KR102484058B1 - 클램프 조립체 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면, 기재의 외주부를 상기 기재의 플라즈마 처리 동안에 RF 바이어스 파워가 지지체에 적용되는 형태의 상기 플라즈마 처리 챔버 내의 상기 지지체에 고정하기 위한 클램프 조립체가 있고, 상기 클램프 조립체는:
외부 클램프 부재; 및
상기 외부 클램프 부재에 의하여 수용되는 내부 클램프 부재를 포함하고, 상기 내부 클램프 부재는 상기 기재를 상기 플라즈마 처리에 노출시키는 애퍼쳐(aperture)를 정의하고;
상기 외부 클램프 부재는 내부 모서리 내에 종결되는 내부 부분을 갖고, 상기 내부 부분은 상기 내부 클램프 부재로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

클램프 조립체 {Clamp Assembly}
본 발명은 웨이퍼(wafer)를 플라즈마 처리 챔버 내의 지지체에 고정하기 위한 클램프 조립체, 관련된 플라즈마 처리 장치, 방법, 클램프 부재 및 부품 키트와 관련되어 있다.
플라즈마 엣칭(etching)의 분야에서, 웨이퍼는 시스템 내의 웨이퍼의 정확한 등록을 보장하고, 웨이퍼의 냉각을 가능하게 하기 위하여 전형적으로 정전 척(electrostatic chuck, ESC) 또는 기계식 클램프에 의하여 고정된다. ESC는 웨이퍼가 제 자리를 유지하도록 하기 위해 정전력을 사용한다. 기계식 클램프는 웨이퍼가 제 자리에 고정되도록 누르기 위한 손가락 또는 고리 형태의 구조와 같은 기계적 방법에 의존한다. 웨이퍼로부터 냉각된 압반 조립체로의 열 전달을 향상시키기 위해 압반을 지지하는 웨이퍼의 상부와 웨이퍼 사이로 가스 흐름이 유도되는 것은 일반적이다. 이것은 웨이퍼의 온도가 조절될 수 있는 방법이다.
운반체 상에 설치된 박형 웨이퍼의 처리는 특히 관통 웨이퍼 바이어스(through wafer vias)의 플라즈마 엣칭과 관련하여 구체적인 문제들을 야기한다. 운반체 웨이퍼는 일반적으로 절연성 물질로 만들어지고, 이 예시들에서 정전기적 고정 단독으로는 비효율적이다. 운반체들은 종종 비싸고 재사용된다. 추가로, 박형 웨이퍼의 모서리 보호가 요구될 수 있다. 손가락 형태의 부재를 갖고 있는 “손가락” 형태의 기계식 클램프를 사용하는 것은 알려져 있고, US610664에 그 예시가 개시되어있다. 그러나, 손가락 형태의 부재는 클램프에 의해 야기되는 웨이퍼 모서리의 배제를 증가시킨다. 추가적으로, 이 형태의 클램프는 운반체 수명을 감소시키고, 미립자 물질과 관련된 문제의 위험을 증가시키는 박형 웨이퍼와 운반체의 플라즈마 공격을 허용한다. 단일 피스의 고리 형태 기계식 클램프를 제공하는 것은 알려져 있다. 이러한 선행 기술의 클램프의 예시는 ESC 12상에 위치한 박형 웨이퍼와 운반체 10가 도시된 도 1에 묘사되어 있다. 웨이퍼는 단일 피스의 고리 형태 클램프 14에 의하여 고정되어 있다. 또한, 기술 분야에 알려진 것처럼 원치 않는 플라즈마 음영 공간을 제거하기 위해 위치한 라이너 16도 도시되어 있다. 고리 형태 클램프 14는 ESC 12에 의해 제공되는 고정을 증가시키는 향상된 고정력을 제공한다. ESC의 사용을 생략하고, 대신에 웨이퍼에 고정 작용을 제공하기 위해 클램프에 전적으로 의존하는 것 또한 가능하다. 클램프 14는 박형 웨이퍼와 운반체 10의 모서리를 보호하고, 운반체는 다시 사용될 수 있다.
웨이퍼 모서리 배제를 최소화하기 위해서는, 고리 형태 클램프는 웨이퍼와의 접촉 영역에서 얇아야만 한다. 이런 형태의 고리 형태 클램프가 마주하는 문제는 클램프의 부식 속도가 빠르다는 것이다. 빠른 속도로 부식되는 박형 클램프를 사용한 결과는 클램프의 사용 수명이 짧다는 것이고, 클램프가 자주 교체되어야 한다는 것이다. 분명히, 이것은 상업적 관점에서 바람직하지 않고, 이것은 높은 COO(소유 비용), 또한 낮은 MWBC (세정 간 평균 웨이퍼) 및 MTBC (세정 간 평균 시간)을 초래한다.
내부 클램프 피스가 희생용인 두 피스 클램프 조립체를 제공하는 것은 알려져 있다. 두 피스 클램프 조립체의 예시는 US5534110 및 US6231038에 개시되어 있다. US6231038에서 하나의 피스는 희생용이고, 희생용 피스만 교체하면 된다는 이점을 갖고, 이는 교체 부품의 비용을 줄인다. 그러나, 이 접근 방식은 제조 공정을 방해하는 것과 관련된 다른 비용은 줄이지 못한다. 또한, MWBC 및 MTBC는 개선되지 않는다.
본 발명의 적어도 몇몇 실시예에서는 상기 개시된 문제들을 다룬다. 상기 개시된 문제들은 오직 박형 웨이퍼 및 운반체와 관련되어 있는 것만은 아니란 것을 주목해야 한다. 대신에, 이 문제들은 웨이퍼 그 자체와 같은 기재의 처리와 관련되어 있고, 본 발명은 웨이퍼 그 자체와 같은 기재와 관련되어 있다.
본 발명의 제1태양에 따르면, 기재의 외주부를 기재의 플라즈마 처리 동안 지지체에 RF 바이어스 파워가 적용되는 형태의 플라즈마 처리 챔버 내의 지지체에 고정하기 위한 클램프 조립체가 제공되고, 클램프 조립체는
외부 클램프 부재; 및
외부 클램프 부재에 의하여 수용되는 내부 클램프 부재를 포함하고, 내부 클램프 부재는 기재를 플라즈마 처리에 노출시키는 애퍼쳐(aperture)를 정의하고;
외부 클램프 부재는 내부 모서리 내에 종결되는 내부 부분을 갖고, 내부 부분은 내부 클램프 부재로부터 이격되어있다.
외부 클램프 부재와 내부 클램프 부재 사이에의 갭(gap)의 제공은 부식 속도를 감소시킬 수 있고, 그렇게 함으로써 내부 클램프 부재의 수명을 증가시킬 수 있다. 내부 클램프 부재에서 클램프 조립체의 희생 요소로 사용될 수 있다.
RF 바이어스 파워는 기재의 플라즈마 처리 동안에 지지체에 적용된다. 본 발명자는 외부 클램프 부재의 내부 부분을 내부 클램프 부재로부터 분리함으로써 내부 클램프 부재와 지지체 사이의 RF 커플링(coupling)을 줄이는 것이 가능하다는 것을 인지했다. 이것은 차례로 내부 클램프 부재의 부식 속도를 감소시킨다.
숙련된 독자라면 여기에 발명과 관련하여 사용된 “내부”, “외부”, “안쪽으로” 및 “바깥쪽으로”라는 단어들은 내부 클램프 부재에 의해 정의되는 구성요소의 애퍼쳐(aperture)에의 근접성과 관련된 것임을 인식할 것이다.
외부 클램프 부재의 내부 부분은 내부 클램프 부재로부터 250㎛ 미만의 갭에 의하여 이격되어 있을 수 있다. 갭은 100㎛미만, 바람직하게는 80㎛미만일 수 있다.
내부 클램프 부재 및 외부 클램프 부재 중 적어도 하나는 기재의 외주부를 고정하기 위한 클램핑 표면(clamping surface)를 가질 수 있다.
외부 클램프 부재는 기재의 외주부를 고정하기 위한 클램핑 표면을 포함할 수 있다. 외부 클램프 부재의 클램핑 표면은, 사용 상에 있어서, 클램프 조립체에 의해 제공되는 웨이퍼 상의 고정력의 대부분에 기여할 수 있다. 전형적으로, 외부 클램프의 클램핑 표면은 외부 클램프의 하부 표면의 일부를 포함한다.
내부 클램프 부재는 기재의 외주부를 고정하기 위한 크램핑 표면을 포함할 수 있다. 내부 클램프의 하부 표면은 플랜지(flange)를 포함할 수 있다. 플랜지는 내부 클램프 부재의 클램핑 표면을 포함할 수 있다. 플랜지는 내부 클램프 부재의 클램핑 표면의 안쪽으로 확장하는 내부 표면을 더 포함할 수 있다. 내부 표면은 클램핑 표면에 대하여 융기되어, 사용 상에 있어서, 내부 표면이 기재의 외주부를 고정하지 않게 할 수 있다. 내부 표면은 클램핑 표면에 대하여 100㎛ 미만으로 융기되어 있을 수 있다. 융기된 내부 표면은 RF 커플링을 더 줄일 수 있고, 부식 속도를 줄일 수 있다.
내부 표면은 하부 클램핑 표면의 안쪽으로 0.75㎜미만, 바람직하게는 0.5㎜미만으로 확장될 수 있다.
내부 클램프 부재는 내부 모서리를 가질 수 있다. 내부 모서리는 외부 클램프 부재의 내부 모서리의 안쪽으로 1㎜ 이하로 배치될 수 있다.
내부 클램프 부재는 외부 클램프 부재로부터 이격되어 있는 외부 부분을 가질 수 있다. 내부 클램프 부재의 외부 부분은 외부 클램프 부재로부터 0.75㎜ 미만의, 바람직하게는 0.5㎜미만의 갭에 의하여 이격되어 있을 수 있다.
외부 클램프 부재는 제1상면 및 제1상면의 안쪽으로 배치된 제2상면을 포함할 수 있다. 내부 클램프 부재의 외부 부분은 제2상면과 만날 수 있다. 내부 클램프 부재의 외부 부분은 제1상면으로부터 이격되어 있을 수 있다. 외부 클램프 부재의 제1 및 제2상면은 층계 부에 의하여 분리될 수 있다. 내부 클램프 부재의 외부 부분은 층계 부로부터 이격되어 있을 수 있다.
외부 클램프 부재는 내부 부분의 바깥쪽으로 배치되는 본체 부를 포함할 수 있다. 본체 부는 내부 부분 보다 두꺼울 수 있다. 본체 부는 내부 부분의 준위 아래로 확장될 수 있다. "준위"라는 용어는 최하 점 또는 클램프 조립체가 사용 상 구성에 있을 때 내부 부분의 표면을 포함하는 수평 평면과 관련된 것으로 이해되어야 한다.
내부 및 외부 클램프 부재는 고리 형태일 수 있다. 원칙적으로, 내부 및 외부 클램프 부재 중 어느 하나 또는 모두는 복수의 서브-유닛들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스플릿-링(split-ring) 배열이 고려될 수 있다.
내부 및 외부 클램프 부재는 유전체로 구성될 수 있다. 유전체는 알루미나(alumina)일 수 있다. 다른 세라믹 물질과 같은 다른 절연 물질도 사용될 수 있다. 유전체는 석영(quartz)일 수 있다.
외부 클램프 부재는 내부 클램프 부재를 외부 클램프 부재와 함께 원하는 정렬 또는 등록에 있도록 유지하기 위한 하나 또는 둘 이상의 유지 요소를 포함할 수 있다. 유지 요소는 경사면, 융기 요소, 톱니 요소, 멈춤쇠, 차단기, 또는 내부 및 외부 클램프 부재 사이 상호 간의 정렬을 유지하기 위한 어떠한 다른 적합한 요소도 될 수 있다. 협력 요소는 내부 클램프 부재에 제공될 수 있다.
본 발명의 제2태양에 따르면, 본 발명의 제1태양에 따른 클램프 조립체에 사용하기 위한 내부 클램프 부재가 제공된다.
본 발명의 제3태양에 따르면, 본 발명의 제1태양에 따른 클램프 조립체에 사용하기 위한 외부 클램프 부재가 제공된다.
본 발명의 제4태양에 따르면, 본 발명의 제1태양에 따른 클램프 조립체를 위한 부품 키트가 제공되고, 부품 키트는 내부 클램프 부재와 외부 클램프 부재를 포함한다.
본 발명의 제5태양에 따르면 본 발명의 제1태양에 따른 클램프 조립체를 포함하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 엣칭(etching) 장치의 형태일 수 있다.
플라즈마 처리 장치는 기재를 위한 RF 동력 지지체를 포함한다. 지지체는 정전 척(electrostatic chuck)을 포함할 수 있다.
기재는 반도체 물질을 포함할 수 있다.
기재는 판상 기재일 수 있다.
기재는 웨이퍼일 수 있다. 기재는 운반체 웨이퍼 상의 웨이퍼를 포함할 수 있다. 기재는 운반체 웨이퍼 상의 박형 웨이퍼를 포함할 수 있다. 박형 웨이퍼의 예로 박형 SiC 웨이퍼가 있다. 박형 웨이퍼는 500㎛미만의 두께, 바람직하게는 300㎛미만의 두께일 수 있다.
본 발명의 제6태양에 따르면 하기의 단계들로 구성된 플라즈마 처리 챔버 내 기재의 플라즈마 처리 방법이 제공된다:
본 발명의 제1태양에 따른 클램프 조립체를 이용하여 기재를 지지체에 고정하는 단계; 및
기재를 플라즈마 처리하고, RF 바이어스 파워가 기재의 플라즈마 처리 동안에 지지체에 적용되는 단계.
본 발명은 상기에 개시되어 있지만, 위에 제시된 특징들 또는 이어지는 설명, 도면 또는 청구항의 어떠한 독창적인 조합으로도 확장될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 하나의 태양과 관련하여 개시된 어떤 특징을 본 발명의 다른 태양과 관련해서 개시하는 것도 고려될 수 있다.
본 발명에 따른 클램프 조립체의 실시예들은 도면에 동반되는 부호들과 함께 이하와 같이 개시될 것이다:-
도 1은 선행 기술의 단일 피스 클램프 고리에 의해 고정된 웨이퍼의 부분 단면도이다;
도 2는 내부 클램프 링의 단면도와 동반된, 클램프 조립체의 분해 조립 투시도이다;
도 3은 (a) 도 2의 클램프 조립체에 의하여 고정된 웨이퍼의 부분 단면도 및 (b) 외부 클램프 고리의 내부 부분이 내부 클램프 고리로부터 이격된 클램프 조립체의 영역에 대한 확대된 부분 단면도를 보여주고;
도 4는 엣칭(etching) 전 후의 클램프 고리의 치수의 시각적 측정값을 보여준다.
도 2는, 개괄적으로 20에 도시된, 본 발명의 클램프 조립체를 보여준다. 클램프 조립체 20는 외부 고리 24 및 내부 고리 22를 포함한다. 외부 고리 24는 제1상면 24a에 대하여 융기되어있는 테 24b에 의하여 둘러싸여 있는 제1, 주 상면 24a을 포함한다. 제1상면 24a의 안쪽에는 제2상면 24c로 이끄는 하방 층계가 있고, 하방 층계는 제1상면 24a의 준위 아래에 배치된다. 외부 고리 24는 나아가 제2상면 24c의 안쪽으로 아래쪽으로 경사진 고리 형태의 경사면 24d를 포함한다. 경사면 24d은 도 3에 잘 도시되어있는 내부 모서리 24e로 이끈다. 경사면 24d, 제2상면 24c 및 제1상면 24a의 가장 안쪽 영역은 내부 고리 22를 받을 수 있는 용기 영역을 정의한다. 내부 고리 22는 상면 22a, 상면 22a의 안쪽으로 아래쪽으로 경사진 경사면 22b 및 내부 모서리 22c를 포함한다.
도 3 (a) 및 (b)는 플라즈마 엣칭 장치 내에 웨이퍼 30를 고정하는데 사용되는 클램프 조립체 20를 보여준다. 도 3에 도시된 실시예에서, 웨이퍼 30는 훨씬 두꺼운 운반체 30b 상의 얇은 웨이퍼 30a를 포함하는 운반체 형태 상의 웨이퍼이다. 웨이퍼 30는 정전 척(electrostatic chuck) 32 상에 위치해있다. 기술 분야에 잘 알려진 것처럼, 라이너 34는 웨이퍼 30의 주변부의 아래 및 위에 플라즈마 음영 공간을 제거하기 위하여 제공된다.
클램프 조립체 20는 도 2에 도시된 디자인의 것이고, 그러므로 동일한 부호 숫자들이 클램프 조립체 20의 특징들을 표시하는 데에 사용된다. 외부 고리 24의 내부 모서리 24e는 도 3(b)에서 더 분명하게 보여질 수 있다. 외부 고리 24는 클램프와 관련된 웨이퍼를 위한 고정력의 대부분 또는 심지어는 전부를 제공한다. 외부 고리 24는 웨이퍼의 외부 주변 영역을 적합한 양의 중첩과 함께 확실하게 고정할 수 있을 만큼 커야한다. 약 2㎜의 중첩은 일반적으로 충분하다고 생각된다. 내부 클램프 22는 희생용 부품으로서 제공될 수 있다. 내부 고리 22는 웨이퍼 모서리 배제를 최소화하기 위하여 바람직하게는 얇고, 외부 고리 24의 내부 모서리 24e로부터 크게 돌출되어서는 안 된다. 일반적으로, 내부 고리 22는 내부 모서리 24e로부터 1mm 이상 돌출되지 않도록 설계된다. 내부 고리 22 및 외부 고리 24는 내부 및 외부 고리 22, 24 사이에 간격 36이 있도록 제조된다. 간격 36은 내부 고리 22의 가장 안쪽 부분과 경사면 24d/ 외부 고리 24의 내부 모서리 24e 사이의 고리 형태의 공간이다. 이것은 RF 동력의 웨이퍼 영역과 부합한다. 간격 36은 내부 고리 22와 정전 척 36 사이의 RF 커플링을 현저히 감소시키고, 사용 상 내부 고리 22의 부식 속도를 현저하게 감소시킨다. RF 커플링을 현저하게 감소시키기 위하여 간격 36은 매우 클 필요가 없다는 것이 발견되었다. 간격 36은 일반적으로 500㎛ 미만이고, 전형적으로는 100㎛ 미만이다. 내부 고리 22는 내부 모서리 22c를 수반하는 내부 고리형 플랜지 22d를 포함한다. 내부 플랜지 22d는 웨이퍼 30의 표면과 만나는 클램핑 표면 22e을 갖는다. 실시 상에서, 클램핑 표면 22e에 의하여 적용되는 고정력은 최소일 수 있다. 내부 플랜지 22d는 클램핑 표면 22e에 대하여 융기되어 있는 내부 표면 22g를 포함하는 내부 층계 부 22f를 더 포함한다. 내부 표면 22g은 웨이퍼 30가 고정되었을 때, RF 커플링을 더 감소시키고, 그렇게 함으로써 내부 고리 22의 부식 속도를 더 감소시킬 수 있는 적절한 갭이 있도록 융기되어 있다. 대표적인, 한정적이지는 않은 갭은 70㎛이다. 내부 표면 22g의 방사상 확장은 전형적으로 약 400㎛이다. 내부 및 외부 고리 22, 24는 또한 내부 고리 22의 외부 영역과 외부 고리 24의 제1상면 24a 사이에 갭 38이 있도록 제조된다. 갭 38은 전형적으로 500㎛ 미만이다. 갭 38은 내부 및 외부 고리의 상대적 운동 때문에 존재할 수 있는 입자들의 준위를 감소시킨다.
플라즈마 엣칭을 이용하여 실리콘 카바이드 웨이퍼를 처리하기 위한 실험들이 이루어졌다. 엣칭은 도 1에 도시되어 있는 형태의 단일 피스 클램핑 고리와 함께, 도 2 및 도 3에 도시되어 있는 본 발명의 두 피스 클램프 조립체를 이용하여 이루어졌다. 단일 피스 클램핑 고리 및 두 피스 클램프 조립체는 모두 알루미나(alumina)로 형성되었다. 엣칭은 단일 피스 클램핑 고리를 이용하여 40 RF 시간 동안, 두 피스 클램프 조립체를 이용하여 30 RF 시간 동안 이루어졌다. 엣칭 처리 전 후의 클램프 고리 및 클램프 조립체의 치수에 대한 시각적 측정이 이루어졌다. 시각적 측정의 결과는 도 4에서 볼 수 있다. 프로파일 40은 엣칭 전의 단일 피스 클램프 고리에 해당한다; 프로파일 42는 40 RF 시간 엣칭 이후의 단일 피스 클램프 고리에 해당한다; 프로파일 44는 엣칭 전의 두 부분 클램프 조립체에 해당한다; 그리고 프로파일 46은 30 RF 시간 엣칭 이후의 두 부분 클램프 조립체에 해당한다.
도 4는 단일 피스 클램프 고리가 직경 1 ㎜/(25 전체 웨이퍼/40 RF 시간)의 속도로 빠르게 부식되는 것을 보여준다. 약 25 웨이퍼가 엣칭된 이후에, 단일 피스 클램프 고리는 교체되어야만 한다. 클램프 조립체의 희생용, 내부 클램프 고리의 측면 부식 속도는 거의 0으로 감소하는 것을 볼 수 있다. 30 RF 시간의 엣칭 이후에 두 피스 클램프 조립체의 내경에 대한 변화가 측정되지 않았다. 경과 상에서 도 4는 엣칭 이후 두 피스 클램프 조립체의 높이 및 외경이 증가하는 것을 보여주고 있음을 주목해야 한다. 이것은 진실된 결과이고, 클램프 조립체 상의 고분자 퇴적물의 축적 때문인 것으로 생각된다. 도 4는 본 발명은 실질적으로 부식 속도를 감소시킬 수 있고, 그렇게 함으로써 희생용 내부 클램프 고리의 수명을 증가시킬 수 있음을 나타내고 있다. 웨이퍼 처리의 물리적 특성 때문에, 챔버 내에 비휘발성 생성물의 상당한 축적이 있다. 클램프와 같은 부품을 교체하기 위해 챔버를 여는 것은 챔버 세정을 유발한다. 그러므로, 클램프 조립체의 희생용 부품의 수명을 증가시키는 것은 MTBC를 증가시킨다.

Claims (22)

  1. 기재의 외주부를 상기 기재의 플라즈마 처리 동안 지지체에 RF 바이어스 파워가 적용되는 형태의 플라즈마 처리 챔버 내의 상기 지지체에 고정하기 위한 클램프 조립체에 있어서, 상기 클램프 조립체는:
    외부 클램프 부재; 및
    상기 외부 클램프 부재에 의하여 수용되는 내부 클램프 부재를 포함하고, 상기 내부 클램프 부재는 상기 기재를 상기 플라즈마 처리에 노출시키는 애퍼쳐(aperture)를 정의하고;
    상기 외부 클램프 부재는 내부 모서리 내에 종결되는 내부 부분을 갖고, 상기 내부 부분은 상기 내부 클램프 부재로부터 이격되어 있으며, 상기 지지체에 상기 기재의 상기 외주부를 고정하기 위해, 상기 기재 상에 배치된 상기 클램프 조립체의 하부를 구성하는 클램핑 표면을 갖고,
    상기 내부 클램프 부재는 상기 지지체에 상기 기재의 상기 외주부를 고정하기 위해 상기 기재상에 배치된 상기 클램프 조립체의 하부를 구성하는 클램핑 표면을 포함하고, 상기 내부 클램프 부재의 클램핑 표면은 상기 외부 클램프 부재의 클램핑 표면과 평면 인 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 외부 클램프 부재의 상기 내부 부분은 상기 내부 클램프 부재로부터 250㎛(microns) 미만의 갭(gap)에 의하여 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 갭은 100㎛(microns) 미만, 또는 80 ㎛(microns) 미만인 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 내부 클램프 부재는 플랜지(flange)를 포함하고, 상기 플랜지는 상기 클램핑 표면 및 상기 클램핑 표면의 안쪽으로 확장하고, 상기 클램핑 표면에 대하여 융기되어 사용 상에 있어서 내부 표면이 상기 기재의 상기 외주부를 고정하지 않도록 하게 하는 내부 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  8. 제7항에 있어서, 상기 내부 표면은 상기 클램핑 표면에 대하여 100㎛(microns) 미만으로 융기되어있는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 내부 표면은 상기 클램핑 표면의 안쪽으로 0.75㎜ 미만으로, 또는 0.5 ㎜ 미만으로 확장하는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  10. 제1항 내지 제3항, 제7항 및 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 내부 클램프 부재는 내부 모서리를 갖고, 상기 내부 모서리는 상기 외부 클램프 부재의 상기 내부 모서리의 안쪽으로 1㎜ 이하로 배치되는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  11. 제1항 내지 제3항, 제7항 및 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 내부 클램프 부재는 상기 외부 클램프 부재로부터 이격되어 있는 외부 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 내부 클램프 부재의 상기 외부 부분은 상기 외부 클램프 부재로부터 0.75㎜ 미만의, 또는 0.5㎜ 미만의 갭(gap)에 의하여 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  13. 제11항에 있어서, 상기 외부 클램프 부재는 제1상면 및 상기 제1상면의 안쪽으로 배치된 제2상면을 포함하고, 상기 내부 클램프 부재의 상기 외부 부분은 상기 제2상면과 만나고, 상기 제1상면으로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  14. 제1항 내지 제3항, 제7항 및 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 내부 및 외부 클램프 부재는 고리 형태인 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  15. 제1항 내지 제3항, 제7항 및 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 내부 및 외부 클램프 부재는 유전체로 구성되는 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  16. 제15항에 있어서, 상기 유전체는 알루미나(alumina)인 것을 특징으로 하는 클램프 조립체.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제1항에 따른 클램프 조립체에 사용하기 위한 내부 클램프 부재와 외부 클램프 부재를 포함하는 부품 키트.
  20. 제1항에 따른 클램프 조립체를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  21. 제20항에 있어서, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 엣칭(etching) 장치 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  22. 플라즈마 처리 챔버 내에서 기재를 플라즈마 처리하는 방법에 있어서, 상기 방법은:
    상기 기재를 지지체에 제1항에 따른 클램프 조립체를 이용하여 고정하는 단계; 및
    상기 기재를 플라즈마 처리하고, RF 바이어스 파워가 상기 기재의 상기 플라즈마 처리 동안에 상기 지지체에 적용되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160289827A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Lam Research Corporation Plasma processing systems and structures having sloped confinement rings
US10777442B2 (en) * 2016-11-18 2020-09-15 Applied Materials, Inc. Hybrid substrate carrier
CN111613506B (zh) * 2020-05-22 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体腔室的固定组件及半导体腔室
US20220108908A1 (en) * 2020-10-06 2022-04-07 Applied Materials, Inc. Shadow ring kit for plasma etch wafer singulation process

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294812A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Fujikura Ltd 冷却装置およびプラズマ処理装置
JP2010098012A (ja) 2008-10-14 2010-04-30 Ulvac Japan Ltd エッチング装置及びエッチング方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02268427A (ja) 1989-04-11 1990-11-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5534110A (en) * 1993-07-30 1996-07-09 Lam Research Corporation Shadow clamp
US5437757A (en) 1994-01-21 1995-08-01 Applied Materials, Inc. Clamp ring for domed pedestal in wafer processing chamber
US5421401A (en) 1994-01-25 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Compound clamp ring for semiconductor wafers
US5573596A (en) 1994-01-28 1996-11-12 Applied Materials, Inc. Arc suppression in a plasma processing system
US5405491A (en) * 1994-03-04 1995-04-11 Motorola Inc. Plasma etching process
DE4433538A1 (de) * 1994-09-20 1996-03-21 Siemens Ag Verfahren zur Vermeidung der Re-Deposition von Ätzprodukten auf Substratoberflächen während des Wolfram-Rückätzprozesses bei der Herstellung hochintegrierter Schaltungen
US5632873A (en) 1995-05-22 1997-05-27 Stevens; Joseph J. Two piece anti-stick clamp ring
JP3477953B2 (ja) * 1995-10-18 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5843520A (en) * 1997-01-13 1998-12-01 Vanguard International Semiconductor Corporation Substrate clamp design for minimizing substrate to clamp sticking during thermal processing of thermally flowable layers
US5922133A (en) * 1997-09-12 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Multiple edge deposition exclusion rings
US6511543B1 (en) * 1997-12-23 2003-01-28 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Holding device
TW412063U (en) 1998-07-30 2000-11-11 Promos Technologies Inc Confinement ring for wafer fixation
EP1006562A3 (en) 1998-12-01 2005-01-19 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Two-piece clamp ring for holding semiconductor wafer or other workpiece
US6123804A (en) * 1999-02-22 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Sectional clamp ring
US6162336A (en) * 1999-07-12 2000-12-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Clamping ring design to reduce wafer sticking problem in metal deposition
JP2001053030A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
US8920564B2 (en) * 2010-07-02 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability
TWI555058B (zh) 2011-03-01 2016-10-21 應用材料股份有限公司 雙負載閘配置之減弱及剝離處理腔室
JP6001529B2 (ja) * 2011-03-29 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
US9293304B2 (en) * 2013-12-17 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Plasma thermal shield for heat dissipation in plasma chamber

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294812A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Fujikura Ltd 冷却装置およびプラズマ処理装置
JP2010098012A (ja) 2008-10-14 2010-04-30 Ulvac Japan Ltd エッチング装置及びエッチング方法

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