JP2004519089A - Jmf型ウェハ用ヒーター - Google Patents
Jmf型ウェハ用ヒーター Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004519089A JP2004519089A JP2002518504A JP2002518504A JP2004519089A JP 2004519089 A JP2004519089 A JP 2004519089A JP 2002518504 A JP2002518504 A JP 2002518504A JP 2002518504 A JP2002518504 A JP 2002518504A JP 2004519089 A JP2004519089 A JP 2004519089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- edge
- lip
- ring
- substrate support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
- C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【発明の背景】
本発明は、改善されたサセプタに関し、このサセプタは、基板のエッジ部や裏側に処理ガスが堆積することを阻止し、基板は、簡単に取り外され、洗浄が可能であり、JMF型ウェハを用いた使用に適合している。
【0002】
化学気相成長堆積法(CVD)は、薄膜の材料を半導体基板に堆積する為に使用される多くの処理の一つである。CVDを用いて基板を処理する為に、真空チャンバには、基板を受容するように構成されたサセプタが備えられている。通常のCVD用チャンバにおいて、基板は、ロボットブレードにより内部に配置され、当該チャンバから取り出され、処理中は基板支持部により支えられる。先駆物質ガスは、基板の上方に置かれたガス・マニフォールド・プレートを通して真空チャンバ内に充填されるが、ここで、基板は、一般的には250℃から650℃の範囲の処理温度まで加熱される。先駆物質ガスは、加熱された基板表面で反応し、薄膜を上部に形成し、揮発性副産物ガスを形成するが、これらは、チャンバ排気システムを通じて排気される。
【0003】
基板処理の第1の目的は、最も広い有用な表面領域、その結果、各基板から最大数のチップを得ることである。基板表面が可能な限り小さな浪費ですむように、ウェハのエッジ部付近の一部を含めて、処理された基板におけるエッジ部の排除を最小限にするということが、半導体チップ製造業者からの最近の要求により強調されている。考慮すべき一部の重要なファクタには、基板上に堆積される層の厚さや均一性に影響を与える処理変数、基板に付加され、基板の一部又は全部を欠陥品あるいは使用不能にする可能性がある汚染物質が含まれる。これらのファクタの両方は、処理される各基板に対する有効な表面を最大にする為に制御されるべきである。
【0004】
チャンバ内の微粒子汚染物質の一供給源は、基板処理中にはげたり剥がれたりする基板の裏側又はエッジ部に堆積された材料である。基板のエッジ部は、通常、面取りされており、これらの表面にわたって制御する為に堆積は困難になっている。そのため、基板のエッジ部における堆積は、金属が堆積される場所では、通常、非均一になっており、シリコンより誘電体に異なって付着する傾向にある。もし、ウェハ誘電層が面取り部まで拡がらないなら、金属は、シリコンの面取部、ついにはチップ又はフレークに堆積され、チャンバ内に不要な粒子を発生させる。さらに、化学機械的研磨は、しばしば、タングステンや他の金属で被覆された基板の表面を円滑にする為に使用される。研磨行為は、エッジ部や裏側面への堆積物に、薄片となってはがれたり落ちたり不要な粒子を発生させる可能性がある。
【0005】
多くのアプローチ法は、処理中に基板のエッジ部上の堆積を制御する為に使用されてきた。一つのアプローチ法は、処理ガスから基板周辺部の一部を実質的にマスクするシャドウ用リングを使用する。シャドウ用リングのアプローチ法に伴う不都合は、基板周辺部の一部をマスクすることにより、シャドウ用リングは、全体の基板有効表面を減少させることである。この問題は、シャドウ用リングが正確に基板と位置合わせされていない場合に一層悪くなるが、位置合わせは達成するのが困難である。
【0006】
他のアプローチ法は、基板のエッジ部付近にパージ用リングを使用し、エッジ部堆積を防止する為にパージガスを基板エッジ部に沿って送出する。パージガスは、堆積ガスが基板のエッジ部に到達することを防止または制限し、そのため、ウェハの面取されたエッジ部上の堆積を防止または制限する。
【0007】
ウェハは、通常、パージ用リングの内部で、一定の隙間を開けて半径方向に位置する。従来、パージ用リングは、アルミニウムで形成され、リングが処理中に変形しないように基板支持部に溶着されている。しかし、CVD処理チャンバの内部で生じる熱サイクル中、アルミニウムリングは、それにも拘わらず変形し、これらの形状の完全性は失われ、そのため、粒子が基板のエッジ部上に堆積することを防止し続ける能力を危うくする。これは、ウェハのエッジ部にわたる堆積の非均一性を導く隙間の大きさを変える可能性がある。アルミニウム製リングは、膨張または収縮するので、上部の材料は、薄片となってはがれ落ちる可能性があり、ウェハを汚染する可能性がある粒子を生成する。さらに、アルミニウム製リングの先端やエッジ部の変形は、ウェハ破壊の原因になる可能性がある。
【0008】
さらに、リングがシャドウ用及び/又はパージ用リングとして効率よく機能する為に、それらは頻繁に、隙間を変えたり薄片となってはがれ落ちたりウェハを汚染する可能性がある堆積材料を取り除く為に洗浄されなければならない。このような洗浄は、チャンバの停止期間を増やし、スループットを低下させ、高い運転コストになる。
【0009】
幾つかのウェハは、その外部エッジ部に小さなノッチを有するが、これは、ウェハを基板支持部やパージ用リングに適切に位置合わせする為に使用される。最近では、JMF型ウェハの使用が、パージガスをウェハ全体のエッジ部に送出する際に追加の問題を提示している。JMF型ウェハは、通常、平坦な側部を持ち、これにより、平坦化側部に対するウェハの半径は、平坦でない部分に対するウェハの半径より小さな量になっている。その結果、標準のパージ用リングは、これらのJMF型ウェハの平坦化されたエッジ部と適切に位置合わせしない。その結果として生じる影響は、パージガスが平坦化されたウェハエッジ部に到達しないことである。したがって、不要な材料堆積が、(JMF型ウェハを含む)ウェハの平坦化されたエッジ部あるいは付近に生じる。
【0010】
よって、(JMF型ウェハを含む)全てのウェハに対し、エッジ堆積を信頼性良く防止することができ、簡単に洗浄可能な、改善されたサセプタが必要である。
【0011】
【発明の概要】
本発明は、基板処理の為の、より具体的には、パージガスが基板エッジ部(JMF型ウェハエッジ部を含む。)に到達することを確実にし、その上部の不要な堆積の防止を助ける為の例示的装置および方法を提供するものである。
【0012】
本発明の一実施形態は、基板処理用の装置を提供する。この装置は、チャンバと、そのチャンバ内に配置された基板支持部を含む。エッジリングは、基板支持部上に配置される。エッジリングは、リップ部を有し、リップ部は、基板支持部の上面に少なくとも部分的に張り出し、リップ部と上面間の隙間を画成する。この方式において、エッジリングは、パージガスを適切に(JMF型基板を含む)基板のエッジ部に導く隙間を形成するように設計されている。
【0013】
一実施形態において、装置は、当該隙間を通じてリップ部の下方にパージガスを移送する為に、当該隙間に結合されたパージガスシステムを含む。パージガスは、広く、いろいろなガスであり、アルゴンや他の不活性ガスを含む。
【0014】
他の実施形態において、リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、この内側エッジ部は、基板(例えば、JMF型基板)のプロファイルに合致するように適合されている。一実施形態において、リップ部は、基板支持部のエッジ部から所定距離だけ上面の上方に伸びている。一実施形態において、所定の距離とは約1.5mmから約3.0mmの間であり、他の実施形態では、約2.0mmである。所定の距離が基板の大きさ(例えば、200mm、300mmなど)や形状に部分的に依存して変化することは、当業者により認識されよう。
【0015】
他の実施形態において、エッジリングは、窒化アルミニウム(AlN)、セラミック(例えば、Al2O3)などを備える。同様に、他の実施形態では、基板支持部は、セラミック製ヒータ、アルミニウム製ヒータなどを備える。
【0016】
他の実施形態において、基板処理用装置は、チャンバ、当該チャンバに配置された基板支持部、基板支持部上に配置された第1エッジリング(例えば、パージガス用リング)、第1エッジリングとの噛み合わせ係合の為の第2エッジリング(例えば、シャドウ用リング)を含む。第2エッジリングは、リップ部を有し、このリップ部は、基板支持部の上面に少なくとも部分的に張り出し、それらの間に隙間を画成する。そのため、この実施形態において、第2エッジリングは、適切な隙間を画成することを助ける。
【0017】
本発明は、更に、チャンバ内で基板を支持する為の方法を提供する。そのような方法の一つは、前述したような基板処理装置を提供するステップと、支持部上に基板を位置決めするステップと、エッジリングのリップ部と支持部の上面との間の隙間にパージガスを流し、パージガスを基板エッジ部に当てるステップと、を含む。
【0018】
一実施態様において、当該方法は更に、更に隙間を画成するために当該エッジリングの上方に第2のエッジリングを位置決めするステップを含む。他の実施態様において、当該方法は、基板エッジ部上に材料の堆積を実質的に防止する為にパージガスを流しつつ、基板上面に材料を堆積するステップを含む。この堆積ステップは、金属層、誘電層などを堆積する為に、CVD処理、PVD処理などを備えてもよい。
【0019】
一実施形態において、当該方法は、基板のエッジ部の概して平坦部分がリップ部と、或いは、リップ部の内側エッジ部と位置合わせされるように基板を位置決めするステップを含んでもよい。このような方法は、JMF型基板や、概して平坦なエッジ部を有する他の基板を処理するのに特に有用である。
【0020】
本発明の他の目的、特徴、利点は、以下の詳細な説明、請求項、添付図面から明らかになるであろう。
【0021】
【特定実施形態の説明】
図1は、本発明によるサセプタ11aの分解斜視図である。サセプタ11aは基板支持部13を含み、これは、パージリング15のようなエッジリングと結合するスロットとピンに適合されている。特に、基板支持部13は、3個のピン19a−cを備え、これらは、基板支持部13の上面から上方に伸びている。パージ用リング15の底面は、3個の位置合せ用スロット17a−cを備え、これらは、3個のピン19a−cと連結するように位置決めされている。当業者は、それ以上またはそれ以下の数のピンやスロットが使用されてもよいことを理解するであろう。基板支持部13は、中央ウェハ支持面13aを備え、ピン19a−cは、基板支持面13aの周囲に実質的に等間隔で配置されている。各スロット17a−cは、少なくとも、対応するピン19a−cの広さを持ち、基板支持面13aの中央から、基板支持部13が熱サイクル中に膨張し収縮する方向において、半径方向外側に伸びている。
【0022】
基板支持部13は、一実施形態ではアルミニウムで形成されている。図7,図8との関係で説明された他の実施形態において、支持部13は、セラミック製支持部である。パージ用リング15は、基板支持部の材料の熱膨張係数(CTE)より低いCTEを有する材料で全体的に形成されている。一実施形態において、パージ用リング15は、セラミック材料(例えば、Al2O3)で形成されている。一実施形態では、パージ用リング15は、窒化アルミニウム(AlN)を備える。
【0023】
スロット17a−cは、サセプタ11aが晒される処理温度範囲にわたり基板支持部13とパージ用リング15の熱膨張係数の差を補償するために十分な長さだけ伸びている。この熱膨張の差は、パージ用リング15の材料と基板支持部13の材料との異なるCTEの為であってもよい。好ましくは、各ピン19a−cは、熱的に絶縁された材料で形成されたパッド21により囲まれ、基板支持部13とパージ用リング15間の熱絶縁を達成している。パッド21は、好ましくは高度に研磨されたセラミックで形成され、そのため、粒子の発生を最小限にすると同時にパージ用リング15を容易に摺動させる。パージ用リング15は、複数のウェハガイド用ピン23を更に含み、高精度のウェハ配置を容易にしてもよい。
【0024】
パージ用リング15は、リップ部30を有し、リップ部30は、概して平坦な内側エッジ部32を有する。以下に更に説明するように、処理中、リップ部30は、支持面13aの一部を張り出すように構成され、適切にパージガスを基板エッジ部に向けている。リップ部30は、同様な概して平坦な外部エッジ部を有するJMF型基板と組み合わされた特別使用を提供するであろう。当業者は、リップ部30の大きさは、平坦化されたウェハのエッジ部の大きさに部分的に依存して変えてもよいことが分かるであろう。一実施形態において、内側エッジ部32は、図3に示されるように、所定距離50だけ基板支持部13のエッジ部を越えて伸びている。一実施形態において、所定距離とは、約1.5mmから約3.0mmであり、他の実施形態において、約2.0mmである。当業者は、張り出した距離は、基板の大きさ(例えば、200mm、300mm等)や形状に部分的に依存して変わることが分かるであろう。他の実施形態において、所定距離は、パージ用リング15の内径からリップ部30の量が内部に伸びるときに算出される。そのような実施形態は、パージ用リング15の形成中に適切な所定距離の算出を可能にするが、これは、パージ用リング15が支持部13上に配置されるときに計測される距離に対立するものである。いずれの実施形態においても、リップ部30の内側エッジ部32は、パージガスを基板エッジ部に向けるように位置決めされている。
【0025】
図2は、ウェハWを上部に有するサセプタ11eの関連部分の側面図である。図2に示すように、基板支持部13、パージ用リング15、スロット17は、パッド21を使用し、基板支持部13とパージ用リング15との間には直接的な接触はない。基板支持部13から熱的にパージ用リング15を絶縁することにより、パージ用リング15は、通常は高温の基板支持部13にパージ用リング15が直接に接触していたならば生じていたであろう熱応力より低い熱応力を経験する。図2に示されるように、スロット17は基板支持部13からパージ用リング15にピン19を介して熱伝導を減じるため、ピン19の長さより深い深さを有する。
【0026】
スロット17a−cは、基板支持部13の中心に対し半径方向に外側に伸び、各々は、丁度それぞれのピン19a−cより僅かに広くなっているのが好ましい。これにより、膨張及び収縮により引き起こされた熱サイクルの結果として生じる基板支持部に関するパージ用リング15の横方向の運動が、スロット17とピン19の対の間でクリアランスを許容する最大間隔より広がることを防止する。ピン19a−cは、基板支持部13に対しパージ用リング15の回転運動を制限し、これにより、回転の位置合わせを提供する。
【0027】
基板支持部13は、パージガス送出用チャンネル25とパージガス送出用チャンネル27を含み、パージガスをウェハWに送出する。パージガス送出用チャンネル25は、パージガスシステムに結合され、パージガスシステムはパージガス源を含む。広く様々なパージガスが使用可能であり、これには、アルゴンや他の不活性ガス、不活性でないガスも含む。
【0028】
操作上、ウェハWは、ウェハWのエッジ部がパージ用スロットや隙間29に隣接して配置されるように、ウェハ支持部13上に配置される。前述したように、パージ用リング15は、リップ部30を有し、リップ部30は概して平坦な内側エッジ部32を有する。JMF型ウェハや概して平坦なエッジ部を有する他のウェハウェハを含むウェハWの為に、ウェハWは、ウェハの概して平坦なエッジ部がリップ部30又は内側エッジ部32と位置合わせされるように配置される。この方式において、隙間29とウェハWとの関係は、パージガスが全体のウェハエッジ部に達するように維持することができる。図2に示されるように、リップ部30は、リップ部30(より具体的にはリップ部30の下面34)と基板支持部13の上面36との間に隙間29を作る。この方式では、パージガスがウェハWのエッジ部に沿って、隙間29を通ってパージガスが上方に流れると、ウェハエッジ部上の堆積が防止される。堆積処理中、サセプタは、例えば350℃から475℃の範囲の温度まで、通常はサセプタ11eの下側に接触又は内蔵された加熱用コイルにより、通常加熱される。しかし、チャンバのメンテナンスや洗浄のため、サセプタ11eは、通常、室温まで冷却することが許容される。
【0029】
この温度変化により、チャンバの構成要素(基板支持部13、パージ用リング15)の熱膨張や熱収縮が生じる。CVD処理中に生じる熱サイクルや、その結果として生じる基板支持部13の膨張や収縮に拘わらず、熱的に誘発された応力は、パージ用リング15に押しかけられないが、これは、それ(と、それを支持するピン19a−c)が、ピン19a−cとスロット17a−cとの結合のため、温度変化に伴い半径方向に移動することができるからである。パージ用リング15とウェハWとの間の隙間の、あらゆる熱的に誘発された膨張は、一般的に取るに足らない。したがって、エッジ部の堆積は、もっと一律かつ確実に防止される。さらに、パージ用リング15は、規則的な洗浄や交換の為に、ピン19a−cから簡単に持ち上げられる。したがって、停止時間は最小にされる。
【0030】
サセプタ11eは、洗浄のため、パージガス用送出チャンネル25に対するアクセスを容易にするように構成されている。特に、ピン19(又は、他の実施形態ではスロット17)が置かれている基板支持部13の表面は、パージガス送出用チャンネル25の出口の下方にある。そのため、パージ用リング15及び/又はシャドウ用リングが基板支持部13から取り外されるとき、ガス送出用チャンネルの出口は露出される。さらに洗浄を容易にするため、図2で示されるように、パージガス送出用チャンネル25は、上方に(好ましくは0°から30°の間の)角度が付けられてもよい。したがって、取り外し可能なパージ用リング15は、内部に溝と穴を含む、サセプタ11eの簡単な洗浄と非常に良いアクセスを提供する。
【0031】
図4は、低い、非処理位置にある、本発明のサセプタ11fの、他の実施形態を示すチャンバの側面図である。サセプタ11fは、第1リング(例えば、基板支持部13上に配置されたパージ用リング15)、取り外し可能な第2のエッジリング(例えば、基板支持部13の上方にある処理チャンバ本体の内面102上に配置されたチャンバ本体のリング200により支持されたシャドウ用リング)を備える。パージ用リング15は、前述したように基板支持部13に取り付けられてもよい。基板支持部は、いろいろな材料(例えば、アルミニウム、セラミック)で形成されてもよく、加熱素子(例えば、抵抗加熱コイル)を含んでもよい。シャドウ用リング4は、複数のテーパ付き又はフラスト状円錐形状のピン19(2個が図示)を備え、これらは、全体的に等間隔でシャドウ用リング4の周りに、そこから下方に伸びている。パージ用リング15は、少なくとも1個のテーパ付き又は円錐台形状の位置合わせ用凹部5、又は、内部に形成された少なくとも1個のテーパ付き又は円錐台形状の位置合わせ用スロット6を含む。当該装置は、上部にピンを持つシャドウ用リングと、上部に凹部/スロットを有するパージ用リングを備えた装置が図示され説明されているが、ピンと凹部/スロット結合がシャドウ用リングかパージ用リングのいずれか一方に配置されてもよいという追加実施形態が含められることが理解されよう。本発明は、ピンや凹部/スロットのいずれか一方がテーパ面を含む実施形態も意図されている。
【0032】
ピン19は、位置合わせ用凹部5と位置合わせ用スロット6と連結するように配置される。位置合わせ用凹部5と位置合わせ用スロット6は、複数のピン19の対応する一つと同様に広くなっている。一実施態様において、その幅は、パージ用リング15の中心に関し、半径方向に対し直交する寸法として画成されている。位置合わせ用凹部5と位置合わせ用スロット6を示す、本発明のパージ用リング15の平面図である図5を参照すると、ライン800は、パージ用リング15の中心に関する半径方向を表示し、ライン802は、パージ用リング15の中心に関し半径方向と直交する方向を表示する。位置合わせ用スロット6の幅は、パージ用リング15の中心に関する半径方向と直交する方向の寸法であり、セグメント804により示されている。位置合わせ用スロット6の半径方向の寸法は、セグメント806で示されている。位置合わせ用スロット6は、パージ用リング15の中心に関し半径方向に伸びており、長さは、パージ用リング15とシャドウ用リング4との間の熱膨張の差を補償する為に十分になっている。位置合わせ用スロット6の半径方向の寸法(すなわち、長さ)は、対応するピン19の半径方向の寸法より、約60ミルだけ長く、好ましくは約40ミルだけ長くなっている。位置合わせ用スロット6と位置合わせ用凹部5の幅は、対応するピン19の幅より、約3ミルから約10ミルだけ広く、好ましくは、約3ミルから約8ミルだけ広くなっている。ピン19と位置合わせ用凹部5及び位置合わせ用スロット6との結合は、熱サイクルで誘発された膨張及び収縮、又は位置合わせ用スロット6の長さより短い他の原因に起因するシャドウ用リング4の移動を制限する。ピン19は、パージ用リング15に関するシャドウ用リング4の回転運動も制限し、そのため、回転の位置合わせを提供する。
【0033】
パージ19は、図4に示されるように、円錐台形状または底部から上部にテーパ付きであるのが好ましい。位置合わせ用凹部5および位置合わせ用スロット6は、突き合わせ用テーパ付き側壁を有し、より広い開口部とより狭い開口部を持ち、テーパ付きピン19を受容する。この形態は、2個のリング間の著しいミスアライメントを考慮して訂正するが、これは、ピン19の狭い先端部は、ミスアライメントの大きな余裕を持ち、凹部5とスロット6の広い開口部の中に挿入可能であるからである。そのため、テーパが付けられていない(例えば円筒形状)ピンの代わりに円錐台形状またはテーパ付きのピン19を用いると、凹部5、スロット6、熱膨張や他の原因によるパージ用リング15とシャドウ用リング4とのミスアライメントは、リングが一緒になりピン19が凹部5やスロット6に挿入されるときに修正される。ピン19が凹部5やスロット6に挿入されるとき、シャドウ用リング4とパージ用リング15間のミスアライメントは、ピン19の表面が凹部5またはスロット6で画成された表面に沿って滑るにつれて修正される。2つのリングは、ピン19が完全に凹部5とスロット6の中に挿入されるにつれて、位置合わせされる。
【0034】
ピン19と凹部5/スロット6との結合は、シャドウ用リング4が、2つのリング間の異なる熱膨張のため、パージ用リング15に関して移動することを許容するが、リングの変形、あらゆる構成部品の破壊やフレーキングを引き起こす可能性のある各リングに応力をかけることはない。シャドウ用リング4は、ピン19と凹部5の結合場所で、パージ用リング15に対する旋回用アライメント内に残り、同時に、ピン19とスロット6の結合は、2つのリング間の熱膨張差により、互いにシャドウ用リングが僅かに移動する(スロット6の長さにより制限される)ことを許容する。シャドウ用リング4とパージ用リング15と基板との一貫した位置合わせが達成される。さらに、シャドウ用リング4は、洗浄又は交換の為に簡単に取り外すことが可能である。そのため、停止期間は最小になる。
【0035】
図6は、処理位置におけるサセプタ11fを示すチャンバの側面図である。図示のように、基板支持部13に取り付けられたパージ用リング15は、シャドウ用リング4に接触して持ち上げる。シャドウ用リング4のピン19は、パージ用リング15の凹部5とスロット6の中に挿入される。それにより、シャドウ用リング4は、チャンバ本体のリング200から持ち上げられ、シャドウ用リング4の突出部10は、凹部202により画成されたチャンバ本体のリング200の内側表面から持ち上げられる。この構成において、シャドウ用リング4は、ウェハWから約3から5ミリメートルの上方に位置し、ウェハWの周辺部またはエッジ部に張り出し、CVD処理中における上部の堆積を防止する。
【0036】
図4〜図6に記載された実施形態に示されるように、シャドウ用リング4は、リップ部40を含み、リップ部40は概して平坦な内側エッジ部を有する。図1から図3との関係で前述したように、リップ部40は基板プロファイル(例えば、概して平坦な外側エッジ部を有するJMF型基板)と、より正確に合致するように構成されている。この実施形態において、シャドウ用リング4は、パージ用リング15の代わりにリップ部40を有する。また、パージ用リング15とシャドウ用リング4の両方は、リップ部30,40を有する。シャドウ用リング4が、図6のように基板処理位置に位置決めされるとき、リップ部40は、リップ部40の下面44と基板支持部13の上面との間の隙間48を画成する。その結果、隙間48は、ウェハWの外側エッジ部の一部が概して平坦であるかに拘わらず、パージガスをウェハWのエッジ部に導く。
【0037】
操作において、基板支持部13は、図4に示されるように、ウェハ移送位置まで最初に下降される。ロボットブレードを備えるウェハ・ハンドラーは、その後、ウェハを基板支持部13の上方にある位置へと運ぶ。リフトピン(図示せず)は、ウェハWをロボットブレードから持ち上げ、ロボットブレードは後退する。基板支持部13は、上部の基板を位置決めする為に上昇させ、その後、基板支持部13は、更に上昇させ、図6で示されるように、それに取り付けられているパージ用リング15チャンバ本体のリング200からシャドウ用リング4を持ち上げる。
パージ用リング15は、シャドウ用リング4に係合するので、ピン19は位置合わせ用凹部5と位置合わせ用スロット6内に挿入される。ピン19のテーパ面は、位置合わせ用凹部5と位置合わせ用スロット6のテーパ面に沿って滑り、シャドウ用リング4をパージ用リング15と所望の位置合わせに駆り立てる。
【0038】
本発明の方法は、チャンバ内に基板を支持する方法を含む。一つの特定方法は、図1〜図3または図4〜図6の関係で前述された装置を提供するステップと、支持部13上に基板を位置決めするステップを含む。パージガスは、リップ部30,40と基板支持部の上面36,46との間の隙間29や隙間48に流入される。隙間29,48は、パージガスがウェハWに当たるように構成されている。リップ部30,40は、パージガスを全体のウェハWのエッジ部に導くように動作するが、ウェハWには、JMF型ウェハや概して平坦な外側エッジ部を有する他のウェハでさえも含む。さらに、ウェハWの位置決めは、好ましくは、概して平坦なウェハエッジ部を、リップ部30,40またはリップ部の内側エッジ部32,42と位置合わせすることにより達成される。このような構成は、都合良く、金属、誘電材を含む材料が基板やウェハ上に堆積することを実質的に防止する。
【0039】
上記説明から明らかなように、1998年6月24日に出願され(参照により本願に組み入れられた)一般的に譲渡された米国特許出願第09/103462号に記述されたチャンバのようなチャンバは、前述したようなサセプタを使用するとき、従来の堆積チャンバ(CVD、PVD等)と比較して、優れたエッジ部堆積防止や、高いスループットを提供する。
【0040】
図7,図8は、本発明の他の実施形態を示す。図7に示されるように、基板支持部は、垂直に移動可能なステム上に主要本体111を支持させたヒータ・ペデスタル110を備える。主要本体111は、基板支持面114を画成する上面を有する。ヒータ・ペデスタルの上面113と基板との熱伝達を容易にする為、基板は、真空を用いて上面113にチャックされるか付着されるのが好ましい。一般的に、真空の送出を達成する為に、ヒータ・ペデスタル110の上面113は、上部に基板を支持するように適合された多くの隆起領域115と、真空ポート117を通じて導入された真空から真空供給部と流体接続を介して低圧領域を支えるように適合された多くの凹部116とを含む。ヒータ・ペデスタル110は、更に、凹部127を含んでもよいが、そこで、リフトピン(図示せず)は移動作動装置(図示せず)の作動下で垂直に移動し、ヒータ・ペデスタル110の上面113をクリアするまで基板を持ち上げる。パージ用リング部材119は、ヒータ・ペデスタル110上の、基板支持面114の周辺付近で位置決めされる。パージ部材119は、概して平坦な内側エッジ部142を有するリップ又は張り出し部140を含む。リップ部140は、先の図との関係で説明されたリップ部30,40と類似する。より詳細には、リップ140は、下にある基板(例えば、概して平坦な外側エッジ部を有するJMF型基板)の外側寸法とより精度良く適合するように構成されている。パージ部材119により形成されたパージガス用チャンネルは、更に、以下に説明する。
【0041】
一実施形態においてC―クランプ120を備える固定装置は、ヒータ・ペデスタル110の主要本体111とパージ部材119の上方に着脱自在に位置決めされ、パージ部材119の垂直変位を防止する。ピン121は、クランプ120、パージ部材119、主要本体111内に着脱自在に挿入され、支持部材上でクランプ120を着脱自在に固定する。ピン121は、クランプ120とパージ部材119の簡単な取り外しを許容するが、これは、パージ部材119とヒータ・ペデスタル110の洗浄または交換を容易にし、それにより、システムの生産性を向上する。さらに、クランプ120とピン121をセラミック構成要素と共に使用することにより、ヒータ・ペデスタル110とパージ部材119に対する損傷の可能性を低くする。一実施形態において、パージ部材119は、3個のクランプ120と3個のピン121を用いて主要本体111に固定される。さらに、スロット122は、クランプ120の配置のため、パージ部材119内に形成可能である。スロット122は、クランプ120の位置合わせを可能にし、さらに、支持部材に関するパージ部材119の回転変位を防止する。
【0042】
図8は、ヒータ・ペデスタル110のエッジ部の横断面図である。ヒータ・ペデスタル110の主要本体111とパージ部材119は、プレナム130を形成し、プレナム130は、出口用隙間131を通ってパージガスを基板支持面114の周辺部に導く。主要本体111、パージ部材119、クランプ120は、内部に着脱自在にピン121を受容するボア132が形成され、これにより、パージ部材119の回転変位を防止し、プレナム130が圧縮されるとき、パージ部材119が移動または垂直変位することを防止する。スロット122は、クランプ120の配置のため、パージ部材119内に形成されてもよい。あるいは、スロットは、主要本体111とパージ部材119の両方、或いは、主要本体111だけの内部に形成し、更に、位置合わせを助け、パージ部材119の回転を防止してもよい。図示のように、リップ部140は、支持面114の上面146の一部に張り出している。リップ部140は、一実施形態では約1.5mmから約3.0mm、他の実施形態では約2.0mmの所定距離だけ上面146に張り出している。その結果、出口の隙間131は、上面146の上方に伸び、表面114上に位置決めされる基板またはウェハの概して平坦なエッジ部に、パージガスを更に導く。また、ウェハWは、ウェハの概して平坦なエッジ部が全体的にリップ部140又は内側エッジ部142と位置合わせされるように、位置決めされるのが好ましい。
【0043】
ヒーター・ペデスタル110、パージ部材119、クランプ120、ピン121は、アルミニウムや窒化アルミニウムのようなセラミック材で形成されるのが好ましい。上記構成要素は、同一のセラミック材で形成される必要はないが、同様の熱膨張率を有するセラミック材で形成されなければならない。セラミック材は、高温使用に非常に適している。CVDシステムにおけるアルミニウム材の従来の使用に伴う幾つかの問題は、アルミニウムの腐食、温度制限、不要堆積である。プラズマガスは、デバイス内の金属汚染に関する品質低下処理を導くアルミニウムの腐食の原因となる可能性がある。さらに、約480℃を越える温度で、アルミニウムは、軟化し、おそらく反りが結果として生じる。アルミニウムがプラズマ存在下、約480℃を越えて使用されると、アルミニウムは逆スパッタになり、基板とチャンバ構成要素を汚染する可能性がある。そのため、本発明が理想的に適している一つの適用例は、タングステンや他の材料を高温でプラズマの強化CVDする適用例と、リモートプラズマ洗浄処理する適用例である。
【0044】
上記開示装置及び方法の変形例は、本発明の範囲に入るものであり、確実に明らかであろう。例えば、サセプタは、ピンが基板支持部やリング上に配置されていようが、どんなタイプのエッジリング(パージ用リング及び/又はシャドウ用リング)の間にもピンとスロット結合を備える。図は、断熱性パッドの使用を示すが、これらのパッドは任意的なものである。さらに、加熱素子は、サセプタ内に含まれてもよいことが理解されよう。また、本発明の様々な実施形態のパージガス送出用チャンネル25の各々は、パージガス送出用チャンネル27に通じているのが好ましく、パージガス送出用チャンネル27は、パージガス送出用チャンネル25の開口部より多少下方に伸び、パージ用スロット29へのパージガスの、より均等な送出を確実にするバッファ用チャンネルを作る。リップ部30、40、140は、図で描かれたものより、異なる形状や大きさとし、異なる基板のタイプや大きさに適合させてもよい。
【0045】
「ピン」や「スロット」の用語は、直線状のピンやスロット6以外の形状(例えば、矩形キーなど)を含むように広く解釈されるべきである。さらに、パージ用リングやパージ用リング/シャドウ用リングは、ピン及びスロット結合以外の機構により、都合良く、取り外しできるように基板支持部に結合することができる。どんな取り外し自在に結合されたパージ用リングも、上方に角度が付けられたパージガス送出用チャンネル及びパージガス送出用チャンネルの露出された出口から利益を得るであろう。
【0046】
本発明は、その好適な実施形態との関係で開示されてきたが、他の実施形態は、前述した請求項で規定された本発明の精神と範囲内に入るものと理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は、本発明のサセプタの分解斜視図である。
【図2】
図2は、本発明のサセプタの関連部分の側面図である。
【図3】
図3は、本発明によるパージガスリングの平面図である。
【図4】
図4は、非処理位置における本発明のサセプタの側面図である。
【図5】
図5は、本発明のシャドウ用リングの平面図である。
【図6】
図6は、処理位置における本発明のサセプタの側面図である。
【図7】
図7は、本発明の、他の実施形態の斜視図である。
【図8】
図7に示された実施形態の側部断面図である。
【符号の説明】
4…シャドウ用リング、5…位置合わせ用凹部、6…位置合わせ用スロット、10…突出部、11a…サセプタ、13…基板支持部、13a…基板支持面、15…パージ用リング、17a−c…位置合わせ用スロット、19a−c…ピン、21…パッド、23…ウェハガイド用ピン、25、27…パージガス送出用チャンネル、29…パージ用スロット又は隙間、30…リップ部、32…内側エッジ部、34…下面、40…リップ部、42…内側エッジ部、44…下面、46…上面、48…隙間、W…ウェハ。
Claims (20)
- 基板処理用装置において、
チャンバと;
前記チャンバ内に配置された基板支持部であって、前記基板支持部は、上面を有する、前記基板支持部と;
前記基板支持部上に配置されたエッジリングであって、前記エッジリングは、リップ部を有し、前記リップ部は、少なくとも部分的に前記基板支持部の上面に張り出し、前記リップ部と前記上面との間に隙間を画成する、前記エッジリングと;
を備える、前記装置。 - パージガスを、前記隙間を通じて前記リップ部の下方に移送する為に前記隙間に結合されたパージガスシステムを更に備える、請求項1記載の装置。
- 前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項1記載の装置。
- 前記基板は、JMF型基板である、請求項3記載の装置。
- 前記エッジリングは、窒化アルミニウムを備える、請求項1記載の装置。
- 前記エッジリングは、セラミックを備える、請求項1記載の装置。
- 前記基板支持部は、セラミックを備える、請求項1記載の装置。
- 前記基板支持部は、アルミニウムを備える、請求項1記載の装置。
- 前記リップ部は、前記基板支持部のエッジ部から所定間隔を前記上面の上方に伸ばし、前記間隔は、約1.5mmと約3.0mmの間にある、請求項1記載の装置。
- 基板処理用の装置において、
チャンバと;
前記チャンバ内に配置された基板支持部であって、前記基板支持部は、上面を有する、前記基板支持部と;
前記基板支持部上に配置された第1エッジリングと;
前記第1エッジリングと結合する為の前記第2エッジリングであって、前記第2エッジリングは、リップ部を有し、前記リップ部は、少なくとも部分的に前記基板支持部の上面に張り出し、前記リップ部と前記上面との間に隙間を画成する、前記第2エッジリングと;
を備える、前記装置。 - 前記第1エッジリングは、パージガス用リングを備え、前記第2エッジリングは、シャドウ用リングを備える、請求項10記載の装置。
- パージガスを、前記隙間を通じて前記リップ部の下方に移送する為に前記隙間に結合されたパージガスシステムを更に備える、請求項10記載の装置。
- 前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項10記載の装置。
- 前記リップ部は、前記支持部のエッジ部から前記上面の上方に所定の距離だけ延ばし、前記所定の距離は、約1.5mmから約3.0mmの間にある、請求項10記載の装置。
- チャンバ内に基板を支持する方法において、
基板処理用装置を提供するステップであって、前記装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された基板支持部であって、前記基板支持部は、上面を有する、前記基板支持部と、
前記基板支持部上に配置されたエッジリングであって、前記エッジリングは、リップ部を有し、前記リップ部は、少なくとも部分的に前記基板支持部の上面に張り出し、前記リップ部と前記上面間の隙間を画成する、前記エッジリングと、
を備える、前記ステップと;
前記支持部上に基板を位置決めするステップであって、前記基板は上面とエッジ部を有する、前記ステップと;
前記リップ部と前記支持部の上面との間の前記隙間内にパージガスを流すステップであって、前記パージガスは、前記基板のエッジ部に当たる、前記ステップと;
を備える、前記方法。 - 前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項15記載の方法。
- 前記隙間を更に画成する為に、前記エッジリングの上方に第2エッジリングを位置決めするステップを更に備える、請求項15記載の方法。
- 前記基板の上面に材料を堆積するステップであって、前記パージガスは、前記基板エッジ部上に前記材料が堆積することを実質的に防止するように流れる、請求項15記載の方法。
- 前記基板を位置決めするステップは、前記基板エッジ部の概して平坦な部分を前記リップ部と合わせるステップを更に備える、請求項15記載の方法。
- 前記基板を位置決めするステップは、前記基板エッジ部の概して平坦な部分を前記リップ部と合わせるステップを更に備える、請求項16記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/632,645 | 2000-08-04 | ||
US09/632,645 US6521292B1 (en) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | Substrate support including purge ring having inner edge aligned to wafer edge |
PCT/US2001/024091 WO2002013239A2 (en) | 2000-08-04 | 2001-07-31 | Heater for jmf type wafers |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004519089A true JP2004519089A (ja) | 2004-06-24 |
JP2004519089A5 JP2004519089A5 (ja) | 2008-09-18 |
JP4833496B2 JP4833496B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=24536343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002518504A Expired - Fee Related JP4833496B2 (ja) | 2000-08-04 | 2001-07-31 | 基板処理用装置及びチャンバ内に基板を支持する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6521292B1 (ja) |
JP (1) | JP4833496B2 (ja) |
TW (1) | TW508664B (ja) |
WO (1) | WO2002013239A2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013516766A (ja) * | 2009-12-31 | 2013-05-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウエハのエッジおよび斜面の堆積を修正するためのシャドウリング |
KR20140005824A (ko) * | 2012-07-06 | 2014-01-15 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 시스템에서 베벨 에지 세정을 위한 방법 및 장치 |
KR20160017443A (ko) * | 2014-08-06 | 2016-02-16 | (주)얼라이드 테크 파인더즈 | 플라즈마 장치 |
JP2019009424A (ja) * | 2017-05-17 | 2019-01-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | マルチゾーン半導体基板支持体 |
KR20190082333A (ko) * | 2016-12-03 | 2019-07-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 챔버 내 히터 및 웨이퍼 회전 메커니즘을 위한 프로세스 키트 설계 |
JP2020512699A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-04-23 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | プラズマ処理装置のためのペデスタルアセンブリ |
KR20200001978U (ko) * | 2012-01-13 | 2020-09-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231645A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Ngk Insulators Ltd | 窒化物半導体膜の製造方法 |
JP4219628B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置および基板載置台 |
US20040065257A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Self-aligning PVD mark shield |
US20050092255A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Edge-contact wafer holder for CMP load/unload station |
US20050196971A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-08 | Applied Materials, Inc. | Hardware development to reduce bevel deposition |
US20060000802A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US20070065597A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-22 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD film formation apparatus provided with mask |
US20080128088A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-06-05 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Etching apparatus for edges of substrate |
US7909961B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US20080289766A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Samsung Austin Semiconductor Lp | Hot edge ring apparatus and method for increased etch rate uniformity and reduced polymer buildup |
US20100018648A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Applied Marterials, Inc. | Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring |
CN105765706B (zh) * | 2013-11-12 | 2019-10-25 | 应用材料公司 | 高温计的背景消除 |
CN110088019A (zh) * | 2016-10-21 | 2019-08-02 | 康宁股份有限公司 | 用于稳固制品的方法和设备 |
US11802340B2 (en) * | 2016-12-12 | 2023-10-31 | Applied Materials, Inc. | UHV in-situ cryo-cool chamber |
JP6837911B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2021-03-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
US10790123B2 (en) * | 2018-05-28 | 2020-09-29 | Applied Materials, Inc. | Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control |
EP3864690A1 (en) * | 2018-10-10 | 2021-08-18 | Nordson Corporation | Vacuum clamping apparatus and method |
CN111613512B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-10-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备及其工艺腔室 |
US11380575B2 (en) * | 2020-07-27 | 2022-07-05 | Applied Materials, Inc. | Film thickness uniformity improvement using edge ring and bias electrode geometry |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5094885A (en) * | 1990-10-12 | 1992-03-10 | Genus, Inc. | Differential pressure cvd chuck |
US5620525A (en) | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
US5843233A (en) * | 1990-07-16 | 1998-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus |
US5238499A (en) | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
US5230741A (en) | 1990-07-16 | 1993-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based backside protection during substrate processing |
US5855687A (en) | 1990-12-05 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate support shield in wafer processing reactors |
EP0595054A1 (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-04 | Applied Materials, Inc. | Method for processing semiconductor wafers at temperatures exceeding 400 degrees C. |
BR9405650A (pt) | 1993-01-06 | 1995-11-21 | Image Technology Int | Processo fotográfico direto sem filme de copiar uma imagem tridimensional de um objeto em uma perspectiva continuamente variável sobre material de copiagem lenticulado e aparelho para sua realização |
JP3131860B2 (ja) * | 1993-08-18 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置 |
US5888304A (en) * | 1996-04-02 | 1999-03-30 | Applied Materials, Inc. | Heater with shadow ring and purge above wafer surface |
US5766365A (en) | 1994-02-23 | 1998-06-16 | Applied Materials, Inc. | Removable ring for controlling edge deposition in substrate processing apparatus |
JPH08107139A (ja) * | 1994-10-05 | 1996-04-23 | Hitachi Ltd | 絶縁性リング部材およびそれを用いた半導体製造装置 |
JP3553204B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2004-08-11 | アネルバ株式会社 | Cvd装置 |
JPH1041251A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Sony Corp | Cvd装置およびcvd方法 |
JP3796005B2 (ja) * | 1997-05-15 | 2006-07-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マスク装置及び成膜装置 |
KR100434790B1 (ko) | 1997-05-20 | 2004-06-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리 장치 |
US6051122A (en) | 1997-08-21 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system |
US5922133A (en) * | 1997-09-12 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Multiple edge deposition exclusion rings |
US6040011A (en) | 1998-06-24 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member with a purge gas channel and pumping system |
US6223447B1 (en) | 2000-02-15 | 2001-05-01 | Applied Materials, Inc. | Fastening device for a purge ring |
-
2000
- 2000-08-04 US US09/632,645 patent/US6521292B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-26 TW TW090118356A patent/TW508664B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-31 JP JP2002518504A patent/JP4833496B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-31 WO PCT/US2001/024091 patent/WO2002013239A2/en active Application Filing
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013516766A (ja) * | 2009-12-31 | 2013-05-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウエハのエッジおよび斜面の堆積を修正するためのシャドウリング |
KR200496202Y1 (ko) | 2012-01-13 | 2022-11-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치 |
KR20200001978U (ko) * | 2012-01-13 | 2020-09-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치 |
KR102125580B1 (ko) | 2012-07-06 | 2020-06-22 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 시스템에서 베벨 에지 세정을 위한 방법 및 장치 |
KR20140005824A (ko) * | 2012-07-06 | 2014-01-15 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 시스템에서 베벨 에지 세정을 위한 방법 및 장치 |
KR20160017443A (ko) * | 2014-08-06 | 2016-02-16 | (주)얼라이드 테크 파인더즈 | 플라즈마 장치 |
KR101692251B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2017-01-03 | (주)얼라이드 테크 파인더즈 | 플라즈마 장치 |
KR102232800B1 (ko) * | 2016-12-03 | 2021-03-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 챔버 내 히터 및 웨이퍼 회전 메커니즘을 위한 프로세스 키트 설계 |
KR20190082333A (ko) * | 2016-12-03 | 2019-07-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 챔버 내 히터 및 웨이퍼 회전 메커니즘을 위한 프로세스 키트 설계 |
JP2020512699A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-04-23 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | プラズマ処理装置のためのペデスタルアセンブリ |
JP2021145139A (ja) * | 2017-03-31 | 2021-09-24 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | プラズマ処理装置のためのペデスタルアセンブリ |
JP7239637B2 (ja) | 2017-03-31 | 2023-03-14 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッド | プラズマ処理装置のためのペデスタルアセンブリ |
JP2019009424A (ja) * | 2017-05-17 | 2019-01-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | マルチゾーン半導体基板支持体 |
JP7237461B2 (ja) | 2017-05-17 | 2023-03-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチゾーン半導体基板支持体 |
US11915950B2 (en) | 2017-05-17 | 2024-02-27 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002013239A2 (en) | 2002-02-14 |
JP4833496B2 (ja) | 2011-12-07 |
TW508664B (en) | 2002-11-01 |
WO2002013239A3 (en) | 2003-02-27 |
US6521292B1 (en) | 2003-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4833496B2 (ja) | 基板処理用装置及びチャンバ内に基板を支持する方法 | |
JP4669606B2 (ja) | 基板処理装置及び基板支持方法 | |
JP4729160B2 (ja) | 端部の堆積を防止する装置 | |
US6033480A (en) | Wafer edge deposition elimination | |
US5888304A (en) | Heater with shadow ring and purge above wafer surface | |
US11136665B2 (en) | Shadow ring for modifying wafer edge and bevel deposition | |
JP5073631B2 (ja) | 基板プロセス装置でのエッジ堆積を制御する移動可能リング | |
US6368450B2 (en) | Processing apparatus | |
US6223447B1 (en) | Fastening device for a purge ring | |
US5476548A (en) | Reducing backside deposition in a substrate processing apparatus through the use of a shadow ring | |
EP0623947B1 (en) | Apparatus and method to ensure heat transfer to and from an entire substrate during semiconductor processing | |
US7589950B2 (en) | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly | |
JPH10214798A (ja) | ウエハエッジ堆積の排除 | |
TWI760111B (zh) | 底部和中間邊緣環 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080730 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080730 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080730 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101122 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110519 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110908 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4833496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |