JPS62133073A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPS62133073A JPS62133073A JP27381985A JP27381985A JPS62133073A JP S62133073 A JPS62133073 A JP S62133073A JP 27381985 A JP27381985 A JP 27381985A JP 27381985 A JP27381985 A JP 27381985A JP S62133073 A JPS62133073 A JP S62133073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating chamber
- base plate
- heating
- purge gas
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は被処理基板の加熱系を改良した減圧気相成長装
置に関するものである。
置に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来の装置の概略の断面図を第２図に示す。円筒形の真
空容器８内に置かれ、被処理基板４を載置する円盤形状
の基板保持器５の表面側には、反応ガス導入系１、排気
系２をそなえる反応室１３があり、裏面側には熱線加熱
系をそなえる加熱室１２がある。基板保持器５の裏を照
射して間接的に被処理基板４の加熱を行うための熱放射
線を透過させるガラス板６を隔てて真空容器８の外には
ランプヒーターが設にされ１反応ガスが回り込み高温と
なったガラス仮６上にデポジションが行われることを防
ぐためのパージガスの導入系１０が設けられている。基
板保持器５は回転駆動装置７で回転駆動されるようにな
っている。
空容器８内に置かれ、被処理基板４を載置する円盤形状
の基板保持器５の表面側には、反応ガス導入系１、排気
系２をそなえる反応室１３があり、裏面側には熱線加熱
系をそなえる加熱室１２がある。基板保持器５の裏を照
射して間接的に被処理基板４の加熱を行うための熱放射
線を透過させるガラス板６を隔てて真空容器８の外には
ランプヒーターが設にされ１反応ガスが回り込み高温と
なったガラス仮６上にデポジションが行われることを防
ぐためのパージガスの導入系１０が設けられている。基
板保持器５は回転駆動装置７で回転駆動されるようにな
っている。
上記のようにした装置で、ガラス板６の面へのデポジシ
ョンを防止し、加熱効率の低下を防ぐためには、 （１）パージガス導入系１０のパージガス流量を増加さ
せる。
ョンを防止し、加熱効率の低下を防ぐためには、 （１）パージガス導入系１０のパージガス流量を増加さ
せる。
（２）回転する基板保持器と真空容器壁間のギャップを
小さくする。
小さくする。
の二つの対策が必要であった。
しかしながら、上記の（２）の対策は、機構上ギャップ
を２〜ｂ 界があり、上記の（１）の対策は、パージガスの流量増
加に伴い、主排気ポンプの負荷が増加し。
を２〜ｂ 界があり、上記の（１）の対策は、パージガスの流量増
加に伴い、主排気ポンプの負荷が増加し。
大排気量の排気ポンプを必要とする、という難点があり
、現実的には、ガラス板６上に付着した膜による加熱効
率の低下を防ぐため、定期的なりリーニング作業を行わ
ざるを得ないという欠点があった・ （発明の目的） 本発明は、この問題を解決し、ガラス板への膜付着を殆
んどゼロにすることにより、加熱効率を安定に維持する
ことを目的とする。
、現実的には、ガラス板６上に付着した膜による加熱効
率の低下を防ぐため、定期的なりリーニング作業を行わ
ざるを得ないという欠点があった・ （発明の目的） 本発明は、この問題を解決し、ガラス板への膜付着を殆
んどゼロにすることにより、加熱効率を安定に維持する
ことを目的とする。
（発明の構成）
本発明は、真空容器内に置かれ、被処理基板を載置して
回転運動する基板保持器の、表面側には、反応ガス導入
系および排気系をそなえる反応室を配置し、裏面側には
、熱線加熱系をそなえる加熱室を配置し、１′ｌ「記熱
線加熱系では、該真空容器外の熱線源からガラス板を通
して加熱室に熱線を取り入れ、該基板保持器の裏面を照
射することによって間接的に該被処理基板を加熱する如
くした減圧気相成長装置において、前記基板保持器の表
、裏面の境界にガス溜め空間を設け、このガス溜め空間
内に真空容器外からパージガスを導入するパージガス導
入系を設けると共に、前記加熱室にパージガス排気系を
設ける減圧気相成長装置によって、前記目的を達成した
ものである。
回転運動する基板保持器の、表面側には、反応ガス導入
系および排気系をそなえる反応室を配置し、裏面側には
、熱線加熱系をそなえる加熱室を配置し、１′ｌ「記熱
線加熱系では、該真空容器外の熱線源からガラス板を通
して加熱室に熱線を取り入れ、該基板保持器の裏面を照
射することによって間接的に該被処理基板を加熱する如
くした減圧気相成長装置において、前記基板保持器の表
、裏面の境界にガス溜め空間を設け、このガス溜め空間
内に真空容器外からパージガスを導入するパージガス導
入系を設けると共に、前記加熱室にパージガス排気系を
設ける減圧気相成長装置によって、前記目的を達成した
ものである。
（実施例）
本発明の実施例の概略の断面図を第１図に示す。
この図では第２図と同じ部材には同じ符号を付しガスは
、真空容器外からパージガス導入系１０によって、この
ガス溜１４に導入され、ガラス板６上への膜付着を防止
するため、加熱室１２のパージガスはこれも新しく設け
られたパージガス排気系１１により排気されるようにし
ている。ガス溜め空間１４内のパージガスの一部は反応
室１３に入り、主排気系２により排気される。
、真空容器外からパージガス導入系１０によって、この
ガス溜１４に導入され、ガラス板６上への膜付着を防止
するため、加熱室１２のパージガスはこれも新しく設け
られたパージガス排気系１１により排気されるようにし
ている。ガス溜め空間１４内のパージガスの一部は反応
室１３に入り、主排気系２により排気される。
このようにガス溜め空間１４を設けたので、パージガス
はいったん充分にこのガス溜め空間を埋め、その後に反
応室１３と加熱室１２に分配される。そのため、少いパ
ージガス導入量においても反応ガスが加熱室へ拡散して
入り込む量は従来に較べて格段に低下し、ガラス板６上
での膜形成量は殆んどゼロとなる。新たに加設された排
気系１１の排気容量は、これもガス溜め空間１４がある
ため、極めて小容量で足りることになり、大きい経済的
負担とはならない。
はいったん充分にこのガス溜め空間を埋め、その後に反
応室１３と加熱室１２に分配される。そのため、少いパ
ージガス導入量においても反応ガスが加熱室へ拡散して
入り込む量は従来に較べて格段に低下し、ガラス板６上
での膜形成量は殆んどゼロとなる。新たに加設された排
気系１１の排気容量は、これもガス溜め空間１４がある
ため、極めて小容量で足りることになり、大きい経済的
負担とはならない。
（発明の効果）
本発明は、熱線透過窓への膜付着を防止し、良好な基板
加熱特性を安定に持続する効果がある。
加熱特性を安定に持続する効果がある。
第１図は本発明の実施例の減圧気相成長装置の概略の断
面図。 第２図は従来の装置の同様の図。 １−一一一反応ガス導入系、２−一一一排気系、３−−
−−ランプヒーター（熱線源） 、４−−−一被処理基
板、５−ｍ−一基板保持器、６−−−−ガラス板（熱線
透過窓）、７−−−−回転駆動装置、８−一一一真空容
器、１０−−−−パージガス導入系、１ｌ−−−一排父
系、１２−−−−加熱室、１３−−−一反応室、１４−
−−−ガス溜め空間。
面図。 第２図は従来の装置の同様の図。 １−一一一反応ガス導入系、２−一一一排気系、３−−
−−ランプヒーター（熱線源） 、４−−−一被処理基
板、５−ｍ−一基板保持器、６−−−−ガラス板（熱線
透過窓）、７−−−−回転駆動装置、８−一一一真空容
器、１０−−−−パージガス導入系、１ｌ−−−一排父
系、１２−−−−加熱室、１３−−−一反応室、１４−
−−−ガス溜め空間。
Claims (1)
- 真空容器内に置かれ、被処理基板を載置して回転運動す
る基板保持器の、表面側には、反応ガス導入系および排
気系をそなえる反応室を配置し、裏面側には、熱線加熱
系をそなえる加熱室を配置し、前記熱線加熱系では、該
真空容器外の熱線源からガラス板を通して加熱室に熱線
を取り入れ、該基板保持器の裏面を照射することによっ
て間接的に該被処理基板を加熱する如くした減圧気相成
長装置において、前記基板保持器の表、裏面の境界にガ
ス溜め空間を設け、このガス溜め空間内に真空容器外か
らパージガスを導入するパージガス導入系を設けると共
に、前記加熱室にパージガス排気系を設けたことを特徴
とする減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27381985A JPS62133073A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27381985A JPS62133073A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 減圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133073A true JPS62133073A (ja) | 1987-06-16 |
| JPH0548306B2 JPH0548306B2 (ja) | 1993-07-21 |
Family
ID=17533000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27381985A Granted JPS62133073A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133073A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0870852A1 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for preventing condensation in an exhaust passage |
| JPH11246973A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-14 | Nec Kyushu Ltd | Ｃｖｄ装置とガスの制御方法 |
| US6672088B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-01-06 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Self-contained regulating valve, and compression type refrigerating machine having the same |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP27381985A patent/JPS62133073A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0870852A1 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for preventing condensation in an exhaust passage |
| US6153260A (en) * | 1997-04-11 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Method for heating exhaust gas in a substrate reactor |
| US6254686B1 (en) | 1997-04-11 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Vented lower liner for heating exhaust gas from a single substrate reactor |
| JPH11246973A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-14 | Nec Kyushu Ltd | Ｃｖｄ装置とガスの制御方法 |
| US6672088B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-01-06 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Self-contained regulating valve, and compression type refrigerating machine having the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548306B2 (ja) | 1993-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |