KR20000062849A - 기판 지지 척위로 웨이퍼 스페이싱 마스크를 제조하는장치 및 방법 - Google Patents

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프라니간 알렌
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조셉 제이. 스위니
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Abstract

본 발명은 공작물의 지지 척상에 웨이퍼 스페이싱 마스크를 제조하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 장치는 공작물 지지 척의 정상에 인접한 다수의 구멍들을 포함하는 중앙 바디와, 공작물 지지 척의 플랜지상에 위치된 외측 링 형상의 바디로 구성된다. 또한, 본 발명의 장치 위로 물질이 증착되어 구멍을 통해 척위로 이동된다. 증착 공정이 완성되자 마자, 중앙 바디 및 링 형상의 바디들은 웨이퍼 스페이싱 마스크를 형성하기 위해 물질의 증착물을 남게하는 공작물 지지 척으로 부터 제거된다.

Description

기판 지지 척위로 웨이퍼 스페이싱 마스크를 제조하는 장치 및 방법 {METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A WAFER SPACING MASK ON A SUBSTRATE SUPPORT CHUCK}
본 발명은 물리적인 기상 증착(PVD)시스템에서 재료의 증착을 제어하기 위해 사용되는 스퍼터 마스크(sputter mask) 또는 스텐실(stencil)에 관한 것이다. 상세히 기술하면, 본 발명은 웨이퍼 스페이싱(spacing)마스크를 제조하기 위해 PVD 시스템에서 사용하는 기판 지지 척(chuck)의 표면상에 타켓 물질을 정확하게 증착하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 1999년 1월 26일자로 특허 허여된 미국 특허 제 5,863,396호에 기술된 재료에도 적용가능하다.
기판 지지 척들은 반도체 제조 시스템내의 기판을 지지하기 위해 널리 사용된다. 특정형태의 척으로는 고온의 물리적인 기상 증착(PVD)과 같은 고온의 반도체 공정 시스템에서 사용되는 세라믹 정전기(electrostatic)적인 척이 있다. 이러한 척들은 반도체 공정중에 정지 위치에서 반도체 웨이퍼 또는 다른 공작물을 유지하기 위해 이용된다. 상기 정전기적인 척들은 세라믹 척 바디내에 삽입된 하나 이상의 전극들을 포함한다. 세라믹 재료로는, 티타늄 산화물(TiO2)과 같은 금속 산화물을 갖는 돔형상의 알루미나 또는 알루미늄 질화물이 있다. 또한, 유사한 저항 성질을 갖는 다른 세라믹 제료들이 사용될수도 있다. 세라믹의 이러한 형태는 고온에서부분적으로 유전성을 갖게 된다.
세라믹 정전기적인 척을 통상적으로 사용하면, 웨이퍼는 척킹 전압이 전극에 적용되듯이 척 바디의 표면에 대해 플러시(flush)를 남게한다. 높은 온도에서 세라믹 물질의 유전 성질 때문에, 웨이퍼는 존센-라멕 효과(Johnsen-Rahbek effect)에 의해 세라믹 지지 표면에 대해 주로 유지된다. 이러한 척은 1992년 5월 26일자로 발행된 미국 특허 제 5,117,121호에 기술되어 있다.
세라믹으로 제조된 척 바디를 사용하는 단점중의 하나는 지지부를 제조하는 중에, 세라믹 물질이 비교적 부드러운 표면에 생산하기 위해 “랩 형상(lapped)”되는 것이다. 이러한 랩핑(lapping)은 지지부의 표면에 부착되는 미립자를 발생하게 된다. 이러한 미립자들은 표면에서 완전히 제거하기 어렵게 된다. 래핑 공정은 척 바디의 표면을 파손시킬수도 있다. 결론적으로, 척이 사용될때, 미립자들은 상기 파손에 따라 연속적으로 발생하게 된다. 또한, 웨이퍼 공정중에, 세라믹 물질이 웨이퍼의 하부면상에 산화물 코팅 또는 층을 벗기므로서, 오염물질을 공정환경에 안내하게 한다. 척의 이용중에, 미립자들이 웨이퍼의 하부에 부착될수 있으며, 다른 챔버속으로 이송되거나, 웨이퍼상에 제조중인 회로에 결점을 일으킨다. 수만개의 오염 미립자들이 웨이퍼가 세라믹 정전기적인 척상에 유지된후 웨이퍼의 후면에 부착될수 있다.
유사하게도, 저온(예를들어, 섭씨 300도 이하)공정에서 사용되는 기판 지지 척들은 웨이퍼 공정을 방해하는 오염 미립자들을 발생할수도 있다. 이러한 저온 척들은 알루미나와 같은 유전 물질로 통상 제조되는 웨이퍼 지지 표면을 포함하는 기계적인 클램핑 척들과 정전기적인 척들을 포함한다. 이러한 형태의 척들은 공정중에 웨이퍼의 하부면에 부착될수 있는 미립자 오염물질을 발생하게 된다.
기판 지지 척과 접촉하는 공작물의 기판과 결합되는 단점을 극복하기 위해, 웨이퍼 스페이싱 마스크가 기판 지지 척의 표면상에 증착되어 있다. 이러한 웨이퍼 스페이싱 마스크가 1997년 8월 12일 발행된 부크하트 등(Burkhart et al)의 미국 특허 5,656,093호에 기술되어 있다. 웨이퍼 스페이싱 마스크와 같은 척 바디의 지지 표면상에 증착되는 물질은 티타늄, 티타늄 질화물, 스테인레스 스틸등과 같은 금속으로 구성된다. 이러한 물질은 척과 접촉하는 웨이퍼의 표면이 척의 표면에 거의 평행하게 이격되는 방식으로 반도체 웨이퍼를 지지한다. 통상적으로, 기판 지지 척의 표면상에 증착되는 임의의 웨이퍼 스페이싱 마스크 패턴을 사용할지라도, 물질은 다수의 패드를 형성하기 위해 증착된다. 그래서, 웨이퍼를 제조하는 반복가능한 기술에서는, 웨이퍼 스페이싱 마스크를 사용할수 없게 된다.
그러므로, 웨이퍼 스페이싱을 제조하는 장치 및 방법의 발명이 본 기술분야에서 필요하게 되었다.
상술된 종래 기술의 단점들은 기판 지지 척위에 웨이퍼 스페이싱 마스크를 제조하기 위한 본 발명의 장치 및 방법에 의해서 극복된다. 상세히 기술하면, 본 발명은 기판 지지 척위에 웨이퍼 스페이싱 마스크를 형성하기 위해 증착 공정에서 사용되는 스퍼터 마스크 또는 스텐실에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 스텐실의 사시도이다.
도 2는 물리적인 기상 증착시스템내의 기판 지지 척의 표면상에 위치된 스텐실의 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 정렬 핀 지지부의 사시도이다.
도 4는 기판 지지 척의 표면상에 타켓물질의 최종증착물의 수직 횡단면도이다.
본 발명의 스텐실은 기판 지지 척의 지지 표면위에 배치된 중앙 바디 및, 지지 표면의 방사형 외측의 플랜지 위에 배치된 외측 바디를 포함한다. 중앙 바디는 동심 링의 패턴으로 배열된 다수의 구멍들, 바람직하게는 270개의 구멍들과, 원주에 배열된 다수의 슬롯, 바람직하게는 9개의 슬롯을 구비한다. 상기 구멍들은 기판 지지부의 노출된 표면 및 중앙 바디위로 물질을 증착되게 한다. 상기 외측 바디는 링 형상으로 구성되며, 중앙 바디 및 외측 바디 모두는 세라믹, 실리콘, 알루미늄 질화물 및 불소 질화물과 같은 동일한 물질로 제조된다.
본 발명의 다른 특징은 상기 중앙 바디밑에 위치된 정렬 핀 지지부로 구성된다. 상기 정렬 핀 지지부는 스텐실이 지지 표면상에 적절히 배열되도록 중앙 바디에 배치된 대응하는 다수의 정렬 보어와 연결되며 상향으로 돌출된 적어도 2개의 정렬 핀을 구비한다. 바람직하게도, 상기 정렬 핀들은 정렬 핀 지지부의 y-축선에 대해 각각 +60°및 -60°의 각도로 배열된다. 정렬 지지 핀은 제 1 및 제 2 단부를 갖는 C-형상의 바디로 구성되며, 상기 제 1 단부는 연장형 탭으로 변형된다. 상기 연장 탭은 상기 장치가 지지 표면에 대해 반복적으로 위치 정렬되도록 챔버 조립체의 커넥터에 수용된다.
기판 지지 척의 지지 표면상에 웨이퍼 스페이싱 마스크를 제조하는 방법은 스텐실을 사용하는 지지 표면을 마스크하므로서 이루어진다. 상세히 기술하면, 본 발명의 방법은 공작물 지지 척의 지지 표면상에 구멍들의 패턴을 포함하는 판을 위치 설정시키는 단계와; 상기 공작물 지지 척의 지지 표면상에 증착물을 형성하기 위해 상기 구멍들을 통과하도록 상기 판위에 재료를 증착하는 단계와; 웨이퍼 스페이싱 마스크를 형성하기 위해 공작물 지지부 척의 지지부 표면위에 물질의 증착물 남게하고 상기 판을 제거하는 단계로 구성된다. 상기 판은 그 원주에 배열된 다수의 슬롯을 포함하며, 상기 적층 단계는 슬롯을 통해 재료를 플랜지상에 증착하며, 상기 플랜지는 공작물 지지 척으로 부터 방사형으로 연장된다. 바람직하게도, 물리적인 기상 증착 공정이 지지 표면 상에 티타늄과 같은 물질을 증착하는데 이용된다.
본 발명을 용이하게 이해할수 하기 위하여, 첨부된 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 하기에 기술한다
또한, 본 발명의 이해를 돕기 위하여, 도면에서 주요 구성요소에 대해 도면부호를 표시하였으며, 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면부호로 표시한다.
도 1은 본발명에 따라 스퍼터 마스크(sputter mask) 또는 스텐실(stencil, 100)의 사시도를 나타낸다. 본 발명의 사용을 설명하기 위해, 물리적인 기상 증착(PVD)시스템(200)내의 기판 지지 척(202)의 표면(204)에 위치된 도 1의 장치의 수직횡단면도를 나타낸다. 도 2의 횡단면도는 단순하게 도시되어 있으며, 특징부를 상세히 도시돠기 위해 비-스케일(non-scale)로 도시되어 있다. 본 발명을 용이하게 이해하기 위해서는 도 1 및 도 2를 동시에 참고하는 것이 바람직하며, 이를 하기에 기술한다.
상세히 기술하면, 스텐실(100)은 제 1 중앙 바디(102)와, 상기 중앙 바디(102)로 부터 외측으로 방사형으로 배열된 제 2 외측 바디(104)로 구성된다. 바람직하게도, 상기 중앙 바디(102)는 내측면(112) 및 외측면(114)을 구비한다. 상기 중앙 바디(102)는 원주면(110)에 다수의 슬롯(106)들이 배열되어 있다. 추가로, 중앙 바디(102)는 내부에 다수의 구멍(108)들이 배열되어 있다. 상기 구멍(108)들은 중앙 바디(102)를 통해 상부 측면(116)으로 부터 하부 측면(118)을 통과한다. 추가적으로, 중앙 바디(102)는 적어도 두개의 정렬 보어(1201, 1202)로 구성된다. 상기 정렬 보어들은 원주에 인접하게 배열되어 있으며, 바람직하게도, 중앙 바디(102)의 y-축선에 대해 대략 +60°및 -60°의 각도로 각각 떨어져 있다. 이러한 보어들은 하기에 보다 상세히 기술된다. 본 발명의 실시예에서, 원주(110)에 대해 동일하게 이격된 9개의 슬롯과, 270의 구멍들이 있다. 다른 실시예에서는, 384구멍들이 있다.
스텐실(100)의 특정한 형상 및 크기는 사용되는 기판 지지 척의 형상 및 크기에 좌우된다. 통상적으로, 기판 지지 척(202)은 반도체 웨이퍼(도시되지 않음)등의 공작물의 형상과 일치되는 판형상의 원형으로 구성되며, 중앙 바디는 기판 지지 척보다 조금 작게 구성된다. 거의 8인치(200㎜)의 직경을 갖는 기판 지지 척으로 지지되는 통상의 8인치(200㎜)직경의 반도체 웨이퍼를 위해, 중앙 바디의 직경은 거의 7.7인치이다. 이러한 예 이외에도, 내측면(112)에서 측정되는 외측 바디(104)의 직경은 약 8.4인치이며, 외측면(114)에서 측정되는 직경은 약 10.3인치이다. 8인치 직경의 공작물을 사용하는데 장치(100)의 바람직한 실시예의 측정치가 제공될지라도, 이것과 상이한 값이 실시될수도 있다. 상세히 기술하면, 유사한 장치들이 기판 지지 척에 대응하며 11.8인치(300㎜)웨이퍼를 사용하는 시스템에서 사용될수 있는 구조를 갖을수 있다.
도 2에 도시된바 같이, 기판 지지 척(202)은 표면(204)위에 있는 공작물을 가열, 냉각 및 유지하기 위해 조립체(206)위에 통상적으로 지지된다. 선택적으로, 가열 수단은 기판 지지 척(202)속으로 합체된다. 상기 척(202)의 표면(204)위에 공작물을 유지하기 위해, 척은 공작물을 정전기적이거나 기계적이거나 진공적인 크램핑하는 부재들을 포함할수도 있다. 도면의 명료화를 위해, 상기 가열수단 및, 정전기적이거나 기계적이거나 진공적인 부재들은 도시되어 있지 않지만, 기판 지지부의 설계 및 제조에 종사하는 통상의 전문가들에 의해 공지되어 있으며 이용 가능하다. 본 발명은 임의의 척 형식에 적용가능하다. 그러므로, 척의 독특한 특성 및 작동은 본 발명과 관련이 없다.
스텐실(100)은 하기와 같은 형상으로 구성된다. 즉, 스텐실(100)이 기판 지지 척(202)의 표면(204)상에 위치될때, 스텐실(100)의 하부면(118)은 척(202)의 표면에 의해서 지지된다. 상세한 실시예에서, 기판 지지 척(202)은 척(202)의 중심부로 부터 방사방향으로 연장되는 플랜지(208)를 포함한다. 상기 외측 바디9104)는 플랜지(208)에 인접하게 배치된다. 상세히 기술하면, 외측 바디(104)는 플랜지(208)의 상부면(210)과 접촉한다. 이와 같이, 외측 바디(104)는 플랜지(208)에 의해서 지지된다. 커버 링(212)(PVD 시스템(200)의 일부)은 외측 바디(104)에 방사상으로 인접하게 배열된다. 상세히 기술하면, 커버링(212)은 기판 지지 척(202)이 웨이퍼 스페이싱 마스크(spacing mask)를 형성(예를들어, 웨이퍼 스페이싱 마스크 재료를 수행하는 PVD)하기 위한 위치(예를들어, 수직으로 상승)속에 있을때, 외측 바디(104)에 의해서 접촉된다. 기판 지지 척(202)이 하향으로 이동할때, 커버 링(212)은 외향으로 방사방향으로 배열된 시일드 부재(214)에 의해서 지지된다.
기판 지지 척(202)의 표면(204)은 척(202)의 중앙부(201)의 원주 에지(216)와 일치하는 중앙 바디(102)의 슬롯(106)에 의해서 노출된 상태로 남게 된다. 이러한, 증착 재료는 플랜지(208)의 상부면(210), 에지(216) 및 표면(204)에 부착된다. 상기 장치(100)의 두 개의 구조물은 플랜지(208) 및 에지(216)상의 증착에 연결되도록 척(202) 및 표면(204)위로 증착을 허용한다.
도 3은 본 발명의 또다른 구성요소의 사시도를 나타낸다. 상세히 기술하면, 정렬 핀 지지부(300)는 제 1 단부(304) 및 제 2 단부(306)를 갖는 C-형상 바디(302)로 도시되어 있다. 제 1 단부(304)는 연장 탭(308)속으로 변이된다. 상기 연장탭(308)은 C-형상 바디(302)로 부터 방사형 내측으로 연장된다. 연장 탭(308)은 정렬 핀 지지부(300)를 위한 x-축선(310)을 부분적으로 형성한다. 상기 x-축선(310)에 직각으로 y-축선(330)이 형성되어 있으며, 상기 y-축선(330)은 중앙 바디(104)의 y-축선과 일치한다. 상기 정렬 핀 지지부(300)는 적어도 두개의 핀(3201, 3202)을 추가로 구비한다. 상기 정렬 핀(3201, 3202)들은 각각 정렬 핀 보어(3181, 3182)들에 배열되며, 본 발명의 바람직한 실시예로는 약 1.5인치의 길이를 갖고 있다. 바람직하게도, 정렬 핀 보어들, 보다 상세하게 기술하면 정렬 핀들은 지지부(300)의 y-축선(330)에 대해 각각 +60°, -60°의 각도로 지지부 위에 배열된다.
도 2를 참조하면, 정렬 핀 지지부(300)는 기판 지지부 척(202)밑에 위치된 커넥터(220)를 통해 조립체에 연결된다. 상세히 기술하면, 상기 커넥터(220)는 정렬 핀 지지부(300)의 연장 탭(308)을 수용하기 위해 홈 형상으로 구성되어 있다. 이와 같이, 정렬 핀(3201, 3202)들은 기판 지지 척(202)에서 대응하는 보어(218)를 통과하며, 중앙 바디(102)의 정렬 보어(1201, 1202)들에 연결되어 있다. 도 2에는 하나의 정렬 핀(3202), 보어(218, 환상선으로 표시됨) 및 정렬 보어(1202)가 도시되어 있다. 중앙 바디(102)를 척 표면(204)에 정렬시키기 위해, 정렬 핀들은 정렬 보어들 또는 선택적으로 후방측 가스 분포 포트, 상승 핀 홀(hole)등과 같은 표면 피처속으로 연장된다. 외측 바디(104)는 플랜지(208)위에 놓여지며, 플랜지(208)와 동축선에 정렬되도록 노치 또는 에지 연장부(도시되지 않음)를 포함한다.
스텐실은 동심 링(124)의 패턴으로 배열된 약 270개의 구멍(108)들을 포함한다. 각각의 구멍(108)들은 중앙 바디(102)의 상부면(116)상의 카운터성크(countersunk) 홀의 대형 개구와 함께 카운터성크 호울 또는 보어(깔때기 형상) 형상을 구비한다. 각 구멍들은 또한 카운터 보어(122, 도 2에 도시됨)를 포함하며, 상기 보어(122)는 중앙 바디(102)의 하부면(118)에 위치되며 카운터성크 홀과 동축으로 정렬된다. 기술하면, 각 카운터성크 홀은 약 0.164인치(4.2㎜)의 큰직경, 약 82도의 각도 및 0.060인치(1.5㎜)깊이의 작은 직경을 구비한다. 대향적인 각각의 카운터성크 홀은 약 0.090인치(2.3㎜)의 직경 및 0.008인치(0.2㎜)의 깊이를 갖는 카운터 보어이다. 구멍들의 다양한 크기 및 배열들이 사용가능하며, 다른 모든 실시예가 본 발명의 영역을 벗어나지 않으면서 고려될수 있다.
통상적으로, 스텐실(100)의 재료는 세라믹이며, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 알루미나이다. 한편, 실리콘, 알류미늄, 질화물, 불소 질화물등의 재료들이 사용될수도 있다. 시스템의 형태에 따라, 스텐실(100) 재료의 선택이 이루어진다. 예를들어, PVD 시스템에서, 여러 열팽창을 감소시키고 그형태(기판 지지 표면(204)에 대해 판형상)를 유지하는 재료들이 스텐실(100)의 가장 바람직한 재료이다. 스텐실(100)의 재료로서 추가로 고려할점은 재료가 기판 지지 척(202)의 표면(204)상에 증착물을 형성하기 위해 시스템에서 스퍼터되는 것이다. 예를들어, 티타늄으로 스퍼터되는 티타늄 마스크를 세정하거나 재사용하는 것이 불가능하게 된다. 그러므로, 재사용가능한 마스크가 바람직하다면, 마스크는 금속 마스크 및 티타늄을 스퍼터링하기 위한 실리콘 마스크, 유전체 물질을 스퍼터링하기 위한 스테인레스 스틸 및 또는 티타늄을 스터링 하는 물질과 상이한 물질로 제조되어야 한다. 기판 지지 척(202)의 표면(204)상에 증착물을 형성하는 방법은 PVD시스템(200)내의 기판 지지 표면(204)상에서 스텐실(100)의 변위를 시작한다. 척(202)이외에도, PVD 시스템은 척에 인점하게 증착을 제한하기 위해 상술된 하나 이상의 시일드(214) 및/또는 링(212)과, 타켓(228)과, 압력 제어 장치(226, 예를들어, 진공펌프)를 포함하는 엔크로져(230, 진공챔버)를 통상적으로 포함한다.
PVD시스템은 척의 노출된 지지 표면 및 스텐실상에 타켓 재료를 스퍼터링하기 위해 종래의 방법으로 작동하는 통상적인 시스템이다. 증착재료는 점착되는 물질이며, 척 재료와 열적으로 양립가능하다. 예를들어, 세라믹 척을 위해, 증착 물질은 티타늄과 같은 금속, 알류미늄-산화물과 같은 산화물, 다이아몬드, 불소-질화물을 포함한다. 일반적으로, 물질의 증착을 패턴하기 위한 기술은 리프-오프(lift-off)증착으로 공지되어 있다.
충분한 웨이퍼 지지 마스크를 제조하기 위해, PVD 시스템(200)은 스텐실(100)이 척(202)의 표면(204)에 위치하는 동안에, 기판 지지 척(202)상에 약 1마이크론층의 재료를 증착한다. 증착재료들은 스텐실의 구멍들을 통해 기판 지지 척의 표면상에 이송된다. 추가적으로, 재료의 제 2 층은 절연체가 제 1 증착물을 형성하고, 유전체가 그위에 증착될수 있도록 제 1층위에 증착된다. 다양한 물질로 구성되는 다수의 증착증들이 본 발명의 스텐실을 이용하여 증착될수도 있다. 다음의 증착을 위해, 타켓이 챔버로 부터 분리되어 스텐실은 PVD시스템 엔크로져의 상부를 통해 표면으로 부터 제거될수 있다. 이 결과로서, 플랜지 표면(210), 에지(216), 표면(204)에 인접하게 증착물질의 패턴이 형성된다.
카운터성크 보어 및 카운터보어의 조합은 증착공정중에 재료의 증착을 균일하게 한다. 상세히 기술하면, 도 4는 기판 지지 척(202)의 표면(204)상에 타켓 재료의 최종 증착물(400)의 수직 횡단면도를 나타낸다. 카운터보어는 증착된 물질에 스텐실의 부착성을 제공하며, 볼록한(돔형상)표면을 갖는 증착물을 제공한다. 또한, 카운터성크 구멍들은 증착 물질 부분들에 대한 궤도각도의 넓은 범위에서 물질의 증착을 허용하기 위해 넓은 구멍을 제공하므로서 증착비를 향상시킨다. 다수의 증착물(400)들이 스텐실(100)에서 슬롯(106) 및 구멍(108)들의 결과로서 표면(204)상에 형성된다. 그러므로, 이러한 증착물(400)을 다수 구성하는 웨이퍼 스페이싱 마스크는 상대적으로 빠르고 높게 반복가능한 방법으로 다수의 기판 지지 척상에 형성될수 있다.
본 발명의 바람직하 실시예가 상술되어 있지만, 본 발명의 다른 실시예가 본 발명의 영역을 벗어나지 않으면서 실시될수 있다.

Claims (17)

  1. 기판 지지 척 위에 웨이퍼 스페이싱 마스크를 제조하는 장치에 있어서,
    상기 기판 지지 척은 지지 표면과, 상기 지지 표면의 방사형 외측으로 연장되는 플랜지로 구성되며,
    상기 장치는, 지지 표면상에 배열된 중앙 바디 및, 플랜지 상에 배열된 외측 바디로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 중앙바디는 중앙바디내에 배열된 다수의 구멍들과, 중앙바디의 원주에 대해 배열된 다수의 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 다수의 구멍들은 270개이며, 동심 링의 패턴으로 배열되고, 상기 다수의 슬롯은 9개 인 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 외측 바디는 링 형상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 중앙 바디 및 외측 바디들은 동일한 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 물질은 세라믹, 실리콘, 알류미늄 질화물 및 불소 질화물로 구성된 그룹으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 물질은 세라믹, 알루미나로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 중앙 바디 밑에 배열된 정렬 핀 지지부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 정렬 핀 지지부는 지지부에서 상향으로 돌출한 적어도 2개의 정렬 핀들을 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 정렬 핀들은 중앙 바디에 배열된 대응하는 다수의 정렬 보어와 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 정렬 핀들은 정렬 핀 지지부의 y-축선에 대해 각각 +60°및 -60°의 각도로 배열되는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 정렬 핀 지지부는 제 1 및 제 2 단부를 갖는 C-형상의 바디로 구성되며, 상기 제 1 단부는 연장형 탭으로 변형되는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 연장 탭은 챔버 조립체의 커넥터에 수용되는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 웨이퍼 스페이싱 마스크를 제조하는 방법에 있어서,
    공작물 지지 척의 지지 표면상에, 구멍들의 패턴을 포함하는 판을 위치 설정시키는 단계와;
    상기 공작물 지지 척의 지지 표면상에 증착물을 형성하기 위해, 상기 판위에 재료를 증착하고 상기 구멍들을 통과시키는 단계와;
    상기 웨이퍼 스페이싱 마스크를 형성하기 위해 공작물 지지부 척의 지지부 표면위에 물질의 증착물 남게하고 상기 판을 제거하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 판은 판의 원주에 배열된 다수의 슬롯을 포함하며, 상기 증착하는 단계는 슬롯을 통해 재료를 플랜지상에 증착하는 단계를 추가로 구비하며, 상기 플랜지는 공작물 지지 척으로 부터 방사형으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 증착하는 단계는 물질을 증착하기 위해 물리적인 기상 증착 공정을 사용하는 단계를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 물질은 티타늄으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
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