CN107548515A - 包含流动隔离环的处理套组 - Google Patents

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Abstract

提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。

Description

包含流动隔离环的处理套组
背景
技术领域
本发明所述实施例一般涉及用于半导体处理腔室的处理套组、具有处理套件的半导体处理腔室、以及用于在其中沉积硅基材料的方法。
背景技术
在集成电路的制造中，如化学气相沉积(CVD)或等离子体增强CVD处理的沉积处理用于将各式材料的薄膜沉积在半导体基板上。这些沉积可发生在封闭的处理腔室中。用于沉积的处理气体将薄膜沉积在基板上，但亦可将残留物沉积于处理腔室的内壁及其他组件上。随着更多基板于腔室中处理，此残留物累积并导致颗粒与其他污染物的产生。这些颗粒和污染物可能使得基板上沉积的薄膜劣化(degradation)而造成产品质量问题。处理腔室必须定期清洗，以除去在腔室组件上的沉积残余物。
处理套组可设置在腔室中，以帮助相对于基板在腔室内的希望区域中限定处理区域。处理套组通常包括一或多个衬垫。衬垫可经配置以协助将等离子体限制于处理区域中，并帮助防止腔室中的其他组件被诸如上述的残余物之类的沉积的材料污染。可在基板支撑件上方供应处理气体。可自基板支撑件下方提供净化气体，以防止处理气体到达腔室底部处的区域以及导致残留物沉积于基板支撑件下方的区域中。可使用远离处理区域(诸如绕处理腔室外周)设置的共同排气装置将处理气体和净化气体自处理腔室移除，以防止净化气体与处理气体在处理区域中混合。使用上述的配置，原因不明的电弧和颗粒形成可能发生在基板上方的处理区域中，从而造成在处理腔室中制造的产品中的缺陷。因此，对于改进的处理腔室或处理腔室中的改进的处理组件是有所需求的，以防止这种原因不明的电弧和颗粒形成。
发明内容
本发明公开的实施例一般涉及用于保护处理腔室(诸如等离子体处理腔室)中不同部分的处理套组。在一个实施例中，提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。
在另一个实施例中，提供了一种在处理腔室中处理基板的方法，该处理腔室包含基板支撑件、第一衬垫与流动隔离环。该方法包括将该流动隔离环的外部底表面放置于该第一衬垫的顶表面上，其中该第一衬垫相对于该基板支撑件向外设置及该流动隔离环包含相对于该外部底表面向内延伸的内部底表面。该方法进一步包括使该基板支撑件自下降位置上升至举升位置而使用该基板支撑件的外突出部分通过该内部底表面将该流动隔离环自该第一衬垫举升，其中该第一衬垫绕该基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。该流动隔离环的该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。该方法进一步包括自该基板支撑件上方供应处理气体及自该基板支撑件下方供应净化气体。
在另一个实施例中，提供了一种用于处理基板的处理套组。该处理套组包括第一衬垫，该第一衬垫具有环形主体、顶表面及外倾斜表面。该处理套组进一步包括流动隔离环，该流动隔离环包含外部底表面、内部底表面及外倾斜表面。该外部底表面设置在该第一衬垫的该顶表面上。该内部底表面相对于该第一衬垫向内延伸。该流动隔离环的该外倾斜表面相对于水平面以40度和50度之间的角度定向，其中该流动隔离环的该外倾斜表面与该第一衬垫的该外倾斜表面实质平行。该处理套组进一步包括第二衬垫，该第二衬垫至少环绕该第一衬垫的该顶表面，该第二衬垫具有内倾斜表面，该内倾斜表面设置于该流动隔离环之上，其中该第二衬垫的该内倾斜表面与该流动隔离环的该外倾斜表面彼此实质平行。
附图说明
因此本公开的上述特征可被详细理解的方式、简要概述于前的本公开的更为详尽的描述可以通过参考实施例而获得，所述实施例中的一些描绘于所附附图中。然而，值得注意的是，所附附图只描绘了本公开的典型实施例，而由于本公开可允许其他等效的实施例，因此所附附图并不会视为对本公开范围的限制。
图1A是根据本公开的一个实施例的处理腔室的侧视截面图，该处理腔室包括处理套组，处理套组绕在下降位置中的基板支撑件而设置。
图1B是根据本公开的一个实施例的处理腔室的侧视截面图，该处理腔室包括处理套组，处理套组绕在举升位置中的基板支撑件而设置。
图2是根据本公开的一个实施例的当基板支撑件处于举升位置时处理套组的部分侧视截面图。
图3是根据本公开的另一个实施例的当基板支撑件处于举升位置时处理套组的部分侧视截面图。
图4是根据一个实施例的处理处理腔室中的基板的方法的处理流程图。
为便于理解，在可能的情况下，已使用相同的数字编号代表附图所共用的相同要素。可以预期，一个实施例中所公开的要素可有益地用于其他实施例而无需赘述。
具体实施方式
本公开的实施例一般涉及用于保护处理腔室(诸如等离子体处理腔室)中不同部分的处理套组。具体言之，下面所述的处理套组包括流动隔离环，作为防止净化气体进入基板上方的处理区域的附加特征。不受任何特定理论的束缚，可以认为，上面所讨论的原因不明的电弧和颗粒形成可能通过净化气体到达处理区域而造成。下面讨论的流动隔离环可以被布置在基板支撑件和包围该基材支撑件的衬垫之间的间隙上方。
图1A是根据本公开的一个实施例的处理腔室100的侧视截面图，该处理腔室100包括处理套组130，处理套组130绕在下降位置117中的基板支撑件120而设置。图1B是根据本公开的一个实施例的处理腔室100的侧视截面图，该处理腔室100包括处理套组130，处理套组130绕在举升位置118(处理位置)中的基板支撑件120而设置。图1A和1B的截面图以及以下所示图2和图3皆是横截面视图，为了清楚起见，使得图示背后的部分或在穿过图示平面其他深度处的部分未显示于附图中。例如，图1A包括具有环形形状的顶部衬垫140，但是环形形状的连接部分无法见于图1A的薄横截面视图中。为了不混淆附图及使以下所述的处理气体与净化气体的气体流动更容易了解，这些部分被省略。
处理套组130经配置以减少腔室组件上的颗粒沉积及防止净化气体进入基板支撑件120上方的处理容积109，其有利地减少缺陷和增长维修周期。
处理腔室100包括腔室主体102，其具有一或多个侧壁104、底部106及设置在侧壁104上的盖部108。侧壁104、底部106及盖部108限定处理腔室100的内部容积110。处理腔室100包括气体分配板112与基板支撑件120。在举升位置118(图1B)的基板支撑件120与气体分配板112之间的区域由处理容积109所限定。气体分配板112将来自处理气体源111的处理气体供应至处理容积109。处理腔室100可以是等离子体腔室，如包括等离子体源的腔室(如，具有RF热气体分配板的电容耦合等离子体腔室)或连接至远程等离子体源(RPS)的腔室。
基板支撑件120设置于内部容积110中。基板支撑件120可由陶瓷材料形成，如氮化铝。基板支撑件120可包括静电夹盘、陶瓷主体、加热器、真空夹盘、基座，或以上各者的组合。基板支撑件120具有基板支撑表面122，其在处理过程中接收及支撑基板50。基板支撑件120耦接至支撑轴121，支撑轴121耦接至处理腔室100的底部106下面的升举机构115。波纹管116可绕处理腔室底部106下方的支撑轴121设置，以将支撑轴121与外部环境隔离。升举机构115经配置而将基板支撑件120于下降位置117(见图1A)与举升位置118(见图1B)之间移动。基板支撑件120放置于升举位置118，以用于处理基板50。在下降位置117中，可使用机械臂或其他传送机构将基板50放置在处理腔室100中，如将基板50放置于在基板支撑件120上方延伸的升举销(未示出)上。
在处理或清洗处理腔室100期间，净化气体可被供应至处理腔室100。净化气体可自净化气体源113通过净化气体管线114而供应。在一些实施例中，净化气体管线114可通过波纹管116而耦接至处理腔室100，以在经由升举机构115移动基板支撑件120的期间维持正压于波纹管中。净化气体可以是氧气或惰性气体，如氮气或氩气。净化气体有助于防止来自气体分配板112的处理气体进入基板支撑件120下面的内部容积110的部分以及防止基板支撑件120下方的任何组件上的沉积。防止基板支撑件120下方的处理气体避免了基板支撑件120下方组件的不必要清洗。因此，使用净化气体减少了总清洗时间并提高了处理腔室100的产量。
处理套组130可围绕基板支撑件120和支撑轴121。处理套件130包括衬垫组件132。衬垫组件132包括设置于基板支撑件120和侧壁104之间的一或多个衬垫。在处理及清洗处理腔室100期间，所述一个或多个衬垫保护处理腔室100的侧壁104免受激励的气体的影响。衬垫组件132包括底部衬垫134、中间衬垫135和顶部衬垫140(第一衬垫)。底部衬垫134、中间衬垫135和顶部衬垫140可由陶瓷材料制成，如氧化铝。底部衬垫134设置于腔室主体102的底部106的顶部之上。中间衬垫135设置于底部衬垫134的顶部上。中间衬垫135包括槽(未示出)，以允许传送基板50进出处理腔室100。顶部衬垫140设置在中间衬垫135的顶部上。在一些实施例中，底部衬垫134、中间衬垫135和顶部衬垫140形成围绕(即360度)基板支撑件120和支撑轴121的连续表面。在其他实施例中，在衬垫134、135、140的部分之间可有一或多个间隙以容纳其他组件，但衬垫134、135、140仍实质上围绕(即至少85％)基板支撑件120和支撑轴121。
处理套组130进一步包括额外的衬垫以协助将气体(如处理气体与净化气体)自处理腔室100的内部容积110去除。额外的衬垫可包括T-衬垫160(第二衬垫)和C-衬垫150(第三衬垫)。虽然C-衬垫150和T-衬垫160的截面分别大致采用“C”和“T”形状，但是这些衬垫可采用能够使气体自处理腔室100去除的其他形状。在一些实施例中，C-衬垫150和T-衬垫160围绕(即360度)基板支撑件。在其他实施例中，在C-衬垫150和/或T-衬垫160的部分之间可有一或多个间隙以容纳其他组件，但C-衬垫150和T-衬垫160仍实质围绕(即至少85％)基板支撑件120。
C-衬垫150可以围绕基板支撑件120及底部衬垫134、中间衬垫135和顶部衬垫140中的一或多个。C-衬垫150可由陶瓷材料形成，如氧化铝。C-衬垫150可设置在侧壁104中的凹槽105中。凹槽105也可以是C形。C-衬垫包括泵送通道152，C-衬垫150的表面至少部分地限定泵送通道152。泵送通道152连接到泵送端口154，泵送端口154用于通过使用例如真空泵而将气体自处理腔室100排出。
T-衬垫160可以围绕基板支撑件120及底部衬垫134、中间衬垫135和顶部衬垫140中的一或多个。T-衬垫160可由陶瓷材料形成，如氧化铝。T-衬垫通常可包括基部部分161和顶部部分162。T-衬垫160的基部部分161可设置在C-衬垫150的顶部上。顶端部分162可接触侧壁104。在一些实施例中，顶部部分162可接触气体分配板112。
处理套件130进一步包括流动隔离环170。流动隔离环170可由陶瓷材料形成，例如氮化铝。当该基板支撑件120在下降位置117时(见图1A)，流动隔离环设置在顶部衬垫140上。当基板支撑件120移动到举升位置118时(见图1B)，流动隔离环170通过基板支撑件120自顶部衬垫140升起。流动隔离环170可被用于防止净化气体进入基板支撑件120和气体分配板112之间的处理容积109。具体言之，流动隔离环170覆盖在顶部衬垫140和基板支撑件120之间的第一间隙181(见图2)上。流动隔离环和净化气体与处理气体的流动的进一步细节参考图2讨论如下。
图2是根据本公开的一个实施例的当基板支撑件120处于举升位置118时处理套组130与基板支撑件120的部分侧视截面图。图2允许示出基板支撑件120、流动隔离环170、顶部衬垫140、C-衬垫150、流动隔离环170与T-衬垫160的进一步细节。
基板支撑件120进一步包括底表面124、外倾斜表面125和外表面126。外倾斜表面125可以自底表面124向外延伸至外表面126。外倾斜表面125自水平面(如X-Y平面)以约20度至约70度的角度定向，如自X-Y平面以约40度至约50度的角度定向。基板支撑件120进一步包括用于支撑流动隔离环170的外突出部分123。外突出部分123从内缘127延伸至外缘128。外缘128可以连接到外表面126。外突出部分123可以设置在基板支撑表面122下方。在一些实施例中，调整外突出部分123距离基板支撑表面122的深度123D的尺寸，使得流动隔离环170的顶表面173设置于外突出部分123上时，流动隔离环170的顶表面173没有延伸经过基板支撑件122，这可以防止流动隔离环170减少处理容积109。例如，图2示出流动隔离环170的顶表面173与基板支撑表面122实质齐平。此外，在一些实施例中，基板支撑件120可包括一或多个对准凹槽129，其可用于确保流动隔离环170正确定位在基板支撑件120上。流动隔离环可以包括相对应的一或多个对准凸部179，以装配(fit)在一或多个对准凹槽129中。底表面124可形成外突出部分123的底表面和/或基板支撑件120其余部分的底表面。
流动隔离环170进一步包括外部底表面171和内部底表面172。当基板支撑件120处于下降位置117时(见图1A)，外部底表面171设置在顶部衬垫140的顶表面142上。外部底表面171包括外缘175。顶表面173相对于外部底表面171的外缘175向内定位。本说明书所用的“向内”是指朝向处理腔室100的中心的方向，如基板支撑件120的中心。相反地，本说明书所用的“向外”是指从处理腔室100中的内部位置朝向侧壁104中的一个的方向。当基板支撑件120在举升位置118时(见图1B与图2)，内部底表面172设置于基板支撑件120的外突出部分123上。流动隔离环170进一步包括从外部底表面171向内延伸至顶表面173的外倾斜表面174。外倾斜表面174从外部底表面171朝顶表面173向内定向。外倾斜表面174自水平面(如X-Y平面)以约20度至约70度的角度定向，如自X-Y平面以约40度至约50度的角度定向。
顶部衬垫140进一步包括环形主体141、内倾斜表面145、外倾斜表面146、内表面147和外表面148。顶部衬垫140的顶表面142包括内缘143和外缘144。内倾斜表面145从内表面147向外延伸至顶表面142的内缘143。内倾斜表面145自水平面(如X-Y平面)以约20度至约70度的角度定向，如自X-Y平面以约40度至约50度的角度定向。外倾斜表面146从外表面148向内延伸至顶表面142的外缘144。在一些实施例中，内倾斜表面145实质平行于基板支撑件120的外倾斜表面125。外倾斜表面146自水平面(如X-Y平面)以约20度至约70度的角度定向，如自X-Y平面以约40度至约50度的角度定向。在一些实施例中，外倾斜表面146实质平行于流动隔离环170的外倾斜表面174。
顶部衬垫140与基板支撑件120的外突出部分123通过第一间隙181分隔。第一间隙181可以代表当基板支撑件在举升位置118时，顶部衬垫140与基板支撑件120之间的最近距离。例如，第一间隙181可以是从顶部衬垫140的内表面147至基板支撑件120的外突出部分123(如至外突出部分123的外倾斜表面125)的距离。在一些实施例中，第一间隙181可以是从顶部衬垫140的内倾斜表面145至基板支撑件120的外突出部分123的距离。第一间隙181可以为约25密耳(mil)至约200密耳，如约50密耳至约100密耳，例如约75密耳。在操作过程中，来自净化气体入口119(见图1A)的净化气体可以向上流动通过第一间隙181。流动隔离环170覆盖第一间隙181，并防止净化气体由第一间隙181直线向上流动至基板支撑件120之上，在那里该净化气体可能引起问题，例如在基板50上方的电弧或颗粒形成。为了到达基板支撑件120上方的区域，净化气体将必须在X-Y平面中反转方向而绕流动隔离环170流动并流动通过处理气体的向下压力，此处理气体于流动隔离环170与第二衬垫160之间向下流动。
流动隔离环170与顶部衬垫140的顶表面142通过第二间隙182分隔。第二间隙182可以代表当基板支撑件在举升位置118时，流动隔离环170与顶部衬垫140之间的最近距离。例如，第二间隙182可以是从流动隔离环170的外部底表面171到顶部衬垫140的顶表面142的距离。在一些实施例中，外部底表面171覆盖顶部衬垫140的顶表面142的至少一半。在其他实施例中，外部底表面171覆盖顶部衬垫140的顶表面142的全部。在又一些其他实施例中，外部底表面向外延伸经过顶部衬垫140的顶表面142，以提供净化气体到达基板50上方的处理容积109的另一阻碍。第二间隙182可以为约100密耳至约600密耳，如约200密耳至约400密耳，例如约300密耳。在操作过程中，在流动通过第一间隙181之后的净化气体流过第二间隙182。接着净化气体与处理气体混合，并在经由泵送通道152与泵送端口154被泵送出处理腔室100之前，净化气体于顶部衬垫140和T-衬垫160之间向下流动。
C-衬垫150进一步包括顶部155、底部156以及连接底部156和顶部155的侧部157。如上所述，T-衬垫160包括基部部分161和顶部部分162。基部部分161包括第一底表面164、第一外表面166和内表面168。顶部部分162包括顶表面163、第二底表面165、第二外表面167和内倾斜表面169。内表面168从第一底表面164延伸至内倾斜表面169。内倾斜表面169从内表面168向内延伸至顶表面163。内倾斜表面169自水平面(如X-Y平面)以约20度至约70度的角度定向，如自X-Y平面以约40度至约50度的角度定向。在一些实施例中，外倾斜表面146实质平行于流动隔离环170的外倾斜表面174。第一外表面166从第一底表面164延伸至第二底表面165。第二底表面165从第一外表面166向外延伸至第二外表面167。第二外表面167从第二底表面165延伸至顶表面163。
T-衬垫160与顶部衬垫140的顶表面142通过第三间隙183分隔。第三间隙183可以代表当基板支撑件在举升位置118时，T-衬垫160与流动隔离环170之间的最近距离。例如，第三间隙183可以是从T-衬垫160的内倾斜表面169至流动隔离环170的外倾斜表面174的距离。第三间隙183可以为约20密耳至约200密耳，如约40密耳至约120密耳，例如约80密耳。在操作过程中，来自气体分配板112(见图1A)的处理气体可以向下流动通过第三间隙183。接着处理气体与净化气体混合，且两种气体通过泵送通道152向下排放并排出泵送端口154(见图1A)。
图3是根据本公开的另一个实施例的当基板支撑件120处于举升位置118时处理套组330的部分侧视截面图。处理套组330类似于处理套组130，除了处理套组330包括不同于处理套组130的流动隔离环170和顶部衬垫140的流动隔离环370和顶部衬垫340。顶部衬垫340包括在顶部衬垫340的顶表面342中的凹槽345。凹槽345可绕顶部衬垫340的全部(即360度)延伸。流动隔离环370包括从外部底表面371向下延伸的凸部375。凸部375可以绕流动隔离环370的全部延伸。凸部375可经设计以装配于凹槽345中，使得当基板支撑件120处于下降位置117时(如图1A)，外部底表面371与顶部衬垫340的顶表面342齐平。在一些实施例中，顶部衬垫包括一或多个凹槽345，凹槽345仅部分绕顶部衬垫340延伸，如绕顶部衬垫340若干度。在这样的实施例中，流动隔离器可包括一或多个凸部375，凸部375以类似的量(如若干度)绕流动隔离环370延伸，使得一或多个凸部375可以装配于相应的一或多个凹槽345中。一或多个凹槽345和一或多个凸部375可以用于确保当基板支撑件120处于下降位置117(见图1A)时，流动隔离环370被正确地定位在顶部衬垫340上。
在凸部375完全绕流动隔离环(即，360度)延伸的实施例中，当净化气体流过流动隔离环370与顶部衬垫340之间的间隙382时，凸部375亦可以对于净化气体的流动产生一些向下的运动，从而进一步减少净化气体到达基板支撑件120上方的区域的可能性。在其他实施例中，流动隔离环可包括向下延伸的特征，以进一步促进净化气体向下流动。例如，参考图2，流动隔离环可包括覆盖于顶部衬垫的外倾斜表面146上的向下延伸的特征。当基板支撑件120处于下降位置117(见图1A)时，此向下延伸的特征可以与外倾斜表面146齐平，或者当基板支撑件120处于下降位置117时，该向下延伸的特征可装配到外倾斜表面146中的凹槽中。
参看图1A、图1B，图4是根据一个实施例的用于处理处理腔室100中的基板的方法400的处理流程图，处理腔室100包括处理套组130。在框402，流动隔离环170的外部底表面171放置于顶部衬垫140的顶表面142上。顶部衬垫140相对于基板支撑件120向外设置。流动隔离环170包括内部底表面172，内部底表面172相对于外部底表面171向内延伸。框402可执行于流动隔离环170在处理腔室100中的初始放置上，或当基板支撑件120自举升位置118下降至下降位置117时执行，其将流动隔离环170放置于顶部衬垫140上。
在框404，基板支撑件120从下降位置117上升到举升位置118以使用基板支撑件120的外突出部分123通过内部底表面172将流动隔离环170自顶部衬垫140举升。顶部衬垫140绕基板支撑件120的外突出部分123的底表面124设置。顶部衬垫140的内表面147与基板支撑件120的外突出部分123通过第一间隙181分隔。流动隔离环170的外部底表面171覆盖在第一间隙181上。
在框406，从基板支撑件120上方供应处理气体及从基板支撑件120下方供应净化气体。
在框408，处理气体和净化气体通过泵送通道152而自处理腔室100排出，泵送通道152相对于顶部衬垫140向外设置且在顶部衬垫140的顶表面142下方。在一些实施例中，真空泵(未示出)可用于将处理气体和净化气体通过泵送通道152排放并排出泵送端口154。流动隔离环170与处理套组130的其他衬垫的布置结合自泵送端口供应的低压或真空压力防止了净化气体升起到基板支撑件上方。防止净化气体到达基板支撑件120上方的区域避免了一些问题，例如由净化气体引起的电弧或颗粒形成。因为来自净化气体的电弧和颗粒形成可能在正处理的基板上导致缺陷，所以可以通过使用上述的基板支撑件120以及包括流动隔离环170与其他衬垫的处理套组130来改善产品质量与均匀性。在处理基板50之后，可以重复方法400以完成相同或不同基板上额外的处理。
虽然前面所述是针对本公开的实施例的，但在不背离本公开基本范围的情况下，可设计本公开的其他与进一步的实施例，且本公开的范围由随后的权利要求确定。

Claims (15)

1.一种处理腔室，包括：
侧壁；
基板支撑件，所述基板支撑件具有外突出部分；
气体入口，所述气体入口在所述基板支撑件的下方；
第一衬垫，所述第一衬垫绕所述基板支撑件的所述外突出部分的底表面设置，所述第一衬垫具有通过第一间隙而与所述基板支撑件的所述外突出部分分隔的内表面；及
流动隔离环，所述流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，所述内部底表面设置于所述基板支撑件的所述外突出部分上，所述外部底表面相对于所述内部底表面向外延伸，所述外部底表面覆盖在所述第一间隙之上。
2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一衬垫的顶表面在所述外突出部分的所述底表面之上。
3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述流动隔离环的所述外部底表面覆盖所述第一衬垫的所述顶表面的至少一半。
4.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述流动隔离环的所述外部底表面覆盖所述第一衬垫的所述顶表面的全部。
5.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述流动隔离环包括：
顶表面，所述顶表面相对于所述外部底表面的外缘向内定位；及
所述顶表面与所述外部底表面之间的外倾斜表面，所述外倾斜表面朝所述顶表面向内定向。
6.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述流动隔离环的所述外部底表面与所述第一衬垫的所述顶表面分隔200密耳至400密耳的距离。
7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述流动隔离环包括自所述外部底表面向下延伸的凸部。
8.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一间隙从50密耳至100密耳。
9.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述基板支撑件的所述外突出部分比所述基板支撑件的基板支撑表面低。
10.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括气体分配板，所述气体分配板设置于所述基板支撑件之上。
11.如权利要求1所述的处理腔室，其中：
所述基板支撑件在下降位置与举升位置之间是可移动的，
当所述基板支撑件在所述下降位置时，所述流动隔离环的所述外部底表面设置于所述第一衬垫上，及
当所述基板支撑件在所述举升位置时，所述流动隔离环的所述内部底表面设置于所述基板支撑件的所述外突出部分上。
12.一种在处理腔室中处理基板的方法，所述处理腔室包含基板支撑件、第一衬垫与流动隔离环，所述方法包括以下步骤：
将所述流动隔离环的外部底表面放置于所述第一衬垫的顶表面上，其中所述第一衬垫相对于所述基板支撑件向外设置及所述流动隔离环包含相对于所述外部底表面向内延伸的内部底表面；
使所述基板支撑件自下降位置上升至举升位置而使用所述基板支撑件的外突出部分通过所述内部底表面将所述流动隔离环自所述第一衬垫举升，其中
所述第一衬垫绕所述基板支撑件的所述外突出部分的底表面设置；
所述第一衬垫具有内表面，所述内表面通过第一间隙而与所述基板支撑件的所述外突出部分分隔；及
所述流动隔离环的所述外部底表面覆盖在所述第一间隙之上；及自所述基板支撑件上方供应处理气体及自所述基板支撑件下方供应净化气体。
13.如权利要求12所述的方法，其中当所述基板支撑件在所述举升位置时，所述流动隔离环的所述外部底表面覆盖所述第一衬垫的所述顶表面的全部。
14.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：通过通道将所述处理气体与所述净化气体自所述处理腔室排出，所述通道相对于所述第一衬垫向外设置且在所述第一衬垫的所述顶表面之下。
15.一种用于处理基板的处理套组，包括：
第一衬垫，所述第一衬垫具有环形主体、顶表面及外倾斜表面；
流动隔离环，所述流动隔离环包含：
外部底表面，所述外部底表面设置在所述第一衬垫的所述顶表面上；
内部底表面，所述内部底表面相对于所述第一衬垫向内延伸；及外倾斜表面，所述外倾斜表面相对于水平面以40度和50度之间的角度定向，其中所述流动隔离环的所述外倾斜表面与所述第一衬垫的所述外倾斜表面平行；及
第二衬垫，所述第二衬垫至少环绕所述第一衬垫的所述顶表面，所述第二衬垫具有内倾斜表面，所述内倾斜表面设置于所述流动隔离环之上，其中所述第二衬垫的所述内倾斜表面与所述流动隔离环的所述外倾斜表面彼此平行。
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