JPH09148318A

JPH09148318A - 酸化処理装置

Info

Publication number: JPH09148318A
Application number: JP32828695A
Authority: JP
Inventors: Yukimasa Saito; 幸正齋藤; Kenji Honma; 謙治本間; Koichi Orii; 晃一折居; Masahiko Katsura; 正彦桂
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Nitto Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Nitto Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1995-11-22
Filing date: 1995-11-22
Publication date: 1997-06-06
Anticipated expiration: 2015-11-22
Also published as: JP3474991B2

Abstract

(57)【要約】【課題】メタルコンタミネーションを生ぜしめること
なく、熱効率を上げて発生する水蒸気量を増大させるこ
とができる酸化処理装置を提供する。【解決手段】被処理体Ｗを高温下で酸化処理する処理
炉１２と、赤外線透過部材よりなる耐熱性容器８４と赤
外線を発生するランプヒータ部８６とを有して導入され
た純水を前記ランプヒータ部からの輻射熱により蒸気化
する蒸気発生部５４と、ここで発生した水蒸気を前記処
理炉へ供給する水蒸気供給通路５６とを備えるようにす
る。これにより、容器内の純水をランプヒータ部からの
輻射熱で加熱し、蒸気化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハに水蒸気を作用させて酸化処理を行なう酸化処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造において
は、ゲート酸化膜や素子中の各種の絶縁膜を形成するた
めに半導体ウエハの表面に酸化膜を形成する酸化処理工
程があり、その酸化処理の一つの方法として、処理炉内
において半導体ウエハを高温下で水蒸気と接触させて酸
化（ウェット酸化）させる方法がある。そして、このよ
うな酸化処理を行なうために、例えば特公昭６３−６０
５２８号公報、特開昭６３−２１０５０１号公報などに
示されているように、水素ガスと酸素ガスを燃焼させて
水蒸気を発生させる燃焼装置を処理炉の外部に独立させ
て設け、この燃焼装置により発生する水蒸気を水蒸気供
給管路を介して処理炉に供給する方法が知られている。

【０００３】この方法によれば、処理炉内で水素ガスと
酸素ガスを燃焼させて水蒸気を発生させる方法と異な
り、処理炉における加熱状態を、燃焼装置の動作状態と
分離して制御することができるので、処理炉での半導体
ウエハに対する酸化処理を高い信頼性、安全性及び再現
性を持って実施することが可能になる。このような酸化
処理においては、半導体集積回路の特性を良好なものと
するには、酸化膜の膜質を如何に向上させるかが重要な
課題となるが、上記した燃焼装置は例えばステンレスス
チール等の金属によりその大部分が構成されているた
め、燃焼により発生した水蒸気中にステンレススチール
中に含まれる各種の金属が非常に僅かではあるが溶け出
し、これがためにウエハに対してメタルコンタミネーシ
ョンを生ぜしめてしまうという問題があった。

【０００４】集積度がさほど高くなかった従来の半導体
デバイスではこのメタルコンタミネーションは、それ程
問題ではなかったが、最近のように一層の集積化により
線幅がサブミクロンのオーダとなるような微細加工工程
では無視し得なくなってきた。そこで、このメタルコン
タミネーションを解決するために、図７に示すような蒸
気発生器２が提案されている。この蒸気発生器２は、金
属ではなくメタンコンタミネーションの恐れがない耐熱
性部材、例えば石英製の筒体状容器４を用い、この中に
多数の石英ビーズを集めて焼結して成るフィルタ６を収
容している。そして、この筒体状容器４の外周に、この
全周を覆うようにして例えば抵抗発熱ヒータ８を設け、
容器４の一端から純水とＮ₂ 等の不活性ガスよりなるキ
ャリアガスを導入し、抵抗発熱体８からの熱伝導により
純水を加熱して蒸気化させ、これを成膜処理炉へ供給す
るようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような構造の蒸気
発生器２によれば、ステンレススチール等の金属材料を
用いていないことから確かにメタルコンタミネーション
に関する問題は、解決すことができた。しかしながら、
石英製の筒体状の容器４は、上述したステンレススチー
ル製の蒸気発生器と異なって熱伝導性がかなり劣り、そ
のため、抵抗発熱ヒータ８で発生したジュール熱が効率
的に容器内部の純水に伝わらず、熱効率が劣って十分な
量の水蒸気を確保できなくなるという新たな問題点があ
った。この場合、十分な量の水蒸気を確保するためには
大容量の抵抗発熱体を用いなければならず、現実的でな
い。特に、ウエハサイズが大口径化し、８インチ或いは
１２インチサイズになると酸化バッチ処理時に必要とさ
れる水蒸気は多量となり、早期の解決が望まれている。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に
解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、メ
タルコンタミネーションを生ぜしめることなく熱効率を
上げて発生する水蒸気量を増大させることができる酸化
処理装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、被処理体を高温下で酸化処理する処理
炉と、赤外線透過部材よりなる耐熱性容器と赤外線を発
生するランプヒータ部とを有して導入された純水を前記
ランプヒータ部からの輻射熱により蒸気化する蒸気発生
部と、ここで発生した水蒸気を前記処理炉へ供給する水
蒸気供給通路とを備えるように構成したものである。

【０００７】このように構成することにより、赤外線透
過部材よりなる耐熱性容器内に導入された純水は、容器
を覆って設けたランプヒータ部からの赤外線輻射熱によ
り加熱されて水蒸気化される。そして、発生した水蒸気
は、水蒸気供給通路を流れて処理炉内へ供給されること
になる。この場合、ランプヒータ部からの光すなわち、
赤外線は吸収されることなく容易に容器を透過し、内部
の純水を加熱することになる。従って、容器に吸収され
る熱量が非常に少なくなって効率的に純水を加熱、蒸気
化させることが可能となり、多量の蒸気を発生させるこ
とができる。耐熱性容器の材質としては例えば石英を用
いることができ、この容器を中心部にヒータ収容孔を設
けた断面リング状の中空筒体として形成し、このヒータ
収容孔にランプヒータ部を挿入して中心より純水を加熱
する。また、容器の外周に反射体を設けておけば、中心
より発して容器を透過した赤外線が反射体で反射され、
再度、純水の加熱に寄与し、熱効率を一層向上させるこ
とが可能となる。

【０００８】また、上述のように耐熱性容器を中空筒体
として構成しなくても、これを例えば円筒体状に成形
し、この周囲にランプヒータ部を配列するようにしても
よい。この場合には、このランプヒータ部の外側に反射
体を設ければよい。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る酸化処理装
置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本
発明に係る酸化処理装置を示す全体構成図、図２は図１
に示す装置に用いる蒸気発生部を示す断面図、図３は図
２に示す蒸気発生部の側面図、図４は図２に示す装置に
用いるランプヒータ部を示す平面図である。

【００１０】図示するように、この酸化処理装置１０
は、被処理体である半導体ウエハＷを、例えば８５０℃
程度の高温下で酸化処理する縦型の処理炉１２を有して
おり、この処理炉１２は下端が開放した縦長円筒状の石
英製の反応管１４を備えている。この反応管１４の下方
にはその下端開口部を開閉する蓋体１６がここを気密に
シールするように配置され、この蓋体１６上には多数枚
の半導体ウエハＷを水平状態で上下方向に所定のピッチ
で多段に支持する石英製のウエハボート１８が保温筒２
０を介して支持されている。

【００１１】上記蓋体１６は反応管１４内へのウエハボ
ート１８の搬入及び搬出を行なうと共に蓋体１６の開閉
を行なうボートエレベータのような昇降機構２２に連結
されている。また、反応管１４の周囲には内部を８００
〜１０００℃程度の所望の温度に加熱するヒータ２４が
コイル状に配設され、その更に外周には断熱材２６を介
してアウターシェル２８が全体を覆うようにして設けら
れている。上記反応管１４の下部の一側部には水蒸気導
入管３０が一体に形成され、この水蒸気導入管３０の基
部側は反応管１４の管壁と一体となって上方に導かれて
から、反応管１４内の上端部に凹状に形成された水蒸気
導入ポート３２に臨んで開口されている。また、反応管
１４の他側部には排気管３４が一体に形成され、この排
気管３４には反応管１４内を減圧する減圧手段としての
減圧ポンプ３６を備えた減圧管３８が二重のＯリング４
０を介設したフランジ継手４２を介して気密に接続され
ている。

【００１２】この減圧管３８には開閉弁４４が介設され
ると共にこの開閉弁４４をバイパスするバイパス管４６
が接続され、バイパス管４６には例えばエアオペレート
バルブからなる開閉弁４８と例えばピエゾバルブからな
る圧力制御弁５０が介設されている。上記反応管１４内
を３００〜５００Ｔｏｒｒ程度の所定の圧力に減圧する
場合、減圧管３８に設けられた圧力センサ５２で圧力を
検出しつつ先ず減圧管３８の開閉弁４４を開にして所定
の圧力まで減圧し、以後は減圧管３８の開閉弁４４を閉
に且つバイパス管４６の開閉弁４８を開にして圧力制御
弁５０で所定の圧力を維持するようコントローラ５４に
よって制御されるようになっている。尚、減圧管３８の
下流は図示しない工場排気ダクトに接続されている。

【００１３】上記処理炉１２の反応管１４内に水蒸気を
供給するために、純水を沸騰させて水蒸気を発生させる
本発明の特徴とする蒸気発生部５４と、この蒸気発生部
５４より発生する水蒸気を反応管１４に供給する例えば
テフロン製の或いは内面研磨等の表面処理を行ったステ
ンレス製の配管よりなる水蒸気供給通路５６とが設けら
れ、この水蒸気供給通路５６は、上記水蒸気導入管３０
に二重のＯリングを介設したフランジ継手５８を介して
気密に接続されている。蒸気発生部２３の側部には、こ
の中に純水を導入する純水導入管６０が接続され、この
純水導入管６０には、開閉弁６２及びマスフローコント
ローラなどの流量制御機構６４を介して純水供給用の純
水源６６が接続される。また、蒸気発生部５４の一端部
にはキャリアガス導入管６８が接続されており、この導
入管６８には、開閉弁７０及びマスフローコントローラ
などの流量制御機構７２を介して不活性ガス、例えばＮ
₂ガスよりなるキャリアガスを貯留するＮ₂ ガス源７４
が接続されている。尚、このＮ₂ ガスは、ガスパージ用
不活性ガスとしても用いられる。

【００１４】また、上記キャリアガス導入管６８には、
Ｎ₂ ガスを所定の温度例えば２００℃程度に加熱するガ
ス加熱部７６が介設されており、キャリアガスを予熱す
るようになっている。このガス加熱部７６は不純物が漏
出しないように表面処理されたステンレススチール製或
いは石英製の容器７６Ａ内にフィルタを収容し、この容
器７６Ａの周囲に加熱部７６Ｂを設けて構成されてお
り、上述のように蒸気発生部５４に導入するキャリアガ
スを予め加熱するようになっている。また、上記水蒸気
供給通路５６には開閉弁７８が介設されると共にこの開
閉弁７８の上流近傍位置で途中に開閉弁８０を有する排
出管８２が分岐されており、酸化処理終了時に余剰の水
蒸気等を排出すると共に蒸気発生部５４内の水を窒素ガ
スにより置換できるようになっている。

【００１５】次に、本発明の特徴とする蒸気発生部５４
について図２乃至図４も参照して詳しく説明する。ま
ず、この蒸気発生部５４は、断面リング状の中空円筒体
状に成形された、いわば２重管構造の耐熱性容器８４を
有しており、両端が閉塞されて環状の流路が形成されて
いる。そして、容器８４の中心の中空部は図４に示すよ
うなランプヒータ部８６を収容するヒータ収容孔８８と
して構成されている。そして、このヒータ収容孔８８に
は、図４に示すような長尺な、円筒体状のランプヒータ
部８６が挿入されて、設置される。本実施例では、この
ランプヒータ部８６として直径が１０ｍｍで、長さが２
５０ｍｍ程度のハロゲンランプが用いられ、その出力は
略１０００ワットである。上記耐熱性容器８４の材料と
しては、赤外線透過材料で且つ上述のように耐熱性の高
い材料、例えば高純度の石英が用いられる。

【００１６】この耐熱性容器８４内には、直径２ｍｍ程
度の多数の石英ビーズ９０を集合させて焼結してなる中
空円筒体状のフィルタ９２が収容されており、このフィ
ルタ９２の前端側には、導入されたキャリアガスの拡散
を効率的に行なう中空リング状の導入ヘッダ９４が形成
されると共に後端側には、発生した蒸気の収集を効率的
に行なう中空リング状の排出側ヘッダ９６が形成され
る。耐熱性容器８４の導入ヘッダ９４側の一端壁には、
キャリアガス導入口９８が形成され、この導入口９８に
は上記キャリアガス導入管６８（図１参照）が接続され
て、内部にキャリアガスを導入するようになっている。
また、容器８４の排出側ヘッダ９６の他端壁には、内部
で発生した水蒸気を排出する蒸気排出口１００が形成さ
れ、この排出口１００には上記水蒸気供給通路５６が接
続される。また、キャリアガス導入口９８側の容器側壁
には、純水導入口１０２が形成されており、ここに上記
純水導入管６４を接続して容器内に純水を供給できるよ
うになっている。また、この純水導入口１０２に臨むフ
ィルタ９２は凹部状に導入ヘッダ１０４を設けて純水の
導入・拡散を促進するようになっている。

【００１７】耐熱性容器８４の外側には、この容器外周
面に金メッキ、銀メッキ、アルミニウムメッキ等のコー
ティングを施すことにより成膜された反射体１０６が形
成されており、容器８４を透過してきた赤外線を再度、
容器内側へ反射させて熱効率を高めるようになってい
る。この反射体１０６としては、このような金属コーテ
ィング膜に限定されず、赤外線を反射できる材質であれ
ば、どのような材質或いは形状でもよい。また、反射体
としてこのようなコーティング膜ではなく、円筒体状の
反射体を別体として設けるようにしてもよい。そして、
この耐熱性容器８４の外周にはこの全体を覆うようにし
て円筒体状の断熱層１０８を配置しており、容器８４の
内部を保温すると共に外部に熱的悪影響を与えないよう
になっている。

【００１８】このように構成された蒸気発生部５４の長
さは略２１０ｍｍ程度、直径は４４ｍｍ程度に設定さ
れ、また、ヒータ収容孔８８の直径は１４ｍｍ程度に設
定され、このヒータ収容部８８内に、前述のように直径
１０ｍｍ程度のランプヒータ部８６が挿入されて収容さ
れる。そして、このランプヒータ部８６へは、ヒータ電
源部１１４から電力が供給されることになる。そして、
このヒータ収容孔８８内には、耐熱性容器８４の温度を
検出するための熱電対１１０が配置されており、この検
出値は例えばマイクロコンピュータ等よりなる温度制御
部１１２に入力される。また、純水導入管６０に介設さ
れる流量制御機構６０は、図示しないホストコンピュー
タからの制御指令により、必要に応じて純水の流量を変
えるが、温度制御部１１２は、熱電対１１０による容器
検出温度が例えば最大２５０℃になるようにヒータ電源
部１１４を介して上記ランプヒータ部８６への供給電力
を常時制御するようになっている。

【００１９】次に、以上のように構成された酸化処理装
置の作用を説明する。先ず、減圧管３８の開閉弁４４、
ガス導入管６８、水蒸気供給通路５６の開閉弁７０、７
８を開に、他の開閉弁４８、６２、８０を閉にした状態
で、窒素ガス源７４からキャリアガス導入管６８を介し
て窒素ガスを処理炉１２の反応管１４内に供給しつつ反
応管１４内を減圧管３８及び減圧ポンプ３６を介して排
気することにより反応管１４内を窒素ガスにより置換す
る。そして、置換後、蓋体１６を開けて半導体ウエハＷ
を支持したウエハボート１８を保温筒２０と共に反応管
１４内に挿入する。次いで、窒素ガスの供給を続けた状
態でコントローラ５４による圧力制御により反応管１４
内を所定の圧力、例えば４００Ｔｏｒｒに減圧した後、
この圧力を維持しつつ開閉弁６２を開にして蒸気発生部
５４に純水を供給してこれを蒸気化し、発生した水蒸気
を反応管１４内に供給し、酸化処理を行なう。

【００２０】上記開閉弁６２の開により、純水源６６か
ら純水が流量制御機構６４及び純水導入管路６０を介し
て蒸気発生部５４の耐熱性容器８４内に導入され、これ
と同時にキャリアガス導入管６８からは導入口９８を介
してキャリアガスが容器の一端側から導入される。容器
８４内に導入された純水はキャリアガスと共にフィルタ
９２内を通過する過程で、容器中心部に配置したランプ
ヒータ部８６からの赤外線による輻射熱で加熱沸騰され
て水蒸気になり、その水蒸気がキャリアガスである窒素
ガスに伴って水蒸気供給通路５６及び水蒸気導入管３０
を介して反応管１４内に供給され、反応管１４内での半
導体ウエハＷの酸化処理に寄与する。尚、反応管１４内
への水蒸気の供給量は、純水源６６及びＮ₂ ガス源７４
の流量制御機構６４、７２によって制御される。

【００２１】蒸気発生部５４にて蒸気が発生する時に
は、ランプヒータ部８６からの赤外線が石英製の耐熱性
容器８６の内壁を透過してフィルタ９２間を流れる純水
に照射され、輻射熱によりこの純水を加熱し、蒸気化す
ることになる。従って、従来装置の抵抗ヒータの熱伝導
による加熱と異なり、石英容器に吸収される熱量が非常
に少なくなり、石英容器に吸収される熱量が非常に少な
くなり、効率的に蒸気を発生させることができ、従っ
て、多量の水蒸気を得ることができる。しかも、この容
器は純度の高い石英により構成されているので、例えば
ステンレススチール製の従来装置と異なり、メタルコン
タミネーションの発生も抑制することが可能となる。

【００２２】また、容器中心より、容器内を通ってその
半径方向外方へ透過した赤外線は、この耐熱性容器８４
の外壁面に形成してある例えば銀コーティングよりなる
反射体１０６に反射されて再度、容器内側に戻り、純水
の加熱蒸気化に寄与することになる。従って、上記した
理由と相俟って純水の加熱効率を大幅に向上させること
ができ、より多くの水蒸気を得ることが可能となる。ま
た、半導体ウエハＷの処理枚数或いは処理条件によって
供給すべき水蒸気量も異なり、その時の純水の供給量は
流量制御機構６４で制御される。そして、ランプヒータ
部８６或いは耐熱性容器８４の温度は常時、熱電対１１
０により検出されており、温度制御部１１２は、この温
度が例えば２５０℃を常時維持するように、ヒータ電源
部１１４を介してランプヒータ部８６への供給電力を制
御することになる。これにより、蒸気の発生量を安定化
させて供給することができる。

【００２３】ここで、ランプヒータ部８６としては、ハ
ロゲンランプに限定されず、発生する赤外線量が多けれ
ばどのようなランプでも用いることができ、例えばキセ
ノンランプ等も用いることができる。このようにして、
酸化処理が終了したならば、水蒸気の供給を停止するた
めに純水の供給を停止し、これに対して窒素ガスの供給
は継続して行ない、蒸気発生部５４内や反応管１４内、
或いは配管系に残留する純水や水蒸気をパージし、反応
管１４内を窒素ガスで置換する。次いで、減圧ポンプ３
６を停止して反応管１４内を常圧に戻し、この中から処
理済みのウエハＷを搬出すればよい。

【００２４】尚、上記実施例では、耐熱性容器８４の中
心部に、その軸心に沿ってランプヒータ部８６を配置し
たがこれに限定されるものではなく、例えば図５及び図
６に示すように耐熱性容器８４の外周壁に沿ってランプ
ヒータ部８６を設けるようにしてもよい。すなわち、こ
の実施例においては、耐熱性容器５４としては、先の図
７にて説明したと同様な構造の、例えば赤外線透過材料
である石英製の円筒体状の容器が用いられ、この外周面
に例えばハロゲンランプよりなる多数のリング状のラン
プヒータ部８６を等ピッチで配列する。この場合には、
容器５４の外周面に反射体を設けることはできないこと
から、この容器５４の外側を覆う円筒体状の断熱層１０
８の内壁面に沿って金や銀、或いはアルミニウム等のコ
ーティング膜よりなる反射体１０６を設けたり、或いは
断熱層１０８とは別体で筒体状の反射体１０６を設ける
ようにしてもよい。

【００２５】このような構成の場合ににも、先の実施例
と同様に、ランプヒータ部８６からの輻射熱により純水
を加熱する構造のため、効率的に且つ多量に水蒸気を発
生させることができ、しかもメタルコンタミネーション
の問題も生ずることはない。尚、以上説明した実施例で
は、キャリアガスとしてＮ₂ ガスを用いた場合を例にと
って説明したが、これに限定されるものではなく、Ａ
ｒ、Ｈｅ等の他の不活性ガス或いはＯ₂ ガス等も用いる
ことができ、特に、Ｏ₂ ガスを用いた場合には、酸化処
理を促進させることもできる。また、減圧状態で酸化処
理を行なう場合に限らず、常圧状態で酸化処理を行なう
場合についても適用することができる。更には、被処理
体として半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板等も用
いることができる。また、処理炉としては図示例のよう
な縦型炉に限定されず、横型炉にも適用し得る。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の酸化処理
装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮するこ
とができる。赤外線透過材料よりなる耐熱性容器とラン
プヒータ部を用いて純水を輻射熱により加熱するように
したので、メタルコンタミネーションの問題を生ずるこ
となく熱効率を高めることができ、従って、多量の水蒸
気を得ることができる。これによって、効率的な酸化処
理を行なうことが可能となる。また、赤外線を反射する
反射体を設けることにより、反射光も再度、純水の加
熱、蒸気化に寄与させることができ、熱効率を大幅に向
上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る酸化処理装置を示す全体構成図で
ある。

【図２】図１に示す装置に用いる蒸気発生部を示す断面
図である。

【図３】図２に示す蒸気発生部の側面図である。

【図４】図２に示す装置に用いるランプヒータ部を示す
平面図である。

【図５】本発明の他の実施例の蒸気発生部を示す断面図
である。

【図６】図５に示す蒸気発生部の側面図である。

【図７】酸化処理装置の従来の蒸気発生部を示す断面図
である。

【符号の説明】

１０酸化処理装置１２処理炉１４反応管３０水蒸気導入管５４蒸気発生部５６水蒸気供給通路６０純水導入管６６純水源６８キャリアガス導入管７４Ｎ₂ ガス源８４耐熱性容器８６ランプヒータ部８８ヒータ収容孔９２フィルタ９８キャリアガス導入口１００蒸気排出口１０２純水導入口１０６反射体１０８断熱層１１２温度制御部１１４ヒータ電源部Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者本間謙治神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号東京エレクトロン東北株式会社相模事業所内 (72)発明者折居晃一東京都千代田区丸の内一丁目５番１号日東化学工業株式会社内 (72)発明者桂正彦東京都千代田区丸の内一丁目５番１号日東化学工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を高温下で酸化処理する処理炉
と、赤外線透過部材よりなる耐熱性容器と赤外線を発生
するランプヒータ部とを有して導入された純水を前記ラ
ンプヒータ部からの輻射熱により蒸気化する蒸気発生部
と、ここで発生した水蒸気を前記処理炉へ供給する水蒸
気供給通路とを備えたことを特徴とする酸化処理装置。
【請求項２】前記耐熱性容器は、内部に耐熱性粒状物
を集合して焼結してなるフィルタを収容すると共に、そ
の壁には純水を導入するための純水導入口とキャリアガ
スを導入するキャリアガス導入口を形成したことを特徴
とする請求項１記載の酸化処理装置。
【請求項３】前記耐熱性容器は、中心部に前記ランプ
ヒータ部を収容するヒータ収容孔を有する断面リング状
の中空筒体として形成されると共に、前記耐熱性容器の
外側には、赤外線を反射する反射体を設けるように構成
したことを特徴とする請求項１または２記載の酸化処理
装置。
【請求項４】前記耐熱性容器は、筒体状に成形されて
おり、その外周に前記ランプヒータ部を配置し、このラ
ンプヒータ部の外側を反射体で覆うように構成したこと
を特徴とする請求項１または２記載の酸化処理装置。