JP2004519089A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理用装置において、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、上面を有する基板支持部と、
前記基板支持部上に配置されたエッジリングと、
を備え、
前記エッジリングは、リップ部を有し、
前記リップ部は、少なくとも部分的に前記上面に張り出して前記リップ部と前記上面との間に隙間を形成し、前記リッブ部の内側エッジ部は、前記上面に配置される基板のエッジ部と位置合わせされ、前記基板の前面は、前記内側エッジ部によって覆われない、前記装置。
【請求項2】
パージガスを、前記隙間を通じて前記リップ部の下方に移送する為に前記隙間に結合されたパージガスシステムを更に備える、請求項1記載の装置。
【請求項3】
前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項1記載の装置。
【請求項4】
前記基板は、JMF型基板である、請求項3記載の装置。
【請求項5】
前記エッジリングは、窒化アルミニウムを備える、請求項1記載の装置。
【請求項6】
前記エッジリングは、セラミックを備える、請求項1記載の装置。
【請求項7】
前記基板支持部は、セラミックを備える、請求項1記載の装置。
【請求項8】
前記基板支持部は、アルミニウムを備える、請求項1記載の装置。
【請求項9】
前記リップ部は、前記基板支持部のエッジ部から所定間隔を前記上面の上方に伸ばし、前記間隔は、約1.5mmと約3.0mmの間にある、請求項1記載の装置。
【請求項10】
基板処理用の装置において、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、上面を有する基板支持部と、
前記基板支持部上に配置された第1エッジリングと、
前記第1エッジリングと結合する為の第2エッジリングと、
を備え、
前記弟2エッジリングは、リップ部を有し、
前記リップ部は、前記上面に配置される基板のエッジ部と位置合わせされる内側エッジ部を有して、前記リップ部と前記上面との間に隙間を形成し、前記基板の前面は、前記内側エッジ部によって覆われない、前記装置。
【請求項11】
前記第1エッジリングは、パージガス用リングを備え、前記第2エッジリングは、シャドウ用リングを備える、請求項10記載の装置。
【請求項12】
パージガスを、前記隙間を通じて前記リップ部の下方に移送する為に前記隙間に結合されたパージガスシステムを更に備える、請求項10記載の装置。
【請求項13】
前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項10記載の装置。
【請求項14】
前記リップ部は、前記支持部のエッジ部から前記上面の上方に所定の距離だけ延ばし、前記所定の距離は、約1.5mmから約3.0mmの間にある、請求項10記載の装置。
【請求項15】
チャンバ内に基板を支持する方法において、
基板処理用装置を提供するステップであって、前記装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、上面を有する基板支持部と、
前記基板支持部上に配置されたエッジリングであって、前記エッジリングは、リップ部を有し、前記リップ部は、少なくとも部分的に前記基板支持部の上面に張り出し、前記リップ部と前記上面間の隙間を形成する、前記エッジリングと、
を備える、前記ステップと、
前記支持部上に基板を位置決めするステップであって、前記基板は上面とエッジ部を有し、前記リップ部の内側エッジ部が、前記基板の前面を覆わないように前記基板のエッジ部と位置合わせされる、前記ステップと、
前記リップ部と前記支持部の上面との間の前記隙間内にパージガスを流すステップであって、前記パージガスは、前記基板のエッジ部に当たる、前記ステップと、
を備える、前記方法。
【請求項16】
前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項15記載の方法。
【請求項17】
前記基板を位置決めするステップは、前記基板エッジ部の概して平坦な部分を前記リップ部と合わせるステップを更に備える、請求項16記載の方法。
【請求項18】
前記基板の上面に材料を堆積するステップであって、前記パージガスは、前記基板エッジ部上に前記材料が堆積することを実質的に防止するように流れる、請求項15記載の方法。
【請求項19】
前記基板を位置決めするステップは、前記基板エッジ部の概して平坦な部分を前記リップ部と合わせるステップを更に備える、請求項15記載の方法。
【請求項1】
基板処理用装置において、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、上面を有する基板支持部と、
前記基板支持部上に配置されたエッジリングと、
を備え、
前記エッジリングは、リップ部を有し、
前記リップ部は、少なくとも部分的に前記上面に張り出して前記リップ部と前記上面との間に隙間を形成し、前記リッブ部の内側エッジ部は、前記上面に配置される基板のエッジ部と位置合わせされ、前記基板の前面は、前記内側エッジ部によって覆われない、前記装置。
【請求項2】
パージガスを、前記隙間を通じて前記リップ部の下方に移送する為に前記隙間に結合されたパージガスシステムを更に備える、請求項1記載の装置。
【請求項3】
前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項1記載の装置。
【請求項4】
前記基板は、JMF型基板である、請求項3記載の装置。
【請求項5】
前記エッジリングは、窒化アルミニウムを備える、請求項1記載の装置。
【請求項6】
前記エッジリングは、セラミックを備える、請求項1記載の装置。
【請求項7】
前記基板支持部は、セラミックを備える、請求項1記載の装置。
【請求項8】
前記基板支持部は、アルミニウムを備える、請求項1記載の装置。
【請求項9】
前記リップ部は、前記基板支持部のエッジ部から所定間隔を前記上面の上方に伸ばし、前記間隔は、約1.5mmと約3.0mmの間にある、請求項1記載の装置。
【請求項10】
基板処理用の装置において、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、上面を有する基板支持部と、
前記基板支持部上に配置された第1エッジリングと、
前記第1エッジリングと結合する為の第2エッジリングと、
を備え、
前記弟2エッジリングは、リップ部を有し、
前記リップ部は、前記上面に配置される基板のエッジ部と位置合わせされる内側エッジ部を有して、前記リップ部と前記上面との間に隙間を形成し、前記基板の前面は、前記内側エッジ部によって覆われない、前記装置。
【請求項11】
前記第1エッジリングは、パージガス用リングを備え、前記第2エッジリングは、シャドウ用リングを備える、請求項10記載の装置。
【請求項12】
パージガスを、前記隙間を通じて前記リップ部の下方に移送する為に前記隙間に結合されたパージガスシステムを更に備える、請求項10記載の装置。
【請求項13】
前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項10記載の装置。
【請求項14】
前記リップ部は、前記支持部のエッジ部から前記上面の上方に所定の距離だけ延ばし、前記所定の距離は、約1.5mmから約3.0mmの間にある、請求項10記載の装置。
【請求項15】
チャンバ内に基板を支持する方法において、
基板処理用装置を提供するステップであって、前記装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、上面を有する基板支持部と、
前記基板支持部上に配置されたエッジリングであって、前記エッジリングは、リップ部を有し、前記リップ部は、少なくとも部分的に前記基板支持部の上面に張り出し、前記リップ部と前記上面間の隙間を形成する、前記エッジリングと、
を備える、前記ステップと、
前記支持部上に基板を位置決めするステップであって、前記基板は上面とエッジ部を有し、前記リップ部の内側エッジ部が、前記基板の前面を覆わないように前記基板のエッジ部と位置合わせされる、前記ステップと、
前記リップ部と前記支持部の上面との間の前記隙間内にパージガスを流すステップであって、前記パージガスは、前記基板のエッジ部に当たる、前記ステップと、
を備える、前記方法。
【請求項16】
前記リップ部は、概して平坦な内側エッジ部を有し、前記内側エッジ部は、基板プロファイルに合致するように適合されている、請求項15記載の方法。
【請求項17】
前記基板を位置決めするステップは、前記基板エッジ部の概して平坦な部分を前記リップ部と合わせるステップを更に備える、請求項16記載の方法。
【請求項18】
前記基板の上面に材料を堆積するステップであって、前記パージガスは、前記基板エッジ部上に前記材料が堆積することを実質的に防止するように流れる、請求項15記載の方法。
【請求項19】
前記基板を位置決めするステップは、前記基板エッジ部の概して平坦な部分を前記リップ部と合わせるステップを更に備える、請求項15記載の方法。
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