸。开口、孔洞、狭槽、或孔280a可以具有圆形、卵形、三角形、方形、矩形、菱形、五角形、六角形、或任何其他合适的形状。在一些实施例中，凸缘234a可以是或包括金属丝网，所述金属丝网由绝缘材料(诸如陶瓷材料)制成和/或涂有所述绝缘材料。金属丝网可以具有足够的结构强度以搁置在第一隔离部件216a的向内延伸的臂224a上以支撑第二隔离部件218a，同时提供通往金属环构件210与内隔离构件214a之间的间隙或空腔的流体进出口。

图8A、图8B和图8C示意性地图示根据本技术的实施例的内隔离构件214b(标记在图8C中)的另一个实施例。可以用与上述的内隔离构件214、214a类似的方式配置内隔离构件214b，和/或内隔离构件214b可以用与上述的内隔离构件214、214a类似的方式操作和/或作用。内隔离构件214b可以包括第一隔离部件216b(示出在图8A和图8C中)和第二隔离部件218b(示出在图8B和图8C中)。应注意，与图7A-7C类似，图8A和图8B分别仅图示第一隔离部件216b的一部分和第二隔离部件218b的一部分，并且图8C仅图示内隔离构件214b或组装的第一隔离部件216b和第二隔离部件218b的一部分。第一隔离部件216b和/或第二隔离部件218b可以各自包括圆形的主体(诸如与上述的第一隔离部件216、216a的圆柱形壁220、220a和/或第二隔离部件218、218a的圆柱形壁230、230a类似的圆柱形壁)。

具体而言，与第二隔离部件218类似，图8B中所示的第二隔离部件218b可以包括圆柱形壁230b、环形唇部或唇部232b和多个向外延伸的臂234b，环形唇部或唇部232b相对于圆柱形壁230b的下部(例如下端)径向向内地延伸，多个向外延伸的臂234b相对于圆柱形壁230b的上部(例如上端)径向向外地延伸。

与第一隔离部件216类似，图8A中所示的第一隔离部件216b可以包括圆柱形壁220b和环形凸缘或凸缘222b，环形凸缘或凸缘222b相对于圆柱形壁220b的上部(例如上端)径向向外地延伸。与第一隔离部件216不同，第一隔离部件216b可以包括环形唇部或唇部224b而不是多个向内延伸的臂224，环形唇部或唇部224b相对于圆柱形壁220b的下部(例如下端)径向向内地延伸。唇部224a可以围绕圆柱形壁220b的下端的整个周边延伸。唇部224b可以包括多个开口、孔洞、狭槽、或孔280b以提供通往金属环构件210与内隔离构件214b或组装的第一隔离部件216b和第二隔离部件218b之间的间隙或空腔的流体进出口。

与开口、孔洞、狭槽、或孔280a类似，在一些实施例中，开口、孔洞、狭槽、或孔280b可以具有共同的形状和/或尺寸，并且可以均匀地分布在整个唇部224b内，而在一些实施例中，开口、孔洞、狭槽、或孔280b可以具有变化的形状和/或变化的尺寸。开口、孔洞、狭槽、或孔280b可以具有圆形、卵形、三角形、方形、矩形、菱形、五角形、六角形、或任何其他合适的形状。与第二隔离部件218a的凸缘234a类似，在一些实施例中，第一隔离部件216b的唇部224b可以是或包括金属丝网，所述金属丝网由绝缘材料(诸如陶瓷材料)制成和/或涂有所述绝缘材料。金属丝网可以具有足够的结构强度以通过支撑第二隔离部件218b的向外延伸的臂234b来支撑第二隔离部件218b。

图9示意性地图示根据本技术的实施例的内隔离构件214c的另一个实施例。内隔离构件214c可以包括上文参照图8A所描述的第一隔离部件216b和上文参照图7B所描述的第二隔离部件218a。因此，在第一隔离部件216b和第二隔离部件218a可以组装时，形成于第二隔离部件218a的凸缘234a中的开口、孔洞、狭槽、或孔280a中的至少一些可以与形成于第一隔离部件216b的唇部224b中的开口、孔洞、狭槽、或孔280b(未示出在图9中)中的至少一些对准，以提供通往金属环构件210与内隔离构件214c或组装的第一隔离部件216b和第二隔离部件218a之间的间隙或空腔的流体进出口。

在一些实施例中，第一隔离部件216b的唇部224b的开口、孔洞、狭槽、或孔280b的图案或形状和/或尺寸可以与第二隔离部件218a的凸缘234a的开口、孔洞、狭槽、或孔280a的图案或形状和/或尺寸相同或类似。在第一隔离部件216b和第二隔离部件218a可以组装时，开口、孔洞、狭槽、或孔280a、280b中的基本上全部或大部分(诸如大于或为约50％、大于或为约60％、大于或为约70％、大于或为约80％、大于或为约90％、大于或为约95％)可以对准。

在一些实施例中，第一隔离部件216b的唇部224b的开口、孔洞、狭槽、或孔280b的图案或形状和/或尺寸可以与第二隔离部件218a的凸缘234a的开口、孔洞、狭槽、或孔280a的图案或形状和/或尺寸不同。尽管如此，由第一隔离部件216b的唇部224b和第二隔离部件218a的凸缘234a的重叠的开口、孔洞、狭槽、或孔280a、280b所限定的通孔仍然可以提供足够的通往金属环构件210与内隔离构件214c之间的间隙或空腔的流体进出口。在一些实施例中，通孔可以限定第一隔离部件216b的唇部224b与第二隔离部件218a的凸缘234a的重叠面积的大于或约50％、大于或约60％、大于或约70％、大于或约80％、大于或约90％、大于或约95％。

在前述说明中，出于解释的目的，已经阐述了许多细节以提供对本技术的各种实施例的了解。然而，本领域中的技术人员将理解，可以在没有这些细节中的一些的情况下或在有额外的细节的情况下实践某些实施例。

在已经公开了几个实施例的情况下，本领域中的技术人员将认可，在不脱离实施例的精神的情况下，可以使用各种变体、替代构造和等效物。此外，未描述许多众所周知的工艺和构件以避免不必要地模糊本技术。因此，不应将以上说明视为限制本技术的范围。此外，可能将方法或工艺描述为顺序的或分步骤的，但要了解，可以并行地或用与所列出的顺序不同的顺序执行操作。

如果提供了值的范围，则应了解，除非上下文另有明确指出，否则也具体公开了所述范围的上限与下限之间的每个中间值，直到下限单位的最小分数。在陈述的范围中的任何陈述的值或未陈述的中间值之间的任何较窄范围以及所述陈述的范围中的任何其他陈述的值或中间值被涵盖。那些较小范围的上限及下限可以独立地被包括或排除在范围中，并且限值中的任一者、两者都不或两者都包括在所述较小范围中的每个范围也被包括在本技术内(受制于陈述的范围中的任何具体排除的限值)。如果陈述的范围包括限值中的一者或两者，则也包括了排除那些所包括的限值中的任一者或两者的范围。

如本文中和所附权利要求中所使用的，除非上下文另有明确指出，否则单数形式“一(a/an)”和“所述(the)”包括了复数指代。因此，例如，对于“一前驱物”的指代包括了多种此类的前驱物，而对于“所述层”的指代包括了对一个或多个层和由本领域中的技术人员所已知的其等效物的指代等等。

此外，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，词语“包括(comprise)”，“包括(comprising)”，“包含(contain)”，“包含(containing)”，“包括(include)”和“包含(including)”旨在指定陈述的特征、整数、部件、或操作的存在，但它们并不排除一个或多个其他的特征、整数、部件、操作、动作、或群组的存在或添加。

Claims (14)

1.一种处理腔室，包括：

气体分布构件；

金属环构件，所述金属环构件位于所述气体分布构件下方；以及

隔离组件，所述隔离组件与所述金属环构件耦接并且将所述金属环构件与所述气体分布构件电隔离，其中所述隔离组件包括：

外隔离构件，所述外隔离构件与所述金属环构件耦接，其中所述外隔离构件至少部分地限定腔室壁；以及

内隔离构件，所述内隔离构件与所述外隔离构件耦接，其中所述内隔离构件围绕所述处理腔室的中心轴线相对于所述金属环构件设置在径向内部，并且其中所述内隔离构件限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入所述金属环构件与所述内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述内隔离构件包括：

第一内隔离部件，所述第一内隔离部件与所述外隔离构件耦接；以及

第二内隔离部件，所述第二内隔离部件与所述第一内隔离部件耦接并且共轴地与所述第一内隔离部件对准，其中所述第二内隔离部件相对于所述第一内隔离部件轴向地偏移并且相对于所述第一内隔离部件设置在径向内部以限定所述多个开口。

3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述多个开口包括多个周向间隙，其中所述第一内隔离部件包括第一圆柱形壁和多个第一臂，所述多个第一臂相对于所述第一圆柱形壁的底部部分径向向内地延伸，其中所述第二内隔离部件包括第二圆柱形壁和多个第二臂，所述多个第二臂相对于所述第二圆柱形壁的顶部部分径向向外地延伸，其中所述多个第二臂与所述多个第一臂耦接，并且其中所述多个周向间隙被限定在所耦接的所述多个第一臂与所述多个第二臂之间。

4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述第二内隔离部件进一步包括唇部，所述唇部相对于所述第二圆柱形壁的底部部分径向向内地延伸，并且其中所述唇部被配置为支撑所述处理腔室的基板支撑件的边缘环。

5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述外隔离构件包括隔离环，所述隔离环围绕所述处理腔室的所述中心轴线同轴地与所述金属环构件对准。

6.一种用于将金属环构件与气体分布构件电隔离的隔离组件，包括：

环形外隔离构件，所述环形外隔离构件围绕所述隔离组件的中心轴线设置；以及

内隔离构件，所述内隔离构件围绕所述中心轴线同轴地与所述环形外隔离构件对准，其中所述内隔离构件包括：

第一隔离部件，所述第一隔离部件包括：

第一圆柱形壁；以及

多个第一臂，所述多个第一臂相对于所述第一圆柱形壁的下部径向向内地延伸；

第二隔离部件，所述第二隔离部件包括：

第二圆柱形壁，所述第二圆柱形壁同轴地与所述第一圆柱形壁对准并且相对于所述第一圆柱形壁轴向地偏移；以及

多个第二臂，所述多个第二臂相对于所述第二圆柱形壁的上部径向向外地延伸，其中所述多个第二臂与所述多个第一臂耦接，并且其中多个周向间隙被限定在所耦接的所述多个第一臂与所述多个第二臂之间。

7.如权利要求6所述的隔离组件，其中所述多个第一臂中的每一者相对于两个相邻的第一臂以相等的距离设置，并且其中所述多个第二臂中的每一者相对于两个相邻的第二臂以相等的距离设置。

8.如权利要求6所述的隔离组件，其中所述环形外隔离构件、所述第一隔离部件、或所述第二隔离部件中的至少一者包括陶瓷材料。

9.一种用于清洁处理腔室的方法，包括以下步骤：

使清洁气体流动到所述处理腔室的处理容积中，其中所述处理腔室包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述隔离组件将所述金属环构件与所述气体分布构件电隔离，其中所述清洁气体从所述气体分布构件流动到所述处理容积中，并且其中所述隔离组件包括：

外隔离构件，所述外隔离构件与所述金属环构件耦接；以及

内隔离构件，所述内隔离构件与所述外隔离构件耦接，其中所述内隔离构件围绕所述处理腔室的中心轴线相对于所述金属环构件设置在径向内部，并且其中所述内隔离构件限定多个开口以提供进入所述金属环构件与所述内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口；

将所述处理腔室的基板支撑件维持在所述处理容积内部的第一位置处，其中所述基板支撑件定位在由所述隔离组件所限定的所述多个开口上方；以及

使所述清洁气体朝向所述金属环构件流动通过所述多个开口。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括以下步骤：

将所述基板支撑件维持在所述处理容积内部的位于所述多个开口下方的第二位置处；以及

使所述清洁气体流动通过所述多个开口，同时将所述基板支撑件维持在所述第二位置处。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括以下步骤：

将所述基板支撑件维持在所述处理容积内部的位于所述第二位置下方的第三位置处，同时使所述清洁气体流动到所述处理容积中。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述内隔离构件包括：

第一内隔离部件，所述第一内隔离部件与所述外隔离构件耦接；以及

第二内隔离部件，所述第二内隔离部件与所述第一内隔离部件耦接并且共轴地与所述第一内隔离部件对准，其中所述第二内隔离部件相对于所述第一内隔离部件轴向地偏移并且相对于所述第一内隔离部件设置在径向内部以限定所述多个开口。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述多个开口包括多个周向间隙，其中所述第一内隔离部件包括第一圆柱形壁和多个第一臂，所述多个第一臂相对于所述第一圆柱形壁的底部部分径向向内地延伸，其中所述第二内隔离部件包括第二圆柱形壁和多个第二臂，所述多个第二臂相对于所述第二圆柱形壁的顶部部分径向向外地延伸，其中所述多个第二臂与所述多个第一臂耦接，并且其中所述多个周向间隙被限定在所耦接的所述多个第一臂与所述多个第二臂之间。

14.如权利要求9所述的方法，进一步包括以下步骤：

在所述处理腔室内部形成等离子体；以及

用所述隔离组件屏蔽所述金属环构件以免受所述等离子体的影响。