JP7239637B2 - プラズマ処理装置のためのペデスタルアセンブリ - Google Patents
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Description
本願は、全ての目的のために引用によって本明細書に組み込まれる2017年3月31日に出願された「Pedestal Assembly for Plasma Processing Apparatus」という名称の米国仮出願第62/479483号明細書の優先権の利益を主張する。
本開示は、概して、プラズマ処理装置などの処理装置におけるペデスタル基板支持に関する。
プラズマ処理ツールは、集積回路、マイクロメカニカルデバイス、フラットパネルディスプレイおよびその他のデバイスなどのデバイスの製造において使用することができる。現代のプラズマエッチ用途において使用されるプラズマ処理ツールは、高いプラズマ均一性と、独立したプラズマプロフィル、プラズマ密度およびイオンエネルギ制御を含む、複数のプラズマ制御とを提供することを要求される可能性がある。プラズマ処理ツールは、幾つかの場合、様々なプロセスガスにおいてかつ様々な異なる条件下(例えば、ガス流、ガス圧など)において安定したプラズマを維持することを要求される可能性がある。
発明の態様および利点は、部分的に以下の説明において示され、または説明から明らかであることがある、または発明の実施を通じて学習されることがある。
ここで、発明の実施の形態に詳細に言及し、その1つまたは複数の例が図示されている。各例は、発明の限定ではなく、発明の説明として提供されている。実際、発明の範囲または思想から逸脱することなく本発明において様々な改良および変更をなすことができることが当業者に明らかになるであろう。例えば、1つの実施の形態の一部として例示または説明された特徴を、さらに別の実施の形態を提供するために別の実施の形態と共に使用することができる。つまり、本発明は、添付の請求項およびそれらの均等物の範囲に当てはまるこのような改良および変更をカバーすることが意図されている。
Claims (16)
- プラズマ処理装置であって、
処理チャンバ内部を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内部にプラズマを誘発するように構成されたプラズマ源と、
基板の処理中に該基板を前記処理チャンバ内部に支持するように構成されたペデスタルアセンブリと、
前記基板が前記ペデスタルアセンブリに支持されているときに前記基板の周縁部の周囲に配置されるように構成されたフォーカスリングと、を備え、
該フォーカスリングは、離間した複数のスロットを有し、各スロットは、前記ペデスタルアセンブリに配置された複数の突出部のそれぞれ対応する1つの突出部と係合するように構成されており、
前記複数の突出部を有する前記ペデスタルアセンブリの部分は、前記フォーカスリングの熱膨張率より小さい熱膨張率を有する材料を含み、
前記複数のスロットは、処理中の前記フォーカスリングの熱膨張の間、該フォーカスリングが前記基板を中心に同心的なままであるように、前記フォーカスリングの外側周縁部に沿って均等に離間している、プラズマ処理装置。 - 各スロットは、前記フォーカスリングの下面の少なくとも一部に沿って半径方向に延びている、請求項1記載の装置。
- 前記均等に離間した複数のスロットは、均等に離間した3つのスロットを含む、請求項1記載の装置。
- 各突出部は、前記ペデスタルアセンブリに配設された上側リング構造に配置されている、請求項1記載の装置。
- 前記上側リング構造は、前記フォーカスリングの熱膨張率より小さい熱膨張率を有する材料を含む、請求項4記載の装置。
- 前記上側リング構造は、石英材料を含む、請求項5記載の装置。
- 各突出部は、ピンである、請求項1記載の装置。
- 前記プラズマ源は、前記処理チャンバ内部に実質的に誘導的なプラズマを誘発するように構成された誘導結合エレメントを有する、請求項1記載の装置。
- 前記フォーカスリングは、
上面と、
該上面と反対側の下面と、
該下面に配置された、均等に離間した複数のスロットと、を備え、前記各スロットは、前記フォーカスリングの周縁部まで延びている、請求項1記載の装置。 - 前記フォーカスリングは、均等に離間した、半径方向に延びる3つのスロットを有する、請求項9記載の装置。
- 各スロットは、前記下面の少なくとも一部を横切って半径方向に延びている、請求項9記載の装置。
- 前記複数のスロットのそれぞれは、処理装置において基板を支持するように構成された前記ペデスタルアセンブリに配設された上側リング構造から延びる突出部と協働するように構成されている、請求項9記載の装置。
- プラズマ処理装置であって、
処理チャンバ内部を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内部にプラズマを誘発するように構成されたプラズマ源と、
基板の処理中に該基板を前記処理チャンバ内部に支持するように構成されたペデスタルアセンブリと、
前記基板が前記ペデスタルアセンブリに支持されているときに前記基板の周縁部の周囲に配置されるように構成されたフォーカスリングと、を備え、
前記ペデスタルアセンブリは、
前記基板を支持するように構成されたパックと、
該パックを支持するように構成されたベースプレート構造と、
該ベースプレート構造の外径を超えて延びる外径位置合わせ面を有する下側絶縁体と、
前記ベースプレート構造を少なくとも部分的に包囲する内側絶縁体リングであって、前記内側絶縁体リングは、内径位置合わせ面と外径位置合わせ面とを有し、前記内径位置合わせ面は、前記下側絶縁体の前記外径位置合わせ面に接触するように構成されている、内側絶縁体リングと、
前記パックの少なくとも一部の周囲に配置された上側リング構造であって、前記内側絶縁体リングの前記外径位置合わせ面と接触するように構成された内径位置合わせ面を有する上側リング構造と、
を備える、装置。 - 前記ペデスタルアセンブリは、外側絶縁体リングを有し、前記内側絶縁体リングは、前記ペデスタルアセンブリの前記外側絶縁体リングに設けられた内径位置合わせ面と接触するように構成された第1の外径位置合わせ面を有する、請求項13記載の装置。
- 前記上側リング構造は、フォーカスリングに設けられた内径位置合わせ面と接触するように構成された外径位置合わせ面を有する、請求項14記載の装置。
- 前記内側絶縁体リングは、前記ベースプレート構造の鉛直面と接触しない、請求項15記載の装置。
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