JPH11246973A - Ｃｖｄ装置とガスの制御方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置とガスの制御方法Info
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- JPH11246973A JPH11246973A JP10049296A JP4929698A JPH11246973A JP H11246973 A JPH11246973 A JP H11246973A JP 10049296 A JP10049296 A JP 10049296A JP 4929698 A JP4929698 A JP 4929698A JP H11246973 A JPH11246973 A JP H11246973A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフトピンの動作を保証すると共に、原料ガ
スをチャンバに均一に導入することで、ウエーハに均一
な処理を施すことを可能にしたＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 チャンバ２１内のサセプタ２２上には原
料ガスＧを導入するシャワーヘッド２４が配置され、こ
の原料ガスＧはチャンバ２１の底面板２６の中央部に形
成された排気口２７から排気されることで前記サセプタ
２２上のウエーハ２５に所定の処理が施され、その後、
前記チャンバ２１の底面板２６を貫通するリフトピン２
８を用いて前記サセプタ２２上のウエーハ２５をサセプ
タ２２から分離するようにしたＣＶＤ装置において、前
記チャンバ２１の底面板２６を貫通するリフトピン２８
の軸部分２８ａをチャンバ２１内の原料ガスＧから保護
するようにした保護手段１を設けたことを特徴とする。
スをチャンバに均一に導入することで、ウエーハに均一
な処理を施すことを可能にしたＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 チャンバ２１内のサセプタ２２上には原
料ガスＧを導入するシャワーヘッド２４が配置され、こ
の原料ガスＧはチャンバ２１の底面板２６の中央部に形
成された排気口２７から排気されることで前記サセプタ
２２上のウエーハ２５に所定の処理が施され、その後、
前記チャンバ２１の底面板２６を貫通するリフトピン２
８を用いて前記サセプタ２２上のウエーハ２５をサセプ
タ２２から分離するようにしたＣＶＤ装置において、前
記チャンバ２１の底面板２６を貫通するリフトピン２８
の軸部分２８ａをチャンバ２１内の原料ガスＧから保護
するようにした保護手段１を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ装置とガス
の制御方法に関する。
の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のＣＶＤ装置であり、チャ
ンバ２１内には、サセプタ２２が配置され、サセプタ２
２の下側にはヒータ２３が設けられている。更に、サセ
プタ２２の上方にはシャワーヘッド２４が設けられて原
料ガス（成膜ガス）がチャンバ２１内に導入され、導入
された原料ガスで、サセプタ２２上のウエーハ２５に所
定の処理が施されると共に、原料ガスは、チャンバ２１
の底面板２６中央部に形成した排気口２７から排気され
るように構成されている。
ンバ２１内には、サセプタ２２が配置され、サセプタ２
２の下側にはヒータ２３が設けられている。更に、サセ
プタ２２の上方にはシャワーヘッド２４が設けられて原
料ガス（成膜ガス）がチャンバ２１内に導入され、導入
された原料ガスで、サセプタ２２上のウエーハ２５に所
定の処理が施されると共に、原料ガスは、チャンバ２１
の底面板２６中央部に形成した排気口２７から排気され
るように構成されている。
【０００３】更に、図２のＣＶＤ装置では、チャンバの
底面板２６を貫通するリフトピン２８を用いてサセプタ
２２上のウエーハ２５をサセプタ２２から分離すること
ができるように構成している。上記したような従来のブ
ランケット・タングステンＣＶＤ装置では、ガス流量の
多い反応律速領域のＡ条件で、ウエーハ面内膜厚均一性
の良好な膜が得られていた。
底面板２６を貫通するリフトピン２８を用いてサセプタ
２２上のウエーハ２５をサセプタ２２から分離すること
ができるように構成している。上記したような従来のブ
ランケット・タングステンＣＶＤ装置では、ガス流量の
多い反応律速領域のＡ条件で、ウエーハ面内膜厚均一性
の良好な膜が得られていた。
【０００４】しかし、近年、膜ストレスを下げるため、
ガス流量を少なくした供給律速領域のＢ条件の要求が高
まっているが、この領域では、成膜の均一性が劣化する
欠点があった。このため、例えば、特開昭５９−６９９
２１号公報に示されたように、原料ガスをチャンバ２１
外周方向に導くものも提案されているが、図２のＣＶＤ
装置の場合、ガスを外周に導いた場合リフトピン２８の
駆動部である軸部分２８ａにガスが回り込んでこの部分
に成膜され、その結果、リフトピン２８が動作不良にな
るという問題があった。
ガス流量を少なくした供給律速領域のＢ条件の要求が高
まっているが、この領域では、成膜の均一性が劣化する
欠点があった。このため、例えば、特開昭５９−６９９
２１号公報に示されたように、原料ガスをチャンバ２１
外周方向に導くものも提案されているが、図２のＣＶＤ
装置の場合、ガスを外周に導いた場合リフトピン２８の
駆動部である軸部分２８ａにガスが回り込んでこの部分
に成膜され、その結果、リフトピン２８が動作不良にな
るという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、リフトピンの動作
を保証すると共に、原料ガスをチャンバに均一に導入す
ることで、ウエーハに均一な処理を施すことを可能にし
た新規なＣＶＤ装置とガスの制御方法を提供するもので
ある。
した従来技術の欠点を改良し、特に、リフトピンの動作
を保証すると共に、原料ガスをチャンバに均一に導入す
ることで、ウエーハに均一な処理を施すことを可能にし
た新規なＣＶＤ装置とガスの制御方法を提供するもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＣ
ＶＤ装置の第１態様は、チャンバ内のサセプタ上には原
料ガスを導入するシャワーヘッドが配置され、この原料
ガスはチャンバの底面板の中央部に形成された排気口か
ら排気されることで前記サセプタ上のウエーハに所定の
処理が施され、その後、前記チャンバの底面板を貫通す
るリフトピンを用いて前記サセプタ上のウエーハをサセ
プタから分離するようにしたＣＶＤ装置において、前記
チャンバの底面板を貫通するリフトピンの軸部分をチャ
ンバ内の原料ガスから保護するようにした保護手段を設
けたことを特徴とするものであり、又、第２態様は、前
記保護手段は、前記軸部分を覆うようにした小室で構成
し、且つ、この小室内に所定のガスを導入することを特
徴とするものであり、又、第３態様は、前記保護手段
は、前記底面板上に設けられる第１の板体で形成された
小室と、この小室内に導入されるガスの供給手段とで構
成したことを特徴とするものであり、又、第４態様は、
前記第１の板体上には更に第２の板体が設けられ、この
第２の板体の中央部には前記排気口に連結する原料ガス
の第１の排気口と、原料ガスを前記チャンバ内に均一に
分布させるようにチャンバの外周面に沿って略等間隔に
設けられる複数の第２の排気口とが設けられたことを特
徴とするものであり、又、第５体態様は、前記第２の板
体と第１の板体間の間隙は前記原料ガスの排気路である
ことを特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＣ
ＶＤ装置の第１態様は、チャンバ内のサセプタ上には原
料ガスを導入するシャワーヘッドが配置され、この原料
ガスはチャンバの底面板の中央部に形成された排気口か
ら排気されることで前記サセプタ上のウエーハに所定の
処理が施され、その後、前記チャンバの底面板を貫通す
るリフトピンを用いて前記サセプタ上のウエーハをサセ
プタから分離するようにしたＣＶＤ装置において、前記
チャンバの底面板を貫通するリフトピンの軸部分をチャ
ンバ内の原料ガスから保護するようにした保護手段を設
けたことを特徴とするものであり、又、第２態様は、前
記保護手段は、前記軸部分を覆うようにした小室で構成
し、且つ、この小室内に所定のガスを導入することを特
徴とするものであり、又、第３態様は、前記保護手段
は、前記底面板上に設けられる第１の板体で形成された
小室と、この小室内に導入されるガスの供給手段とで構
成したことを特徴とするものであり、又、第４態様は、
前記第１の板体上には更に第２の板体が設けられ、この
第２の板体の中央部には前記排気口に連結する原料ガス
の第１の排気口と、原料ガスを前記チャンバ内に均一に
分布させるようにチャンバの外周面に沿って略等間隔に
設けられる複数の第２の排気口とが設けられたことを特
徴とするものであり、又、第５体態様は、前記第２の板
体と第１の板体間の間隙は前記原料ガスの排気路である
ことを特徴とするものである。
【０００７】又、本発明に係るＣＶＤ装置のガスの制御
方法の第１態様は、チャンバ内のサセプタ上には原料ガ
スを導入するシャワーヘッドが配置され、この原料ガス
はチャンバの底面板の中央部に形成された排気口から排
気されることで前記サセプタ上のウエーハに所定の処理
が施され、その後、前記チャンバの底面板を貫通するリ
フトピンを用いて前記サセプタ上のウエーハをサセプタ
から分離するようにしたＣＶＤ装置のガスの制御方法に
おいて、前記チャンバの底面板を貫通するリフトピンの
軸部分を前記チャンバ内の原料ガスから保護するように
第１の板体で小室を設けてパージガスで保護し、更に、
前記第１の板体上に第２の板体を設け、この第２の板体
の外周部に原料ガスの排気口を形成し、この排気口から
原料ガスを排気することで原料ガスをチャンバ内に均一
に分布するように制御したことを特徴とするものであ
り、又、第２態様は、前記第１の板体上と第２の板体と
の間隙が前記原料ガスの排気路であることを特徴とする
ものである。
方法の第１態様は、チャンバ内のサセプタ上には原料ガ
スを導入するシャワーヘッドが配置され、この原料ガス
はチャンバの底面板の中央部に形成された排気口から排
気されることで前記サセプタ上のウエーハに所定の処理
が施され、その後、前記チャンバの底面板を貫通するリ
フトピンを用いて前記サセプタ上のウエーハをサセプタ
から分離するようにしたＣＶＤ装置のガスの制御方法に
おいて、前記チャンバの底面板を貫通するリフトピンの
軸部分を前記チャンバ内の原料ガスから保護するように
第１の板体で小室を設けてパージガスで保護し、更に、
前記第１の板体上に第２の板体を設け、この第２の板体
の外周部に原料ガスの排気口を形成し、この排気口から
原料ガスを排気することで原料ガスをチャンバ内に均一
に分布するように制御したことを特徴とするものであ
り、又、第２態様は、前記第１の板体上と第２の板体と
の間隙が前記原料ガスの排気路であることを特徴とする
ものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係わるＣＶＤ装置は、チ
ャンバ内のサセプタ上には原料ガスを導入するシャワー
ヘッドが配置され、この原料ガスはチャンバの底面板の
中央部に形成された排気口から形成されることで前記サ
セプタ上のウエーハに所定の処理が施され、その後、前
記チャンバの底面板を貫通するリフトピンを用いて前記
サセプタ上のウエーハをサセプタから分離するようにし
たＣＶＤ装置において、前記チャンバの底面板を貫通す
るリフトピンの軸部分を前記チャンバ内の原料ガスから
保護するように例えば第１の板体により小室を設け、こ
の中をリフトピンの軸部分を通過させるようにすると共
に、この小室にパージガスを導入するものであり、これ
により、軸部分がパージガスで保護され、更に、前記第
１の板体上に第２の板体を設け、この第２の板体の外周
部に原料ガスの排気口を形成し、この排気口から原料ガ
スを排気することで原料ガスをチャンバ内に均一に分布
するように制御したものであるから、リフトピンの動作
が保証されると共に、原料ガスをチャンバに均一に導入
することで、ウエーハに均一な処理を施すことが可能に
なる。
ャンバ内のサセプタ上には原料ガスを導入するシャワー
ヘッドが配置され、この原料ガスはチャンバの底面板の
中央部に形成された排気口から形成されることで前記サ
セプタ上のウエーハに所定の処理が施され、その後、前
記チャンバの底面板を貫通するリフトピンを用いて前記
サセプタ上のウエーハをサセプタから分離するようにし
たＣＶＤ装置において、前記チャンバの底面板を貫通す
るリフトピンの軸部分を前記チャンバ内の原料ガスから
保護するように例えば第１の板体により小室を設け、こ
の中をリフトピンの軸部分を通過させるようにすると共
に、この小室にパージガスを導入するものであり、これ
により、軸部分がパージガスで保護され、更に、前記第
１の板体上に第２の板体を設け、この第２の板体の外周
部に原料ガスの排気口を形成し、この排気口から原料ガ
スを排気することで原料ガスをチャンバ内に均一に分布
するように制御したものであるから、リフトピンの動作
が保証されると共に、原料ガスをチャンバに均一に導入
することで、ウエーハに均一な処理を施すことが可能に
なる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明に係わるＣＶＤ装置とそのガ
スの制御方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明
する。図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明に係わる
ＣＶＤ装置の具体例の構造を示す図であって、これらの
図には、チャンバ２１内のサセプタ２２上には原料ガス
Ｇを導入するシャワーヘッド２４が配置され、この原料
ガスＧはチャンバ２１の底面板２６の中央部に形成され
た排気口２７から排気されることで前記サセプタ２２上
のウエーハ２５に所定の処理が施され、その後、前記チ
ャンバ２１の底面板２６を貫通するリフトピン２８を用
いて前記サセプタ２２上のウエーハ２５をサセプタ２２
から分離するようにしたＣＶＤ装置において、前記チャ
ンバ２１の底面板２６を貫通するリフトピン２８の軸部
分２８ａをチャンバ２１内の原料ガスＧから保護するよ
うにした保護手段１を設けたＣＶＤ装置が示されてい
る。
スの制御方法の具体例を図面を参照しながら詳細に説明
する。図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明に係わる
ＣＶＤ装置の具体例の構造を示す図であって、これらの
図には、チャンバ２１内のサセプタ２２上には原料ガス
Ｇを導入するシャワーヘッド２４が配置され、この原料
ガスＧはチャンバ２１の底面板２６の中央部に形成され
た排気口２７から排気されることで前記サセプタ２２上
のウエーハ２５に所定の処理が施され、その後、前記チ
ャンバ２１の底面板２６を貫通するリフトピン２８を用
いて前記サセプタ２２上のウエーハ２５をサセプタ２２
から分離するようにしたＣＶＤ装置において、前記チャ
ンバ２１の底面板２６を貫通するリフトピン２８の軸部
分２８ａをチャンバ２１内の原料ガスＧから保護するよ
うにした保護手段１を設けたＣＶＤ装置が示されてい
る。
【００１０】又、前記保護手段１は、前記軸部分２８ａ
を覆うようにチャンバ２１内に導入されるガスＧＰであ
ることも示されている。又、前記保護手段１は、前記底
面板２６上に設けられる第１の板体２で形成された小室
３と、この小室３内に導入されるガスＧＰとで構成した
ものであることも示されている。
を覆うようにチャンバ２１内に導入されるガスＧＰであ
ることも示されている。又、前記保護手段１は、前記底
面板２６上に設けられる第１の板体２で形成された小室
３と、この小室３内に導入されるガスＧＰとで構成した
ものであることも示されている。
【００１１】更に、前記第１の板体２上には更に第２の
板体４が設けられ、この第２の板体４の中央部には前記
排気口２７に連結する原料ガスＧの第１の排気口５と、
原料ガスＧを前記チャンバ２１内に均一に分布させるよ
うにチャンバ２１の外周面に沿って略等間隔に設けられ
る複数の第２の排気口６とが設けられたＣＶＤ装置が示
されている。
板体４が設けられ、この第２の板体４の中央部には前記
排気口２７に連結する原料ガスＧの第１の排気口５と、
原料ガスＧを前記チャンバ２１内に均一に分布させるよ
うにチャンバ２１の外周面に沿って略等間隔に設けられ
る複数の第２の排気口６とが設けられたＣＶＤ装置が示
されている。
【００１２】更に、前記第２の板体４と第１の板体２間
の間隙７は前記原料ガスの排気路であることが示されて
いる。このように構成されたＣＶＤ装置において、ウエ
ーハ２５は、ヒータ２３上のサセプタ２２に乗せられ加
熱される。サセプタ２２上部には、各サセプタ毎にシャ
ワーヘッド２４があり、原料ガスＧをチャンバー２１内
に導入し、導入された原料ガスＧは、ウエーハ２５表面
で熱分解してＣＶＤ膜を堆積させる。
の間隙７は前記原料ガスの排気路であることが示されて
いる。このように構成されたＣＶＤ装置において、ウエ
ーハ２５は、ヒータ２３上のサセプタ２２に乗せられ加
熱される。サセプタ２２上部には、各サセプタ毎にシャ
ワーヘッド２４があり、原料ガスＧをチャンバー２１内
に導入し、導入された原料ガスＧは、ウエーハ２５表面
で熱分解してＣＶＤ膜を堆積させる。
【００１３】原料ガスの排気は、チャンバ２１中央部の
排気口５と、チャンバ２１外周に設けられた複数の排気
口６から排気口２７を介して排出される。排気口６より
排気されるガスは第１の板体２と第２の板体４との間隙
７を通って排気口２７から排出される。このため、原料
ガスＧはチャンバ２１内に均一に分布するから、各ウエ
ーハには均一な処理が施される。
排気口５と、チャンバ２１外周に設けられた複数の排気
口６から排気口２７を介して排出される。排気口６より
排気されるガスは第１の板体２と第２の板体４との間隙
７を通って排気口２７から排出される。このため、原料
ガスＧはチャンバ２１内に均一に分布するから、各ウエ
ーハには均一な処理が施される。
【００１４】第１の板体２で仕切られた小室３は、チャ
ンバ２１外部からパージラインが接続されており、成膜
中にパージガスＧＰの雰囲気にすることで、ウエーハ２
５を上下に駆動するリフトピン２７への成膜を避けるこ
とができるようになっている。
ンバ２１外部からパージラインが接続されており、成膜
中にパージガスＧＰの雰囲気にすることで、ウエーハ２
５を上下に駆動するリフトピン２７への成膜を避けるこ
とができるようになっている。
【００１５】
【発明の効果】本発明は上述のように構成したので、チ
ャンバ外周部へ排気口を設けたことで、チャンバ外周へ
ガスが拡がり易くなり、ウエーハ面内の膜厚均一性が向
上する。また、副産物として、チャンバ内ガスの滞留部
分が少なくなるので、ガス置換効率が短くなり、パージ
時間短縮が可能になる。
ャンバ外周部へ排気口を設けたことで、チャンバ外周へ
ガスが拡がり易くなり、ウエーハ面内の膜厚均一性が向
上する。また、副産物として、チャンバ内ガスの滞留部
分が少なくなるので、ガス置換効率が短くなり、パージ
時間短縮が可能になる。
【００１６】更に、リフトピンの駆動部の保護手段を設
けたので、駆動部へのガスの回り込みによる成膜を防ぐ
ことができる。
けたので、駆動部へのガスの回り込みによる成膜を防ぐ
ことができる。
【図１】本発明に係るＣＶＤ装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】従来技術の構成を示す図である。
【符号の説明】 １ 保護手段 ２ 第１の板体 ３ 小室 ４ 第２の板体 ５ 第１の排気口 ６ 第２の排気口 ７ 間隙 ２１ チャンバ ２２ サセプタ ２４ シャワーヘッド ２５ ウエーハ ２７ 排気口 ２８ リフトピン ２８ａ 軸部分 Ｇ 原料ガス ＧＰ パージガス
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＣ
ＶＤ装置の第１態様は、チャンバ内のサセプタ上には原
料ガスを導入するシャワーへッドが配置され、この原料
ガスはチャンバの底面板の中央部に形成された排気口か
ら排気されることで前記サセプタ上のウエーハに所定の
処理が施され、その後、前記チャンバの底面板を貫通す
るリフトピンを用いて前記サセプタ上のウエーハをサセ
プタから分離するようにしたＣＶＤ装置において、前記
チャンバの底面板を貫通するリフトピンの軸部分をチャ
ンバ内の原料ガスから保護するようにした保護手段を設
けると共に、この保護手段を、前記底面板上に設けられ
る第１の板体で形成された小室と、この小室内に導入さ
れるガスの供給手段とで構成し、前記第１の板体上には
更に第２の板体が設けられ、この第２の板体の中央部に
は前記排気口に連結する原料ガスの第１の排気口と、原
料ガスを前記チャンバ内に均一に分布させるようにチャ
ンバの外周面に沿って略等間隔に設けられる複数の第２
の排気口とが設けられたことを特徴とするものであり、
又、第２態様は、前記第２の板体と第１の板体間の間隙
は前記原料ガスの排気路であることを特徴とするもので
ある。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるＣ
ＶＤ装置の第１態様は、チャンバ内のサセプタ上には原
料ガスを導入するシャワーへッドが配置され、この原料
ガスはチャンバの底面板の中央部に形成された排気口か
ら排気されることで前記サセプタ上のウエーハに所定の
処理が施され、その後、前記チャンバの底面板を貫通す
るリフトピンを用いて前記サセプタ上のウエーハをサセ
プタから分離するようにしたＣＶＤ装置において、前記
チャンバの底面板を貫通するリフトピンの軸部分をチャ
ンバ内の原料ガスから保護するようにした保護手段を設
けると共に、この保護手段を、前記底面板上に設けられ
る第１の板体で形成された小室と、この小室内に導入さ
れるガスの供給手段とで構成し、前記第１の板体上には
更に第２の板体が設けられ、この第２の板体の中央部に
は前記排気口に連結する原料ガスの第１の排気口と、原
料ガスを前記チャンバ内に均一に分布させるようにチャ
ンバの外周面に沿って略等間隔に設けられる複数の第２
の排気口とが設けられたことを特徴とするものであり、
又、第２態様は、前記第２の板体と第１の板体間の間隙
は前記原料ガスの排気路であることを特徴とするもので
ある。
Claims (7)
- 【請求項１】 チャンバ内のサセプタ上には原料ガスを
導入するシャワーへッドが配置され、この原料ガスはチ
ャンバの底面板の中央部に形成された排気口から排気さ
れることで前記サセプタ上のウエーハに所定の処理が施
され、その後、前記チャンバの底面板を貫通するリフト
ピンを用いて前記サセプタ上のウエーハをサセプタから
分離するようにしたＣＶＤ装置において、 前記チャンバの底面板を貫通するリフトピンの軸部分を
チャンバ内の原料ガスから保護するようにした保護手段
を設けたことを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記保護手段は、前記軸部分を覆うよう
にした小室で構成し、且つ、この小室内に所定のガスを
導入することを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記保護手段は、前記底面板上に設けら
れる第１の板体で形成された小室と、この小室内に導入
されるガスの供給手段とで構成したことを特徴とする請
求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記第１の板体上には更に第２の板体が
設けられ、この第２の板体の中央部には前記排気口に連
結する原料ガスの第１の排気口と、原料ガスを前記チャ
ンバ内に均一に分布させるようにチャンバの外周面に沿
って略等間隔に設けられる複数の第２の排気口とが設け
られたことを特徴とする請求項３記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記第２の板体と第１の板体間の間隙は
前記原料ガスの排気路であることを特徴とする請求項４
記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 チャンバ内のサセプタ上には原料ガスを
導入するシャワーヘッドが配置され、この原料ガスはチ
ャンバの底面板の中央部に形成された排気口から排気さ
れることで前記サセプタ上のウエーハに所定の処理が施
され、その後、前記チャンバの底面板を貫通するリフト
ピンを用いて前記サセプタ上のウエーハをサセプタから
分離するようにしたＣＶＤ装置のガスの制御方法におい
て、 前記チャンバの底面板を貫通するリフトピンの軸部分を
前記チャンバ内の原料ガスから保護するように第１の板
体で小室を設けてパージガスで保護し、更に、前記第１
の板体上に第２の板体を設け、この第２の板体の外周部
に原料ガスの排気口を形成し、この排気口から原料ガス
を排気することで原料ガスをチャンバ内に均一に分布す
るように制御したことを特徴とするＣＶＤ装置のガスの
制御方法。 - 【請求項７】 前記第１の板体上と第２の板体との間隙
が前記原料ガスの排気路であることを特徴とする請求項
６記載ＣＶＤ装置のガスの制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4929698A JP2954143B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Ｃｖｄ装置とガスの制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4929698A JP2954143B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Ｃｖｄ装置とガスの制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11246973A true JPH11246973A (ja) | 1999-09-14 |
| JP2954143B2 JP2954143B2 (ja) | 1999-09-27 |
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ID=12826970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4929698A Expired - Fee Related JP2954143B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Ｃｖｄ装置とガスの制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2954143B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030033700A (ko) * | 2001-10-24 | 2003-05-01 | (주)이도전자 | 물 제거하는 기능을 갖는 마대걸레 |
| KR100946159B1 (ko) | 2007-08-24 | 2010-03-11 | 주식회사 케이씨텍 | 박막 증착장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133073A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Anelva Corp | 減圧気相成長装置 |
| JPH08246154A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置及び成膜処理方法 |
| JPH08325736A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-10 | Ebara Corp | 薄膜気相成長装置 |
-
1998
- 1998-03-02 JP JP4929698A patent/JP2954143B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62133073A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Anelva Corp | 減圧気相成長装置 |
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| JPH08325736A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-10 | Ebara Corp | 薄膜気相成長装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030033700A (ko) * | 2001-10-24 | 2003-05-01 | (주)이도전자 | 물 제거하는 기능을 갖는 마대걸레 |
| KR100946159B1 (ko) | 2007-08-24 | 2010-03-11 | 주식회사 케이씨텍 | 박막 증착장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2954143B2 (ja) | 1999-09-27 |
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