JP2001020058A - 基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作るための装置及び方法 - Google Patents

基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作るための装置及び方法

Info

Publication number
JP2001020058A
JP2001020058A JP2000115911A JP2000115911A JP2001020058A JP 2001020058 A JP2001020058 A JP 2001020058A JP 2000115911 A JP2000115911 A JP 2000115911A JP 2000115911 A JP2000115911 A JP 2000115911A JP 2001020058 A JP2001020058 A JP 2001020058A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck
support
central body
depositing
substrate support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000115911A
Other languages
English (en)
Inventor
Allan Flanigan
フラニガン アレン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2001020058A publication Critical patent/JP2001020058A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワークピース支持チャック上にウエハスペー
シングマスクを作る装置及び方法を提供すること。 【解決手段】 この装置100は、ワークピース支持チ
ャック202の上部に配置された、複数の開口108を
有する中央体102と前記ワークピース支持チャック2
02のフランジ208上に位置される外側リング形状体
104であり、一方材料は開口へそして開口108をと
おしてチャック202上に堆積される。堆積プロセスが
完了すると、中央体とリング形状体は、材料の堆積を残
してワークピース支持チャックから除去され、ウエハス
ペーシングマスクを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、物理気相堆積(P
VD)システムにおける材料の堆積を制御するために使
用されるスパッタマスク又はステンシルに関する。特
に、本発明は、ウエハスペーシングマスクを製造するた
めにPVDを使用して、基板支持チャックの表面上にタ
ーゲット材料の正確な堆積をするための方法及び装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】基板支持チャックは、半導体処理システ
ム内で基板を支持するために広く用いられている。特別
な形式のチャックは、高温の物理気相堆積(PVD)の
ような高温の半導体処理システムにおいて用いられるセ
ラミックの静電チャックである。これらのチャックは、
処理中に静止位置に半導体や他のワークビースを保持す
るために用いられる。これらの静電チャックは、セラミ
ックのチャック体内に埋め込まれた1以上の電極を含
む。セラミック材料は、ニ酸化チタン(TiO2)また
は同様な抵抗特性を有する他のセラミック材料のような
金属酸化物でドープされたアルミニウムナイトライドま
たはアルミナが一般的である。このセラミックの形態は
高温で部分的に導電性である。
【0003】セラミックの静電チャックの従来の使用で
は、ウエハは、チャック電圧が電極に加えられるにした
がって、チャック体の表面に対して平に載置する。高温
におけるセラミック材料の導電性性質のために、ウエハ
は、ジョンセン−ラーベック効果(Johnsen-Rahbek effe
ct)によって、セラミックの支持面に対して保持され
る。このようなチャックは1992年5月26に発行さ
れた米国特許第5,117,121号明細書に開示されている。
【0004】セラミックから作られたチャック体の欠点
の一つは、支持体の製造中に、セラミック材料が比較的
滑らかな表面を作るために“ラップ”されることであ
る。このようなラッピングは支持体の表面に付着する粒
子を生成する。これらの粒子は、表面から完全に取り除
くのが非常に困難である。ラッピング処理は、又チャッ
クタイの表面を破面するかもしれない。結果的に、チャ
ックが用いられるに従って、粒子がこれらの破面によっ
て連続的に生成される。更に、ウエハの処理中に、セラ
ミック材料はウエハの下面上の酸化物のコーティング又
は層をすり減らし、プロセス環境へ粒子汚染を導くよう
になる。チャックの使用中に、粒子は、それ自身ウエハ
の下面へ付着して他のプロセスチャンバへ運ばれ、ある
いはウエハ上に作られる回路の欠陥を生じる。セラミッ
ク静電チャック上に保持の後、数万の汚染粒子が与えら
れたウエハの後側に付着することが分かった。
【0005】同様に、低温度処理(例えば、300℃以
下)に用いられる基板支持チャックもウエハ処理を妨げ
る汚染粒子を生成する。このような低温チャックは、ア
ルミナのような誘電体物質から一般に作られるウエハ支
持体の表面を含む静電チャック、及び機械的にクランプ
するチャックを含む。これらの形式のチャックも処理中
にウエハの下側に付着する、使用中に粒子汚染を生成す
ることが分かった。
【0006】基板の支持チャックに接触するワークピー
ス基板に関連した欠点を克服するために、ウエハスペー
シングマスクが基板支持チャックの表面上に堆積され
る。このようなウエハスペーシングマスクは、Burkhart
他に付与され、1997年8月12に発行され、レファ
レンスによってここに含まれる米国特許第5,656,093号
明細書に開示されている。チャック体の支持表面上に堆
積された材料、即ちウエハスペーシングマスクは、例え
ばチタン、チタンナイトライド、ステンレススチールな
どの金属である。優れた接触特性を有する導電体、絶縁
体、および半導体を含む他の材料がスペーシングマスク
を作るために用いられてもよい。更に、マスクは、材料
の組合せ、例えば絶縁層などによって支持された金属性
の層を有してもよい。この材料は、チャックに面したウ
エハの面が間隔を開けられ、チャックの面に実質的に平
行であるように半導体ウエハを支持する。基板支持体の
表面上に堆積されたウエハスペーシングマスクパターン
を用いることができるけれども、通常、この材料は複数
のパッドを形成するために堆積される。従って、ウエハ
スペーシングマスクはウエハの下側に付着する汚染粒子
の量を減少する。今までは、このようなウエハスペーシ
ングマスクを作るための反復可能な技術は利用できなか
った。
【0007】
【発明の概要】これまでの従来技術に関連した欠点は、
基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作る
ための方法及び装置によって克服される。特に、本発明
は、基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを
形成するために、堆積プロセスに用いられたスパッタマ
スク又はステンシルである。
【0008】このステンシルは、基板支持チャックの支
持面上に設けられた中央体と支持面の放射状の外方向の
フランジ上に設けられた外側体を有する。中央体は、そ
こに設けられた同心リングのパターンとして配列された
複数の開口、好ましくは270個とその周囲に設けられ
た複数のスロット、好ましくは9個を有する。これらの
開口は、材料が基板支持体の中央体と露出された面上に
堆積されるようにする。外側体は、リング上に形成さ
れ、それと中央体の両方は、セラミック、シリコン、ア
ルミニウムナイトライド(窒化アルミニウム)及びボロ
ンナイトライド(窒化ホウ素)のような同じ材料から作
られる。
【0009】装置の他の特徴は、この中央体の下に設け
られた整列ピンの支持体である。この整列ピンの支持体
は、ステンシルが支持面に正しく向けられるように中央
体に設けられた対応するの数の整列ボアと連絡するそこ
から上方に突出している少なくとも2つの整列ピンを有
している。好適には、整列ピンは、整列ピンの支持体の
y軸に関してそれぞれ+60度と−60度の角度に設け
られる。この整列ピンの支持体は、第1と第2の終端を
有するC形状であリ、第1の終端は、拡張タブへ移行す
る。この拡張タブは、装置が支持面に関して向けられて
繰返して位置されるように、チャンバアッセンブリのコ
ネクタに受けられている。
【0010】基板支持チャックの支持面上にウエハスペ
ーシングマスクを製造する方法は、ステンシルを用いて
支持面をマスクすることによって達成される。特に、こ
の方法は、ワークピースの指示チャックの支持面上に開
口のパターンを有するプレートを配置するステップ;ワ
ークピースの支持チャックの支持面上に堆積を形成する
ために、プレート上に前記開口を通して材料を堆積する
ステップ;及び前記プレートを除去し、前記ワークピー
スの前記支持面上に前記材料の堆積を残して、ウエハス
ペーシングマスクを形成するステプを有する。このプレ
ートは、その周囲に設けられた複数のスロットを有し、
更に、堆積するステップは、スロットを通して、且つワ
ークピースの支持チャックから放射状に広がるフランジ
ヘ材料を堆積するステップを有する。好適には、支持面
上にチタンのような材料を堆積するために、物理気相堆
積プロセスが用いられる。
【0011】
【発明の実施の形態】図面をとおして、理解を容易にす
るために、同じ参照番号は、可能な限り図面に共通の同
一の素子を示すために用いられる。
【0012】図1は本発明によるスパッタマスク又はス
テンシル100の斜視図を示す。本発明の使用を概略示
すために、図2は物理気相堆積(PVD)システム20
0内の基板支持チャック202の表面204上に配置さ
れた、図1の装置の垂直断面図を示す。図2の断面図は
簡略化されており、特徴が詳細に示されるように縮尺さ
れていない。本発明を最もよく理解するために、読者
は、以下の開示を読みながら、図1と図2の両方を同じ
に参照する必要がある。
【0013】特に、ステンシル100は第1の中央体1
02と第1の中央体の外方に設けられた第2の外側体1
04を有する。好ましくは、中央体102はプレート状
に形成され、外側体104はリング状に形成される。外
側体104は内面112と外面114を有している。中
央体102は、更に中央体102の周囲110の周りに
設けられた複数のスロット106を有する。更に、中央
体102はそこに設けられた複数の開口108を有す
る。これらの開口108は、上側表面116から下側表
面118へ中央体102を完全に貫通している。中央体
は、更に少なくとも2つの整列ボア1201と1202
有する。これらの整列ボアは、周囲110近くに、中央
体102のy軸130に関してそれぞれ約+60度と−
60度の角度に設けられるのが好ましい。これらのボア
は以下に詳細に説明される。本発明の好適な実施の形態
においては、周囲110の周りに等しい間隔に設けられ
た9個のスロットと270個の開口がある。本発明の他
の実施の形態においては、384個の開口がある。
【0014】ステンシルの特定の形状と大きさは、それ
が用いられる基板支持チャック202の形状と大きさに
依存する。一般に、基板支持チャック202は、ワーク
ピース、一般に半導体ウエハ(図示せず)との形状に一
致して、平らな円形形状であり、中央体は基板支持チャ
ックより若干小さい。例えば、約8インチ(約200m
m)の直径を有する基板支持チャックによって支持され
る代表的な8インチ(約200mm)直径の半導体ウエ
ハに対しては、中央体の直径は、約7.7インチ(約19
5.6mm)である。更に、この例において、内面112
において計測された外側体104の直径は、約8.4イ
ンチ(約213mm)であリ、外面114で計測された
直径は約10.3インチ(約262mm)である。8イ
ンチ(約200mm)直径のワークピースに使用するた
めの装置100の好適な実施の形態について計測が行な
われたけれども、これは異なった大きさのものを妨げる
ものではない。特に、同様な装置が11.8インチ(約
300mm)のウエハおよび対応する基板支持チャック
を使用するシステムにおける使用に対して構成すること
もできる。
【0015】図2に示されたように、基板支持チャック
202は、一般に基板支持チャック202の表面204
上で過熱し、冷却し且つ支持するためのアッセンブリ2
06上に支持される。代わりに、加熱手段は基板支持チ
ャック202に内蔵される。表面204上にワークピー
スを保持するために、チャックは静電気的に、機械的
に、或いは真空的にワークピースをクランプするための
素子を含む。図面の明瞭性を維持するために、前記加熱
手段や静電気的、機械的或いは真空素子は図示されない
が、それらは容易に知られ、且つ当業者にとって基板支
持体の設計及び製造技術に利用可能である。そたがっ
て。チャック及びその動作の特定の性質は本発明とは無
関係である。
【0016】ステンシル100は、それが基板支持チャ
ック202の表面204上に置かれると、ステンシル1
00の下側表面118はチャック202の表面によって
支持される。図示された実施の形態において、基板支持
チャック202はチャック202の中央部分201から
半径方向に延びるフランジ208を有する。外側体10
4はこのフランジ208の近くに設けられる。特に、外
側体104はフランジ208の上面210と接触する。
このように、外側体104はフランジ208によって支
持される。カバーリング212(PVDシステム200
の一部)は外側体104に半径方向に隣接して配置され
る。特に、このカバーリング212は、基板支持チャッ
ク202がウエハスペーシングマスク(即ち、上はスペ
ーシングマスク材料のPVDを行なう)を形成するため
の位置(即ち垂直に上方に上昇される)に運ばれる。基
板支持チャック202が加工されると、カバーリング2
12は、カバーリング212から半径方向に外方に配置
されたシールド部材214によって保持される。中央体
102のスロットによって露出されたままの基板支持チ
ャック202の表面204は、基板支持チャック202
の中央部分201の周囲エッジ216と一致する。この
ように、堆積材料は、表面204、エッチ216及びフ
ランジ208の上面210に付着する。装置100の2
片構造は、エッジ216とフランジ208上の堆積物に
接続されるべきチャックの表面204上にある堆積物を
可能にする。
【0017】図3は本発明の追加要素の斜視図を示す。
特に、整列ピン支持体300は第1の端304と第2の
端306を有するC形状体として設けられる。第1の端
304は拡張タブ308へ移行する。拡張タブ308は
C形状態302から内方へ半径方向に伸びる。拡張タブ
308は整列ピン支持体300に対してx軸310を部
分的に規定する。中央体104のy軸130に対応する
y軸330は、x軸310に垂直である。整列ピン支持
体300には、更に少なくとも2つの整列ピン3201
と3202が設けられる。整列ピン3201と3202
は、それぞれ整列ピンボア3181と3182に設けら
れ、本発明の好適な実施例では、その長さは約1.5イ
ンチ(38mm)である。整列ピンボア、従って整列ピ
ンは、支持体300のy軸330に関してそれぞれ約+
60度と−60度の角度で整列ピン支持体300上に設
けられる。
【0018】再び、図2を参照すると、整列ピン支持体
300は基板支持チャック202の下にもうけられたコ
ネクタ220を介してアッセンブリ206に接続され
る。特に、コネクタ220は、整列ピン支持体300の
拡張タブ308を受入れるように形成された溝体であ
る。このようにして、整列ピン3201と3202は、基
板支持チャック202にある対応ボア218を貫通し、
前述の、中央体102の対応整列ボア1201と1202
と連絡する。図2には、一つの整列ピン3202、ボア
218及び整列ボア1202のみが示されていることに
留意されたい。中央体102をチャック表面204に整
列するために、整列ピンはチャックの表面形状、例えば
整列ボア或いは代わりに裏側のガス分配ポート、リフト
ピンの孔などまで延びている。外側体104は、フラン
ジ208上に載り、フランジ208との同軸整列を確実
にするために、ノッチ又はエッジの延長部(図示せず)
を有している。
【0019】ステンシルは、例えば同心円状のリング1
24のパターンに配列された約270個の開口108を
有する。各開口108は、中央体102の上面116に
あるカウンターシンクされた孔又はボアの大きな開口を
有するカウンターシンクされた孔、又はボアの形状(漏
斗形状)を有している。各開口は、カウンターシンクさ
れた孔と同軸的に整列され、中央体102の底面118
に位置されたカウンターボア122をも有する。概略的
には、各カウンターシンクされた孔は約0.164イン
チ(4.2mm)の大きな直径、約82度の角度、及び
約0.060インチ(約1.5mm)の深さを有する。反
対側の各カクンターシンクされた孔は約0.090イン
チ(約2.3mm)の直径と約0.008インチ(約0.
2mm)の深さを有するカウンターボアである。開口の
他の多くの大きさ及び配列が利用可能であり、全てのこ
の変更は本発明の範囲内であると考えられる。
【0020】一般に、ステンシル100の材料はセラミ
ックであり、そして本発明の好適な実施の形態において
は、アルミナである。シリコン、アルミニウムナイトラ
イド、ボロンナイトライド等の他の材料を用いることも
できる。材料の選択は、ステンシルが用いられるシステ
ムの形式に依存する。例えば、PVDシステムにおいて
は、差熱膨張を最小にし、それらの形状(特に、基板支
持面204についての平坦さ)を維持する材料が、ステ
ンシルにとって最も望ましい材料である。ステンシル1
00の材料を選択する場合に考える他のことは、基板支
持チャック202の表面204上に堆積物を形成するた
めに、システムにおいてスパッタされる材料である。例
えば、チタンでスパッタされるチタンマスクをきれいに
し、再使用することは不可能である。従って、もし、再
利用できるマスクが望ましいならば、そのマスクはスパ
ッタされている材料と異なる材料から作られる必要があ
る。例えば、チタンをスパッタリングするためのにはシ
リコンマスクを使用し、誘電体材料をスパッタリングす
るためには金属マスク、例えばステンレススチール或い
はチタンを使用する。
【0021】基板支持マスク202の表面204上に堆
積物を形成する方法は、PVDシステム内で基板支持面
204へステンシル10の配置することから始める。チ
ャック202に加えて、PVDシステム200は、圧力
制御装置226(即ち、真空ポンプ)を含むエンクロー
ジャー230(真空チャンバ)、ターゲット228及び
チャックの最も近くに堆積を限るための、上述の1以上
のリング212及び/又はシールド214を有する。P
VDシステムは、ステンシル及びチャックの露出した支
持面上にターゲット材料のスパッタリンを生じるよう
に、従来の方法で作動される従来のシステムである。堆
積材料は、チャック材料へ結合し、チャック材料と熱的
に匹敵する材料である。例えば、セラミックチャックに
対しては、堆積材料は、ボロンナイトライド、ダイヤモ
ンド、酸化物、例えばアルミニウムの酸化物、及び金
属、例えばチタンを含む。一般に、材料のパターン化さ
れた堆積のためのこの技術は、リフトオフ堆積(lift-of
f deposition)として知られている。
【0022】充分なウエハ支持マスクを作るために、ス
テンシル100が基板支持チャックの表面304上に配
置されている間にPVDシステムは基板支持チャック2
02上に材料の約1ミクロンの層を堆積する。堆積材料
は、ステンシルの開口をとおして基板支持チャックの表
面上に通過する。更に、絶縁体が先ず堆積され、そして
導体がその上に堆積されるように、材料の第2の層が、
第1の層上に堆積される。いろいろな材料を有するあら
ゆる層が本発明のステンシルを用いて堆積される。この
堆積に続いて、PVDシステムのエンクロージャーの上
部をとおして表面から除去されることができるように、
ターゲットがチャンバから除去される。その結果、表面
204、エッジ216及びフランジ表面210の上部に
堆積材料のパターンが得られる。
【0023】カウンターシンクされた孔及びカウンター
ボアの組合せによって、堆積プロセス中に材料の一様な
堆積が保証される。特に、図4は基板支持チャック20
2の表面上に生じたターゲット材料の堆積物400の垂
直断面図を示す。カウンターボアはステンシルが堆積さ
れた材料へくっつくのを妨げ、凸面(ドーム状)を有す
る材料の堆積を与える。また、カウンターシンクされた
開口は、広い開口を与えることによって堆積速度を増加
し、堆積材料の粒子に対する軌道アングルの広い範囲に
材料の堆積を可能にする。ステンシル100における複
数のこれらの堆積400は複数の開口108とスロット
106の結果として表面204上に形成されることが容
易に分かる。従って、複数のこのような堆積物400を
有するウエハスペーシングマスクを、比較的早く、高い
反復可能な方法で非常に多くの基板支持チャック上に形
成することができる。
【0024】本発明の教示を含むいろいろな実施の形態
が示され、詳細に説明されたけれども、この分野の当業
者はこれらの教示を含む他の多くの変形された実施の形
態を容易に考えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のステンシルの斜視図を示す。
【図2】物理気相堆積システム内の基板支持チャックの
表面上に配置されたステンシルの断面図を示す。
【図3】本発明の整列ピン支持体の斜視図を示す。
【図4】基板支持チャックの表面上のターゲット材料の
堆積の垂直断面図を示す。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板支持チャック上にウエハスペーシング
    マスクを作る装置であって、 前記基板支持チャックは支持面と前記支持面の外方へ半
    径方向に伸びるフランジを有し、 前記装置は、前記支持面上に設けられた中央体、及び前
    記フランジ上に設けられた外側体を有することを特徴と
    する装置。
  2. 【請求項2】前記中央体は、更にそこに設けられた複数
    の開口と前記中央体の周囲の周りに設けられた複数のス
    ロットを有することを特徴とする請求項1に記載の装
    置。
  3. 【請求項3】前記複数の開口は270個あり、同心円状
    のリングのパターンとして配列され、且つ前記複数のス
    ロットは9個であることを特徴とする請求項2に記載の
    装置。
  4. 【請求項4】前記外側体はリング形状であることを特徴
    とする請求項1に記載の装置。
  5. 【請求項5】前記中央体と前記外側体は同じ材料から作
    られていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  6. 【請求項6】前記材料は、セラミック、シリコン、アル
    ミニウムナイトライド、及びボロンナイトライドから成
    るグループから選択されることを特徴とする請求項5に
    記載の装置。
  7. 【請求項7】前記材料はセラミック、アルミナであるこ
    とを特徴とする請求項6に記載の装置。
  8. 【請求項8】さらに、中央体の下に設けられた整列ピン
    支持体を有することを特徴とする請求項1に記載の装
    置。
  9. 【請求項9】整列ピン支持体は、そこから上方へ突出す
    る少なくとも2つの整列ピンを有することを特徴とする
    請求項8に記載の装置。
  10. 【請求項10】前記少なくとも2つの整列ピンは、中央
    体に設けられた対応する数の整列ボアと連絡することを
    特徴とする請求項9に記載の装置。
  11. 【請求項11】前記少なくとも2つの整列ピンは、整列
    ピン支持体のy軸についてそれぞれ+60度と−60度
    の角度に設けられていることを特徴とする請求項9に記
    載の装置。
  12. 【請求項12】前記整列ピン支持体は第1の端と第2の
    端を有するC形状体であり、前記第1の端は拡張タブに
    移行することを特徴とする請求項8に記載の装置。
  13. 【請求項13】前記拡張タブはチャンバアッセンブリの
    コネクタに受け入れられることを特徴とする請求項12
    に記載の装置。
  14. 【請求項14】ウエハスペーシングマスクを製造する方
    法であって、 ワークピース支持チャックの支持面上に開口のパターン
    を有しているプレートを配置するステップ、 前記ワークピース支持チャックの支持面上に堆積物を形
    成するために、前記プレートへ前記開口をとおして材料
    を堆積するステップ、及び前記プレートを除去し、前記
    ワークピース支持チャックの支持面上の材料の前記堆積
    を残して、ウエハスペーシングマスクを形成するするス
    テップ。を有することを特徴とする方法。
  15. 【請求項15】前記プレートは、その周囲に設けられた
    複数のスロットを有し、且つ前記堆積するステップは、
    更に前記ワークピース支持チャックから半径方向に伸び
    るフランジヘ前記スロットをとおして材料を堆積するス
    テップを有することを特徴とする請求項14に記載の方
    法。
  16. 【請求項16】前記堆積するステップは、更に物理気相
    堆積プロセスを用いて、材料を堆積するステップを有す
    ることを特徴とする請求項14に記載の方法。
  17. 【請求項17】前記材料はチタンであることを特徴とす
    る請求項14に記載の方法。
JP2000115911A 1999-03-13 2000-03-13 基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作るための装置及び方法 Withdrawn JP2001020058A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/268,101 US6258227B1 (en) 1999-03-13 1999-03-13 Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US09/268101 1999-03-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001020058A true JP2001020058A (ja) 2001-01-23

Family

ID=23021480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000115911A Withdrawn JP2001020058A (ja) 1999-03-13 2000-03-13 基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作るための装置及び方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6258227B1 (ja)
EP (1) EP1036858A1 (ja)
JP (1) JP2001020058A (ja)
KR (1) KR20000062849A (ja)
TW (1) TW466666B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126130A (ko) * 2015-04-22 2016-11-02 주식회사 엘케이엔지니어링 정전 척 리페어 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6443059B1 (en) * 2001-02-07 2002-09-03 Apack Technologies Inc. Solder screen printing process
FR2831892B1 (fr) * 2001-11-06 2004-02-06 Snecma Moteurs Procede de realisation d'un revetement continu a la surface d'une piece
US20030151118A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US6821348B2 (en) 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
EP1458019A3 (de) * 2003-03-13 2005-12-28 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Mobiler transportabler elektrostatischer Substrathalter
US7075771B2 (en) * 2003-05-21 2006-07-11 Tokyo Electron Limited Apparatus and methods for compensating plasma sheath non-uniformities at the substrate in a plasma processing system
US20050092255A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Edge-contact wafer holder for CMP load/unload station
US8591706B2 (en) * 2006-03-28 2013-11-26 Tohoku Seiki Industries, Ltd. Sputtering system and method for depositing thin film
US8353259B2 (en) * 2007-08-24 2013-01-15 United Technologies Corporation Masking fixture for a coating process
KR100873153B1 (ko) * 2007-10-05 2008-12-10 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR101160172B1 (ko) 2008-11-26 2012-06-28 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR101426202B1 (ko) 2013-05-24 2014-08-01 김민호 패드를 가진 정전척 및 그 제조방법
US9129899B2 (en) * 2013-07-17 2015-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for thinning wafer thereof
KR101488148B1 (ko) * 2013-09-30 2015-01-29 주식회사 에프엔에스 정전척 제조를 위한 마스크 및 이를 이용한 정전척의 제조방법
US10020218B2 (en) * 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2779950B2 (ja) 1989-04-25 1998-07-23 東陶機器株式会社 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置
US5656093A (en) 1996-03-08 1997-08-12 Applied Materials, Inc. Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5863396A (en) 1996-10-25 1999-01-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US5841624A (en) * 1997-06-09 1998-11-24 Applied Materials, Inc. Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126130A (ko) * 2015-04-22 2016-11-02 주식회사 엘케이엔지니어링 정전 척 리페어 방법
KR101712415B1 (ko) * 2015-04-22 2017-03-07 주식회사 엘케이엔지니어링 정전 척 리페어 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW466666B (en) 2001-12-01
KR20000062849A (ko) 2000-10-25
US6258227B1 (en) 2001-07-10
US20010030124A1 (en) 2001-10-18
EP1036858A1 (en) 2000-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5656093A (en) Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5841624A (en) Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5825607A (en) Insulated wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
JP5086172B2 (ja) ワークピースの縁部をシールドする装置
JP2001020058A (ja) 基板支持チャック上にウエハスペーシングマスクを作るための装置及び方法
US6117246A (en) Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
KR101812666B1 (ko) 얇은 기판 취급을 위한 정전 캐리어
US6217655B1 (en) Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck
TW200405466A (en) Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
US5982607A (en) Monopolar electrostatic chuck having an electrode in contact with a workpiece
US5863396A (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
EP0806798A2 (en) Substrate support chuck having a contaminant containment layer and method of fabricating same
JP2001073135A (ja) 基板を処理するための装置
US6835415B2 (en) Compliant layer chucking surface
US6214413B1 (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US6623605B2 (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
TWI440123B (zh) 用於承載基材之裝置與方法
JP5227568B2 (ja) 静電チャック
KR20050102378A (ko) 반도체 제조장비의 정전척 구조
JPH05283514A (ja) 基板支持部
KR20130123268A (ko) 반도체 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위한 척 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070605