JPH1145861A - 枚葉式リアクタ内の、排ガスを加熱するための穴のあいた下方ライナ - Google Patents
枚葉式リアクタ内の、排ガスを加熱するための穴のあいた下方ライナInfo
- Publication number
- JPH1145861A JPH1145861A JP10137330A JP13733098A JPH1145861A JP H1145861 A JPH1145861 A JP H1145861A JP 10137330 A JP10137330 A JP 10137330A JP 13733098 A JP13733098 A JP 13733098A JP H1145861 A JPH1145861 A JP H1145861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- gas
- deposition
- exhaust passage
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 96
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 133
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 105
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034962 Photopsia Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000065 phosphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 排気通路内の堆積物形成を低減し、チャンバ
下部からの金属汚染を減らすことのできる方法及び装置
を提供する。 【解決手段】本発明は、排ガスを加熱するための通気口
を有する下部ライナを備えた枚葉式リアクタである。本
発明の装置は反応チャンバを含む。チャンバを上部と下
部に分割するウェーハ支持部材がチャンバ内部に配置さ
れている。チャンバからガスを排出するためのガス出口
は、チャンバ下部からガスを排出する通気穴と、チャン
バ上部からガスを排出する排気通路開口部とを有する。
加熱された不活性パージガスが、排気通路内における堆
積ガスの凝縮を防止するように、チャンバ下部から通気
穴を通して送られる。
下部からの金属汚染を減らすことのできる方法及び装置
を提供する。 【解決手段】本発明は、排ガスを加熱するための通気口
を有する下部ライナを備えた枚葉式リアクタである。本
発明の装置は反応チャンバを含む。チャンバを上部と下
部に分割するウェーハ支持部材がチャンバ内部に配置さ
れている。チャンバからガスを排出するためのガス出口
は、チャンバ下部からガスを排出する通気穴と、チャン
バ上部からガスを排出する排気通路開口部とを有する。
加熱された不活性パージガスが、排気通路内における堆
積ガスの凝縮を防止するように、チャンバ下部から通気
穴を通して送られる。
Description
【０００１】
１)発明の分野 本発明は半導体処理設備に関し、より詳細には、半導体
処理装置内の粒子汚染を低減するための方法及び装置に
関する。
処理装置内の粒子汚染を低減するための方法及び装置に
関する。
【０００２】２)関連技術の検討 半導体ウェーハ処理装置の一形式に、処理チャンバ内で
一回につき一枚のウェーハを処理する枚葉式プロセッサ
がある。枚葉式リアクタの例を図１に示す。サセプタ１
２０が、チャンバ１１２を、サセプタより下方の一部分
(下部)１２４と、サセプタより上部の第２の部分(上部)
１２２とに分割している。サセプタ１２０は、一般に、
中心を軸としてサセプタを回転させて、より均一なウェ
ーハ処理を達成するシャフト１２６に取り付けられてい
る。堆積ガス１１５等の処理ガス流は、チャンバ上部１
２２に供給される。一般に、チャンバは、その一方の側
面にガス入口通路１７８を有し、また反対側の側面に排
気通路１１６を有し、ウェーハを横切る処理ガス流を達
成している。サセプタ１２０は、ウェーハを所望の処理
温度まで加熱するために加熱される。サセプタを加熱す
るために用いられる方法のひとつに、チャンバ周囲に備
えられたランプ１３４を使用して、それらの光をチャン
バ内及びサセプタ１２０上に向ける方法がある。ウェー
ハの加熱温度を制御するために、常時サセプタの温度は
測定される。これは多くの場合加熱されたサセプタから
放射される赤外線を検知する赤外線温度センサ１３６に
よって達成される。
一回につき一枚のウェーハを処理する枚葉式プロセッサ
がある。枚葉式リアクタの例を図１に示す。サセプタ１
２０が、チャンバ１１２を、サセプタより下方の一部分
(下部)１２４と、サセプタより上部の第２の部分(上部)
１２２とに分割している。サセプタ１２０は、一般に、
中心を軸としてサセプタを回転させて、より均一なウェ
ーハ処理を達成するシャフト１２６に取り付けられてい
る。堆積ガス１１５等の処理ガス流は、チャンバ上部１
２２に供給される。一般に、チャンバは、その一方の側
面にガス入口通路１７８を有し、また反対側の側面に排
気通路１１６を有し、ウェーハを横切る処理ガス流を達
成している。サセプタ１２０は、ウェーハを所望の処理
温度まで加熱するために加熱される。サセプタを加熱す
るために用いられる方法のひとつに、チャンバ周囲に備
えられたランプ１３４を使用して、それらの光をチャン
バ内及びサセプタ１２０上に向ける方法がある。ウェー
ハの加熱温度を制御するために、常時サセプタの温度は
測定される。これは多くの場合加熱されたサセプタから
放射される赤外線を検知する赤外線温度センサ１３６に
よって達成される。
【０００３】この種の処理装置の問題点は、一部の処理
ガス（これは多くの場合ウェーハ表面に材料層を堆積さ
せるための単一ガス又は混合ガスである）が、サセプタ
の縁部周辺に流れて、サセプタの裏面に材料層を堆積す
る傾向があることである。一般に堆積される材料はサセ
プタの材料とは異なっているため、堆積層は、サセプタ
の放射率とは異なる放射率を有している。従って、材料
層がサセプタ裏面に堆積すると、赤外線温度センサは、
赤外線が放射される表面の放射率変動に起因する変動を
検知してしまう。この変動は、実際には存在しないサセ
プタの温度変動を示す。
ガス（これは多くの場合ウェーハ表面に材料層を堆積さ
せるための単一ガス又は混合ガスである）が、サセプタ
の縁部周辺に流れて、サセプタの裏面に材料層を堆積す
る傾向があることである。一般に堆積される材料はサセ
プタの材料とは異なっているため、堆積層は、サセプタ
の放射率とは異なる放射率を有している。従って、材料
層がサセプタ裏面に堆積すると、赤外線温度センサは、
赤外線が放射される表面の放射率変動に起因する変動を
検知してしまう。この変動は、実際には存在しないサセ
プタの温度変動を示す。
【０００４】サセプタ裏面への堆積の問題を防止するた
めに用いられてきた技法のひとつに、水素等の不活性ガ
ス１２１の流れを、チャンバ上部内の堆積ガスの圧力よ
り僅かに高い圧力でチャンバ下部に供給するものがあ
る。これを達成するための装置のひとつは、１９９３年
７月３０日に出願された、Roger N. Anderson他による
米国特許出願第０８／０９９／９７７号明細書、発明の
名称「ウェーハ処理チャンバのためのガス入口」に述べら
れている。チャンバ下部内の不活性ガスの方が高圧であ
るため、不活性ガスは、チャンバ下部からサセプタ縁部
を回り込みチャンバ上部へと流れる。不活性ガスのこの
流れが、チャンバ下部への堆積ガス１１５の流れを防止
する。しかし残念なことに、パージガスがチャンバ１２
２の上部１２２に配置する排気通路１１６を介して流出
するために、チャンバ下部からチャンバ上部へと流れる
際に、パージガスが金属汚染物質をチャンバ下部からチ
ャンバ上部に運び、処理されるウェーハを汚染する結果
となる。
めに用いられてきた技法のひとつに、水素等の不活性ガ
ス１２１の流れを、チャンバ上部内の堆積ガスの圧力よ
り僅かに高い圧力でチャンバ下部に供給するものがあ
る。これを達成するための装置のひとつは、１９９３年
７月３０日に出願された、Roger N. Anderson他による
米国特許出願第０８／０９９／９７７号明細書、発明の
名称「ウェーハ処理チャンバのためのガス入口」に述べら
れている。チャンバ下部内の不活性ガスの方が高圧であ
るため、不活性ガスは、チャンバ下部からサセプタ縁部
を回り込みチャンバ上部へと流れる。不活性ガスのこの
流れが、チャンバ下部への堆積ガス１１５の流れを防止
する。しかし残念なことに、パージガスがチャンバ１２
２の上部１２２に配置する排気通路１１６を介して流出
するために、チャンバ下部からチャンバ上部へと流れる
際に、パージガスが金属汚染物質をチャンバ下部からチ
ャンバ上部に運び、処理されるウェーハを汚染する結果
となる。
【０００５】図１の処理装置に関連するもうひとつの問
題点は、堆積ガス１１５が、排気通路１１６を介してチ
ャンバから退出する際に堆積ガスが冷却され、凝縮さ
れ、排気通路１１６内部に堆積物１１４を形成すること
にある。堆積ガスが冷却されるのは図１の装置が「冷壁
リアクタ(cold wall reactor)」だからである。すなわ
ち、リフレクタ１３５のために側壁がランプ１３４によ
って直接照射されず、また側壁中を冷却流体が循環して
いるために処理中の堆積チャンバの側壁がサセプタ１２
０(及びウェーハ)の温度よりも実質的に低いからであ
る。側壁及び排気出口通路が低温であるために、サセプ
タ１２０によって加熱された堆積ガスは通路内にある間
に冷えて、内部に堆積物１１４が形成される。これらの
堆積物１１４はチャンバ１１２内に戻り、処理中のウェ
ーハ上に載ってしまう恐れがある。堆積物１１４は、膜
の品質と均一性に悪影響を及ぼし、デバイスの歩留まり
を実質的に低下させ得る。
題点は、堆積ガス１１５が、排気通路１１６を介してチ
ャンバから退出する際に堆積ガスが冷却され、凝縮さ
れ、排気通路１１６内部に堆積物１１４を形成すること
にある。堆積ガスが冷却されるのは図１の装置が「冷壁
リアクタ(cold wall reactor)」だからである。すなわ
ち、リフレクタ１３５のために側壁がランプ１３４によ
って直接照射されず、また側壁中を冷却流体が循環して
いるために処理中の堆積チャンバの側壁がサセプタ１２
０(及びウェーハ)の温度よりも実質的に低いからであ
る。側壁及び排気出口通路が低温であるために、サセプ
タ１２０によって加熱された堆積ガスは通路内にある間
に冷えて、内部に堆積物１１４が形成される。これらの
堆積物１１４はチャンバ１１２内に戻り、処理中のウェ
ーハ上に載ってしまう恐れがある。堆積物１１４は、膜
の品質と均一性に悪影響を及ぼし、デバイスの歩留まり
を実質的に低下させ得る。
【０００６】従って、排気通路内の堆積物形成を低減
し、チャンバ下部からの金属汚染を減らすことのできる
方法及び装置が望まれる。
し、チャンバ下部からの金属汚染を減らすことのできる
方法及び装置が望まれる。
【０００７】
【発明の概要】本発明は、排ガスを加熱するための通気
穴を有する（vented、穴のあいた）下部ライナを有する
枚葉式リアクタである。本発明の装置は、反応チャンバ
を含む。チャンバを上部と下部に分割するウェーハ支持
部材が、チャンバ内部に配置されている。排気チャネル
が、反応チャンバの側壁内に形成されており、チャンバ
内部からガスが排出される。堆積ガスは、チャンバ上部
と堆積チャンバ外面側壁との間に配置された排気通路を
通して排出される。大流量の加熱されたパージガスは、
チャンバ下部と排気通路との間に配置された通気穴を通
してチャンバ下部より排出される。排気通路への大流量
の加熱パージガスによって、排出される堆積ガスの排気
通路内での凝縮並びに同通路内での堆積物形成が防止さ
れる。
穴を有する（vented、穴のあいた）下部ライナを有する
枚葉式リアクタである。本発明の装置は、反応チャンバ
を含む。チャンバを上部と下部に分割するウェーハ支持
部材が、チャンバ内部に配置されている。排気チャネル
が、反応チャンバの側壁内に形成されており、チャンバ
内部からガスが排出される。堆積ガスは、チャンバ上部
と堆積チャンバ外面側壁との間に配置された排気通路を
通して排出される。大流量の加熱されたパージガスは、
チャンバ下部と排気通路との間に配置された通気穴を通
してチャンバ下部より排出される。排気通路への大流量
の加熱パージガスによって、排出される堆積ガスの排気
通路内での凝縮並びに同通路内での堆積物形成が防止さ
れる。
【０００８】
【実施の形態の詳細な説明】本発明では、枚葉式処理リ
アクタの排気通路内における堆積ガスの凝縮を防止する
ための方法及び装置について述べる。以下の説明では、
特定な加熱エレメントやガス等の数多くの特定な詳細
を、発明の完全な理解を提供するために示す。他の事
例、例えば公知のリアクタ寸法形状及びプロセスについ
ては、本発明を不必要に分かりにくくしないために詳し
い説明はしていない。
アクタの排気通路内における堆積ガスの凝縮を防止する
ための方法及び装置について述べる。以下の説明では、
特定な加熱エレメントやガス等の数多くの特定な詳細
を、発明の完全な理解を提供するために示す。他の事
例、例えば公知のリアクタ寸法形状及びプロセスについ
ては、本発明を不必要に分かりにくくしないために詳し
い説明はしていない。
【０００９】本発明は枚葉式リアクタである。処理対象
のウェーハを支持するサセプタが、堆積チャンバ内部に
配置されて、チャンバを上部と下部に分割している。チ
ャンバ上部に送られてウェーハを横切る堆積ガスは、チ
ャンバ上部から堆積チャンバ内側壁を通って外部に延び
た排気通路を通して排出される。Ｈ2等の不活性ガスが
チャンバ下部に送られて、チャンバ下部と排気通路との
間に形成された通気穴から排出される。大流量の不活性
パージガスによって、大量の加熱ガスを排気通路内部に
提供されて、同通路内における堆積ガスの凝縮及び堆積
物の形成が防止される。加えて、パージガスがチャンバ
下部から直接排出されて、チャンバ下部からの金属汚染
物質が低減される。
のウェーハを支持するサセプタが、堆積チャンバ内部に
配置されて、チャンバを上部と下部に分割している。チ
ャンバ上部に送られてウェーハを横切る堆積ガスは、チ
ャンバ上部から堆積チャンバ内側壁を通って外部に延び
た排気通路を通して排出される。Ｈ2等の不活性ガスが
チャンバ下部に送られて、チャンバ下部と排気通路との
間に形成された通気穴から排出される。大流量の不活性
パージガスによって、大量の加熱ガスを排気通路内部に
提供されて、同通路内における堆積ガスの凝縮及び堆積
物の形成が防止される。加えて、パージガスがチャンバ
下部から直接排出されて、チャンバ下部からの金属汚染
物質が低減される。
【００１０】本発明による半導体ウェーハ処理装置２１
０を図２に示す。図示の処理装置２１０は堆積リアクタ
であって、上部ドーム２１４と、下部ドーム２１６と、
上部ドーム２１４と下部ドーム２１６との間の側壁２１
８とを有する堆積チャンバ２１２を備えている。ドーム
２１４及び２１６を側壁２１８に取付けるために用いる
複数の“Ｏ”リングを冷却する目的で、冷却流体(図示
せず)が側壁２１８の中を循環している。上部ライナ２
８２及び下部ライナ２８４が、側壁２１８の内部表面に
接して取り付けられている。上部ドーム２１４及び下部
ドーム２１６は、透過性素材から形成されており、加熱
光がチャンバ２１２内部に通過できるようになってい
る。
０を図２に示す。図示の処理装置２１０は堆積リアクタ
であって、上部ドーム２１４と、下部ドーム２１６と、
上部ドーム２１４と下部ドーム２１６との間の側壁２１
８とを有する堆積チャンバ２１２を備えている。ドーム
２１４及び２１６を側壁２１８に取付けるために用いる
複数の“Ｏ”リングを冷却する目的で、冷却流体(図示
せず)が側壁２１８の中を循環している。上部ライナ２
８２及び下部ライナ２８４が、側壁２１８の内部表面に
接して取り付けられている。上部ドーム２１４及び下部
ドーム２１６は、透過性素材から形成されており、加熱
光がチャンバ２１２内部に通過できるようになってい
る。
【００１１】チャンバ２１２内部には、ウェーハを支持
するための平坦で円形のサセプタ２２０がある。このサ
セプタ２２０は、側壁２１８にチャンバ２１２全体を横
切って延びており、チャンバ２１２をサセプタ２２０よ
り上の上部２２２と、サセプタ２２０より下の下部２２
４とに分割している。サセプタ２２０は、サセプタ２２
０の底部中央から垂直下方に延びたシャフト２２６上に
取り付けられている。シャフト２２６は、シャフト２２
６を回転させてサセプタ２２０を回転させるモータ(図
示せず)と連結されている。環状の予熱リング２２８
が、外側周縁部で下部ライナ２８４の内側周縁部と連結
しており、サセプタ２２０を取り囲んで延びている。予
熱リング２２８はサセプタ２２８と同平面にあって、予
熱リング２２８の内縁は隙間２２９によってサセプタ２
２０の外縁から離間されている。入口マニホルド２３０
が、チャンバ２１２の側面に配置されており、ガスをチ
ャンバ２１２内に導入するように適合されている。出口
ポートが、入口マニホルドから対角に対向するチャンバ
２１２の側面上に配置されており、堆積チャンバ２１２
からガスを排出できるように適合されている。
するための平坦で円形のサセプタ２２０がある。このサ
セプタ２２０は、側壁２１８にチャンバ２１２全体を横
切って延びており、チャンバ２１２をサセプタ２２０よ
り上の上部２２２と、サセプタ２２０より下の下部２２
４とに分割している。サセプタ２２０は、サセプタ２２
０の底部中央から垂直下方に延びたシャフト２２６上に
取り付けられている。シャフト２２６は、シャフト２２
６を回転させてサセプタ２２０を回転させるモータ(図
示せず)と連結されている。環状の予熱リング２２８
が、外側周縁部で下部ライナ２８４の内側周縁部と連結
しており、サセプタ２２０を取り囲んで延びている。予
熱リング２２８はサセプタ２２８と同平面にあって、予
熱リング２２８の内縁は隙間２２９によってサセプタ２
２０の外縁から離間されている。入口マニホルド２３０
が、チャンバ２１２の側面に配置されており、ガスをチ
ャンバ２１２内に導入するように適合されている。出口
ポートが、入口マニホルドから対角に対向するチャンバ
２１２の側面上に配置されており、堆積チャンバ２１２
からガスを排出できるように適合されている。
【００１２】複数の高輝度ランプ２３４がチャンバ２１
２の周りに装着されており、それらの光を上部ドーム２
１４及び下部ドーム２１６を通してサセプタ２２０上に
向け、サセプタ２２０を加熱する。上部ドーム２１４及
び下部ドーム２１６は、ランプ２３４からの光に対して
透過性のある透明な石英等の材料から形成されている。
上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６は、一般に石英
から形成されているが、その理由は、石英が可視光線と
赤外線周波数の両方の光に対して透過性である点、比較
的高い構造強度を示す点、そして堆積チャンバ２１２の
処理環境においても化学的に安定している点にある。ラ
ンプは、堆積チャンバ２２０内のウェーハを加熱するた
めの望ましい手段ではあるが、抵抗加熱器やＲＦ誘導加
熱器等の他の手段を用いても良い。高温計等の赤外線温
度センサ２３６は、下部ドーム２１６より下に装着され
ており、下部ドーム２１６を通してサセプタ２２０表面
の底部と向かい合っている。温度センサ２３６が、サセ
プタ２２０が加熱される際にサセプタ２２０から放射さ
れる赤外線を受けてサセプタ２２０の温度をモニタする
ために用いられる。任意で、ウェーハの温度を測定する
ための温度センサ２３７を同時に組み込んでも良い。
２の周りに装着されており、それらの光を上部ドーム２
１４及び下部ドーム２１６を通してサセプタ２２０上に
向け、サセプタ２２０を加熱する。上部ドーム２１４及
び下部ドーム２１６は、ランプ２３４からの光に対して
透過性のある透明な石英等の材料から形成されている。
上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６は、一般に石英
から形成されているが、その理由は、石英が可視光線と
赤外線周波数の両方の光に対して透過性である点、比較
的高い構造強度を示す点、そして堆積チャンバ２１２の
処理環境においても化学的に安定している点にある。ラ
ンプは、堆積チャンバ２２０内のウェーハを加熱するた
めの望ましい手段ではあるが、抵抗加熱器やＲＦ誘導加
熱器等の他の手段を用いても良い。高温計等の赤外線温
度センサ２３６は、下部ドーム２１６より下に装着され
ており、下部ドーム２１６を通してサセプタ２２０表面
の底部と向かい合っている。温度センサ２３６が、サセ
プタ２２０が加熱される際にサセプタ２２０から放射さ
れる赤外線を受けてサセプタ２２０の温度をモニタする
ために用いられる。任意で、ウェーハの温度を測定する
ための温度センサ２３７を同時に組み込んでも良い。
【００１３】上部クランプリング２４８が、上部ドーム
２１４の外面周縁部を囲んで延びている。下部クランプ
リング２５０は、下部ドーム２１６の外面周縁部を囲ん
で延びている。上部及び下部クランプリングは共締めさ
れていて、上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６は側
壁２１８に締め付けられている。
２１４の外面周縁部を囲んで延びている。下部クランプ
リング２５０は、下部ドーム２１６の外面周縁部を囲ん
で延びている。上部及び下部クランプリングは共締めさ
れていて、上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６は側
壁２１８に締め付けられている。
【００１４】リアクタ２１０は、堆積チャンバ２１２の
中に堆積ガスを送るための堆積ガス入口マニホルド２３
０を含む。ガス入口マニホルド２３０は、バッフル２７
４、側壁２１８内部に配置された挿入プレート２７９、
及び上部ライナ２８２と下部ライナ２８４との間に形成
された通路２６０を含む。通路２６０はチャンバ２１２
の上部２２２と繋いでいる。シリコンソースガス、ドー
パントソースガス、及びキャリヤガス等の堆積ガスは、
ガスキャップ２３８からバッフル２７４、挿入プレート
２７９、及び通路２６０を介して、チャンバ２１２の上
部２２２に送られる。
中に堆積ガスを送るための堆積ガス入口マニホルド２３
０を含む。ガス入口マニホルド２３０は、バッフル２７
４、側壁２１８内部に配置された挿入プレート２７９、
及び上部ライナ２８２と下部ライナ２８４との間に形成
された通路２６０を含む。通路２６０はチャンバ２１２
の上部２２２と繋いでいる。シリコンソースガス、ドー
パントソースガス、及びキャリヤガス等の堆積ガスは、
ガスキャップ２３８からバッフル２７４、挿入プレート
２７９、及び通路２６０を介して、チャンバ２１２の上
部２２２に送られる。
【００１５】リアクタ２１０はまた、水素(Ｈ2)又は窒
素(Ｎ2)等（これらに限定されないが）の不活性パージ
ガスを、堆積チャンバ２１２の下部２２４に送るための
独立した不活性ガス入口２６２を含む。図２に示すよう
に、不活性パージガス入口２６２は、所望であれば、バ
ッフル２７４、挿入プレート２７９及び下部ライナ２８
４を通り抜ける物理的に分離された個別の通路２６２が
不活性ガスのために備えられている限り、ガス入口マニ
ホルド２３０と一体化することもでき、その結果、不活
性パージガスは、堆積ガスとは関係なく制御及び方向付
けができる。不活性パージガス入口２６２は、必ずしも
堆積ガス入口マニホルド２３０と一体化又はそれに沿っ
て配置する必要はなく、例えば堆積ガス入口マニホルド
２３０に対して９０゜の角度を有するようにリアクタ２
１０上に配置しても良い。
素(Ｎ2)等（これらに限定されないが）の不活性パージ
ガスを、堆積チャンバ２１２の下部２２４に送るための
独立した不活性ガス入口２６２を含む。図２に示すよう
に、不活性パージガス入口２６２は、所望であれば、バ
ッフル２７４、挿入プレート２７９及び下部ライナ２８
４を通り抜ける物理的に分離された個別の通路２６２が
不活性ガスのために備えられている限り、ガス入口マニ
ホルド２３０と一体化することもでき、その結果、不活
性パージガスは、堆積ガスとは関係なく制御及び方向付
けができる。不活性パージガス入口２６２は、必ずしも
堆積ガス入口マニホルド２３０と一体化又はそれに沿っ
て配置する必要はなく、例えば堆積ガス入口マニホルド
２３０に対して９０゜の角度を有するようにリアクタ２
１０上に配置しても良い。
【００１６】本発明における枚葉式リアクタのガス出口
２３２の実施形態の側方断面図を図３に示す。ガス出口
２３２は、チャンバ上部２２２から側壁２１８の外径ま
で延びた排気通路３００を含む。排気通路３００は、上
部ライナ２８２と下部ライナ２８４との間に形成され、
チャンバ上部２２２と側壁２１８の内径との間に延びた
上部通路３０２を含む。加えて、排気通路３００は、側
壁２１８内部に配置された挿入プレート２７８の内部に
形成された排気チャネル３０４も含む。堆積チャンバ２
１２内に低圧あるいは減圧状態を作り出すための、ポン
プ(図示せず)等の負圧ソースが、出口パイプ２３３を介
して側壁２１８の外側で排気チャネル３０４に連結され
ている。従ってチャンバ上部２２２に送り込まれた堆積
ガスは、上部通路３０２から排気チャネル３０４を通っ
て、出口パイプ２３３へと排出される。
２３２の実施形態の側方断面図を図３に示す。ガス出口
２３２は、チャンバ上部２２２から側壁２１８の外径ま
で延びた排気通路３００を含む。排気通路３００は、上
部ライナ２８２と下部ライナ２８４との間に形成され、
チャンバ上部２２２と側壁２１８の内径との間に延びた
上部通路３０２を含む。加えて、排気通路３００は、側
壁２１８内部に配置された挿入プレート２７８の内部に
形成された排気チャネル３０４も含む。堆積チャンバ２
１２内に低圧あるいは減圧状態を作り出すための、ポン
プ(図示せず)等の負圧ソースが、出口パイプ２３３を介
して側壁２１８の外側で排気チャネル３０４に連結され
ている。従ってチャンバ上部２２２に送り込まれた堆積
ガスは、上部通路３０２から排気チャネル３０４を通っ
て、出口パイプ２３３へと排出される。
【００１７】図２に示す枚葉式リアクタは、「冷壁」リア
クタである。すなわち、側壁２１８並びに上部ライナ２
８２及び下部ライナ２８４は、各々処理中はサセプタ２
２０(及びその上に置かれているウェーハ)よりも実質的
に低い温度である。例えば、ウェーハ上にエピタキシャ
ルシリコン膜を堆積させるプロセスでは、サセプタ及び
ウェーハは９００〜１２００℃の間の温度まで加熱さ
れ、一方、側壁(及びライナ)は約４００〜６００℃の温
度である。側壁及び各ライナの温度が低いのは、リフレ
クタ２３５があってランプ２３４からの直接照射を受け
ないためと、側壁２１８を通って冷却流体が循環してい
るためとによる。
クタである。すなわち、側壁２１８並びに上部ライナ２
８２及び下部ライナ２８４は、各々処理中はサセプタ２
２０(及びその上に置かれているウェーハ)よりも実質的
に低い温度である。例えば、ウェーハ上にエピタキシャ
ルシリコン膜を堆積させるプロセスでは、サセプタ及び
ウェーハは９００〜１２００℃の間の温度まで加熱さ
れ、一方、側壁(及びライナ)は約４００〜６００℃の温
度である。側壁及び各ライナの温度が低いのは、リフレ
クタ２３５があってランプ２３４からの直接照射を受け
ないためと、側壁２１８を通って冷却流体が循環してい
るためとによる。
【００１８】ガス出口２３２はまた、チャンバ下部２２
４から下部ライナ２８４を通して排気通路３００まで延
びた通気穴３０６も含んでいる。通気穴３０６は、図３
に示すように排気通路３００の上部通路３０２と交差し
ているのが望ましい。不活性パージガスは、チャンバ下
部２２４から通気穴３０６を通り、上部チャンバ通路３
０２の一部を抜け、排気チャネル３０４を通り、出口パ
イプ２３２へと排出される。通気穴３０６はチャンバ下
部から排気通路３００へパージガスが直接排出されるこ
とができるようにしている。
４から下部ライナ２８４を通して排気通路３００まで延
びた通気穴３０６も含んでいる。通気穴３０６は、図３
に示すように排気通路３００の上部通路３０２と交差し
ているのが望ましい。不活性パージガスは、チャンバ下
部２２４から通気穴３０６を通り、上部チャンバ通路３
０２の一部を抜け、排気チャネル３０４を通り、出口パ
イプ２３２へと排出される。通気穴３０６はチャンバ下
部から排気通路３００へパージガスが直接排出されるこ
とができるようにしている。
【００１９】本発明によれば、堆積ガスあるいは各種ガ
ス４００が、ガス入口マニホルド２３０からチャンバ上
部２２２に送られる。本発明で堆積ガスとは、チャンバ
２１２内に配置されるウェーハあるいは基板上に膜を堆
積するように作用するガスあるいは混合ガスと定義す
る。本発明の好ましい方法で堆積ガスは、サセプタ２２
０の上に配置されたウェーハ上にシリコンのエピタキシ
ャル層を堆積させるために用いる。堆積ガス４００は一
般に、モノシラン、トリクロラルシラン（trichloralsi
lane）、ジクロラルシラン（dichloralsilane）、及び
テトラクロロルシラン（tetrachlorolsilane）等（これ
らに限定されないが）のシリコンソース、並びにホスフ
ェン（phosphene）、ジボラン、及びアルシン等（これ
らに限定されない）のドーパントガスソースを含んでい
る。Ｈ2等のキャリヤガスが、一般に堆積ガス流に含ま
れている。約５リットルの堆積チャンバに対して、３５
〜７５ＳＬＭの堆積ガス流(キャリヤガスを含む) が、
通常チャンバ上部２２２に送られて、ウェーハ上にシリ
コン層が堆積される。堆積ガス４００の流れは、本質的
に入口通路２６０から予熱リング２２８を横切り、サセ
プタ２２０(及びウェーハ)を横切り、反対側の予熱リン
グ２２８を横切り、排気通路３００から外に出る層流で
ある。堆積ガスは、予熱リング２２８、サセプタ２２
０、及び処理されるウェーハによって堆積温度あるいは
プロセス温度まで加熱される。エピタキシャルシリコン
層をウェーハ上に堆積するプロセスでは、サセプタ及び
予熱リングは８００〜１２００℃の間の温度まで加熱さ
れる。
ス４００が、ガス入口マニホルド２３０からチャンバ上
部２２２に送られる。本発明で堆積ガスとは、チャンバ
２１２内に配置されるウェーハあるいは基板上に膜を堆
積するように作用するガスあるいは混合ガスと定義す
る。本発明の好ましい方法で堆積ガスは、サセプタ２２
０の上に配置されたウェーハ上にシリコンのエピタキシ
ャル層を堆積させるために用いる。堆積ガス４００は一
般に、モノシラン、トリクロラルシラン（trichloralsi
lane）、ジクロラルシラン（dichloralsilane）、及び
テトラクロロルシラン（tetrachlorolsilane）等（これ
らに限定されないが）のシリコンソース、並びにホスフ
ェン（phosphene）、ジボラン、及びアルシン等（これ
らに限定されない）のドーパントガスソースを含んでい
る。Ｈ2等のキャリヤガスが、一般に堆積ガス流に含ま
れている。約５リットルの堆積チャンバに対して、３５
〜７５ＳＬＭの堆積ガス流(キャリヤガスを含む) が、
通常チャンバ上部２２２に送られて、ウェーハ上にシリ
コン層が堆積される。堆積ガス４００の流れは、本質的
に入口通路２６０から予熱リング２２８を横切り、サセ
プタ２２０(及びウェーハ)を横切り、反対側の予熱リン
グ２２８を横切り、排気通路３００から外に出る層流で
ある。堆積ガスは、予熱リング２２８、サセプタ２２
０、及び処理されるウェーハによって堆積温度あるいは
プロセス温度まで加熱される。エピタキシャルシリコン
層をウェーハ上に堆積するプロセスでは、サセプタ及び
予熱リングは８００〜１２００℃の間の温度まで加熱さ
れる。
【００２０】更に、堆積ガスがチャンバ上部へと送られ
る一方で、単数あるいは複数の不活性ガスが、別個にチ
ャンバ下部２２４へと送られる。不活性パージガスと
は、プロセス温度においてチャンバのフィーチャ（feat
ure）と、堆積チャンバ２１２内部に配置されたウェー
ハとに対して実質的に反応を起こさないガスと定義す
る。この不活性パージガスは、チャンバ２１２内にある
間、予熱リング２２８及びサセプタ２２０によって基本
的に堆積ガスと同じ温度に加熱される。不活性パージガ
ス４０２は、チャンバ上部２２２における堆積ガスの圧
力に対して正の圧力をチャンバ下部２２４内部に発生さ
せるような流量でチャンバ下部２２４へと送られる。従
って、膜堆積ガス４００が隙間２２９を通ってチャンバ
下部２２４へと漏れ、サセプタ２２０の裏側に堆積する
のを防止できる。
る一方で、単数あるいは複数の不活性ガスが、別個にチ
ャンバ下部２２４へと送られる。不活性パージガスと
は、プロセス温度においてチャンバのフィーチャ（feat
ure）と、堆積チャンバ２１２内部に配置されたウェー
ハとに対して実質的に反応を起こさないガスと定義す
る。この不活性パージガスは、チャンバ２１２内にある
間、予熱リング２２８及びサセプタ２２０によって基本
的に堆積ガスと同じ温度に加熱される。不活性パージガ
ス４０２は、チャンバ上部２２２における堆積ガスの圧
力に対して正の圧力をチャンバ下部２２４内部に発生さ
せるような流量でチャンバ下部２２４へと送られる。従
って、膜堆積ガス４００が隙間２２９を通ってチャンバ
下部２２４へと漏れ、サセプタ２２０の裏側に堆積する
のを防止できる。
【００２１】更に、不活性パージガス４０２は、通気穴
３０６を通る排気通路３００への十分な不活性パージガ
ス流４０２ｂを提供できる流量でチャンバ下部２２４内
に送られ、堆積ガスが排気通路３００の排気チャネル３
０４内で凝縮してその中に堆積物が形成されないように
している。すなわち、十分な量の加熱されたパージガス
が排気チャネル３０４に送られて、排気チャネル３０４
が加熱され、それによって排気チャネル３０４内におけ
る堆積ガス４００の冷却及びその結果生じる同チャネル
内の堆積物形成が防止される。排気チャネル３０４への
大流量の加熱パージガス４０２ｂがないと、排気チャネ
ル３０４は、側壁２１８が水冷されているために、サセ
プタ２２０よりも実質的に冷えた状態になり、同チャネ
ル内に堆積物が形成される点を正しく認識すべきであ
る。従って本発明によれば、望ましくは２〜２４ＳＬＭ
である大流量不活性パージガス４０２ｂによって堆積ガ
スが隙間２２９を通って下方に漏れることが防止され
て、また堆積ガスは排気チャネル３０４内での凝縮を防
止する目的でチャンバ２１２の下部２２４へと送られ
る。
３０６を通る排気通路３００への十分な不活性パージガ
ス流４０２ｂを提供できる流量でチャンバ下部２２４内
に送られ、堆積ガスが排気通路３００の排気チャネル３
０４内で凝縮してその中に堆積物が形成されないように
している。すなわち、十分な量の加熱されたパージガス
が排気チャネル３０４に送られて、排気チャネル３０４
が加熱され、それによって排気チャネル３０４内におけ
る堆積ガス４００の冷却及びその結果生じる同チャネル
内の堆積物形成が防止される。排気チャネル３０４への
大流量の加熱パージガス４０２ｂがないと、排気チャネ
ル３０４は、側壁２１８が水冷されているために、サセ
プタ２２０よりも実質的に冷えた状態になり、同チャネ
ル内に堆積物が形成される点を正しく認識すべきであ
る。従って本発明によれば、望ましくは２〜２４ＳＬＭ
である大流量不活性パージガス４０２ｂによって堆積ガ
スが隙間２２９を通って下方に漏れることが防止され
て、また堆積ガスは排気チャネル３０４内での凝縮を防
止する目的でチャンバ２１２の下部２２４へと送られ
る。
【００２２】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、考えられる
多くの通気穴３０６形状のうち２つの形状の正面断面図
を示している。図５（ａ）に示す通り、例えば、通気穴
３０６は、上部通路３０２の真下に配置されて、下部ラ
イナ２８４の湾曲した内部表面に形成された単一の断面
を有する開口部として構成されることができる。チャン
バ２２２に繋がった横断面上の開口部は、少なくともサ
セプタ２２０の処理域直径と同じ長さを有しているのが
望ましい。図５（ｂ）に示すような他の実施形態では、
通気穴３０６は、下部ライナ２８４の湾曲した内部表面
に形成されて、それぞれが排気通路３００と結合した複
数の分離された孔又は通路５０２として構成されること
もできる。通気穴３０６の形状は、チャンバ２１２の上
部２２２内の堆積ガス４００の層流にほとんど悪影響を
及ぼさない形状とすべきである。
多くの通気穴３０６形状のうち２つの形状の正面断面図
を示している。図５（ａ）に示す通り、例えば、通気穴
３０６は、上部通路３０２の真下に配置されて、下部ラ
イナ２８４の湾曲した内部表面に形成された単一の断面
を有する開口部として構成されることができる。チャン
バ２２２に繋がった横断面上の開口部は、少なくともサ
セプタ２２０の処理域直径と同じ長さを有しているのが
望ましい。図５（ｂ）に示すような他の実施形態では、
通気穴３０６は、下部ライナ２８４の湾曲した内部表面
に形成されて、それぞれが排気通路３００と結合した複
数の分離された孔又は通路５０２として構成されること
もできる。通気穴３０６の形状は、チャンバ２１２の上
部２２２内の堆積ガス４００の層流にほとんど悪影響を
及ぼさない形状とすべきである。
【００２３】隙間２２９と通気穴３０６を通過する相対
的流量４０２ａ及び４０２ｂはそれぞれ、隙間２２９の
断面積と通気穴３０６の断面積との比率によって決定さ
れる。図４に示す本発明の好ましい実施形態では、予熱
リングとサセプタが同一平面上にある場合、隙間２２９
の断面積は、予熱リング２２８で囲まれた面積からサセ
プタ２２０の面積を差し引いたものとなる(すなわちπ
Ｒp 2−πＲs 2)。サセプタ２２０と予熱リングが間にあ
る場合、該当断面積は、予熱リング２２８とサセプタ２
２０との間に存在する最小の面積ということになる。通
気穴３０６の断面積は、チャンバ下部２２４内に開放し
た通気穴３０６の表面積の合計で画される。図５（ｂ）
に示した複数の分離した通路の場合、該当断面積は、各
開口部５０２の面積を合計したものとなる。
的流量４０２ａ及び４０２ｂはそれぞれ、隙間２２９の
断面積と通気穴３０６の断面積との比率によって決定さ
れる。図４に示す本発明の好ましい実施形態では、予熱
リングとサセプタが同一平面上にある場合、隙間２２９
の断面積は、予熱リング２２８で囲まれた面積からサセ
プタ２２０の面積を差し引いたものとなる(すなわちπ
Ｒp 2−πＲs 2)。サセプタ２２０と予熱リングが間にあ
る場合、該当断面積は、予熱リング２２８とサセプタ２
２０との間に存在する最小の面積ということになる。通
気穴３０６の断面積は、チャンバ下部２２４内に開放し
た通気穴３０６の表面積の合計で画される。図５（ｂ）
に示した複数の分離した通路の場合、該当断面積は、各
開口部５０２の面積を合計したものとなる。
【００２４】本発明によれば、通気穴２２９の表面積は
できるだけ大量のパージガス流を通気穴３０６から排出
するように最大化されている。この方法で十分な量の加
熱された不活性パージガスが提供されて、排気通路内で
の堆積ガスの凝縮が防止される。通気穴３０６の断面積
は、２つの要件によって決定付けられる。先ず、通気穴
３０６の断面積は、下部ライナ２８４の機械的強度及び
保全性に悪影響を及ぼすほど大きくできない。加えて、
隙間２２９と通気穴３０６の断面積比率がバランス良く
配分されて、その結果、隙間２２９を通る不活性パージ
ガス流４０２ａが、チャンバ上部２２２からチャンバ下
部２２４への堆積ガス拡散を防止できるだけの十分な量
とならなければならない。隙間２２９の断面積と通気穴
３０６の断面積との比率を約３：１にすると、５リット
ルのチャンバで堆積ガス流量が４５〜７０ｓｌｍ、パー
ジガス流量が１２ｓｌｍを超える、良好な結果が得られ
ることが見出された。
できるだけ大量のパージガス流を通気穴３０６から排出
するように最大化されている。この方法で十分な量の加
熱された不活性パージガスが提供されて、排気通路内で
の堆積ガスの凝縮が防止される。通気穴３０６の断面積
は、２つの要件によって決定付けられる。先ず、通気穴
３０６の断面積は、下部ライナ２８４の機械的強度及び
保全性に悪影響を及ぼすほど大きくできない。加えて、
隙間２２９と通気穴３０６の断面積比率がバランス良く
配分されて、その結果、隙間２２９を通る不活性パージ
ガス流４０２ａが、チャンバ上部２２２からチャンバ下
部２２４への堆積ガス拡散を防止できるだけの十分な量
とならなければならない。隙間２２９の断面積と通気穴
３０６の断面積との比率を約３：１にすると、５リット
ルのチャンバで堆積ガス流量が４５〜７０ｓｌｍ、パー
ジガス流量が１２ｓｌｍを超える、良好な結果が得られ
ることが見出された。
【００２５】堆積装置の排気通路内における堆積ガスの
凝縮を防止するための装置及び方法について述べた。本
明細書で述べた本発明の特定実施形態は、単に本発明の
一般的な原理を例証しているにすぎないことを認識し、
理解すべきである。前記原理に沿った様々な変更を施す
ことができる。例えば、本発明を半導体ウェーハにシリ
コン膜を堆積するための枚葉式リアクタに関して説明し
てきたが、本発明は、マルチウェーハチャンバ等の他の
機械装置用、またフラットパネルディスプレイの基板等
の他の基板用、そして金属等の他種の膜用としても全く
同様に適用することができる。
凝縮を防止するための装置及び方法について述べた。本
明細書で述べた本発明の特定実施形態は、単に本発明の
一般的な原理を例証しているにすぎないことを認識し、
理解すべきである。前記原理に沿った様々な変更を施す
ことができる。例えば、本発明を半導体ウェーハにシリ
コン膜を堆積するための枚葉式リアクタに関して説明し
てきたが、本発明は、マルチウェーハチャンバ等の他の
機械装置用、またフラットパネルディスプレイの基板等
の他の基板用、そして金属等の他種の膜用としても全く
同様に適用することができる。
【００２６】そのような、本発明の範囲は、請求項によ
って判断される。
って判断される。
【００２７】以上、排気通路内における排ガスの凝縮を
防止する新規な方法及び装置について説明した。
防止する新規な方法及び装置について説明した。
【図１】枚葉式リアクタの断面図である。
【図２】本発明の枚葉式リアクタである。
【図３】本発明の枚葉式リアクタにおけるガス排出口の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図４】本発明の枚葉式リアクタにおける予熱部材及び
サセプタの平面図である。
サセプタの平面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の実施形態における通気穴及
び排気通路の正面図であり、（ｂ）は、本発明の別の実
施形態における通気穴及び排気通路の正面図である。
び排気通路の正面図であり、（ｂ）は、本発明の別の実
施形態における通気穴及び排気通路の正面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイヴィッド ケー． カールソン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， ダンディー ドライヴ 2308 (72)発明者 ノーマ ビー． ライリー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フルザントン， ウェスト ラス ポシタ ス 3710 (72)発明者 ドリア ダブリュー． ファン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， アルビオン スト リート 152 (72)発明者 レクハ ランガナサン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェイル， ロキンバー アヴェニ ュー 1180， ナンバー125
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体リアクタ内において、所定形状体
を堆積する方法であって、 堆積ガスを反応チャンバ内に流し入れるステップと、 前記堆積ガスを排気通路を通して排出させるステップ
と、 前記排気通路内における前記堆積ガスの凝縮を防止する
ような流量で、加熱された不活性パージガスを前記排気
通路内に流入するステップと、を備える方法。 - 【請求項２】 枚葉式リアクタ内でウェーハ上に膜を堆
積する方法であって、 側壁を有する堆積チャンバをチャンバ上部及びチャンバ
下部に分割しているサセプタに、ウェーハを配置するス
テップと、 堆積ガスを、前記チャンバ上部に流し入れ、前記ウェー
ハを横切らせ、前記チャンバ上部から前記側壁を通って
延びた排気通路を通して流出させるステップと、 パージガスを、前記チャンバ下部に流し入れ、前記チャ
ンバ下部から前記排気通路に延びた下方通路を通して流
出させるステップと、 前記パージガスを、前記チャンバ内にある間に加熱する
ステップと、前記パージガスを、前記排気通路内におけ
る前記堆積ガスの凝縮を防止する流 量で前記下方通路を通して流すステップと、を備える方
法。 - 【請求項３】 枚葉式リアクタ内のウェーハ上に膜を堆
積するための方法において、 側壁を有する堆積チャンバ内部に配置されたサセプタ上
にウェーハを配置するステップであって、前記サセプタ
が、前記堆積チャンバを前記ウェーハより上方の上部と
前記ウェーハより下方の下部とに分割しているステップ
と、 前記堆積チャンバの前記上部に堆積ガスを流入するステ
ップと、 前記堆積チャンバの前記上部から前記側壁を通って延び
る排気通路を通して前記堆積ガスを排出するステップ
と、 前記堆積チャンバの前記下部内へとパージガスを流入さ
せるステップであって、前記パージガス流が前記サセプ
タ板と前記サセプタ板を取り囲む予熱部材との間の隙間
を通る前記堆積ガスの前記堆積チャンバの前記下部への
流入を実質的に防止しているステップと、 前記チャンバ下部から前記排気通路に延びた下方通路を
通して前記パージガスを排出するステップであって、前
記加熱されたパージガスが前記排気通路内における前記
堆積ガスの凝縮を防止しているステップと、を備える方
法。 - 【請求項４】 ウェーハ上に材料層を堆積するための堆
積装置であって、 側壁を有する堆積チャンバと、 前記堆積チャンバ内部の第１の平面上に設けられたサセ
プタ板であって、前記堆積チャンバを横断して延び、前
記堆積チャンバをウェーハが支持されるサセプタ板上面
より上方にある上部とサセプタ板の裏面より下方にある
下部とに分割しているサセプタ板と、 前記第１の平面上で前記サセプタ板を取り囲む、第１の
断面積を有する隙間によって前記サセプタ板と隔てられ
ている予熱リングと、 前記堆積チャンバの前記下部から前記排気通路に延び
た、第２の断面積を有する前記通気穴と、 前記堆積チャンバの前記上部から前記側壁を通って延び
た排気通路と、を備え、 前記第２の断面積と前記第１の断面積とが、チャンバ下
部内の加熱されたパージガスが前記隙間を通ってチャン
バ上部内の堆積ガスが流れることを防止し且つ該パージ
ガスが前記排気通路内に十分な量の加熱ガスを提供して
前記排気通路中の堆積ガスが同通路内で凝縮しないよう
な相対的関係になっている装置。 - 【請求項５】 前記通気穴が、前記排気通路開口部の真
下に配置された１個の細長い開口部を備える請求項４に
記載の装置。 - 【請求項６】 前記通気穴が、別個に設けられた複数の
開口部を備える請求項に記載４に記載の装置。 - 【請求項７】 前記第１の断面積と前記第２の断面積
が、約３：１の比率である請求項４に記載の装置。 - 【請求項８】 前記パージガスが、複数のランプによっ
て加熱される請求項４に記載の装置。 - 【請求項９】 上部ドームと下部ドームとを更に備え、
前記側壁が前記上部ドームと前記下部ドームとの間に設
けられた請求項４に記載の装置。 - 【請求項１０】 チャンバの壁内に設けられたガス入口
マニホルドを更に備え、前記ガス入口マニホルドが、前
記堆積チャンバの前記下部内にガスを導く少なくともひ
とつの通路開口部と前記堆積チャンバの前記上部内にガ
スを導く少なくともひとつの通路開口部とを有する請求
項４に記載の堆積装置。 - 【請求項１１】 チャンバの壁内に設けられたガス入口
マニホルドを更に備え、前記ガス入口マニホルドが、前
記堆積チャンバの前記下部内にガスを導く少なくともひ
とつの通路開口部と、前記堆積チャンバの前記上部内に
ガスを導く少なくともひとつの通路開口部とを有する請
求項８に記載の堆積装置。 - 【請求項１２】 ウェーハ上に材料層を堆積するための
堆積装置であって、 側壁を有する堆積チャンバと、 前記堆積チャンバ内部の第１の平面上に設けられたサセ
プタ板であって、前記堆積チャンバを横断して延び、前
記堆積チャンバをウェーハが支持されるサセプタ板上面
より上方にある上部と、サセプタ板の裏面より下方にあ
る下部とに分割しているサセプタ板と、 前記第１の平面上で前記サセプタ板を取り囲み第１の断
面積を有する隙間によって前記サセプタ板と隔てられて
いる前記予熱リングと、 前記堆積チャンバの前記上部内で前記側壁の内面に接し
て設置された上部ライナと、 前記堆積チャンバの前記下部内で前記側壁の内面に接し
て設置された下部ライナと、 前記堆積チャンバの前記下部から前記下部ライナを通っ
て前記排気通路まで延び、第２の断面積を有する前記通
気穴と、 前記上部ライナと前記下部ライナとの間に位置し、前記
堆積チャンバの前記上部から前記側壁を通って延びた排
気通路と、を備え、 前記第２の断面積と前記第１の断面積とが、チャンバ下
部内の加熱されたパージガスが前記隙間を通ってチャン
バ上部内の堆積ガスが流れることを防止でき、また該パ
ージガスが前記排気通路内に十分な量の加熱ガスを提供
して前記排気通路中の堆積ガスが同通路内で凝縮しない
ようにする相対的関係になっている装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/835955 | 1997-04-11 | ||
| US08/835,955 US6153260A (en) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | Method for heating exhaust gas in a substrate reactor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145861A true JPH1145861A (ja) | 1999-02-16 |
| JP4219441B2 JP4219441B2 (ja) | 2009-02-04 |
Family
ID=25270882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13733098A Expired - Lifetime JP4219441B2 (ja) | 1997-04-11 | 1998-04-10 | 膜を堆積する方法及び堆積装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6153260A (ja) |
| EP (1) | EP0870852B1 (ja) |
| JP (1) | JP4219441B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980081271A (ja) |
| DE (1) | DE69810374D1 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005059981A1 (ja) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2005525693A (ja) * | 2002-01-15 | 2005-08-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シングル・ウエハ・チャンバにおける放射率自由可変ポンプ・プレート・キット |
| WO2005124845A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007180168A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sumco Corp | エピタキシャル装置 |
| KR100784575B1 (ko) * | 2000-01-28 | 2007-12-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 실리콘 표면 세정 방법 및 장치 |
| KR100865580B1 (ko) * | 2004-06-15 | 2008-10-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법 |
| JP2009130257A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2010199382A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2014514744A (ja) * | 2011-03-22 | 2014-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学気相堆積チャンバ用のライナアセンブリ |
| JP2016517167A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-06-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｅｐｉベースリング |
| JP2018029181A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | エピタキシチャンバのための上部コーン体 |
| JP2020004760A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1082625C (zh) * | 1999-07-07 | 2002-04-10 | 张建辉 | 一种带有三通式出入口的压电陶瓷泵 |
| US6455814B1 (en) * | 2001-11-07 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Backside heating chamber for emissivity independent thermal processes |
| JP3758579B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2006-03-22 | 信越半導体株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
| GB0521944D0 (en) * | 2005-10-27 | 2005-12-07 | Boc Group Plc | Method of treating gas |
| US20070267143A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Applied Materials, Inc. | In situ cleaning of CVD system exhaust |
| WO2008064109A2 (en) | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Equipment for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
| KR101330156B1 (ko) | 2006-11-22 | 2013-12-20 | 소이텍 | 삼염화 갈륨 주입 구조 |
| US8382898B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-02-26 | Soitec | Methods for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials |
| EP2094406B1 (en) | 2006-11-22 | 2015-10-14 | Soitec | Method, apparatus and gate valve assembly for forming monocrystalline group iii-v semiconductor material |
| US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
| WO2008127425A2 (en) | 2006-11-22 | 2008-10-23 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Abatement of reaction gases from gallium nitride deposition |
| US9481943B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
| US20080220150A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Applied Materials, Inc. | Microbatch deposition chamber with radiant heating |
| JP5195175B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP5276388B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び基板処理装置 |
| JP5276387B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
| US8425977B2 (en) * | 2008-09-29 | 2013-04-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing chamber with off-center gas delivery funnel |
| KR101537215B1 (ko) * | 2008-10-27 | 2015-07-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
| EP2409324A4 (en) * | 2009-03-16 | 2013-05-15 | Alta Devices Inc | WAFER CARRIER TRACK |
| JP5276679B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| DE102011007632B3 (de) | 2011-04-18 | 2012-02-16 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe |
| US9512520B2 (en) * | 2011-04-25 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing system |
| US9499905B2 (en) * | 2011-07-22 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate |
| US9682398B2 (en) * | 2012-03-30 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing system having susceptorless substrate support with enhanced substrate heating control |
| WO2013162972A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having separate process gas and purge gas regions |
| US20130284097A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | Joseph M. Ranish | Gas distribution module for insertion in lateral flow chambers |
| US20140116336A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate process chamber exhaust |
| CN105164309B (zh) * | 2013-05-01 | 2019-04-12 | 应用材料公司 | 用于控制外延沉积腔室流量的注入及排放设计 |
| US10047457B2 (en) * | 2013-09-16 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | EPI pre-heat ring |
| US11414759B2 (en) * | 2013-11-29 | 2022-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Mechanisms for supplying process gas into wafer process apparatus |
| US10053777B2 (en) * | 2014-03-19 | 2018-08-21 | Applied Materials, Inc. | Thermal processing chamber |
| WO2015195256A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | Applied Materials, Inc. | One-piece injector assembly |
| JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| CN109811406B (zh) * | 2017-11-20 | 2021-09-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 石英件、工艺腔室和半导体处理设备 |
| KR102607844B1 (ko) * | 2020-07-10 | 2023-11-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛 |
| EP3957776A1 (de) | 2020-08-17 | 2022-02-23 | Siltronic AG | Verfahren zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer substratscheibe |
| EP3996130B1 (de) | 2020-11-09 | 2023-03-08 | Siltronic AG | Verfahren zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer substratscheibe |
| US20220322492A1 (en) * | 2021-04-06 | 2022-10-06 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial deposition chamber |
| CN113249707A (zh) * | 2021-04-21 | 2021-08-13 | 拓荆科技股份有限公司 | 一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法 |
| US20220364229A1 (en) * | 2021-05-11 | 2022-11-17 | Applied Materials, Inc. | Multi-port exhaust system for epitaxial deposition chamber |
| KR20230012803A (ko) * | 2021-07-16 | 2023-01-26 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치용 상부돔 및 기판처리장치 |
| US20240141493A1 (en) * | 2022-10-27 | 2024-05-02 | Applied Materials, Inc. | Single piece or two piece susceptor |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133073A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Anelva Corp | 減圧気相成長装置 |
| JPS62224677A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| US4976996A (en) * | 1987-02-17 | 1990-12-11 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof |
| US5108792A (en) * | 1990-03-09 | 1992-04-28 | Applied Materials, Inc. | Double-dome reactor for semiconductor processing |
| US5447570A (en) | 1990-04-23 | 1995-09-05 | Genus, Inc. | Purge gas in wafer coating area selection |
| US5094885A (en) * | 1990-10-12 | 1992-03-10 | Genus, Inc. | Differential pressure cvd chuck |
| US5133284A (en) * | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| US5578532A (en) * | 1990-07-16 | 1996-11-26 | Novellus Systems, Inc. | Wafer surface protection in a gas deposition process |
| US5275976A (en) * | 1990-12-27 | 1994-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Process chamber purge module for semiconductor processing equipment |
| DE4142877A1 (de) * | 1990-12-28 | 1992-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd-verfahren und vorrichtung zu dessen durchfuehrung |
| SE469079B (sv) * | 1992-03-17 | 1993-05-10 | Kamyr Ab | Silanordning med backspolningsorgan |
| EP0606751B1 (en) * | 1993-01-13 | 2002-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing polysilicon films having improved uniformity and apparatus therefor |
| US5326725A (en) * | 1993-03-11 | 1994-07-05 | Applied Materials, Inc. | Clamping ring and susceptor therefor |
| US5695568A (en) * | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| JP2934565B2 (ja) * | 1993-05-21 | 1999-08-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| GB9411911D0 (en) * | 1994-06-14 | 1994-08-03 | Swan Thomas & Co Ltd | Improvements in or relating to chemical vapour deposition |
| US5614247A (en) * | 1994-09-30 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide |
-
1997
- 1997-04-11 US US08/835,955 patent/US6153260A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-10 JP JP13733098A patent/JP4219441B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-10 KR KR1019980012723A patent/KR19980081271A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-04-14 EP EP98302858A patent/EP0870852B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-14 DE DE69810374T patent/DE69810374D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-25 US US09/650,098 patent/US6254686B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100784575B1 (ko) * | 2000-01-28 | 2007-12-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 실리콘 표면 세정 방법 및 장치 |
| JP2005525693A (ja) * | 2002-01-15 | 2005-08-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | シングル・ウエハ・チャンバにおける放射率自由可変ポンプ・プレート・キット |
| US8926753B2 (en) | 2003-12-17 | 2015-01-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Vapor phase growth apparatus and method of fabricating epitaxial wafer |
| WO2005059981A1 (ja) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| KR101119599B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2012-02-22 | 신에츠 한도타이 가부시키가이샤 | 기상성장장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 |
| WO2005124845A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR100865580B1 (ko) * | 2004-06-15 | 2008-10-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법 |
| US7648578B1 (en) | 2004-06-15 | 2010-01-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007180168A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sumco Corp | エピタキシャル装置 |
| JP2009130257A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2010199382A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2014514744A (ja) * | 2011-03-22 | 2014-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学気相堆積チャンバ用のライナアセンブリ |
| JP2016517167A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-06-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｅｐｉベースリング |
| US10119192B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-11-06 | Applied Materials, Inc. | EPI base ring |
| JP2018029181A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | エピタキシチャンバのための上部コーン体 |
| JP2020004760A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4219441B2 (ja) | 2009-02-04 |
| US6153260A (en) | 2000-11-28 |
| EP0870852B1 (en) | 2003-01-02 |
| DE69810374D1 (de) | 2003-02-06 |
| KR19980081271A (ko) | 1998-11-25 |
| EP0870852A1 (en) | 1998-10-14 |
| US6254686B1 (en) | 2001-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1145861A (ja) | 枚葉式リアクタ内の、排ガスを加熱するための穴のあいた下方ライナ | |
| US5332442A (en) | Surface processing apparatus | |
| US5493987A (en) | Chemical vapor deposition reactor and method | |
| US6090210A (en) | Multi-zone gas flow control in a process chamber | |
| JP4108748B2 (ja) | コールドウォール気相成長法 | |
| KR100574116B1 (ko) | 반도체 처리 시스템의 매엽식 처리 장치 | |
| EP0821085B1 (en) | Apparatus for introducing gas into a rapid thermal processing chamber | |
| US6506691B2 (en) | High rate silicon nitride deposition method at low pressures | |
| US6232580B1 (en) | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes | |
| US5906683A (en) | Lid assembly for semiconductor processing chamber | |
| US5551982A (en) | Semiconductor wafer process chamber with susceptor back coating | |
| JPH0594950A (ja) | 反応室の設計及び化学蒸着反応器における粒子発生を最小限にする方法 | |
| JP2001525603A (ja) | 化学的気相成長装置および方法 | |
| US6007633A (en) | Single-substrate-processing apparatus in semiconductor processing system | |
| JP3414475B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
| WO2005015620A1 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH05190464A (ja) | 気相成長装置 | |
| US5188058A (en) | Uniform gas flow CVD apparatus | |
| US6254687B1 (en) | Chemical vapor deposition system with reduced material deposition on chamber wall surfaces | |
| JPH0930893A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01256118A (ja) | 気相反応装置 | |
| JP2003142411A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0626182B2 (ja) | 赤外線加熱装置 | |
| JPH08187426A (ja) | 反応管冷却方法 | |
| JPH09153485A (ja) | 気相成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050308 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071114 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071119 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071211 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081014 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081112 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |