JPH11260728A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH11260728A JPH11260728A JP10059986A JP5998698A JPH11260728A JP H11260728 A JPH11260728 A JP H11260728A JP 10059986 A JP10059986 A JP 10059986A JP 5998698 A JP5998698 A JP 5998698A JP H11260728 A JPH11260728 A JP H11260728A
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- Japan
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- process gas
- thin film
- tube
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板上に均一な膜厚の薄膜を形成するこ
と。 【解決手段】予備加熱装置によりプロセスガスを反応管
とほぼ同温度まで予備加熱し反応管内へ供給するもので
ある。 【効果】プロセスガスは反応管とほぼ同温度まで予備加
熱され反応管へ供給される為、導入管及びプロセスガス
導入口近傍での温度低下がなく、半導体基板上に均一な
膜厚の薄膜を形成できるという効果を有する。
と。 【解決手段】予備加熱装置によりプロセスガスを反応管
とほぼ同温度まで予備加熱し反応管内へ供給するもので
ある。 【効果】プロセスガスは反応管とほぼ同温度まで予備加
熱され反応管へ供給される為、導入管及びプロセスガス
導入口近傍での温度低下がなく、半導体基板上に均一な
膜厚の薄膜を形成できるという効果を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜形成は、図１に示すように、
主に、反応管３、ヒーター５、ボート１、キャップ７か
ら構成される。反応管３はプロセスガス導入口２、プロ
セスガス排気口８から構成されており、反応管側壁にプ
ロセスガスをプロセスガス導入口２に導く為のプロセス
ガス導入管４を有している。半導体基板６上に薄膜を形
成する際には、反応管３を取り巻くように配置されたヒ
ーター５により加熱された反応管３内に、ほぼ常温でプ
ロセスガスがプロセスガス導入管４を通りプロセスガス
導入口２より前記反応管内へ導入され、反応が起こり前
記半導体基板上に薄膜が形成される。
主に、反応管３、ヒーター５、ボート１、キャップ７か
ら構成される。反応管３はプロセスガス導入口２、プロ
セスガス排気口８から構成されており、反応管側壁にプ
ロセスガスをプロセスガス導入口２に導く為のプロセス
ガス導入管４を有している。半導体基板６上に薄膜を形
成する際には、反応管３を取り巻くように配置されたヒ
ーター５により加熱された反応管３内に、ほぼ常温でプ
ロセスガスがプロセスガス導入管４を通りプロセスガス
導入口２より前記反応管内へ導入され、反応が起こり前
記半導体基板上に薄膜が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体基板６上に薄膜
を形成する際には、反応管３を取り巻くように配置され
たヒーター５により反応管３は加熱されているが、常温
でプロセスガスがプロセスガス導入管４を通りプロセス
ガス導入口２より前記反応管内へ導入されるため、プロ
セスガス導入管４付近及びプロセスガス導入口２付近の
温度は不安定となり、前記半導体基板上に形成される薄
膜の膜厚が不均一になるという欠点がある。
を形成する際には、反応管３を取り巻くように配置され
たヒーター５により反応管３は加熱されているが、常温
でプロセスガスがプロセスガス導入管４を通りプロセス
ガス導入口２より前記反応管内へ導入されるため、プロ
セスガス導入管４付近及びプロセスガス導入口２付近の
温度は不安定となり、前記半導体基板上に形成される薄
膜の膜厚が不均一になるという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成装置
は、加熱された反応管３内に前記反応管内の温度とほぼ
同温度であり、かつ前記反応管内の温度以下に予備加熱
されたプロセスガスを導入し、半導体基板６上に薄膜を
形成するための予備加熱装置９を備えている。
は、加熱された反応管３内に前記反応管内の温度とほぼ
同温度であり、かつ前記反応管内の温度以下に予備加熱
されたプロセスガスを導入し、半導体基板６上に薄膜を
形成するための予備加熱装置９を備えている。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。
明する。
【０００６】（実施例１）反応管３内にはボート上に置
かれた半導体基板６が搬入されており、前記反応管下側
の搬入口はキャップ７により密閉され、外気と前記反応
管内は遮断されている。半導体基板６上に薄膜を形成す
る際には、導入管４付近に備えられた予備加熱装置９に
よりプロセスガスである酸素、水蒸気、あるいは前記酸
素及び水蒸気を希釈したプロセスガスが前記反応管内の
温度とほぼ同温度まで加熱され、導入管４を通りプロセ
スガス導入口２より前記反応管内へと供給される。
かれた半導体基板６が搬入されており、前記反応管下側
の搬入口はキャップ７により密閉され、外気と前記反応
管内は遮断されている。半導体基板６上に薄膜を形成す
る際には、導入管４付近に備えられた予備加熱装置９に
よりプロセスガスである酸素、水蒸気、あるいは前記酸
素及び水蒸気を希釈したプロセスガスが前記反応管内の
温度とほぼ同温度まで加熱され、導入管４を通りプロセ
スガス導入口２より前記反応管内へと供給される。
【０００７】予備加熱装置９は、石英あるいは炭化けい
素製の加熱管１１と前記加熱管を取り巻くように配置さ
れたヒーター１０により構成される。また前記加熱管
は、４００℃〜１２００℃程度に加熱されており、プロ
セスガスを充分予備加熱するためにプロセスガスが、前
記加熱管内で渦状の流れをするような構成になってい
る。または前記加熱管をらせん状の形状あるいは、前記
加熱管内に遮蔽板１４等を設け、プロセスガスの前記加
熱管内での滞留時間をのばす構成にしても良い。
素製の加熱管１１と前記加熱管を取り巻くように配置さ
れたヒーター１０により構成される。また前記加熱管
は、４００℃〜１２００℃程度に加熱されており、プロ
セスガスを充分予備加熱するためにプロセスガスが、前
記加熱管内で渦状の流れをするような構成になってい
る。または前記加熱管をらせん状の形状あるいは、前記
加熱管内に遮蔽板１４等を設け、プロセスガスの前記加
熱管内での滞留時間をのばす構成にしても良い。
【０００８】反応管３内の半導体基板６は、前記反応管
を取り巻くように配置されたヒーター５により、４００
℃〜１２００℃程度に加熱されており、予備加熱装置９
により前記半導体基板とほぼ同温度まで加熱されたプロ
セスガスが導入管４を通り、プロセスガス導入口２より
前記反応管内に供給され、薄膜が形成される。この時、
プロセスガスは前記反応管内とほぼ同温度に加熱され前
記導入管に供給されるため、導入管４近傍及びプロセス
ガス導入口２近傍での温度低下がなく、半導体基板６上
に均一な薄膜を形成することができる。
を取り巻くように配置されたヒーター５により、４００
℃〜１２００℃程度に加熱されており、予備加熱装置９
により前記半導体基板とほぼ同温度まで加熱されたプロ
セスガスが導入管４を通り、プロセスガス導入口２より
前記反応管内に供給され、薄膜が形成される。この時、
プロセスガスは前記反応管内とほぼ同温度に加熱され前
記導入管に供給されるため、導入管４近傍及びプロセス
ガス導入口２近傍での温度低下がなく、半導体基板６上
に均一な薄膜を形成することができる。
【０００９】（実施例２）図５は、本発明の第２の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【００１０】図５に示すように加熱管１１をハロゲンラ
ンプ１６で加熱する以外は、実施例１と同じ構成をして
いる。
ンプ１６で加熱する以外は、実施例１と同じ構成をして
いる。
【００１１】この実施例では、ハロゲンランプ１６を用
いることにより加熱管１１内のプロセスガスを急速に加
熱、冷却が可能であり、迅速に反応管３内の温度変化に
対応できる。また、ハロゲンランプ１６を囲むように反
射板１５を設置することにより、加熱管１１内のプロセ
スガスの保温効果を更に向上させることが可能になる。
いることにより加熱管１１内のプロセスガスを急速に加
熱、冷却が可能であり、迅速に反応管３内の温度変化に
対応できる。また、ハロゲンランプ１６を囲むように反
射板１５を設置することにより、加熱管１１内のプロセ
スガスの保温効果を更に向上させることが可能になる。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明から、本発明の薄膜形成装置
では、プロセスガスを予備加熱する機構を設けたことに
より、均一な膜厚の薄膜を半導体基板上に形成でき、生
産性を高めることができるという効果を有する。
では、プロセスガスを予備加熱する機構を設けたことに
より、均一な膜厚の薄膜を半導体基板上に形成でき、生
産性を高めることができるという効果を有する。
【図１】従来の薄膜形成装置の構成を示す図。
【図２】本発明の実施例１における薄膜形成装置の一構
成例を示す図。
成例を示す図。
【図３】本発明の実施例１における予備加熱装置９の一
構成例を示す断面図。
構成例を示す断面図。
【図４】本発明の実施例１における予備加熱装置９の一
構成例を示す断面図。
構成例を示す断面図。
【図５】本発明の実施例２における予備加熱装置９の一
構成例を示す断面図。
構成例を示す断面図。
１：ボート ２：プロセスガス導入口 ３：反応管 ４：プロセスガス導入管 ５：ヒーター ６：半導体基板 ７：キャップ ８：プロセスガス排気口 ９：予備加熱装置 １０：ヒーター １１：加熱管 １２：導入管 １３：ガスの流れ １４：遮蔽板 １５：反射板 １６：ハロゲンランプ
Claims (3)
- 【請求項１】加熱された反応管内にプロセスガスを導入
して、前記反応管内に装着した半導体基板上に薄膜を形
成する薄膜形成装置において、プロセスガスを前記反応
管導入前に予備加熱するための機構を備えたことを特徴
とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】前記プロセスガスを予備加熱するためのヒ
ーターを備えた請求項１記載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】前記プロセスガスを予備加熱するためのハ
ロゲンランプを備えた請求項１記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10059986A JPH11260728A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10059986A JPH11260728A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260728A true JPH11260728A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13129012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10059986A Withdrawn JPH11260728A (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260728A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1160838A2 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-05 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| WO2002091447A1 (fr) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Tokyo Electron Limited | Traitement thermique de semi-conducteur et systeme a cet effet |
| JP2003045808A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置および縦型熱処理方法 |
| JP2003051505A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| JP2012015476A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 基板加工装置 |
-
1998
- 1998-03-11 JP JP10059986A patent/JPH11260728A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1160838A2 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-05 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| EP1160838A3 (en) * | 2000-05-31 | 2004-12-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| US6863732B2 (en) | 2000-05-31 | 2005-03-08 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method |
| KR100783841B1 (ko) * | 2000-05-31 | 2007-12-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 열처리 시스템 |
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| US9666458B2 (en) | 2001-03-16 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
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| US6903030B2 (en) | 2001-05-09 | 2005-06-07 | Tokyo Electron Limited | System and method for heat treating semiconductor |
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| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US8318567B2 (en) | 2001-06-01 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| JP4718054B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JP2003045808A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置および縦型熱処理方法 |
| JP2012015476A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 基板加工装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |