CN116711466A - 用于等离子体处理装置的感应线圈组件 - Google Patents

Abstract

公开了包括两个感应线圈的感应线圈组件。每个感应线圈包括第一绕组和第二绕组，第一绕组从在z方向上的第一位置的第一端子端开始过渡到在与z方向正交的平面中的径向内部位置，第二绕组从径向内部位置开始过渡到在与z方向正交的第二平面中的径向外部位置、并终止于第二端子端。还提供了结合感应线圈组件的等离子体处理装置。

Description

用于等离子体处理装置的感应线圈组件

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月28日提交的名称为“Induction Coil Assembly forPlasma Processing Apparatus”的美国临时申请63/131,026号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。本申请要求于2021年2月10日提交的名称为“Induction Coil Assemblyfor Plasma Processing Apparatus”的美国临时申请63/147,817号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及用于工件的等离子体处理的等离子体处理装置。更具体地，本公开针对用于等离子体处理装置的感应线圈组件。

背景技术

RF等离子体用于制造设备，诸如集成电路、微机械设备、平板显示器，和其它设备。现代等离子体刻蚀应用中使用的RF等离子体源需要提供高等离子体均匀性和多种等离子体控制，包括独立的等离子体分布、等离子体密度和离子能量控制。RF等离子体源通常必须能够在各种工艺气体中以及在各种不同条件下(例如，气流、气压等)维持稳定的等离子体。此外，期望RF等离子体源通过用减少的能量需求和减少的EM发射进行操作来对环境产生最小的影响。

与感应耦合等离子体(ICP)源相关联的问题是：由于从线圈到等离子体的RF功率电容耦合和被施加到线圈的非常高的电压(每匝几kV)，导致将ICP线圈与处理腔室分隔开的介电板的严重溅射。该溅射既影响等离子体，又增加了工具的资本成本及其维护成本。整体工艺可控性以及最终的工艺产量变差。利用ICP系统的又一个常见问题是由线圈的电容耦合引起的方位角不均匀性。因此，需要改进的等离子体处理装置和系统。

附图说明

在参考附图的说明书中针对本领域普通技术人员阐述了实施例的详细讨论，其中：

图1描绘了根据本公开的示例实施例的示例等离子体处理装置。

图2描绘了根据本公开的示例实施例的用于等离子体处理装置的示例感应线圈组件。

图3描绘了根据本公开的示例实施例的用于等离子体处理装置的示例感应线圈组件。

图4描绘了根据本公开的示例实施例的用于等离子体处理装置的示例感应线圈组件。

图5描绘了根据本公开的示例实施例的用于等离子体处理装置的示例感应线圈组件。

图6描绘了根据本公开的示例实施例的用于等离子体处理装置的示例感应线圈组件的截面图。

图7描绘了根据本公开的示例实施例的用于等离子体处理装置的示例感应线圈组件的自上而下的视图。

图8描绘了根据本公开的示例实施例的用于等离子体处理装置的示例感应线圈组件的仰视图。

图9描绘了根据本公开的示例实施例的用于等离子体处理装置的感应线圈组件的同心双电平感应线圈。

具体实施方式

现在将详细地参考实施例，该实施例的一个或多个示例如附图所示。每个示例是为了解释实施例而提供的，而非对本公开的限制。事实上，对于本领域普通技术人员而言显而易见的是，在不脱离本公开的范围或精神的情况下，可以对实施例进行各种修改和变化。例如，作为一个实施例的一部分示出或描述的特征可以与另一实施例一起使用，以产生又一实施例。因此，本公开的方面旨在涵盖这样的修改和变化。

出于说明和讨论的目的，参考“工件”“晶片”或半导体晶片来讨论本公开的方面。使用本文提供的公开的本领域普通技术人员应理解，本公开的示例方面可以与任何半导体工件或其它合适工件关联使用。此外，与数值结合使用的术语“约”旨在是指在规定数值的百分之十(10％)以内。“基座”是指可以用于支撑工件的任何结构。“远程等离子体”是指远离工件生成的等离子体，诸如在通过分离格栅与工件分隔开的等离子体腔室中生成的等离子体。“直接等离子体”是指直接暴露于工件的等离子体，诸如在处理腔室中生成的等离子体，该处理腔室具有能够操作以支撑工件的基座。

如本文所用的，与规定数值结合使用的术语“约”可以包括在规定数值的10％以内的值的范围。

传统的等离子体处理装置包括感应线圈。当利用来自RF发生器的RF功率向感应线圈供能时，在等离子体腔室中感应出实质感应等离子体。此外，感应线圈可以电容耦合到等离子体。感应线圈到等离子体的这种电容耦合可以影响在被设置在等离子体腔室内的工件上执行的处理工艺(例如，刻蚀、溅射)。例如，电容耦合可能导致处理工艺中出现不均匀性。进一步的，至少部分地由于横跨感应线圈的长度上的不均衡电压降以及在单个感应线圈的端子附近生成的电场的奇异性，单个感应线圈不可能是对称的和均匀的。因此，需要改进的感应线圈组件和处理装置，从而可以减少和/或消除由电容耦合引起的不均匀性。

本公开的各方面总体涉及感应线圈组件和等离子体处理装置，感应线圈组件和等离子体处理装置包括两个或更多个感应元件，诸如第一感应线圈和第二感应线圈。如下面将进一步讨论的，感应线圈中的每一个感应线圈可以在空间上被配置为减少感应等离子体与感应线圈中的每一个感应线圈之间的电容耦合。例如，第一感应线圈和第二感应线圈可以是交错的双层线圈。第一感应线圈和第二感应线圈可以耦合到RF电源，并且还可以经由电容器接地。在特定实施例中，第一感应线圈和第二感应线圈两者可以耦合到相同的RF电源。每个感应线圈包括第一绕组和第二绕组，第一绕组通常位于与z方向正交的平面中，第二绕组位于与z-方向正交的不同平面中。对于等离子体装置，法拉第屏蔽(例如，接地法拉第屏蔽)可以被设置在处理腔室与感应线圈组件之间。

根据本公开的示例实施例的线圈组件可以提供许多益处和技术效果。例如，感应线圈(例如，第一感应线圈和第二感应线圈)可以是对称的和平衡的。以这种方式，可以减少感应等离子体与感应线圈中的每一个感应线圈之间的电容耦合。此外，由于可以减少感应等离子体与感应线圈中的每一个感应线圈之间的电容耦合，因此可以减少与在被定位在等离子体处理装置的处理腔室内的工件(例如，晶片)上执行的处理工艺(例如，刻蚀、溅射)相关联的不均匀性。此外，线圈组件的感应线圈可以被配置为适应具有不同设计约束的等离子体腔室。以这种方式，线圈组件可以被配置为适应遍及不同等离子体处理装置的处理腔室的变化。

图1描绘了根据本公开的示例实施例的等离子体处理装置100。等离子体处理装置100包括限定内部空间102的处理腔室。工件支撑件104(例如，基座)用于支撑在内部空间102内的工件106，诸如半导体晶片。介电窗口110位于基底支架104上方。介电窗口110包括相对平的中心部分112和成角度的周边部分114。介电窗口110包括用于喷头120的在中心部分112中的空间，喷头120将工艺气体供给到内部空间102中。

装置100还包括感应线圈组件，该感应线圈组件包括一个或多个感应元件，一个或多个感应元件用于在处理腔室的内部空间102中生成感应等离子体。感应元件可以包括第一感应线圈130和第二感应线圈140，当被供应有RF功率时，第一感应线圈130和第二感应线圈140在等离子体处理装置100的内部空间102中的工艺气体中感应出等离子体。例如，RF发生器160可以被配置为通过匹配网络162向第一感应线圈130和第二感应线圈140两者提供电磁能。进一步的，第一感应线圈130和第二感应线圈可以经由电容器164耦合到地。替代地或附加地，第一感应线圈130和第二感应线圈140中的每一个感应线圈可以被定位在最小化任何不对称性所需的位置。例如，第一感应线圈130和第二感应线圈140可以被定位为使得来自每个线圈的端子端被定位为减小不对称性，如将在下文中进一步讨论的。

根据本公开的方面，装置100可以包括法拉第屏蔽154，法拉第屏蔽154被设置在第一感应线圈130、第二感应线圈140与处理腔室之间。例如，在一些实施例中，装置100包括法拉第屏蔽154，法拉第屏蔽154被设置在第一感应线圈130、第二感应线圈140与介电窗口110之间。法拉第屏蔽154可以是开槽金属屏蔽，开槽金属屏蔽减少第一感应线圈130和/或第二感应线圈140与处理腔室的内部空间102之间的电容耦合。如所示出的，法拉第屏蔽154可以装配在介电窗口110的成角度部分上。第一感应线圈130和/或第二感应线圈140的多匝线圈的部分可以位于法拉第屏蔽154附近。法拉第屏蔽154可以接地。

将参考图2至图8进一步讨论感应线圈组件的示例方面。例如，如图2至图3所示，第一感应线圈130具有第一端子端170和第二端子端172。第一感应线圈130包括第一绕组174，第一绕组174从第一端子端170开始完成360°转弯。当第一感应线圈130被卷绕以形成第一绕组174时，第一感应线圈130过渡到在与z方向正交的平面中的内部位置190。换句话说，当完成第一绕组174时，第一感应线圈130位于相对于第一端子端170的位置的径向内部位置。然后，第一感应线圈130完成第二绕组176。第二绕组176从内部位置190开始，过渡到在与z方向正交的第二平面中的径向外部位置192。例如，当第一感应线圈130被卷绕以形成第二绕组176时，第一感应线圈130从内部位置190径向向外过渡。第一感应线圈130的第二绕组176终止于第二端子端172。在这样的实施例中，第一端子端170在z方向上被设置在第二端子端172下方。在其它实施例中，第一端子端170和第二端子端172可以被设置在与z方向正交的相同平面中(未示出)。

进一步的，第一感应线圈130可以被配置为具有第一绕组174和第二绕组176的双层线圈，第一绕组174在与z方向正交的第一平面上，第二绕组176在第二平面上，该第二平面位于第一平面上方且与z方向正交。例如，在完成第一绕组174时，第一感应线圈130在z方向上、在位于第一端子端170的位置上方的位置处开始第二绕组176。换句话说，在与z方向正交且位于第一感应线圈130的第一端子端170的位置上方的平面中开始和/或完成第二绕组176。在这样的实施例中，第一感应线圈130类似于在z方向上被拉伸的螺旋。在一些实施例中，第一绕组174和第二绕组176可以经由与第一感应线圈130不成一体的构件194连接。换句话说，第一感应线圈130可以限定间隙，该间隙可以容纳将第一绕组174电耦合到第二绕组176所需的构件194。使用构件194可以减少第一感应线圈130所占据的空间量。

在一些实施例中，第一端子端170和第二端子端172可以沿着方位角方向对准。在其它实施例中，第一端子端170和第二端子端172可以相对于彼此被偏移任何合适的量。例如，在实施方式中，第一端子端170和第二端子端172可以被偏移使得第一感应线圈限定间隙。在实施例中，第一端子端170和第二端子端172可以被偏移至少30度。

类似地，第二感应线圈140具有第一端子端180和第二端子端182。第二感应线圈140包括第一绕组184，第一绕组184从第一端子端180开始完成360°转弯。当第二感应线圈140被卷绕以形成第一绕组184时，第二感应线圈140过渡到在与z方向正交的平面中的内部位置196。换句话说，当完成第一绕组184时，第二感应线圈140位于相对于第一端子端180的位置的径向内部位置。然后，第二感应线圈140完成第二绕组186。第二绕组186从内部位置196开始，过渡到在与z方向正交的第二平面中的径向外部位置198。例如，当第二感应线圈140被卷绕以形成第二绕组186时，第二感应线圈140从内部位置196径向向外过渡。第二感应线圈140的第二绕组186终止于第二端子端182。在这样的实施例中，第一端子端180在z方向上被设置在第二端子端182下方。在其它实施例中，第一端子端180和第二端子端182可以被设置在与z方向正交的相同平面中(未示出)。

进一步的，第二感应线圈140可以被配置为具有第一绕组184和第二绕组186的双层线圈，第一绕组184在与z方向正交的第一平面上，第二绕组186在第二平面上，该第二平面位于第一平面上方且与z方向正交。例如，在完成第一绕组184时，第二感应线圈140在z方向上、在位于第一端子端180的位置上方的位置处开始第二绕组186。换句话说，在与z方向正交且位于第一端子端180的位置上方的平面中开始和/或完成第二绕组186。在这样的实施例中，第二感应线圈140类似于在z方向上被拉伸的螺旋。在一些实施例中，第一绕组184和第二绕组186可以经由与第二感应线圈140不成一体的构件194连接。换句话说，第二感应线圈140可以限定间隙，该间隙可以容纳将第一绕组184电耦合到第二绕组186所需的构件194。使用构件194可以减少第二感应线圈130所占据的空间量。

在某些实施例中，第一端子端180和第二端子端182可以沿着方位角方向对准。在其它实施例中，第一端子端180和第二端子端182可以相对于彼此被偏移任何合适的量。例如，在实施方式中，第一端子端180和第二端子端182可以被偏移使得第一感应线圈限定间隙。在实施例中，第一端子端180和第二端子端182可以被偏移至少30度。

附加地，在一些实施例中，端子端170、172、180、182全部位于与z方向正交的相同平面中(未示出)。以这种方式，感应线圈130、140中的每一个感应线圈可以是对称的，所有端子端170、172、180、182在相同水平面上并且沿着它们的绕组的长度没有任何间隙(或者具有不完整的匝)。在感应线圈被配置为并联配置的实施方式中，这样的实施例可能是期望的。在实施例中，第一感应线圈130的第一端子端170和第二端子端172与第二感应线圈140的第一端子端180和第二端子端182在不同的方位角位置间隔开。

尽管本文所示出的示例实施例包括两个绕组，但是本公开不限于此。实际上，附加绕组，诸如第三绕组、第四绕组等，可以被结合到本文所描述的感应线圈。取决于期望的处理实施方式，可以结合附加的匝或绕组。

如图所示，第一感应线圈130和第二感应线圈140呈堆叠布置。在这样的实施例中，除了第一感应线圈130的端子端170、172和第二感应线圈140的端子端180、182在x方向上彼此大体相对地间隔开之外，第一感应线圈130和第二感应线圈140的绕组的整体配置可以相同或相似。x方向可以大体垂直于z方向(例如，在垂直的5度内)。例如，端子端170、172可以与端子端180、182间隔在约30°至180°内。第一感应线圈130和第二感应线圈140可以相对于彼此堆叠或间隔，使得间隙150被限定在第一感应线圈130和第二感应线圈140的至少一个或多个部分之间。间隙150可以被限定在第一感应线圈130与第二感应线圈140之间，使得间隙沿着第一感应线圈130的第一绕组174和第二绕组176以及第二感应线圈140的第一绕组184和第二绕组186是均匀的。间隙150在z方向上的距离可以为约1mm至约50mm，诸如约5mm至约45mm，诸如约10mm至约40mm，诸如约15mm至约35mm，诸如约20mm至约30mm。在这种堆叠配置中，第一感应线圈130和第二感应线圈140在z方向上各自具有均匀的高度。进一步的，在实施例中，第一绕组174、184各自具有均匀的半径减小，并且第二绕组176、186各自具有均匀的半径增大。

现在参考图4至图8。第一端子端170、180被配置为使得它们可以耦合到RF电源，诸如RF发生器160和自动调谐匹配网络，并且可以在增加的RF频率下操作，诸如在约13.56MHz下操作。例如，第一端子端170、180可以各自耦合到导电带145，导电带145然后耦合到RF电源。RF电源通常通过阻抗匹配设备146将RF功率馈送到耦合至第一端子端170、180的导电带145的中心。第二端子端172、182可以被配置为经由电容器147耦合到地。例如，第二端子端172、182可以耦合到导电带149，导电带149在其中心处通过电容器147(例如，端接电容器)接地。在其它实施例中，电容器147可以耦合到导电带149的中心。在其它实施例中，电容器147可以耦合到法拉第屏蔽154(未示出)的中心。在一些实施方式中，电容器147的值可以被选择为使得电接地与向感应线圈130、140中的每一个感应线圈提供RF馈送的RF电源之间的阻抗是在操作频率(例如，约13MHz)下的感应线圈130、140的阻抗的约二分之一。以这种方式，感应线圈130、140中的每一个感应线圈是平衡的(即，感应线圈130、140中的每一个感应线圈在其长度的中间点处总是具有约0伏的电势)。以这种方式，可以减少或消除感应线圈130、140中的每一个感应线圈的电容耦合。在这样的实施例中，第一感应线圈130和第二感应线圈140两者是平衡的，例如，每个感应线圈在其长度的中间点处具有接近零的电压，这促使最小的电容耦合和不均匀性。此外，由于可以减少感应线圈130、140中的每一个感应线圈到感应等离子体的电容耦合，因此可以减少与在工件(例如，晶片)上执行的处理工艺(例如，刻蚀、溅射)相关联的不均匀性。

在实施例中，第一感应线圈130、第二感应线圈140、导电带145、149、RF电源馈电点和/或电容器连接点的定位都可以被选择，以便最小化任何不对称性，使得可以在可能的最大程度上抵消电容耦合和不均匀性。此外，应当明白，可以调整与感应线圈中的每一个感应线圈相关联的一个或多个特性(例如，端子的位置、匝数、绕组图案等)，以减少或最小化感应等离子体与感应线圈中的每一个感应线圈之间的电容耦合。

图9示出了感应线圈组件，该感应线圈组件具有相对于彼此同心地设置的第一感应线圈230和第二感应线圈240。例如，第一感应线圈230从第二感应线圈240径向向内设置。在这样的实施例中，第一感应线圈230和第二感应线圈240不是交错的。第一感应线圈230和第二感应线圈240是双层线圈，每个线圈具有相对于z方向位于不同位置的第一绕组和第二绕组。例如，第一感应线圈包括从第一端子端开始的第一绕组和终止于第二端子端的第二绕组。第一绕组被设置在z方向上的第一位置，并且第二绕组被设置在z方向上的第一位置上方的第二位置。类似地，第二感应线圈包括从第一端子端延伸的第二绕组和终止于第二端子端的第二绕组，第一绕组被设置在z方向上的第一位置，第二绕组被设置在z方向上的第一位置上方的第二位置。

在一些实施例中，感应线圈组件包括第一感应线圈，第一感应线圈具有至少两个或更多个绕组。所述至少两个绕组以螺线螺旋形状卷绕成三维几何结构，具有均匀半径减小以及在z方向上的均匀高度增加或减小。感应线圈组件还包括第二感应线圈，第二感应线圈具有至少两个或更多个绕组。所述至少两个绕组以螺线螺旋形状卷绕成三维几何结构，具有均匀半径减小以及在z方向上的均匀高度增加或减小。在这样的实施例中，第一感应线圈的至少两个或更多个绕组与第二感应线圈的至少两个或更多个绕组呈堆叠布置，第一感应线圈与第二感应线圈之间的间距沿着绕组的长度是均匀的。

尽管已经参考其特定示例实施例详细地描述了本主题，但是应当明白，本领域普通技术人员在获得对前述内容的理解后，可以容易地产生对这些实施例的改变、变化和等效物。因此，本公开的范围是示例性的而非限制性的，并且题述公开不排除包括对于本领域普通技术人员来说是显而易见的对本主题的这些修改、变化和/或添加。

Claims (20)

1.一种感应线圈组件，包括：

第一感应线圈，具有至少两个或更多个绕组，所述至少两个或更多个绕组以螺线螺旋形状卷绕成三维几何结构，具有均匀半径减小和在z方向上的均匀高度增加或减小；以及

第二感应线圈，具有至少两个或更多个绕组，所述至少两个或更多个绕组以螺线螺旋形状卷绕成三维几何结构，具有均匀半径减小以及在所述z方向上的均匀高度增加或减小；

其中，当所述第一感应线圈的所述至少两个或更多个绕组和所述第二感应线圈的所述至少两个或更多个绕组呈堆叠布置时，在所述第一感应线圈与所述第二感应线圈之间具有间距，所述间距沿着绕组的长度是均匀的。

2.根据权利要求1所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈包括第一端子端和第二端子端，其中，所述第二感应线圈包括第一端子端和第二端子端，其中，所述第一感应线圈的所述第一端子端和所述第二端子端沿着x方向与所述第二感应线圈的所述第一端子端和所述第二端子端大体相对设置，所述x方向大体垂直于所述z方向。

3.根据权利要求2所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第一端子端在所述z方向上被设置在所述第一感应线圈的所述第二端子端下方。

4.根据权利要求2所述的感应线圈组件，其中，所述第二感应线圈的所述第一端子端在所述z方向上被设置在所述第二感应线圈的所述第二端子端下方。

5.根据权利要求2所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第一端子端和所述第二感应线圈的所述第一端子端被配置为耦合到RF电源。

6.根据权利要求2所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第二端子端和所述第二感应线圈的所述第二端子端被配置为经由电容器耦合接地。

7.一种感应线圈组件，包括：

第一感应线圈，具有第一绕组和第二绕组，所述第一绕组从在z方向上的第一位置的第一端子端开始过渡到在与所述z方向正交的平面中的径向内部位置，所述第二绕组从所述径向内部位置开始过渡到在与所述z方向正交的第二平面中的径向外部位置、并终止于第二端子端；以及

第二感应线圈，具有第一绕组和第二绕组，所述第一绕组从在所述z方向上的第一位置的第一端子端开始过渡到在与所述z方向正交的平面中的径向内部位置，所述第二绕组从所述径向内部位置开始过渡到在与所述z方向正交的第二平面中的径向外部位置、并终止于第二端子端；

其中，所述第一感应线圈和所述第二感应线圈以堆叠布置的方式设置。

8.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，间隙被限定在所述第一感应线圈与所述第二感应线圈之间，所述间隙沿着所述第一感应线圈的所述第一绕组和所述第二绕组以及所述第二感应线圈的所述第一绕组和所述第二绕组是均匀的。

9.根据权利要求8所述的感应线圈组件，其中，所述间隙为约1mm至约50mm。

10.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈和所述第二感应线圈各自在所述z方向上具有均匀高度。

11.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第一绕组和所述第二感应线圈的所述第二绕组各自具有均匀半径减小，并且其中所述第一感应线圈的所述第二绕组和所述第二感应线圈的所述第二绕组各自具有均匀半径增加。

12.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第一端子端和所述第二端子端与所述第二感应线圈的所述第一端子端和所述第二端子端在不同的方位角位置间隔开。

13.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第一端子端和所述第二端子端与所述第二感应线圈的所述第一端子端和所述第二端子端在x方向上彼此大体相对地间隔开，所述x方向大体垂直于所述z方向。

14.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第一端子端在所述z方向上被设置在所述第一感应线圈的所述第二端子端下方。

15.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，所述第二感应线圈的所述第一端子端在所述z方向上被设置在所述第二感应线圈的所述第二端子端下方。

16.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第一端子端和所述第二感应线圈的所述第一端子端被配置为耦合到RF电源。

17.根据权利要求7所述的感应线圈组件，其中，所述第一感应线圈的所述第二端子端和所述第二感应线圈的所述第二端子端被配置为经由电容器耦合接地。

18.一种等离子体处理装置，包括：

处理腔室；

喷头，被配置为将一种或多种工艺气体供给到所述处理腔室中；

工件支撑件，被设置在所述处理腔室内，所述工件支撑件被配置为支撑工件；

等离子体源，被配置为在所述处理腔室中从所述一种或多种工艺气体生成等离子体，所述等离子体源包括：

第一感应线圈，具有第一绕组和第二绕组，所述第一绕组从在z方向上的第一位置的第一端子端开始过渡到在与所述z方向正交的平面中的径向内部位置，所述第二绕组从在所述z方向上的第二位置开始过渡到在所述z方向上的所述第一位置、并终止于第二端子端；以及

第二感应线圈，具有第一绕组和第二绕组，所述第一绕组从在所述z方向上的第一位置的第一端子端开始过渡到在与所述z方向正交的平面中的径向内部位置，所述第二绕组从在所述z方向上的第二位置开始过渡到在所述z方向上的所述第一位置、并终止于第二端子端；

其中，所述第一感应线圈和所述第二感应线圈以堆叠布置的方式设置。

19.根据权利要求18所述的等离子体处理装置，其中，所述第一感应线圈的所述第一端子端在所述z方向上被设置在所述第一感应线圈的所述第二端子端下方，并且其中所述第二感应线圈的所述第一端子端在所述z方向上被设置在所述第二感应线圈的所述第二端子端下面。

20.一种感应线圈组件，包括：

第一感应线圈，具有从第一端子端延伸的第一绕组和终止于第二端子端的第二绕组，所述第一绕组被设置在z方向上的第一位置，所述第二绕组被设置在所述z方向上的所述第一位置上方的第二位置；

第二感应线圈，从所述第一感应线圈径向向内设置，所述第二感应线圈具有从第一端子端延伸的第二绕组和终止于第二端子端的第二绕组，所述第一绕组被设置在z方向上的第一位置，所述第二绕组被设置在所述z方向上的所述第一位置上方的第二位置。