JP2001525603A - 化学的気相成長装置および方法 - Google Patents

化学的気相成長装置および方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、基板支持部材と、基板（７０）の端部を通過するパーガスをチャンバの外周の指向するためののパージガイド（２４）とを設けている。パージガイドは、パージガス通路をもたらし、パージガスが基板表面上で蒸着化学反応を妨害することを阻止するために、その内周に周りに配置された複数の孔（６６）を含んでいる。また、基板支持部材は、基板（７０）をその上面に固定するための真空チャックを有している。基板支持部材は、処理中にパージガイド（２４）を支持する肩部（４２）を含んでいることが好ましい。さらに本発明は、パージガスを、基板端部近傍に流し、その後パージガイド（２４）の複数のパージ孔（８６）を通って流すことによって、基板（８０）の端部をシールドする方法を提供するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、半導体回路（ＩＣｓ）およびフラットパネル・ディスプレイを製造
するための処理システムに関する。さらに詳細には、本発明は、処理システム中
に基板を支持し、基板裏面の蒸着を阻止するために用いられる、サセプタおよび
パージガイドに関するものである。
【０００２】 （発明の背景） 一般に、集積回路およびフラットパネル・ディスプレイは、基板上に金属や誘
電体といった多層材を蒸着し、種々の構造を形成するよう層をパターン化するこ
とで製造されている。多数の出願において、100ｍｍ，200ｍｍまたは300ｍｍ基 板といった、単一基板が、その上に複数のダイを形成するために用いられている
。更なるデバイスを単一基板上に形成できるよう、基板のサイズは大きくなって
いるが、一方で、デバイスのサイズは小さくなってきている。結果として、ＩＣ
およびフラットパネル・ディスプレイ製造の一つの重要な見地は、基板表面に亘
って蒸着材料の均一性を改善することと、実施可能なダイを形成するために使用
できない全端部除去を低減することである。基板が処理中に支持されているサセ
プタに付着することを阻止すると共に、材料が、付着できないかもしくは剥離に
さらされることがある基板上の領域に溶着することを阻止するために、基板端部
と裏面から蒸着材料を除外することが望ましい。基板の端部蒸着と裏面蒸着の両
者は、システムにおける粒子形成をもたらすこともある。
【０００３】 裏面蒸着と端部蒸着の問題に対処するために、基板裏面からのパージガスと、
パージガイドまたはリングとが用いられてきた。このようなパージガイドの１つ
が、レイ他による米国特許第5,516,367、「パージガイドを備えた化学的気相成 長チャンバ」に説明されており、これは本明細書に参考文献として組み込まれて
いる。図１は、従来技術による基板支持部材１０およびパージガイド１２の断面
図である。パージガイドは、基板支持部材に形成された肩部１４に支持されてお
り、基板１８の端部に覆い被さるか、または接触している内側リップ１６を含ん
でいる。内側リップ１６は、その下面と基板との間に狭い通路を定めることがで
き、そこをパージガスが流れるようになっている。パージガスは、支持部材を通
り、基板上に支持されるパージガイドを有する基板端部に供給される。しかし、
パージガイド１２と基板支持部材の肩部１４との間の隙間を通って外側に向かう
ガス流れは、反応ガスを基板の端部と裏面とに引き寄せる低圧領域を生じ、結果
としてそこに好ましからざる蒸着をもたらす。
【０００４】 市販のパージガイドが直面する１つの問題は、裏面ガスの流速を、基板表面の
均一な蒸着を助長しつつ端部および裏面蒸着を阻止するよう、しっかりと制御し
なければならないことである。パージガイドと基板との間に供給されるパージス
の流速は、パージガスが基板表面上のプロセスガス流れを乱すことにより、基板
の外側端部方向への均一蒸着に対して悪影響を及ばすことを阻止するよう、制御
する必要がある。
【０００５】 パージガイドが直面する他の問題は、端部除去に関する要求がますます厳しく
なっていることである。以前は、基板周囲の除去領域は、基板端部から最大６ｍ
ｍまで許容されており、端部から６ｍｍ内側で９０％の被膜厚さであった。最近
では、その要求が僅か３ｍｍまでになっており、端部から３ｍｍ内側で９０−９
５％の被膜厚さである。それ故に、パージガイドとパージ流れは、この高い要求
を成し遂げるようになっていることが必要である。 従って、パージガイドとサセプラとは処理中に基板を支持し、基板全周回りに
狭い除去幅を備えながら、裏面および端部の蒸着を阻止する必要がある。
【０００６】 （発明の概要） 本発明は、概して、処理中に基板を支持するための基板支持部材と、端部およ
び裏面に、そこでの蒸着を阻止するようパージガスを供給するためのパージガイ
ドとを設けるものである。 本発明の１つの態様において、基板支持部材は、ヒーターシールドとパージガ
イドとを支持するための肩部を持つよう設けられている。ヒーターシールドは、
パージガイドをヒーターシールドおよび支持部材と合わせるようになっている。
肩部とパージガイドの内側壁とは、パージガス通路を定め、これによりパージガ
スを基板端部に供給するようになっている。また、支持部材が、支持部材の上面
に基板を固定するためのバキューム・チャックを含むことが望ましい。
【０００７】 本発明の他の態様において、パージガイドは、パージガスを基板端部を横切っ
て基板処理面から離れるよう指向するための、複数の角度の付いたパージホール
を持つよう設けられている。パージガイドは、処理中に、基板端部に覆い被さる
内側リップと、内側および外側基部の間に形成される、位置合わせ用リセスとを
含むことが望ましい。さらに、パージガイドを支持部材から離間した関係でもっ
て支持するための支持用ピンを、内側基板の下面に配置してもよい。
【０００８】 本発明の別の態様において、処理チャンバは、チャンバ内に基板を支持する
よう配置され基板端部近傍にガス遮断壁をもたらす、支持部材とパージガイドと
を持つよう設けられている。 本発明のさらに別の態様において、複数のパージホールを有しており、基板端
部近傍に、更に、パージホールを通り抜けてパージガスを流すパージガイドを設
けることで、基板端部をシールドする方法を提供するものである。
【０００９】 （好ましい実施の形態の説明） 図２は本発明による基板支持部材２２とパージガイド２４とを示す、蒸着チャ
ンバ２０の断面図である。図３は、図２に示される装置の一部分の拡大図である
。概して、蒸着チャンバ２０は、エンクロージャ３２を定める側壁２６、リッド
２８および底壁３０とを含んでいる。リッドのガス入口３４に入る処理ガスは、
図示のようにチャンバの上部に配置されるシャワーヘッド３６を通り抜けてチャ
ンバ内に放出される。一般にサセプタまたはヒータとして言及される、垂直方向
に移動可能な基板支持部材２２は、チャンバの底壁を介して配置され、基板を支
持するための上面３８を含んでいる。パージガスは、基板支持部材２２に形成さ
れたガス通路を通り抜けてチャンバに入り、基板支持部材２２とパージガイド２
４との間の基板端部に供給される。排気システム（図示せず）は、チャンバから
ガスを排出し、処理のための真空環境をもたらす。
【００１０】 基板支持部材２２はアルミニウム板で形成されており、チャンバ内で立て軸４
１に支持されている。支持部材は、その全周回りに配置される肩部４２を含んで
おり、その上にヒーターシールド４４が配置されていることが望ましい。ヒータ
ーシールド４４は、内側縦壁４６と外側縦壁４８とを含んでおり、その間に支持
板５０を有している。ヒーターシールド４４の内側縦壁４６は、肩部４２上で、
その外側面５３と基板支持部材２２との間のパージガス通路５２を定める。ヒー
ターシールド４４は、その下面から延び、支持部材の肩部に形成された対となる
リセスとぴったり合う２個またはそれ以上のネジまたはピン（図示せず）によっ
て、支持部材の肩部上の箇所に固定されている。ヒーターシールド４４は、ヒー
ターシールドの半径方向の膨張は許容するが、位置的な移動を阻止するよう固定
されることが好ましい。ヒーターシールドの外側縦壁４８は、支持部材の外側全
周に隣接して配置され、肩部４２の表面の上下に、およそ支持部材上端の上面３
８の高さまで延びている。ヒーターシールド４４の外側縦壁４８には、パージガ
イド用の傾斜をもつ位置合わせ面４９が設けられている。ヒーターシールド４４
は、基板支持部材２２の蒸着を阻止し、定期点検の際に容易に交換できる表面を
備えるよう設計されている。ヒーターシールドの外側縦壁４８は、それを通して
チャンバの下部５８へのパージガス通路を可能にする、複数の通気口５６を定め
ることができる。ヒーターシールドの支持板５０は、１つまたはそれ以上のリセ
ス６０を定め、パージガイドの下面６４に配置される１つまたはそれ以上の位置
合わせピン６２を受容するようになっている。
【００１１】 図３から図５に示されるように、概してパージガイド２４は、リングの内周回
りに配置される複数のパージ孔６６を定める環状リングである。リングは、処理
中に基板７０の端部の上に配置される、内側環状リップ６８を含んでいる。内側
基部７２は、どれもパージガイド２４の下面に形成され、ヒーターシールド４４
に形成された（図３に示すように）、または支持部材の肩部４２に形成された（
図４に示すように）、リセス内に配置される複数のピン６２により、支持部材の
肩部４２上に配置されている。外側基部７４は、支持部材がチャンバ内で基板交
換のために下がった場合に、もしくはチャンバがアイドリング状態の場合に、チ
ャンバ内でパージガイドを支持するよう設けられている。リセス７６は、支持部
材が処理のためにチャンバ内で持ち上げられた場合に、内側および外側基部の間
でヒーターシールド４４の外側壁４８を受容するよう、パージガイドの下面７８
に形成されている。リセス７６は、パージガイドをヒーターシールドの外側壁４
８に位置合わせ可能な、傾斜面を含んでいる。支持部材がチャンバ内を縦方向に
移動する場合に、リセス７６は、ヒーターシールドの外側壁４８を受容し、支持
部材がチャンバ内を移動し続ける時にそれ自身を位置合わせする。さらに、支持
部材がチャンバ内を上方向に縦移動する場合に、パージガイドがヒーターシール
ド４４に位置合わせされるのと同様に、内側基部７２の内側面には、支持部材に
対して基板を位置合わせするための傾斜がつけられている。
【００１２】 ほぼ基板端部が処理中に位置される箇所で、好ましくは２００ｍｍ基板用途に
関して約２４０個の複数のパージ孔６６が、パージガイド２４のリップ６８を貫
通して形成されている。パージ孔６６は、基板端部８０上にパージガス通路をも
たらし、ほぼ基板端部でガス遮断壁を形成するものである。このガス遮断壁は、
蒸着ガスが基板端部の周りを通過して、基板裏面に向かうことを阻止するもので
ある。パージ孔は、約３０°から約３５°（水平面から）の角度で配置され、パ
ージガスを基板端部からチャンバの外周に向けることが好ましい。パージガイド
とヒーターシールドとは、ステンレス鋼製であることが好ましいが、他の適切な
材料を用いてもよい。
【００１３】 パージガイド６８のリップと、基板７０の上面とで定められる隙間の閉塞を防
ぐために、パージガイドのリップ６８の下面８６に、１つまたはそれ以上の間隙
パッド８４を配置してもよい。パージガイドと基板とは接触しないことが好まし
い。しかし、斜線をつけたリングが基板表面に接近する場合、1つまたはそれ以 上の間隙パッド８４は、パージガス通路の完全な状態を維持できる。パッドの高
さは、約１ミリから約１０ミリであることが好ましい。
【００１４】 基板支持部材２２は、処理中に基板を支持部材に固定するための真空チャック
を含むことが好ましい。真空チャックが好ましいものであるが、支持部材に別の
形式のチャックおよび固定装置を用いてもよい。真空チャックは、パージガイド
に接することなく基板を支持部材に固定できる。また、真空チャックは、基板温
度の均一性を改善し、被膜の均一性を改善し、チャンバ内に僅かな粒子しか生成
せず、さらに基板とパージガイド、および基板と支持部材の間の橋絡を阻止する
ものである。
【００１５】 作動に際して、パージガスは支持部材を通り、ヒーターシールド４４と基板支
持部材２２の外側面の間に形成された環状通路５２に供給される。パージガスは
、基板７０の裏面端部を通り、基板端部を横切って供給される。その後、ガスの
大部分は、ガスを基板端部から離れて外側に供給する角度でパージガイド２４を
貫通して配置される、パージガス孔６６を通って流出する。この外側に指向した
パージは、パージガスが基板上の蒸着を妨害することを防いでいる。パージガス
の一部は、ヒーターシールド４４に支持されかつ離間しているパージガイドの下
に流れると共に、ヒーターシールドの通気口５６を通り抜け、チャンバの下部で
の蒸着を阻止する。さらに、僅かなガスが、パージガイド６８のリップと基板７
０の間のチャンバ内に流出できる。
【００１６】 パージ孔６６を通って流れる大部分のガスは、基板端部においてガス遮断壁を
もたらし、基板上の端部と裏面の蒸着を阻止する。パージガイドのリップ６８と
基板との間のガス流れは、さらに基板端部の蒸着を阻止する。通路５２を通るガ
ス流れも、基板裏面の蒸着防止を助けるものである。
【００１７】 パージガイドと基板との間に供給されるパージガスの流速は、パージガスが基
板表面上のプロセスガス流れを乱すことにより、基板端部近傍で均一蒸着に対し
て悪影響を及ぼすことを阻止するように制御される必要がある。蒸着の均一性を
もたらすために、パージガスの流速は、典型的にパージガイドと基板との間の隙
間の大きさに応じて調整される。概して、パージガスは約１００立方センチから
約１０，０００立方センチの間の速度で流れ、パージガスが約５００立方センチ
から約３，０００立方センチの間の速度で流れることが好ましい。パージガイド
のリップ６８の下面８６と、基板７０の上面との間の隙間は、約５ミリから約２
５ミリの間に維持されることが好ましく、約１０ミリから約２０ミリであること
がより好ましく、蒸着の均一性を犠牲にすることなく基板端部除去を最適化する
ためにパージガスの流速に依存するものである。
【００１８】 例えば、約５００立方センチ処理ガス流れと、約２５Ｔｏｒｒに維持されたチ
ャンバ圧力を有する、２００ｍｍ基板を処理するよう構成された処理チャンバに
おいて、完全な基板裏面および斜端除去と、約１ｍｍから約１．５ｍｍの端部除
去とを有する２．５％のＲｓ均一率を達成するために、約１０ミリの隙間が、約
２２００立方センチのパージガス流れを維持するのに好ましい。Ｒｓ均一率は、
ウエハの中心からウエハの端部までの蒸着の均一性に関する変化の測定値である
。同じチャンバ条件の第２の実施例として、完全な基板の裏面および端部除去を
有する２．５％のＲｓ均一率を達成するために、約２０ミリの隙間が、約１４０
０立方センチのパージガス流れを維持するのに好ましい。
【００１９】 基板温度は別の処理条件であり、蒸着速度は一般に基板温度の関数として変化
するので、均一な蒸着を得るためにこれを制御する必要がある。概して、蒸着速
度は基板温度が高くなるほど大きくなる。アルミニウム蒸着に関する処理中の基
板温度は約１７０℃から約２６０℃の間の温度に維持することが好ましい。
【００２０】 また、基板裏面のガス圧も、基板上の温度の均一性に影響を及ぼし、これは同
様に蒸着の均一性に影響する。一般に、裏面ガス圧は、約１Ｔｏｒｒから約１０
Ｔｏｒｒの間に維持される。裏面の圧力を変えることで、蒸着厚み形状を、中央
が薄く端部が厚い（２Ｔ以下の低い裏面圧力）ものから、中央が厚く端部が薄い
（１０Ｔ以上の高い裏面圧力）ものに変更できる。裏面圧力は、約２％から３．
５％の間の良好なＲｓ均一率を得るために、真空チャックにより約１．５Ｔｏｒ
ｒから約５Ｔｏｒｒに維持されることが好ましい。
【００２１】 蒸着均一率を評価する1つの方法は、偏差率で示される基板抵抗（Ｒｓ）均一 率を測定することである。概して、良好な蒸着均一率は、３ｍｍの物理的な端部
除去で測定して、約５％未満の低いＲｓ均一率により提示される。Ｒｓ均一率が
、約３％未満であることが好ましい。最小限の端部除去でありながら、許容でき
るＲｓ均一率を達成しながら、裏面および斜端蒸着を阻止するために、本発明は
、基板の裏面および端部の近傍にパージガス流れを維持しながら、基板表面端部
除去を最小限にする、複数のパージ孔を有するパージガスガイドを設けている。
しかし、パージガスの流速は、そこでの蒸着を阻止するために、基板の裏面およ
び斜端の近傍で十分なパージガス集中をもたらす必要がある。所望の端部除去と
Ｒｓ均一性を得るために、主としてパージ孔の大きさ、パージ孔の数、パージ孔
の角度、および基板とパージガスガイドとの間の距離つまり隙間に応じて要求流
速を調整する必要がある。
【００２２】 例えば、基板表面から１０ミリ上で、５０ミリ径で２４０個の、外側方向に４
５°の角度を持つパージホールを有するパージガスガイドについては、裏面およ
び斜端蒸着を阻止すると共に、約１ｍｍ端部除去を有する約３％のＲｓ均一率を
達成するには、約２，１００立方センチより大きいパージガス流れが好ましい。
第２の実施例として、基板表面から８ミリ上で、６０ミリ径で１８０個の、外側
方向に３０°の角度を持つパージホールを有するパージガスガイドについては、
裏面および斜端蒸着を阻止すると共に、約１ｍｍ端部除去を有する約４％のＲｓ
均一率を達成するには、約２，９００立方センチより大きいパージガス流れが好
ましい。概して、高パージ流れと大きな隙間距離は、さらに有効な裏面および斜
端蒸着防止と良好な基板端部除去とをもたらす。しかし、パージガスの流速も結
果としてもたらされる被膜のＲｓ均一性に影響し、概して、高いパージガス流速
は、粗末な均一率を生じる。つまり、パージガスの流速は、結果としてもたらさ
れるＲｓ均一率が最適になるように、基板裏面および端部除去を得るのに必要な
最小限に維持されることが好ましい。
【００２３】 前述のものは、本発明の好適な実施の形態を示すものであるが、本発明の基本
的な範囲を逸脱することなく、別の更なる実施の形態を見出すことができ、その
範囲は以下の請求の範囲で決められるものである。
【図面の簡単な説明】
本発明の上述の特徴、利点および目的を達成する方法を細部にわたって理解で
きるよう、前記の簡単に要約した本発明の更に詳細な説明は、添付図面に例示さ
れた実施の形態を参照して得ることができる。 しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施の形態を例示するのみであり
、その範囲を限定するものではなく、本発明は他の同等に有効な実施の形態を許
すものである。
【図１】 ＣＶＤ処理を用いる従来の装置の断面図である。
【図２】 ＣＶＤ処理を用いる本発明の装置の断面図である。
【図３】 図２で示される装置の一部分の拡大図である。
【図４】 本発明のパージガイドの平面図である。
【図５】 本発明のパージガイドの他の実施の形態を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バーン モハーン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ ルシール アベ ニュー 20200−＃101 (72)発明者 ジョーンズ ジャスティン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94115 サン フランシスコ フィルモア ストリート 1425−＃312 (72)発明者 レイ ローレンス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95035 ミルピタス カントリー クラブ ドライヴ 1594 (72)発明者 エルワンガー ラッセル アメリカ合衆国 カリフォルニア州 93921 カーメル ロワー トレイル 24725 (72)発明者 チャン メイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95070 サラトガ コート ド アルグエ ロ 12881 (72)発明者 シンハ アショク アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94304 パロ アルト ハッバート ドラ イヴ 4176 (72)発明者 テップマン アーヴィ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ レインボウ ド ライヴ 21610 Ｆターム(参考） 4K030 GA02 JA05 JA10 KA45 LA15 LA18 5F045 AD05 AD06 EB02 EE14 EE20 EF05 EM02 EM04 EM07 EM10

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フレーム部材であって、パージガスが流れることができるよ
    う、該フレーム部材を貫通して配置される複数のパージ孔を有するフレーム部材
    と、 基板端部をシールドするための、前記フレーム部材の内側開口を定める内側リ
    ップ部と、 とを備えたことを特徴とする基板端部をシールドする装置。
  2. 【請求項２】 前記フレーム部材が環状リングであり、前記パージガス孔が
    前記内側リップ部の外側に配置されている、請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 表面に前記フレーム部材を支持するための、前記フレーム部
    材から延びる基部をさらに備えている、請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記基部は、内側に傾斜したセンタリング面を定める、請求
    項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記基部に配置された、１つまたはそれ以上の位置合わせ部
    材をさらに備えている、請求項３に記載の装置。
  6. 【請求項６】 第２の表面上に前記フレームを支持するための、第２の基部
    をさらに備えている、請求項５に記載の装置。
  7. 【請求項７】 ａ）処理領域を定めるエンクロージャと、 ｂ）前記エンクロージャ内に配置され、そこで基板を支持するための基板支持
    部材と、 ｃ）前記エンクロージャに接続される処理ガス入口と、 ｄ）前記エンクロージャに接続される排気システムと、 ｅ）前記基板支持部材上に配置されるシールド部材であって、該シールド部材
    は、 １）フレーム部材を貫通して配置される複数のパージ孔を有するフレーム部
    材と、 ２）基板端部をシールドするための、前記フレーム部材の内側開口を定める
    内側リップ部と、 を備え、 ｆ）基板端部近傍にパージガスを供給するよう接続されているパージガス入口
    と、 を備えることを特徴とする基板を処理するための装置。
  8. 【請求項８】 前記フレーム部材が環状リングであり、前記パージガス孔が
    前記内側リップ部の外側に配置されている、請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】 表面に前記フレーム部材を支持するための、前記フレーム部
    材から延びる基部をさらに備えている、請求項７に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 前記基部は、内側に傾斜したセンタリング面を定める、請
    求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前記基部に配置された、１つまたはそれ以上の位置合わせ
    部材をさらに備えている、請求項１０に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 第２の表面上に前記フレームを支持するための、第２の基
    部をさらに備えている、請求項１１に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記支持部材の肩部に配置される支持部材シールドをさら
    に備えている、請求項１２に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 前記支持部材シールドは内側壁、外側壁およびその間に配
    置される接続部材を備えている、請求項１３に記載の装置。
  15. 【請求項１５】 前記支持部材シールドの前記内側壁と、前記支持部材とは
    パージガス通路を定めている、請求項１４に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記支持部材シールドの前記外側壁は、前記シールド部材
    を位置合わせするための位置合わせ面をもたらす、請求項１４に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 前記内側リップの下面に配置される、１つまたはそれ以上
    の間隙部材をさらに備えている、請求項７に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 前記支持部材は真空チャックを含んでいる、請求項７に記
    載の装置。
  19. 【請求項１９】 ａ）基板上に配置されたシールド部材を設け、該シールド
    部材は、 １）フレーム部材であって、パージガスが流れることができるよう、該フレ
    ーム部材を貫通して配置される複数のパージ孔を有するフレーム部材と、 ２）基板端部をシールドするための、前記フレーム部材の内側開口を定める
    内側リップ部と、 を備え、 ｂ）前記基板端部近傍に、更に、パージガス孔を通して、パージガスを流す、
    ことを含むことを特徴とする基板端部をシールドする方法。
  20. 【請求項２０】 前記パージガスが、約１００立方センチから約１０，００
    ０立方センチの間で流されている、請求項１９に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記パージガスが、約５００立方センチから約３，０００
    立方センチの範囲で流されている、請求項１９に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記シールド部材が前記基板の上に、約５ミリから約２５
    ミリの範囲の距離で配置されている、請求項１９に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記シールド部材が前記基板の上に、約１０ミリから約２
    ０ミリの範囲の距離で配置されている、請求項１９に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 さらに、 ｃ）約１．５Ｔｏｒｒから約５Ｔｏｒｒの範囲の基板裏面圧力を与える、 請求項１９に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 さらに、 ｃ）約１７０℃から約２６０℃の範囲の基板温度を維持する、 請求項１９に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 ａ）処理装置を設け、該処理装置は、 １）処理領域を定めるエンクロージャと、 ２）前記エンクロージャ内に配置され、そこで基板を支持するための基板支
    持部材と、 ３）前記エンクロージャに接続される処理ガス入口と、 ４）前記エンクロージャに接続される排気システムと、 ５）前記基板支持部材上に配置されるシールド部材であって、該シールド部
    材は、 ｉ）フレーム部材を貫通して配置される複数のパージ孔を有するフレーム
    部材と、 ii）基板端部をシールドするための、前記フレーム部材の内側開口を定め
    る内側リップ部と、 を備えており、 ６）基板端部近傍にパージガスを供給するよう接続されているパージガス入
    口と、 を備えており、 ｂ）前記ガス入口を通って処理ガスを流し、および、 ｃ）前記基板端部近傍に、更に、パージガス孔を通して、パージガスを流す、
    ことを含むことを特徴とする基板を処理する方法。
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