JP2001210603A - 縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハを回転させる機構を用いずに
良好な膜厚均一性を有する半導体ウェーハを提供するこ
とができる縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を
用いた縦型熱処理装置を提供する。 【解決手段】 ガス導入口１から導入された反応ガスが
所定の分布状態を有するガス分散板２を通って反応管４
内に均一に供給される。導入部付近に位置するダミーウ
ェーハ９の熱を周辺から均一に奪う結果、ダミーウェー
ハ９の領域においてガス流は均一な温度分布を有するよ
うになる。このため、製品ウェーハ１０の領域ではどの
ようなガスの流れとなっても、酸化膜の膜厚均一性が回
転する機構の有無によって変化しないようにすることが
できる。したがって、ウェーハを回転させる機構を設け
なくても製品ウェーハ１０の円周上の膜厚不均一性を解
消することができる。回転する機構を設けないことによ
り装置のコストを下げることもできる。
良好な膜厚均一性を有する半導体ウェーハを提供するこ
とができる縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を
用いた縦型熱処理装置を提供する。 【解決手段】 ガス導入口１から導入された反応ガスが
所定の分布状態を有するガス分散板２を通って反応管４
内に均一に供給される。導入部付近に位置するダミーウ
ェーハ９の熱を周辺から均一に奪う結果、ダミーウェー
ハ９の領域においてガス流は均一な温度分布を有するよ
うになる。このため、製品ウェーハ１０の領域ではどの
ようなガスの流れとなっても、酸化膜の膜厚均一性が回
転する機構の有無によって変化しないようにすることが
できる。したがって、ウェーハを回転させる機構を設け
なくても製品ウェーハ１０の円周上の膜厚不均一性を解
消することができる。回転する機構を設けないことによ
り装置のコストを下げることもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
縦型熱処理装置で使用する反応管およびこの反応管を用
いた縦型熱処理装置に関する。
縦型熱処理装置で使用する反応管およびこの反応管を用
いた縦型熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハの縦型熱処理装置
においては、例えば特開平第６−３３３８６７号公報に
示されるように、酸化性ガス導入機能のついた反応管が
用いられていた。
においては、例えば特開平第６−３３３８６７号公報に
示されるように、酸化性ガス導入機能のついた反応管が
用いられていた。
【０００３】図４は、従来の縦型熱処理装置で使用する
反応管を示す。図４において、符号４は縦型熱処理装置
の反応管、８は酸化性ガスを外部から導入するガス導入
管、７は酸化性ガスを外部へ排気するガス排気管、１は
ガス導入管８から導入された酸化性ガスを反応管４へ導
入するガス導入口、２はガス導入口１から導入された酸
化性ガスを分散させるガス分散板、３は分散板２上に設
けられた複数のガス供給孔である。
反応管を示す。図４において、符号４は縦型熱処理装置
の反応管、８は酸化性ガスを外部から導入するガス導入
管、７は酸化性ガスを外部へ排気するガス排気管、１は
ガス導入管８から導入された酸化性ガスを反応管４へ導
入するガス導入口、２はガス導入口１から導入された酸
化性ガスを分散させるガス分散板、３は分散板２上に設
けられた複数のガス供給孔である。
【０００４】図４に示されるような従来の縦型熱処理装
置で半導体ウェーハの熱酸化を行なう場合、半導体ウェ
ーハの直径が２００ｍｍまでの装置においては、Ｈ
2Ｏ、Ｏ2およびＳｉとの酸化反応であるために熱処理温
度の制御性が良ければ良好な膜厚均一性で成膜すること
ができた。従来の縦型熱処理装置においては、半導体ウ
ェーハを回転させる機構を有している装置もあったが、
このような回転させる機構を使用しない場合であって
も、膜厚均一性が良好な酸化膜を形成することができ
た。
置で半導体ウェーハの熱酸化を行なう場合、半導体ウェ
ーハの直径が２００ｍｍまでの装置においては、Ｈ
2Ｏ、Ｏ2およびＳｉとの酸化反応であるために熱処理温
度の制御性が良ければ良好な膜厚均一性で成膜すること
ができた。従来の縦型熱処理装置においては、半導体ウ
ェーハを回転させる機構を有している装置もあったが、
このような回転させる機構を使用しない場合であって
も、膜厚均一性が良好な酸化膜を形成することができ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一方、半導体ウェーハ
の直径が３００ｍｍである場合、半導体ウェーハの直径
が２００ｍｍ用の縦型熱処理装置と同じ構造を持つ縦型
熱処理装置で酸化膜を形成しようとすると、半導体ウェ
ーハを回転させない場合の膜厚均一性は、半導体ウェー
ハを回転させた場合と比較して著しく悪くなるという問
題があった。しかし、形成される酸化膜の品質面から考
慮すると、半導体ウェーハを回転させる機構等のように
酸化反応に本質的でない機構は使用しない方が良い。装
置コストの面から考慮すると、半導体ウェーハを回転さ
せる機構を設けることにより装置コストが上昇すること
になるという問題があった。さらに、磁気流動体による
シールを用いている場合は、余分なメンテナンスが増え
るという問題があった。
の直径が３００ｍｍである場合、半導体ウェーハの直径
が２００ｍｍ用の縦型熱処理装置と同じ構造を持つ縦型
熱処理装置で酸化膜を形成しようとすると、半導体ウェ
ーハを回転させない場合の膜厚均一性は、半導体ウェー
ハを回転させた場合と比較して著しく悪くなるという問
題があった。しかし、形成される酸化膜の品質面から考
慮すると、半導体ウェーハを回転させる機構等のように
酸化反応に本質的でない機構は使用しない方が良い。装
置コストの面から考慮すると、半導体ウェーハを回転さ
せる機構を設けることにより装置コストが上昇すること
になるという問題があった。さらに、磁気流動体による
シールを用いている場合は、余分なメンテナンスが増え
るという問題があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するためになされたものであり、半導体ウェーハを回転
させる機構を用いずに良好な膜厚均一性を有する半導体
ウェーハを提供することができる縦型熱処理装置用の反
応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置を提供する
ことにある。
するためになされたものであり、半導体ウェーハを回転
させる機構を用いずに良好な膜厚均一性を有する半導体
ウェーハを提供することができる縦型熱処理装置用の反
応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体ウェー
ハの縦型熱処理装置用の反応管は、前記反応管内部へガ
スを導入する該反応管の上部中央に設けられたガス導入
部と、前記ガス導入部から導入されたガスを前記反応管
内部へ分散させる分散部とを備えたものである。
ハの縦型熱処理装置用の反応管は、前記反応管内部へガ
スを導入する該反応管の上部中央に設けられたガス導入
部と、前記ガス導入部から導入されたガスを前記反応管
内部へ分散させる分散部とを備えたものである。
【０００８】ここで、この発明の半導体ウェーハの縦型
熱処理装置用の反応管において、前記分散部は、導入さ
れたガスを前記反応管内へ分散させる一様に分布した複
数のガス供給孔を備えることができるものである。
熱処理装置用の反応管において、前記分散部は、導入さ
れたガスを前記反応管内へ分散させる一様に分布した複
数のガス供給孔を備えることができるものである。
【０００９】ここで、この発明の半導体ウェーハの縦型
熱処理装置用の反応管において、前記分散部は、導入さ
れたガスを前記反応管内へ分散させる放射状に分布した
複数のガス供給孔であって、該ガス供給孔の径は該分散
部の外周側へ向かうに従い大きい径であることとするこ
とができるものである。
熱処理装置用の反応管において、前記分散部は、導入さ
れたガスを前記反応管内へ分散させる放射状に分布した
複数のガス供給孔であって、該ガス供給孔の径は該分散
部の外周側へ向かうに従い大きい径であることとするこ
とができるものである。
【００１０】ここで、この発明の半導体ウェーハの縦型
熱処理装置用の反応管において、前記ガス導入から前記
反応管へ導入されるガスは、酸化性ガスであることとす
ることができるものである。
熱処理装置用の反応管において、前記ガス導入から前記
反応管へ導入されるガスは、酸化性ガスであることとす
ることができるものである。
【００１１】この発明の半導体ウェーハの縦型熱処理装
置は、請求項１ないし４のいずれかに記載の縦型熱処理
装置用の反応管を用いて半導体ウェーハを熱処理するも
のである。
置は、請求項１ないし４のいずれかに記載の縦型熱処理
装置用の反応管を用いて半導体ウェーハを熱処理するも
のである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を詳細に説明する。
実施の形態を詳細に説明する。
【００１３】実施の形態１．一般的に、酸化膜形成はＳ
ｉウェーハの表面における、Ｓｉと酸素との間またはＳ
ｉと水蒸気との間の直接反応であるため温度制御が重要
となる。したがって、反応ガスの供給に関して鈍感では
あるが、上述のように回転する機能の有無で膜厚均一性
に差が出るような現状では、ガスの供給方式を変更する
必要がある。そこで、本発明の半導体ウェーハの縦型熱
処理装置用の反応管は、反応ガスを反応管の上部から反
応管に均一に供給できるようにしたものである。
ｉウェーハの表面における、Ｓｉと酸素との間またはＳ
ｉと水蒸気との間の直接反応であるため温度制御が重要
となる。したがって、反応ガスの供給に関して鈍感では
あるが、上述のように回転する機能の有無で膜厚均一性
に差が出るような現状では、ガスの供給方式を変更する
必要がある。そこで、本発明の半導体ウェーハの縦型熱
処理装置用の反応管は、反応ガスを反応管の上部から反
応管に均一に供給できるようにしたものである。
【００１４】図１は、本発明の実施の形態１における縦
型熱処理装置で使用する反応管を示す。図１において、
符号４は縦型熱処理装置の反応管、８は酸化性ガスを外
部から導入するガス導入管、７は酸化性ガスを外部へ排
気するガス排気管、１はガス導入管８から導入された酸
化性ガスを反応管４へ導入するガス導入口、２はガス導
入口１から導入された酸化性ガスを分散させるガス分散
板（分散部）、３はガス分散板２上に設けられた複数の
ガス供給孔、９は反応管上部（ガス導入口１付近）およ
び反応管下部に位置するダミーウェーハ、１０はダミー
ウェーハ９の間にある製品ウェーハ、５は製品ウェーハ
１０およびダミーウェーハ９を保持するウェーハボー
ト、６は保温機能を有する保温塔である。
型熱処理装置で使用する反応管を示す。図１において、
符号４は縦型熱処理装置の反応管、８は酸化性ガスを外
部から導入するガス導入管、７は酸化性ガスを外部へ排
気するガス排気管、１はガス導入管８から導入された酸
化性ガスを反応管４へ導入するガス導入口、２はガス導
入口１から導入された酸化性ガスを分散させるガス分散
板（分散部）、３はガス分散板２上に設けられた複数の
ガス供給孔、９は反応管上部（ガス導入口１付近）およ
び反応管下部に位置するダミーウェーハ、１０はダミー
ウェーハ９の間にある製品ウェーハ、５は製品ウェーハ
１０およびダミーウェーハ９を保持するウェーハボー
ト、６は保温機能を有する保温塔である。
【００１５】図１に示されるように、ウェーハボート５
は反応管４内に挿入されている。ガス導入管８は反応管
４の内部を反応管４の上部へ通り抜けており、反応管４
の上面の中央部にガス導入口１が設けられている。ガス
導入管８は反応管４の内部ではなく外側に沿って取り付
けることもできる。反応ガスは、ガス導入口１から反応
管４の内部へ導入され、ガス分散板２上に複数設けられ
たガス供給孔３を通ってダミーウェーハ９および製品ウ
ェーハ１０に到達する。ウェーハの配列は、ウェーハボ
ート５に上からダミーウェーハ９、製品ウェーハ１０、
ダミーウェーハ９の順に並べられている。ウェーハボー
ト５は保温塔６の上に乗っている。
は反応管４内に挿入されている。ガス導入管８は反応管
４の内部を反応管４の上部へ通り抜けており、反応管４
の上面の中央部にガス導入口１が設けられている。ガス
導入管８は反応管４の内部ではなく外側に沿って取り付
けることもできる。反応ガスは、ガス導入口１から反応
管４の内部へ導入され、ガス分散板２上に複数設けられ
たガス供給孔３を通ってダミーウェーハ９および製品ウ
ェーハ１０に到達する。ウェーハの配列は、ウェーハボ
ート５に上からダミーウェーハ９、製品ウェーハ１０、
ダミーウェーハ９の順に並べられている。ウェーハボー
ト５は保温塔６の上に乗っている。
【００１６】以上より、実施の形態１によれば、上述の
ような構成を有することにより、ガス導入口１から導入
された反応ガスは反応管４の内部へ均一に導入されるた
め、ウェーハを回転させる機構を設けなくても製品ウェ
ーハ１０の円周上の膜厚不均一性を解消することができ
る。回転する機構を設けないことにより装置のコストを
下げることもできる。ウェーハ１０等は導入された反応
ガスによりその周辺が冷やされる可能性あるが、本発明
の実施の形態１によれば、反応ガスが均一に供給される
ことにより導入部付近に位置するダミーウェーハ９の熱
を周辺から均一に奪う結果、ダミーウェーハ９の領域に
おいてガス流は均一な温度分布を有するようになる。こ
のため、製品ウェーハ１０の領域ではどのようなガスの
流れとなっても、酸化膜の膜厚均一性が回転する機構の
有無によって変化しないようにすることができる。すな
わち、製品ウェーハ１０の領域では上記冷やされる可能
性は問題のないレベルになる。
ような構成を有することにより、ガス導入口１から導入
された反応ガスは反応管４の内部へ均一に導入されるた
め、ウェーハを回転させる機構を設けなくても製品ウェ
ーハ１０の円周上の膜厚不均一性を解消することができ
る。回転する機構を設けないことにより装置のコストを
下げることもできる。ウェーハ１０等は導入された反応
ガスによりその周辺が冷やされる可能性あるが、本発明
の実施の形態１によれば、反応ガスが均一に供給される
ことにより導入部付近に位置するダミーウェーハ９の熱
を周辺から均一に奪う結果、ダミーウェーハ９の領域に
おいてガス流は均一な温度分布を有するようになる。こ
のため、製品ウェーハ１０の領域ではどのようなガスの
流れとなっても、酸化膜の膜厚均一性が回転する機構の
有無によって変化しないようにすることができる。すな
わち、製品ウェーハ１０の領域では上記冷やされる可能
性は問題のないレベルになる。
【００１７】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２におけるガス分散板２の一例を示す。図２で図１と
同じ符号を付した部分は同じ機能を有するため説明は省
略する。図２に示されるように、ガス分散板２上にある
ガス供給孔３は等間隔に配置され、その分布密度が一様
になるように分布している。ガス導入口１は上述の実施
の形態１と同様に反応管４の上面の中央部に置かれてい
る。
態２におけるガス分散板２の一例を示す。図２で図１と
同じ符号を付した部分は同じ機能を有するため説明は省
略する。図２に示されるように、ガス分散板２上にある
ガス供給孔３は等間隔に配置され、その分布密度が一様
になるように分布している。ガス導入口１は上述の実施
の形態１と同様に反応管４の上面の中央部に置かれてい
る。
【００１８】以上より、実施の形態２によれば、実施の
形態１に加えてガス分散板２上のガス供給孔３を等間隔
で分布密度が一様になるように配置したため、ガス導入
口１から導入された反応ガスを反応管４の内部へさらに
均一に導入することができる。この結果、実施の形態１
と同様の効果を得ることができる。
形態１に加えてガス分散板２上のガス供給孔３を等間隔
で分布密度が一様になるように配置したため、ガス導入
口１から導入された反応ガスを反応管４の内部へさらに
均一に導入することができる。この結果、実施の形態１
と同様の効果を得ることができる。
【００１９】実施の形態３．図３は、本発明の実施の形
態３におけるガス分散板２の一例を示す。図３で図１と
同じ符号を付した部分は同じ機能を有するため説明は省
略する。図３に示されるように、ガス分散板２上にある
ガス供給孔３はガス分散板２の中心部から外側へ放射状
に配置され、ガス供給孔３の直径は外部に向かうほど大
きくなるように配置されている。ガス供給孔３の直径の
目安は、ガス分散板２の中心部からの距離に比例して大
きくなるようにすることができる。ガス分散板２の中心
部にはガス供給口３は配置しない。このように配置する
ことにより、ガスの流量を一定になるにすることができ
る。ガス導入口１は実施の形態１および２と同様に反応
管４の上面の中央部に置かれている。
態３におけるガス分散板２の一例を示す。図３で図１と
同じ符号を付した部分は同じ機能を有するため説明は省
略する。図３に示されるように、ガス分散板２上にある
ガス供給孔３はガス分散板２の中心部から外側へ放射状
に配置され、ガス供給孔３の直径は外部に向かうほど大
きくなるように配置されている。ガス供給孔３の直径の
目安は、ガス分散板２の中心部からの距離に比例して大
きくなるようにすることができる。ガス分散板２の中心
部にはガス供給口３は配置しない。このように配置する
ことにより、ガスの流量を一定になるにすることができ
る。ガス導入口１は実施の形態１および２と同様に反応
管４の上面の中央部に置かれている。
【００２０】以上より、実施の形態３によれば、実施の
形態１に加えてガス分散板２上のガス供給孔３を放射状
に、かつその直径がガス分散板２の中心部からの距離に
比例して大きくなるように配置したため、ガス導入口１
から導入された反応ガスを反応管４の内部へさらに均一
に導入することができる。この結果、実施の形態１と同
様の効果を得ることができる。
形態１に加えてガス分散板２上のガス供給孔３を放射状
に、かつその直径がガス分散板２の中心部からの距離に
比例して大きくなるように配置したため、ガス導入口１
から導入された反応ガスを反応管４の内部へさらに均一
に導入することができる。この結果、実施の形態１と同
様の効果を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の縦型熱処
理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装
置によれば、ガス分散板２上のガス供給孔３を所定の形
状で一様に配置することにより、半導体ウェーハを回転
させる機構を用いずに良好な膜厚均一性を有する半導体
ウェーハを提供することができる縦型熱処理装置用の反
応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置を提供する
ことができる。
理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装
置によれば、ガス分散板２上のガス供給孔３を所定の形
状で一様に配置することにより、半導体ウェーハを回転
させる機構を用いずに良好な膜厚均一性を有する半導体
ウェーハを提供することができる縦型熱処理装置用の反
応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置を提供する
ことができる。
【図１】 本発明の実施の形態１における縦型熱処理装
置で使用する反応管を示す図である。
置で使用する反応管を示す図である。
【図２】 本発明の実施の形態２におけるガス分散板２
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図３】 本発明の実施の形態３におけるガス分散板２
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図４】 従来の縦型熱処理装置で使用する反応管を示
す図である。
す図である。
【符号の説明】 １ ガス導入口、 ２ ガス分散板、 ３ ガス供給
孔、 ４ 反応管、 ５ウェーハボート、 ６ 保温
塔、 ７ ガス排気管、 ８ ガス導入管、９ ダミー
ウェーハ、 １０ 製品ウェーハ。
孔、 ４ 反応管、 ５ウェーハボート、 ６ 保温
塔、 ７ ガス排気管、 ８ ガス導入管、９ ダミー
ウェーハ、 １０ 製品ウェーハ。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの縦型熱処理装置用の反
応管であって、 前記反応管内部へガスを導入する該反応管の上部中央に
設けられたガス導入部と、 前記ガス導入部から導入されたガスを前記反応管内部へ
分散させる分散部とを備えたことを特徴とする縦型熱処
理装置用の反応管。 - 【請求項２】 前記分散部は、導入されたガスを前記反
応管内へ分散させる一様に分布した複数のガス供給孔を
備えたことを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置
用の反応管。 - 【請求項３】 前記分散部は、導入されたガスを前記反
応管内へ分散させる放射状に分布した複数のガス供給孔
であって、該ガス供給孔の径は該分散部の外周側へ向か
うに従い大きい径であることを特徴とする請求項１記載
の縦型熱処理装置用の反応管。 - 【請求項４】 前記ガス導入から前記反応管へ導入され
るガスは、酸化性ガスであることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載の縦型熱処理装置用の反応
管。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の縦
型熱処理装置用の反応管を用いて半導体ウェーハを熱処
理する縦型熱処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000018929A JP2001210603A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置 |
| KR1020000015685A KR20010077810A (ko) | 2000-01-27 | 2000-03-28 | 종형 열처리 장치용 반응관 및 상기 반응관을 이용한 종형열처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000018929A JP2001210603A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210603A true JP2001210603A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18545709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000018929A Pending JP2001210603A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001210603A (ja) |
| KR (1) | KR20010077810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021227751A1 (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | 南京集芯光电技术研究院有限公司 | 均匀进气氧化气体匀化罩 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030059380A (ko) * | 2001-12-29 | 2003-07-10 | 동부전자 주식회사 | 케미칼 필터 하우징 구조 |
| KR100460350B1 (ko) * | 2002-01-16 | 2004-12-08 | 주성엔지니어링(주) | 알루미나 세라믹 인젝터의 제조방법 |
| US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
| US8074599B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
| US8328939B2 (en) | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
| US7429410B2 (en) | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000018929A patent/JP2001210603A/ja active Pending
- 2000-03-28 KR KR1020000015685A patent/KR20010077810A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021227751A1 (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | 南京集芯光电技术研究院有限公司 | 均匀进气氧化气体匀化罩 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010077810A (ko) | 2001-08-20 |
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