JP2001020058A - 基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作るための装置及び方法 - Google Patents
基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作るための装置及び方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワークピース支持チャック上にウエハスペー
シングマスクを作る装置及び方法を提供すること。 【解決手段】 この装置１００は、ワークピース支持チ
ャック２０２の上部に配置された、複数の開口１０８を
有する中央体１０２と前記ワークピース支持チャック２
０２のフランジ２０８上に位置される外側リング形状体
１０４であり、一方材料は開口へそして開口１０８をと
おしてチャック２０２上に堆積される。堆積プロセスが
完了すると、中央体とリング形状体は、材料の堆積を残
してワークピース支持チャックから除去され、ウエハス
ペーシングマスクを形成する。
シングマスクを作る装置及び方法を提供すること。 【解決手段】 この装置１００は、ワークピース支持チ
ャック２０２の上部に配置された、複数の開口１０８を
有する中央体１０２と前記ワークピース支持チャック２
０２のフランジ２０８上に位置される外側リング形状体
１０４であり、一方材料は開口へそして開口１０８をと
おしてチャック２０２上に堆積される。堆積プロセスが
完了すると、中央体とリング形状体は、材料の堆積を残
してワークピース支持チャックから除去され、ウエハス
ペーシングマスクを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物理気相堆積（Ｐ
ＶＤ）システムにおける材料の堆積を制御するために使
用されるスパッタマスク又はステンシルに関する。特
に、本発明は、ウエハスペーシングマスクを製造するた
めにＰＶＤを使用して、基板支持チャックの表面上にタ
ーゲット材料の正確な堆積をするための方法及び装置に
関する。
ＶＤ）システムにおける材料の堆積を制御するために使
用されるスパッタマスク又はステンシルに関する。特
に、本発明は、ウエハスペーシングマスクを製造するた
めにＰＶＤを使用して、基板支持チャックの表面上にタ
ーゲット材料の正確な堆積をするための方法及び装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】基板支持チャックは、半導体処理システ
ム内で基板を支持するために広く用いられている。特別
な形式のチャックは、高温の物理気相堆積（ＰＶＤ）の
ような高温の半導体処理システムにおいて用いられるセ
ラミックの静電チャックである。これらのチャックは、
処理中に静止位置に半導体や他のワークビースを保持す
るために用いられる。これらの静電チャックは、セラミ
ックのチャック体内に埋め込まれた１以上の電極を含
む。セラミック材料は、ニ酸化チタン（ＴｉＯ2）また
は同様な抵抗特性を有する他のセラミック材料のような
金属酸化物でドープされたアルミニウムナイトライドま
たはアルミナが一般的である。このセラミックの形態は
高温で部分的に導電性である。
ム内で基板を支持するために広く用いられている。特別
な形式のチャックは、高温の物理気相堆積（ＰＶＤ）の
ような高温の半導体処理システムにおいて用いられるセ
ラミックの静電チャックである。これらのチャックは、
処理中に静止位置に半導体や他のワークビースを保持す
るために用いられる。これらの静電チャックは、セラミ
ックのチャック体内に埋め込まれた１以上の電極を含
む。セラミック材料は、ニ酸化チタン（ＴｉＯ2）また
は同様な抵抗特性を有する他のセラミック材料のような
金属酸化物でドープされたアルミニウムナイトライドま
たはアルミナが一般的である。このセラミックの形態は
高温で部分的に導電性である。
【０００３】セラミックの静電チャックの従来の使用で
は、ウエハは、チャック電圧が電極に加えられるにした
がって、チャック体の表面に対して平に載置する。高温
におけるセラミック材料の導電性性質のために、ウエハ
は、ジョンセン−ラーベック効果(Johnsen-Rahbek effe
ct)によって、セラミックの支持面に対して保持され
る。このようなチャックは１９９２年５月２６に発行さ
れた米国特許第5,117,121号明細書に開示されている。
は、ウエハは、チャック電圧が電極に加えられるにした
がって、チャック体の表面に対して平に載置する。高温
におけるセラミック材料の導電性性質のために、ウエハ
は、ジョンセン−ラーベック効果(Johnsen-Rahbek effe
ct)によって、セラミックの支持面に対して保持され
る。このようなチャックは１９９２年５月２６に発行さ
れた米国特許第5,117,121号明細書に開示されている。
【０００４】セラミックから作られたチャック体の欠点
の一つは、支持体の製造中に、セラミック材料が比較的
滑らかな表面を作るために“ラップ”されることであ
る。このようなラッピングは支持体の表面に付着する粒
子を生成する。これらの粒子は、表面から完全に取り除
くのが非常に困難である。ラッピング処理は、又チャッ
クタイの表面を破面するかもしれない。結果的に、チャ
ックが用いられるに従って、粒子がこれらの破面によっ
て連続的に生成される。更に、ウエハの処理中に、セラ
ミック材料はウエハの下面上の酸化物のコーティング又
は層をすり減らし、プロセス環境へ粒子汚染を導くよう
になる。チャックの使用中に、粒子は、それ自身ウエハ
の下面へ付着して他のプロセスチャンバへ運ばれ、ある
いはウエハ上に作られる回路の欠陥を生じる。セラミッ
ク静電チャック上に保持の後、数万の汚染粒子が与えら
れたウエハの後側に付着することが分かった。
の一つは、支持体の製造中に、セラミック材料が比較的
滑らかな表面を作るために“ラップ”されることであ
る。このようなラッピングは支持体の表面に付着する粒
子を生成する。これらの粒子は、表面から完全に取り除
くのが非常に困難である。ラッピング処理は、又チャッ
クタイの表面を破面するかもしれない。結果的に、チャ
ックが用いられるに従って、粒子がこれらの破面によっ
て連続的に生成される。更に、ウエハの処理中に、セラ
ミック材料はウエハの下面上の酸化物のコーティング又
は層をすり減らし、プロセス環境へ粒子汚染を導くよう
になる。チャックの使用中に、粒子は、それ自身ウエハ
の下面へ付着して他のプロセスチャンバへ運ばれ、ある
いはウエハ上に作られる回路の欠陥を生じる。セラミッ
ク静電チャック上に保持の後、数万の汚染粒子が与えら
れたウエハの後側に付着することが分かった。
【０００５】同様に、低温度処理（例えば、３００℃以
下）に用いられる基板支持チャックもウエハ処理を妨げ
る汚染粒子を生成する。このような低温チャックは、ア
ルミナのような誘電体物質から一般に作られるウエハ支
持体の表面を含む静電チャック、及び機械的にクランプ
するチャックを含む。これらの形式のチャックも処理中
にウエハの下側に付着する、使用中に粒子汚染を生成す
ることが分かった。
下）に用いられる基板支持チャックもウエハ処理を妨げ
る汚染粒子を生成する。このような低温チャックは、ア
ルミナのような誘電体物質から一般に作られるウエハ支
持体の表面を含む静電チャック、及び機械的にクランプ
するチャックを含む。これらの形式のチャックも処理中
にウエハの下側に付着する、使用中に粒子汚染を生成す
ることが分かった。
【０００６】基板の支持チャックに接触するワークピー
ス基板に関連した欠点を克服するために、ウエハスペー
シングマスクが基板支持チャックの表面上に堆積され
る。このようなウエハスペーシングマスクは、Burkhart
他に付与され、１９９７年８月１２に発行され、レファ
レンスによってここに含まれる米国特許第5,656,093号
明細書に開示されている。チャック体の支持表面上に堆
積された材料、即ちウエハスペーシングマスクは、例え
ばチタン、チタンナイトライド、ステンレススチールな
どの金属である。優れた接触特性を有する導電体、絶縁
体、および半導体を含む他の材料がスペーシングマスク
を作るために用いられてもよい。更に、マスクは、材料
の組合せ、例えば絶縁層などによって支持された金属性
の層を有してもよい。この材料は、チャックに面したウ
エハの面が間隔を開けられ、チャックの面に実質的に平
行であるように半導体ウエハを支持する。基板支持体の
表面上に堆積されたウエハスペーシングマスクパターン
を用いることができるけれども、通常、この材料は複数
のパッドを形成するために堆積される。従って、ウエハ
スペーシングマスクはウエハの下側に付着する汚染粒子
の量を減少する。今までは、このようなウエハスペーシ
ングマスクを作るための反復可能な技術は利用できなか
った。
ス基板に関連した欠点を克服するために、ウエハスペー
シングマスクが基板支持チャックの表面上に堆積され
る。このようなウエハスペーシングマスクは、Burkhart
他に付与され、１９９７年８月１２に発行され、レファ
レンスによってここに含まれる米国特許第5,656,093号
明細書に開示されている。チャック体の支持表面上に堆
積された材料、即ちウエハスペーシングマスクは、例え
ばチタン、チタンナイトライド、ステンレススチールな
どの金属である。優れた接触特性を有する導電体、絶縁
体、および半導体を含む他の材料がスペーシングマスク
を作るために用いられてもよい。更に、マスクは、材料
の組合せ、例えば絶縁層などによって支持された金属性
の層を有してもよい。この材料は、チャックに面したウ
エハの面が間隔を開けられ、チャックの面に実質的に平
行であるように半導体ウエハを支持する。基板支持体の
表面上に堆積されたウエハスペーシングマスクパターン
を用いることができるけれども、通常、この材料は複数
のパッドを形成するために堆積される。従って、ウエハ
スペーシングマスクはウエハの下側に付着する汚染粒子
の量を減少する。今までは、このようなウエハスペーシ
ングマスクを作るための反復可能な技術は利用できなか
った。
【０００７】
【発明の概要】これまでの従来技術に関連した欠点は、
基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作る
ための方法及び装置によって克服される。特に、本発明
は、基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを
形成するために、堆積プロセスに用いられたスパッタマ
スク又はステンシルである。
基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作る
ための方法及び装置によって克服される。特に、本発明
は、基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを
形成するために、堆積プロセスに用いられたスパッタマ
スク又はステンシルである。
【０００８】このステンシルは、基板支持チャックの支
持面上に設けられた中央体と支持面の放射状の外方向の
フランジ上に設けられた外側体を有する。中央体は、そ
こに設けられた同心リングのパターンとして配列された
複数の開口、好ましくは２７０個とその周囲に設けられ
た複数のスロット、好ましくは９個を有する。これらの
開口は、材料が基板支持体の中央体と露出された面上に
堆積されるようにする。外側体は、リング上に形成さ
れ、それと中央体の両方は、セラミック、シリコン、ア
ルミニウムナイトライド（窒化アルミニウム）及びボロ
ンナイトライド（窒化ホウ素）のような同じ材料から作
られる。
持面上に設けられた中央体と支持面の放射状の外方向の
フランジ上に設けられた外側体を有する。中央体は、そ
こに設けられた同心リングのパターンとして配列された
複数の開口、好ましくは２７０個とその周囲に設けられ
た複数のスロット、好ましくは９個を有する。これらの
開口は、材料が基板支持体の中央体と露出された面上に
堆積されるようにする。外側体は、リング上に形成さ
れ、それと中央体の両方は、セラミック、シリコン、ア
ルミニウムナイトライド（窒化アルミニウム）及びボロ
ンナイトライド（窒化ホウ素）のような同じ材料から作
られる。
【０００９】装置の他の特徴は、この中央体の下に設け
られた整列ピンの支持体である。この整列ピンの支持体
は、ステンシルが支持面に正しく向けられるように中央
体に設けられた対応するの数の整列ボアと連絡するそこ
から上方に突出している少なくとも２つの整列ピンを有
している。好適には、整列ピンは、整列ピンの支持体の
ｙ軸に関してそれぞれ＋６０度と−６０度の角度に設け
られる。この整列ピンの支持体は、第１と第２の終端を
有するＣ形状であリ、第１の終端は、拡張タブへ移行す
る。この拡張タブは、装置が支持面に関して向けられて
繰返して位置されるように、チャンバアッセンブリのコ
ネクタに受けられている。
られた整列ピンの支持体である。この整列ピンの支持体
は、ステンシルが支持面に正しく向けられるように中央
体に設けられた対応するの数の整列ボアと連絡するそこ
から上方に突出している少なくとも２つの整列ピンを有
している。好適には、整列ピンは、整列ピンの支持体の
ｙ軸に関してそれぞれ＋６０度と−６０度の角度に設け
られる。この整列ピンの支持体は、第１と第２の終端を
有するＣ形状であリ、第１の終端は、拡張タブへ移行す
る。この拡張タブは、装置が支持面に関して向けられて
繰返して位置されるように、チャンバアッセンブリのコ
ネクタに受けられている。
【００１０】基板支持チャックの支持面上にウエハスペ
ーシングマスクを製造する方法は、ステンシルを用いて
支持面をマスクすることによって達成される。特に、こ
の方法は、ワークピースの指示チャックの支持面上に開
口のパターンを有するプレートを配置するステップ；ワ
ークピースの支持チャックの支持面上に堆積を形成する
ために、プレート上に前記開口を通して材料を堆積する
ステップ；及び前記プレートを除去し、前記ワークピー
スの前記支持面上に前記材料の堆積を残して、ウエハス
ペーシングマスクを形成するステプを有する。このプレ
ートは、その周囲に設けられた複数のスロットを有し、
更に、堆積するステップは、スロットを通して、且つワ
ークピースの支持チャックから放射状に広がるフランジ
ヘ材料を堆積するステップを有する。好適には、支持面
上にチタンのような材料を堆積するために、物理気相堆
積プロセスが用いられる。
ーシングマスクを製造する方法は、ステンシルを用いて
支持面をマスクすることによって達成される。特に、こ
の方法は、ワークピースの指示チャックの支持面上に開
口のパターンを有するプレートを配置するステップ；ワ
ークピースの支持チャックの支持面上に堆積を形成する
ために、プレート上に前記開口を通して材料を堆積する
ステップ；及び前記プレートを除去し、前記ワークピー
スの前記支持面上に前記材料の堆積を残して、ウエハス
ペーシングマスクを形成するステプを有する。このプレ
ートは、その周囲に設けられた複数のスロットを有し、
更に、堆積するステップは、スロットを通して、且つワ
ークピースの支持チャックから放射状に広がるフランジ
ヘ材料を堆積するステップを有する。好適には、支持面
上にチタンのような材料を堆積するために、物理気相堆
積プロセスが用いられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図面をとおして、理解を容易にす
るために、同じ参照番号は、可能な限り図面に共通の同
一の素子を示すために用いられる。
るために、同じ参照番号は、可能な限り図面に共通の同
一の素子を示すために用いられる。
【００１２】図１は本発明によるスパッタマスク又はス
テンシル１００の斜視図を示す。本発明の使用を概略示
すために、図２は物理気相堆積（ＰＶＤ）システム２０
０内の基板支持チャック２０２の表面２０４上に配置さ
れた、図１の装置の垂直断面図を示す。図２の断面図は
簡略化されており、特徴が詳細に示されるように縮尺さ
れていない。本発明を最もよく理解するために、読者
は、以下の開示を読みながら、図１と図２の両方を同じ
に参照する必要がある。
テンシル１００の斜視図を示す。本発明の使用を概略示
すために、図２は物理気相堆積（ＰＶＤ）システム２０
０内の基板支持チャック２０２の表面２０４上に配置さ
れた、図１の装置の垂直断面図を示す。図２の断面図は
簡略化されており、特徴が詳細に示されるように縮尺さ
れていない。本発明を最もよく理解するために、読者
は、以下の開示を読みながら、図１と図２の両方を同じ
に参照する必要がある。
【００１３】特に、ステンシル１００は第１の中央体１
０２と第１の中央体の外方に設けられた第２の外側体１
０４を有する。好ましくは、中央体１０２はプレート状
に形成され、外側体１０４はリング状に形成される。外
側体１０４は内面１１２と外面１１４を有している。中
央体１０２は、更に中央体１０２の周囲１１０の周りに
設けられた複数のスロット１０６を有する。更に、中央
体１０２はそこに設けられた複数の開口１０８を有す
る。これらの開口１０８は、上側表面１１６から下側表
面１１８へ中央体１０２を完全に貫通している。中央体
は、更に少なくとも２つの整列ボア１２０1と１２０2を
有する。これらの整列ボアは、周囲１１０近くに、中央
体１０２のｙ軸１３０に関してそれぞれ約＋６０度と−
６０度の角度に設けられるのが好ましい。これらのボア
は以下に詳細に説明される。本発明の好適な実施の形態
においては、周囲１１０の周りに等しい間隔に設けられ
た９個のスロットと２７０個の開口がある。本発明の他
の実施の形態においては、３８４個の開口がある。
０２と第１の中央体の外方に設けられた第２の外側体１
０４を有する。好ましくは、中央体１０２はプレート状
に形成され、外側体１０４はリング状に形成される。外
側体１０４は内面１１２と外面１１４を有している。中
央体１０２は、更に中央体１０２の周囲１１０の周りに
設けられた複数のスロット１０６を有する。更に、中央
体１０２はそこに設けられた複数の開口１０８を有す
る。これらの開口１０８は、上側表面１１６から下側表
面１１８へ中央体１０２を完全に貫通している。中央体
は、更に少なくとも２つの整列ボア１２０1と１２０2を
有する。これらの整列ボアは、周囲１１０近くに、中央
体１０２のｙ軸１３０に関してそれぞれ約＋６０度と−
６０度の角度に設けられるのが好ましい。これらのボア
は以下に詳細に説明される。本発明の好適な実施の形態
においては、周囲１１０の周りに等しい間隔に設けられ
た９個のスロットと２７０個の開口がある。本発明の他
の実施の形態においては、３８４個の開口がある。
【００１４】ステンシルの特定の形状と大きさは、それ
が用いられる基板支持チャック２０２の形状と大きさに
依存する。一般に、基板支持チャック２０２は、ワーク
ピース、一般に半導体ウエハ（図示せず）との形状に一
致して、平らな円形形状であり、中央体は基板支持チャ
ックより若干小さい。例えば、約８インチ（約２００ｍ
ｍ）の直径を有する基板支持チャックによって支持され
る代表的な８インチ（約２００ｍｍ）直径の半導体ウエ
ハに対しては、中央体の直径は、約７.７インチ(約１９
５.６ｍｍ)である。更に、この例において、内面１１２
において計測された外側体１０４の直径は、約８．４イ
ンチ（約２１３ｍｍ）であリ、外面１１４で計測された
直径は約１０．３インチ（約２６２ｍｍ）である。８イ
ンチ（約２００ｍｍ）直径のワークピースに使用するた
めの装置１００の好適な実施の形態について計測が行な
われたけれども、これは異なった大きさのものを妨げる
ものではない。特に、同様な装置が１１．８インチ（約
３００ｍｍ）のウエハおよび対応する基板支持チャック
を使用するシステムにおける使用に対して構成すること
もできる。
が用いられる基板支持チャック２０２の形状と大きさに
依存する。一般に、基板支持チャック２０２は、ワーク
ピース、一般に半導体ウエハ（図示せず）との形状に一
致して、平らな円形形状であり、中央体は基板支持チャ
ックより若干小さい。例えば、約８インチ（約２００ｍ
ｍ）の直径を有する基板支持チャックによって支持され
る代表的な８インチ（約２００ｍｍ）直径の半導体ウエ
ハに対しては、中央体の直径は、約７.７インチ(約１９
５.６ｍｍ)である。更に、この例において、内面１１２
において計測された外側体１０４の直径は、約８．４イ
ンチ（約２１３ｍｍ）であリ、外面１１４で計測された
直径は約１０．３インチ（約２６２ｍｍ）である。８イ
ンチ（約２００ｍｍ）直径のワークピースに使用するた
めの装置１００の好適な実施の形態について計測が行な
われたけれども、これは異なった大きさのものを妨げる
ものではない。特に、同様な装置が１１．８インチ（約
３００ｍｍ）のウエハおよび対応する基板支持チャック
を使用するシステムにおける使用に対して構成すること
もできる。
【００１５】図２に示されたように、基板支持チャック
２０２は、一般に基板支持チャック２０２の表面２０４
上で過熱し、冷却し且つ支持するためのアッセンブリ２
０６上に支持される。代わりに、加熱手段は基板支持チ
ャック２０２に内蔵される。表面２０４上にワークピー
スを保持するために、チャックは静電気的に、機械的
に、或いは真空的にワークピースをクランプするための
素子を含む。図面の明瞭性を維持するために、前記加熱
手段や静電気的、機械的或いは真空素子は図示されない
が、それらは容易に知られ、且つ当業者にとって基板支
持体の設計及び製造技術に利用可能である。そたがっ
て。チャック及びその動作の特定の性質は本発明とは無
関係である。
２０２は、一般に基板支持チャック２０２の表面２０４
上で過熱し、冷却し且つ支持するためのアッセンブリ２
０６上に支持される。代わりに、加熱手段は基板支持チ
ャック２０２に内蔵される。表面２０４上にワークピー
スを保持するために、チャックは静電気的に、機械的
に、或いは真空的にワークピースをクランプするための
素子を含む。図面の明瞭性を維持するために、前記加熱
手段や静電気的、機械的或いは真空素子は図示されない
が、それらは容易に知られ、且つ当業者にとって基板支
持体の設計及び製造技術に利用可能である。そたがっ
て。チャック及びその動作の特定の性質は本発明とは無
関係である。
【００１６】ステンシル１００は、それが基板支持チャ
ック２０２の表面２０４上に置かれると、ステンシル１
００の下側表面１１８はチャック２０２の表面によって
支持される。図示された実施の形態において、基板支持
チャック２０２はチャック２０２の中央部分２０１から
半径方向に延びるフランジ２０８を有する。外側体１０
４はこのフランジ２０８の近くに設けられる。特に、外
側体１０４はフランジ２０８の上面２１０と接触する。
このように、外側体１０４はフランジ２０８によって支
持される。カバーリング２１２（ＰＶＤシステム２００
の一部）は外側体１０４に半径方向に隣接して配置され
る。特に、このカバーリング２１２は、基板支持チャッ
ク２０２がウエハスペーシングマスク（即ち、上はスペ
ーシングマスク材料のＰＶＤを行なう）を形成するため
の位置（即ち垂直に上方に上昇される）に運ばれる。基
板支持チャック２０２が加工されると、カバーリング２
１２は、カバーリング２１２から半径方向に外方に配置
されたシールド部材２１４によって保持される。中央体
１０２のスロットによって露出されたままの基板支持チ
ャック２０２の表面２０４は、基板支持チャック２０２
の中央部分２０１の周囲エッジ２１６と一致する。この
ように、堆積材料は、表面２０４、エッチ２１６及びフ
ランジ２０８の上面２１０に付着する。装置１００の２
片構造は、エッジ２１６とフランジ２０８上の堆積物に
接続されるべきチャックの表面２０４上にある堆積物を
可能にする。
ック２０２の表面２０４上に置かれると、ステンシル１
００の下側表面１１８はチャック２０２の表面によって
支持される。図示された実施の形態において、基板支持
チャック２０２はチャック２０２の中央部分２０１から
半径方向に延びるフランジ２０８を有する。外側体１０
４はこのフランジ２０８の近くに設けられる。特に、外
側体１０４はフランジ２０８の上面２１０と接触する。
このように、外側体１０４はフランジ２０８によって支
持される。カバーリング２１２（ＰＶＤシステム２００
の一部）は外側体１０４に半径方向に隣接して配置され
る。特に、このカバーリング２１２は、基板支持チャッ
ク２０２がウエハスペーシングマスク（即ち、上はスペ
ーシングマスク材料のＰＶＤを行なう）を形成するため
の位置（即ち垂直に上方に上昇される）に運ばれる。基
板支持チャック２０２が加工されると、カバーリング２
１２は、カバーリング２１２から半径方向に外方に配置
されたシールド部材２１４によって保持される。中央体
１０２のスロットによって露出されたままの基板支持チ
ャック２０２の表面２０４は、基板支持チャック２０２
の中央部分２０１の周囲エッジ２１６と一致する。この
ように、堆積材料は、表面２０４、エッチ２１６及びフ
ランジ２０８の上面２１０に付着する。装置１００の２
片構造は、エッジ２１６とフランジ２０８上の堆積物に
接続されるべきチャックの表面２０４上にある堆積物を
可能にする。
【００１７】図３は本発明の追加要素の斜視図を示す。
特に、整列ピン支持体３００は第１の端３０４と第２の
端３０６を有するＣ形状体として設けられる。第１の端
３０４は拡張タブ３０８へ移行する。拡張タブ３０８は
Ｃ形状態３０２から内方へ半径方向に伸びる。拡張タブ
３０８は整列ピン支持体３００に対してｘ軸３１０を部
分的に規定する。中央体１０４のｙ軸１３０に対応する
ｙ軸３３０は、ｘ軸３１０に垂直である。整列ピン支持
体３００には、更に少なくとも２つの整列ピン３２０1
と３２０2が設けられる。整列ピン３２０1と３２０2が
は、それぞれ整列ピンボア３１８1と３１８2に設けら
れ、本発明の好適な実施例では、その長さは約１.５イ
ンチ（３８ｍｍ）である。整列ピンボア、従って整列ピ
ンは、支持体３００のｙ軸３３０に関してそれぞれ約＋
６０度と−６０度の角度で整列ピン支持体３００上に設
けられる。
特に、整列ピン支持体３００は第１の端３０４と第２の
端３０６を有するＣ形状体として設けられる。第１の端
３０４は拡張タブ３０８へ移行する。拡張タブ３０８は
Ｃ形状態３０２から内方へ半径方向に伸びる。拡張タブ
３０８は整列ピン支持体３００に対してｘ軸３１０を部
分的に規定する。中央体１０４のｙ軸１３０に対応する
ｙ軸３３０は、ｘ軸３１０に垂直である。整列ピン支持
体３００には、更に少なくとも２つの整列ピン３２０1
と３２０2が設けられる。整列ピン３２０1と３２０2が
は、それぞれ整列ピンボア３１８1と３１８2に設けら
れ、本発明の好適な実施例では、その長さは約１.５イ
ンチ（３８ｍｍ）である。整列ピンボア、従って整列ピ
ンは、支持体３００のｙ軸３３０に関してそれぞれ約＋
６０度と−６０度の角度で整列ピン支持体３００上に設
けられる。
【００１８】再び、図２を参照すると、整列ピン支持体
３００は基板支持チャック２０２の下にもうけられたコ
ネクタ２２０を介してアッセンブリ２０６に接続され
る。特に、コネクタ２２０は、整列ピン支持体３００の
拡張タブ３０８を受入れるように形成された溝体であ
る。このようにして、整列ピン３２０1と３２０2は、基
板支持チャック２０２にある対応ボア２１８を貫通し、
前述の、中央体１０２の対応整列ボア１２０1と１２０2
と連絡する。図２には、一つの整列ピン３２０2、ボア
２１８及び整列ボア１２０2のみが示されていることに
留意されたい。中央体１０２をチャック表面２０４に整
列するために、整列ピンはチャックの表面形状、例えば
整列ボア或いは代わりに裏側のガス分配ポート、リフト
ピンの孔などまで延びている。外側体１０４は、フラン
ジ２０８上に載り、フランジ２０８との同軸整列を確実
にするために、ノッチ又はエッジの延長部（図示せず）
を有している。
３００は基板支持チャック２０２の下にもうけられたコ
ネクタ２２０を介してアッセンブリ２０６に接続され
る。特に、コネクタ２２０は、整列ピン支持体３００の
拡張タブ３０８を受入れるように形成された溝体であ
る。このようにして、整列ピン３２０1と３２０2は、基
板支持チャック２０２にある対応ボア２１８を貫通し、
前述の、中央体１０２の対応整列ボア１２０1と１２０2
と連絡する。図２には、一つの整列ピン３２０2、ボア
２１８及び整列ボア１２０2のみが示されていることに
留意されたい。中央体１０２をチャック表面２０４に整
列するために、整列ピンはチャックの表面形状、例えば
整列ボア或いは代わりに裏側のガス分配ポート、リフト
ピンの孔などまで延びている。外側体１０４は、フラン
ジ２０８上に載り、フランジ２０８との同軸整列を確実
にするために、ノッチ又はエッジの延長部（図示せず）
を有している。
【００１９】ステンシルは、例えば同心円状のリング１
２４のパターンに配列された約２７０個の開口１０８を
有する。各開口１０８は、中央体１０２の上面１１６に
あるカウンターシンクされた孔又はボアの大きな開口を
有するカウンターシンクされた孔、又はボアの形状（漏
斗形状）を有している。各開口は、カウンターシンクさ
れた孔と同軸的に整列され、中央体１０２の底面１１８
に位置されたカウンターボア１２２をも有する。概略的
には、各カウンターシンクされた孔は約０.１６４イン
チ（４.２ｍｍ）の大きな直径、約８２度の角度、及び
約０.０６０インチ（約１.５ｍｍ）の深さを有する。反
対側の各カクンターシンクされた孔は約０.０９０イン
チ（約２.３ｍｍ）の直径と約０.００８インチ（約０.
２ｍｍ）の深さを有するカウンターボアである。開口の
他の多くの大きさ及び配列が利用可能であり、全てのこ
の変更は本発明の範囲内であると考えられる。
２４のパターンに配列された約２７０個の開口１０８を
有する。各開口１０８は、中央体１０２の上面１１６に
あるカウンターシンクされた孔又はボアの大きな開口を
有するカウンターシンクされた孔、又はボアの形状（漏
斗形状）を有している。各開口は、カウンターシンクさ
れた孔と同軸的に整列され、中央体１０２の底面１１８
に位置されたカウンターボア１２２をも有する。概略的
には、各カウンターシンクされた孔は約０.１６４イン
チ（４.２ｍｍ）の大きな直径、約８２度の角度、及び
約０.０６０インチ（約１.５ｍｍ）の深さを有する。反
対側の各カクンターシンクされた孔は約０.０９０イン
チ（約２.３ｍｍ）の直径と約０.００８インチ（約０.
２ｍｍ）の深さを有するカウンターボアである。開口の
他の多くの大きさ及び配列が利用可能であり、全てのこ
の変更は本発明の範囲内であると考えられる。
【００２０】一般に、ステンシル１００の材料はセラミ
ックであり、そして本発明の好適な実施の形態において
は、アルミナである。シリコン、アルミニウムナイトラ
イド、ボロンナイトライド等の他の材料を用いることも
できる。材料の選択は、ステンシルが用いられるシステ
ムの形式に依存する。例えば、ＰＶＤシステムにおいて
は、差熱膨張を最小にし、それらの形状（特に、基板支
持面２０４についての平坦さ）を維持する材料が、ステ
ンシルにとって最も望ましい材料である。ステンシル１
００の材料を選択する場合に考える他のことは、基板支
持チャック２０２の表面２０４上に堆積物を形成するた
めに、システムにおいてスパッタされる材料である。例
えば、チタンでスパッタされるチタンマスクをきれいに
し、再使用することは不可能である。従って、もし、再
利用できるマスクが望ましいならば、そのマスクはスパ
ッタされている材料と異なる材料から作られる必要があ
る。例えば、チタンをスパッタリングするためのにはシ
リコンマスクを使用し、誘電体材料をスパッタリングす
るためには金属マスク、例えばステンレススチール或い
はチタンを使用する。
ックであり、そして本発明の好適な実施の形態において
は、アルミナである。シリコン、アルミニウムナイトラ
イド、ボロンナイトライド等の他の材料を用いることも
できる。材料の選択は、ステンシルが用いられるシステ
ムの形式に依存する。例えば、ＰＶＤシステムにおいて
は、差熱膨張を最小にし、それらの形状（特に、基板支
持面２０４についての平坦さ）を維持する材料が、ステ
ンシルにとって最も望ましい材料である。ステンシル１
００の材料を選択する場合に考える他のことは、基板支
持チャック２０２の表面２０４上に堆積物を形成するた
めに、システムにおいてスパッタされる材料である。例
えば、チタンでスパッタされるチタンマスクをきれいに
し、再使用することは不可能である。従って、もし、再
利用できるマスクが望ましいならば、そのマスクはスパ
ッタされている材料と異なる材料から作られる必要があ
る。例えば、チタンをスパッタリングするためのにはシ
リコンマスクを使用し、誘電体材料をスパッタリングす
るためには金属マスク、例えばステンレススチール或い
はチタンを使用する。
【００２１】基板支持マスク２０２の表面２０４上に堆
積物を形成する方法は、ＰＶＤシステム内で基板支持面
２０４へステンシル１０の配置することから始める。チ
ャック２０２に加えて、ＰＶＤシステム２００は、圧力
制御装置２２６（即ち、真空ポンプ）を含むエンクロー
ジャー２３０（真空チャンバ）、ターゲット２２８及び
チャックの最も近くに堆積を限るための、上述の１以上
のリング２１２及び／又はシールド２１４を有する。Ｐ
ＶＤシステムは、ステンシル及びチャックの露出した支
持面上にターゲット材料のスパッタリンを生じるよう
に、従来の方法で作動される従来のシステムである。堆
積材料は、チャック材料へ結合し、チャック材料と熱的
に匹敵する材料である。例えば、セラミックチャックに
対しては、堆積材料は、ボロンナイトライド、ダイヤモ
ンド、酸化物、例えばアルミニウムの酸化物、及び金
属、例えばチタンを含む。一般に、材料のパターン化さ
れた堆積のためのこの技術は、リフトオフ堆積(lift-of
f deposition)として知られている。
積物を形成する方法は、ＰＶＤシステム内で基板支持面
２０４へステンシル１０の配置することから始める。チ
ャック２０２に加えて、ＰＶＤシステム２００は、圧力
制御装置２２６（即ち、真空ポンプ）を含むエンクロー
ジャー２３０（真空チャンバ）、ターゲット２２８及び
チャックの最も近くに堆積を限るための、上述の１以上
のリング２１２及び／又はシールド２１４を有する。Ｐ
ＶＤシステムは、ステンシル及びチャックの露出した支
持面上にターゲット材料のスパッタリンを生じるよう
に、従来の方法で作動される従来のシステムである。堆
積材料は、チャック材料へ結合し、チャック材料と熱的
に匹敵する材料である。例えば、セラミックチャックに
対しては、堆積材料は、ボロンナイトライド、ダイヤモ
ンド、酸化物、例えばアルミニウムの酸化物、及び金
属、例えばチタンを含む。一般に、材料のパターン化さ
れた堆積のためのこの技術は、リフトオフ堆積(lift-of
f deposition)として知られている。
【００２２】充分なウエハ支持マスクを作るために、ス
テンシル１００が基板支持チャックの表面３０４上に配
置されている間にＰＶＤシステムは基板支持チャック２
０２上に材料の約１ミクロンの層を堆積する。堆積材料
は、ステンシルの開口をとおして基板支持チャックの表
面上に通過する。更に、絶縁体が先ず堆積され、そして
導体がその上に堆積されるように、材料の第２の層が、
第１の層上に堆積される。いろいろな材料を有するあら
ゆる層が本発明のステンシルを用いて堆積される。この
堆積に続いて、ＰＶＤシステムのエンクロージャーの上
部をとおして表面から除去されることができるように、
ターゲットがチャンバから除去される。その結果、表面
２０４、エッジ２１６及びフランジ表面２１０の上部に
堆積材料のパターンが得られる。
テンシル１００が基板支持チャックの表面３０４上に配
置されている間にＰＶＤシステムは基板支持チャック２
０２上に材料の約１ミクロンの層を堆積する。堆積材料
は、ステンシルの開口をとおして基板支持チャックの表
面上に通過する。更に、絶縁体が先ず堆積され、そして
導体がその上に堆積されるように、材料の第２の層が、
第１の層上に堆積される。いろいろな材料を有するあら
ゆる層が本発明のステンシルを用いて堆積される。この
堆積に続いて、ＰＶＤシステムのエンクロージャーの上
部をとおして表面から除去されることができるように、
ターゲットがチャンバから除去される。その結果、表面
２０４、エッジ２１６及びフランジ表面２１０の上部に
堆積材料のパターンが得られる。
【００２３】カウンターシンクされた孔及びカウンター
ボアの組合せによって、堆積プロセス中に材料の一様な
堆積が保証される。特に、図４は基板支持チャック２０
２の表面上に生じたターゲット材料の堆積物４００の垂
直断面図を示す。カウンターボアはステンシルが堆積さ
れた材料へくっつくのを妨げ、凸面（ドーム状）を有す
る材料の堆積を与える。また、カウンターシンクされた
開口は、広い開口を与えることによって堆積速度を増加
し、堆積材料の粒子に対する軌道アングルの広い範囲に
材料の堆積を可能にする。ステンシル１００における複
数のこれらの堆積４００は複数の開口１０８とスロット
１０６の結果として表面２０４上に形成されることが容
易に分かる。従って、複数のこのような堆積物４００を
有するウエハスペーシングマスクを、比較的早く、高い
反復可能な方法で非常に多くの基板支持チャック上に形
成することができる。
ボアの組合せによって、堆積プロセス中に材料の一様な
堆積が保証される。特に、図４は基板支持チャック２０
２の表面上に生じたターゲット材料の堆積物４００の垂
直断面図を示す。カウンターボアはステンシルが堆積さ
れた材料へくっつくのを妨げ、凸面（ドーム状）を有す
る材料の堆積を与える。また、カウンターシンクされた
開口は、広い開口を与えることによって堆積速度を増加
し、堆積材料の粒子に対する軌道アングルの広い範囲に
材料の堆積を可能にする。ステンシル１００における複
数のこれらの堆積４００は複数の開口１０８とスロット
１０６の結果として表面２０４上に形成されることが容
易に分かる。従って、複数のこのような堆積物４００を
有するウエハスペーシングマスクを、比較的早く、高い
反復可能な方法で非常に多くの基板支持チャック上に形
成することができる。
【００２４】本発明の教示を含むいろいろな実施の形態
が示され、詳細に説明されたけれども、この分野の当業
者はこれらの教示を含む他の多くの変形された実施の形
態を容易に考えることができる。
が示され、詳細に説明されたけれども、この分野の当業
者はこれらの教示を含む他の多くの変形された実施の形
態を容易に考えることができる。
【図１】本発明のステンシルの斜視図を示す。
【図２】物理気相堆積システム内の基板支持チャックの
表面上に配置されたステンシルの断面図を示す。
表面上に配置されたステンシルの断面図を示す。
【図３】本発明の整列ピン支持体の斜視図を示す。
【図４】基板支持チャックの表面上のターゲット材料の
堆積の垂直断面図を示す。
堆積の垂直断面図を示す。
Claims (17)
- 【請求項１】基板支持チャック上にウエハスペーシング
マスクを作る装置であって、 前記基板支持チャックは支持面と前記支持面の外方へ半
径方向に伸びるフランジを有し、 前記装置は、前記支持面上に設けられた中央体、及び前
記フランジ上に設けられた外側体を有することを特徴と
する装置。 - 【請求項２】前記中央体は、更にそこに設けられた複数
の開口と前記中央体の周囲の周りに設けられた複数のス
ロットを有することを特徴とする請求項１に記載の装
置。 - 【請求項３】前記複数の開口は２７０個あり、同心円状
のリングのパターンとして配列され、且つ前記複数のス
ロットは９個であることを特徴とする請求項２に記載の
装置。 - 【請求項４】前記外側体はリング形状であることを特徴
とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項５】前記中央体と前記外側体は同じ材料から作
られていることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項６】前記材料は、セラミック、シリコン、アル
ミニウムナイトライド、及びボロンナイトライドから成
るグループから選択されることを特徴とする請求項５に
記載の装置。 - 【請求項７】前記材料はセラミック、アルミナであるこ
とを特徴とする請求項６に記載の装置。 - 【請求項８】さらに、中央体の下に設けられた整列ピン
支持体を有することを特徴とする請求項１に記載の装
置。 - 【請求項９】整列ピン支持体は、そこから上方へ突出す
る少なくとも２つの整列ピンを有することを特徴とする
請求項８に記載の装置。 - 【請求項１０】前記少なくとも２つの整列ピンは、中央
体に設けられた対応する数の整列ボアと連絡することを
特徴とする請求項９に記載の装置。 - 【請求項１１】前記少なくとも２つの整列ピンは、整列
ピン支持体のｙ軸についてそれぞれ＋６０度と−６０度
の角度に設けられていることを特徴とする請求項９に記
載の装置。 - 【請求項１２】前記整列ピン支持体は第１の端と第２の
端を有するＣ形状体であり、前記第１の端は拡張タブに
移行することを特徴とする請求項８に記載の装置。 - 【請求項１３】前記拡張タブはチャンバアッセンブリの
コネクタに受け入れられることを特徴とする請求項１２
に記載の装置。 - 【請求項１４】ウエハスペーシングマスクを製造する方
法であって、 ワークピース支持チャックの支持面上に開口のパターン
を有しているプレートを配置するステップ、 前記ワークピース支持チャックの支持面上に堆積物を形
成するために、前記プレートへ前記開口をとおして材料
を堆積するステップ、及び前記プレートを除去し、前記
ワークピース支持チャックの支持面上の材料の前記堆積
を残して、ウエハスペーシングマスクを形成するするス
テップ。を有することを特徴とする方法。 - 【請求項１５】前記プレートは、その周囲に設けられた
複数のスロットを有し、且つ前記堆積するステップは、
更に前記ワークピース支持チャックから半径方向に伸び
るフランジヘ前記スロットをとおして材料を堆積するス
テップを有することを特徴とする請求項１４に記載の方
法。 - 【請求項１６】前記堆積するステップは、更に物理気相
堆積プロセスを用いて、材料を堆積するステップを有す
ることを特徴とする請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１７】前記材料はチタンであることを特徴とす
る請求項１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/268101 | 1999-03-13 | ||
| US09/268,101 US6258227B1 (en) | 1999-03-13 | 1999-03-13 | Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001020058A true JP2001020058A (ja) | 2001-01-23 |
Family
ID=23021480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000115911A Withdrawn JP2001020058A (ja) | 1999-03-13 | 2000-03-13 | 基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作るための装置及び方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6258227B1 (ja) |
| EP (1) | EP1036858A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001020058A (ja) |
| KR (1) | KR20000062849A (ja) |
| TW (1) | TW466666B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160126130A (ko) * | 2015-04-22 | 2016-11-02 | 주식회사 엘케이엔지니어링 | 정전 척 리페어 방법 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6443059B1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-09-03 | Apack Technologies Inc. | Solder screen printing process |
| FR2831892B1 (fr) * | 2001-11-06 | 2004-02-06 | Snecma Moteurs | Procede de realisation d'un revetement continu a la surface d'une piece |
| US6821348B2 (en) | 2002-02-14 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | In-line deposition processes for circuit fabrication |
| US20030151118A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Aperture masks for circuit fabrication |
| EP1458019A3 (de) * | 2003-03-13 | 2005-12-28 | VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung | Mobiler transportabler elektrostatischer Substrathalter |
| US7075771B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-07-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and methods for compensating plasma sheath non-uniformities at the substrate in a plasma processing system |
| US20050092255A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Edge-contact wafer holder for CMP load/unload station |
| WO2007110937A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Tohoku Seiki Industries, Ltd. | スパッタリング装置および薄膜成膜方法 |
| US8353259B2 (en) * | 2007-08-24 | 2013-01-15 | United Technologies Corporation | Masking fixture for a coating process |
| KR100873153B1 (ko) | 2007-10-05 | 2008-12-10 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 |
| KR101160172B1 (ko) | 2008-11-26 | 2012-06-28 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 |
| KR101426202B1 (ko) | 2013-05-24 | 2014-08-01 | 김민호 | 패드를 가진 정전척 및 그 제조방법 |
| US9129899B2 (en) * | 2013-07-17 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for thinning wafer thereof |
| KR101488148B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2015-01-29 | 주식회사 에프엔에스 | 정전척 제조를 위한 마스크 및 이를 이용한 정전척의 제조방법 |
| US10020218B2 (en) * | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2779950B2 (ja) | 1989-04-25 | 1998-07-23 | 東陶機器株式会社 | 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 |
| US5656093A (en) | 1996-03-08 | 1997-08-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same |
| US5863396A (en) | 1996-10-25 | 1999-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck |
| US5841624A (en) * | 1997-06-09 | 1998-11-24 | Applied Materials, Inc. | Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same |
-
1999
- 1999-03-13 US US09/268,101 patent/US6258227B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-10 EP EP00104505A patent/EP1036858A1/en not_active Withdrawn
- 2000-03-10 TW TW089104451A patent/TW466666B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-13 JP JP2000115911A patent/JP2001020058A/ja not_active Withdrawn
- 2000-03-13 KR KR1020000012413A patent/KR20000062849A/ko not_active Application Discontinuation
-
2001
- 2001-06-12 US US09/881,317 patent/US20010030124A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160126130A (ko) * | 2015-04-22 | 2016-11-02 | 주식회사 엘케이엔지니어링 | 정전 척 리페어 방법 |
| KR101712415B1 (ko) * | 2015-04-22 | 2017-03-07 | 주식회사 엘케이엔지니어링 | 정전 척 리페어 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW466666B (en) | 2001-12-01 |
| US20010030124A1 (en) | 2001-10-18 |
| US6258227B1 (en) | 2001-07-10 |
| EP1036858A1 (en) | 2000-09-20 |
| KR20000062849A (ko) | 2000-10-25 |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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