JPH05206048A - ランプアニール装置 - Google Patents
ランプアニール装置Info
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- JPH05206048A JPH05206048A JP1475892A JP1475892A JPH05206048A JP H05206048 A JPH05206048 A JP H05206048A JP 1475892 A JP1475892 A JP 1475892A JP 1475892 A JP1475892 A JP 1475892A JP H05206048 A JPH05206048 A JP H05206048A
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- Japan
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- heat
- treated
- substrate
- lamp
- heating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 常温の雰囲気ガスが設置雰囲気内の被熱処理
基板に直接に接触しないようにすることで、被熱処理基
板の加熱を均一に行えるようにし、欠陥発生を低減でき
るようにする。 【構成】 加熱処理容器２に被熱処理基板１を設置し、
この基板の対向位置にランプ６を配設した構成のランプ
アニール装置であって、加熱処理容器２に加熱室８ａ，
８ｂを連結し、被熱処理基板１の設置雰囲気中に導入す
る雰囲気ガスを加熱室８ａ，８ｂによって予め加熱し、
予熱した雰囲気ガスを加熱処理容器２へ導入する。ま
た、冷却時には予熱しない雰囲気ガスを加熱室８ａ，８
ｂから導入する。
基板に直接に接触しないようにすることで、被熱処理基
板の加熱を均一に行えるようにし、欠陥発生を低減でき
るようにする。 【構成】 加熱処理容器２に被熱処理基板１を設置し、
この基板の対向位置にランプ６を配設した構成のランプ
アニール装置であって、加熱処理容器２に加熱室８ａ，
８ｂを連結し、被熱処理基板１の設置雰囲気中に導入す
る雰囲気ガスを加熱室８ａ，８ｂによって予め加熱し、
予熱した雰囲気ガスを加熱処理容器２へ導入する。ま
た、冷却時には予熱しない雰囲気ガスを加熱室８ａ，８
ｂから導入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は被熱処理物を加熱するた
めの技術、特に、基板などを加熱する際の温度分布を均
一にするために用いて効果のある技術に関するものであ
る。
めの技術、特に、基板などを加熱する際の温度分布を均
一にするために用いて効果のある技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ランプアニール装置は、例えば、
米国ピーク（Ｐｅａｋ）社のカタログに記載のように、
石英製の窓を有する処理容器中の被熱処理物であるシリ
コン基板をキセノンアークランプ光の照射により加熱す
る構成がとられている。この場合、ランプ光は基板面内
の温度分布がほぼ均一になるように加工された石英窓を
通って被処理基板上に照射される。そして、処理容器中
には、室温状態の雰囲気ガスが導入される。
米国ピーク（Ｐｅａｋ）社のカタログに記載のように、
石英製の窓を有する処理容器中の被熱処理物であるシリ
コン基板をキセノンアークランプ光の照射により加熱す
る構成がとられている。この場合、ランプ光は基板面内
の温度分布がほぼ均一になるように加工された石英窓を
通って被処理基板上に照射される。そして、処理容器中
には、室温状態の雰囲気ガスが導入される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、上記した従来技術にあっては、石英製の窓の加工に
より被処理基板面内の中心付近がほぼ均一になり、基板
周辺の温度は中心の温度値より小さくなり（その理由
は、基板周囲からの放熱が大きいことにある）、基板面
内の中心と周囲とに温度差がある状態で冷却が速くなる
と（冷却速度を速くすることは枝葉式熱処理方式である
ランプアニール装置を用いた短時間熱処理にとっては必
須のことである）、基板周辺に熱的ストレスが蓄積して
結晶欠陥の発生を招き、リーク電流を増大させるという
問題がある。このため、従来のランプアニール装置を用
いた熱処理では、被熱処理基板の欠陥発生を避けること
は困難であった。
ば、上記した従来技術にあっては、石英製の窓の加工に
より被処理基板面内の中心付近がほぼ均一になり、基板
周辺の温度は中心の温度値より小さくなり（その理由
は、基板周囲からの放熱が大きいことにある）、基板面
内の中心と周囲とに温度差がある状態で冷却が速くなる
と（冷却速度を速くすることは枝葉式熱処理方式である
ランプアニール装置を用いた短時間熱処理にとっては必
須のことである）、基板周辺に熱的ストレスが蓄積して
結晶欠陥の発生を招き、リーク電流を増大させるという
問題がある。このため、従来のランプアニール装置を用
いた熱処理では、被熱処理基板の欠陥発生を避けること
は困難であった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、被熱処理物の加
熱を均一に行えるようにし、欠陥発生を低減できるよう
にしたランプアニール装置を提供することにある。
熱を均一に行えるようにし、欠陥発生を低減できるよう
にしたランプアニール装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ランプを熱源として被熱処理物を加熱す
るランプアニール装置であって、前記被熱処理物の設置
雰囲気中に導入される雰囲気ガスを前記設置雰囲気の内
部または外部で加熱する加熱手段を設けるようにしてい
る。
に、本発明は、ランプを熱源として被熱処理物を加熱す
るランプアニール装置であって、前記被熱処理物の設置
雰囲気中に導入される雰囲気ガスを前記設置雰囲気の内
部または外部で加熱する加熱手段を設けるようにしてい
る。
【０００６】
【作用】上記した手段によれば、従来は常温のまま雰囲
気ガスを設置雰囲気中へ供給していたのに対し、本発明
では、予熱した状態で雰囲気ガスが供給され、或いは常
温で導入された雰囲気ガスが被熱処理物に直接的に接触
しない状態で加熱される。したがって、被熱処理物内及
び深さ方向の温度均一性を向上できるので、熱的応力の
少ない熱処理が可能になり、酸化特性の改善（歩留り向
上、膜形成の均一化、酸化膜厚のばらつき低減など）や
接合リーク電流の低減（動作速度の向上に寄与）など、
プロセス的（処理時間の短縮など）に非常に有効な熱処
理を行えるようになる。
気ガスを設置雰囲気中へ供給していたのに対し、本発明
では、予熱した状態で雰囲気ガスが供給され、或いは常
温で導入された雰囲気ガスが被熱処理物に直接的に接触
しない状態で加熱される。したがって、被熱処理物内及
び深さ方向の温度均一性を向上できるので、熱的応力の
少ない熱処理が可能になり、酸化特性の改善（歩留り向
上、膜形成の均一化、酸化膜厚のばらつき低減など）や
接合リーク電流の低減（動作速度の向上に寄与）など、
プロセス的（処理時間の短縮など）に非常に有効な熱処
理を行えるようになる。
【０００７】
【実施例１】図１は本発明によるランプアニール装置の
第１実施例を示す部分断面図である。また、図２は図１
における加熱室の詳細を示す斜視図、図３は装置全体の
詳細構成を示す部分断面図である。
第１実施例を示す部分断面図である。また、図２は図１
における加熱室の詳細を示す斜視図、図３は装置全体の
詳細構成を示す部分断面図である。
【０００８】被熱処理物である被熱処理基板１を収納可
能な内部空間を有する密封構造の加熱処理容器２は、対
向する両壁面に雰囲気ガス導入口３ａ，３ｂを有し、底
面にはガス排気口４が設けられている。加熱処理容器２
の上面には、容器内を密封するための石英製のランプ光
窓５がＯリング（不図示）を介して密着配設され、この
ランプ光窓５の上方には加熱処理の熱源となるランプ６
（例えば、キセノンアークランプ）が配設されている。
このランプ６を覆うようにして、蓋７（被熱処理基板１
の全面を均一に加熱できるように、内面に凹面形状の反
射鏡７ａが形成されている）がランプ光窓５上に設置さ
れている。さらに、雰囲気ガス導入口３ａ，３ｂの各々
に連結させて加熱手段としての加熱室８ａ，８ｂの各々
が設けられている。
能な内部空間を有する密封構造の加熱処理容器２は、対
向する両壁面に雰囲気ガス導入口３ａ，３ｂを有し、底
面にはガス排気口４が設けられている。加熱処理容器２
の上面には、容器内を密封するための石英製のランプ光
窓５がＯリング（不図示）を介して密着配設され、この
ランプ光窓５の上方には加熱処理の熱源となるランプ６
（例えば、キセノンアークランプ）が配設されている。
このランプ６を覆うようにして、蓋７（被熱処理基板１
の全面を均一に加熱できるように、内面に凹面形状の反
射鏡７ａが形成されている）がランプ光窓５上に設置さ
れている。さらに、雰囲気ガス導入口３ａ，３ｂの各々
に連結させて加熱手段としての加熱室８ａ，８ｂの各々
が設けられている。
【０００９】このような構成のランプアニール装置にあ
っては、加熱処理容器２内に被熱処理基板１を配設し、
ついで加熱室８ａ，８ｂ側から雰囲気ガス（例えば、水
素ガス、窒素ガスなど）を連続的に導入し、ランプ６を
点灯して雰囲気ガスの加熱を行う。加熱処理容器２内に
供給された使用済みの雰囲気ガスは、ガス排気口４を介
して容器外へ排出される。このとき、加熱処理容器２内
に導入される雰囲気ガスは、加熱室８ａ，８ｂによって
予め或る温度に加熱される。そして、冷却時には、ラン
プ６を消灯し、加熱室８ａ，８ｂから冷えた雰囲気ガス
（冷却ガス）を導入し、被熱処理基板１の冷却を行う。
っては、加熱処理容器２内に被熱処理基板１を配設し、
ついで加熱室８ａ，８ｂ側から雰囲気ガス（例えば、水
素ガス、窒素ガスなど）を連続的に導入し、ランプ６を
点灯して雰囲気ガスの加熱を行う。加熱処理容器２内に
供給された使用済みの雰囲気ガスは、ガス排気口４を介
して容器外へ排出される。このとき、加熱処理容器２内
に導入される雰囲気ガスは、加熱室８ａ，８ｂによって
予め或る温度に加熱される。そして、冷却時には、ラン
プ６を消灯し、加熱室８ａ，８ｂから冷えた雰囲気ガス
（冷却ガス）を導入し、被熱処理基板１の冷却を行う。
【００１０】図２は加熱室の詳細構造を示し、耐熱性の
高い石英管９を同心円状筒形に巻回し、その内部に抵抗
加熱器１０（ヒータ）を内挿し、さらに石英管９と並列
にバイパス管１１（耐熱管）が接続されている。このバ
イパス管１１及び石英管９には、図３に示すように、バ
ルブ１２，１３が設けられ、このバルブによって選択さ
れた一方の管に雰囲気ガスを流すことができるように構
成されている。また、加熱処理容器２の内部には、加熱
室８ａ，８ｂの出口に連結させてシリコン製の管１４が
設けられている。
高い石英管９を同心円状筒形に巻回し、その内部に抵抗
加熱器１０（ヒータ）を内挿し、さらに石英管９と並列
にバイパス管１１（耐熱管）が接続されている。このバ
イパス管１１及び石英管９には、図３に示すように、バ
ルブ１２，１３が設けられ、このバルブによって選択さ
れた一方の管に雰囲気ガスを流すことができるように構
成されている。また、加熱処理容器２の内部には、加熱
室８ａ，８ｂの出口に連結させてシリコン製の管１４が
設けられている。
【００１１】この構成では、加熱時には抵抗加熱器１０
に通電すると共に、バイパス管１１のバルブ１２を閉
じ、石英管９のバルブ１３を開け、抵抗加熱器１０から
加温した雰囲気ガスが管１４から出力されるようにす
る。このとき、管１４はランプ６から放射された光熱を
直接的に受けるため、加熱室８ａ，８ｂから出力される
加熱雰囲気ガスをさらに加熱する効果が得られる。ま
た、冷却を行う場合には、抵抗加熱器１０の通電を止
め、石英管９のバルブ１３を閉め、バイパス管１１のバ
ルブ１２を開ける。これにより、加温されていない雰囲
気ガス（冷却ガス）が管１４の各々から容器内へ出力さ
れ、被熱処理基板１の冷却が行われる。
に通電すると共に、バイパス管１１のバルブ１２を閉
じ、石英管９のバルブ１３を開け、抵抗加熱器１０から
加温した雰囲気ガスが管１４から出力されるようにす
る。このとき、管１４はランプ６から放射された光熱を
直接的に受けるため、加熱室８ａ，８ｂから出力される
加熱雰囲気ガスをさらに加熱する効果が得られる。ま
た、冷却を行う場合には、抵抗加熱器１０の通電を止
め、石英管９のバルブ１３を閉め、バイパス管１１のバ
ルブ１２を開ける。これにより、加温されていない雰囲
気ガス（冷却ガス）が管１４の各々から容器内へ出力さ
れ、被熱処理基板１の冷却が行われる。
【００１２】図４は加熱室の他の例を示す斜視図であ
る。この例では、加熱源としてランプ６を用い、このラ
ンプ６からの光が照射される位置に被熱処理基板１と同
一の材質による管１５を配設するようにしている。この
管１５に雰囲気ガスを通すことにより、雰囲気ガスと被
熱処理基板１とが同時に加熱される。
る。この例では、加熱源としてランプ６を用い、このラ
ンプ６からの光が照射される位置に被熱処理基板１と同
一の材質による管１５を配設するようにしている。この
管１５に雰囲気ガスを通すことにより、雰囲気ガスと被
熱処理基板１とが同時に加熱される。
【００１３】図５は図３に示すランプアニール装置にお
ける被熱処理基板１（シリコン基板）の昇温特性であ
る。なお、図中、点線特性は従来例である。同図から明
らかなように、加熱速度が大きくなることがわかる。
ける被熱処理基板１（シリコン基板）の昇温特性であ
る。なお、図中、点線特性は従来例である。同図から明
らかなように、加熱速度が大きくなることがわかる。
【００１４】図６は被熱処理基板の面内温度分布特性図
である。図より明らかなように、面内均一性、特に、基
板周辺での均一性が向上している。この結果、１０００
℃以上の短時間熱処理を数回繰り返してもスリップライ
ンは入らないことが確かめられた。
である。図より明らかなように、面内均一性、特に、基
板周辺での均一性が向上している。この結果、１０００
℃以上の短時間熱処理を数回繰り返してもスリップライ
ンは入らないことが確かめられた。
【００１５】図７は酸化膜厚と酸化時間の関係を示す特
性図である。ここでは、雰囲気ガスに酸素を用いて被熱
処理基板の熱酸化を行った結果が示され、この特性から
膜の形成速度の状況を把握することができる。すなわ
ち、酸化現象が反応律速である短時間側での酸化速度の
増加と酸化現象が拡散律速である長時間側での酸化速度
の増加が本発明により実現できた。
性図である。ここでは、雰囲気ガスに酸素を用いて被熱
処理基板の熱酸化を行った結果が示され、この特性から
膜の形成速度の状況を把握することができる。すなわ
ち、酸化現象が反応律速である短時間側での酸化速度の
増加と酸化現象が拡散律速である長時間側での酸化速度
の増加が本発明により実現できた。
【００１６】図８は本発明における温度変化を示す特性
図である。この特性は、バルブ１２を開けてバルブ１３
を閉じ、雰囲気ガスをバイパス管１１を介して加熱処理
容器２に導入した場合のものである。なお、比較のため
にバイパス管１１が無い場合の温度変化特性も示してい
る。本図から明らかなように、バイパス管１１が無い場
合に比べて短時間に冷却を行えることがわかる。
図である。この特性は、バルブ１２を開けてバルブ１３
を閉じ、雰囲気ガスをバイパス管１１を介して加熱処理
容器２に導入した場合のものである。なお、比較のため
にバイパス管１１が無い場合の温度変化特性も示してい
る。本図から明らかなように、バイパス管１１が無い場
合に比べて短時間に冷却を行えることがわかる。
【００１７】図９は管１４の有無に応じた雰囲気温度及
び被熱処理基板の降温特性を示している。図より明らか
なように、雰囲気ガス温度が高くなると、被熱処理基板
１の昇温特性が改善され、また、冷却時には被熱処理基
板１の冷却と同時に管１４が冷却されるので、冷却時間
の増加を最小限にすることができる。
び被熱処理基板の降温特性を示している。図より明らか
なように、雰囲気ガス温度が高くなると、被熱処理基板
１の昇温特性が改善され、また、冷却時には被熱処理基
板１の冷却と同時に管１４が冷却されるので、冷却時間
の増加を最小限にすることができる。
【００１８】以上より明らかなように、本発明の実施例
によれば、昇温特性及び降温特性を制御でき、かつ被熱
処理基板１の面内温度の均一性を向上できるので、短時
間の熱処理が可能になる。
によれば、昇温特性及び降温特性を制御でき、かつ被熱
処理基板１の面内温度の均一性を向上できるので、短時
間の熱処理が可能になる。
【００１９】
【実施例２】図１０は本発明の他の実施例を示す断面図
である。本実施例においては、前記実施例と同一である
ものには同一引用数字を用いたので、以下においては重
複する説明を省略する。
である。本実施例においては、前記実施例と同一である
ものには同一引用数字を用いたので、以下においては重
複する説明を省略する。
【００２０】本実施例は、加熱室を設けず、シリコン板
の輻射加熱用板１５を被熱処理基板１の上部に配設した
ところに特徴がある。この場合、ランプ光窓５の加工
は、被熱処理基板１で面内均一性が良くなるように配慮
している。
の輻射加熱用板１５を被熱処理基板１の上部に配設した
ところに特徴がある。この場合、ランプ光窓５の加工
は、被熱処理基板１で面内均一性が良くなるように配慮
している。
【００２１】図１１は加熱したときの輻射加熱用板１
６、被熱処理基板１及び雰囲気ガスの昇温特性を示して
いる。この図から明らかなように、雰囲気ガス温度は非
常に高温になるため、３０秒以上の時間範囲では被熱処
理基板１と雰囲気ガスとは、ほぼ熱平衡状態になる。し
たがって、被熱処理基板１表面での温度低下はなくな
り、基板面内だけでなく深さ方向にも均一な温度分布で
熱処理が可能になる。
６、被熱処理基板１及び雰囲気ガスの昇温特性を示して
いる。この図から明らかなように、雰囲気ガス温度は非
常に高温になるため、３０秒以上の時間範囲では被熱処
理基板１と雰囲気ガスとは、ほぼ熱平衡状態になる。し
たがって、被熱処理基板１表面での温度低下はなくな
り、基板面内だけでなく深さ方向にも均一な温度分布で
熱処理が可能になる。
【００２２】図１２はｐ−ｎ接合を有する被熱処理基板
１を水素中で熱処理した時のｐ−ｎ接合リーク電流特性
を示している。この場合の熱処理条件は、４５０℃、３
分間である。なお、破線特性は従来例である。ここで、
リーク電流は、ｐ−ｎ接合端部でのＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面
に空乏層が接した部分のリーク電流を示している。本図
から明らかなように、リーク電流は従来に比べて約１／
３にすることが可能であることがわかる。
１を水素中で熱処理した時のｐ−ｎ接合リーク電流特性
を示している。この場合の熱処理条件は、４５０℃、３
分間である。なお、破線特性は従来例である。ここで、
リーク電流は、ｐ−ｎ接合端部でのＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面
に空乏層が接した部分のリーク電流を示している。本図
から明らかなように、リーク電流は従来に比べて約１／
３にすることが可能であることがわかる。
【００２３】
【実施例３】図１３は本発明の第３実施例の主要部の構
成を示す断面図である。本実施例は、被熱処理基板１と
同一の材質の輻射加熱用基板１３を、被熱処理基板１と
ランプ光窓５の間に配設したところに特徴がある。この
構成によれば、ランプ６の照射によって最初に輻射加熱
用基板１７が加熱され、更に、その輻射によって被熱処
理基板１が加熱される。
成を示す断面図である。本実施例は、被熱処理基板１と
同一の材質の輻射加熱用基板１３を、被熱処理基板１と
ランプ光窓５の間に配設したところに特徴がある。この
構成によれば、ランプ６の照射によって最初に輻射加熱
用基板１７が加熱され、更に、その輻射によって被熱処
理基板１が加熱される。
【００２４】このような構成により、被熱処理基板１よ
り輻射加熱用基板１７の方が高温になるため、被熱処理
基板１の表面からの放熱を極力避けることができ、被熱
処理基板１の深さ方向の温度均一性が向上する。
り輻射加熱用基板１７の方が高温になるため、被熱処理
基板１の表面からの放熱を極力避けることができ、被熱
処理基板１の深さ方向の温度均一性が向上する。
【００２５】以上説明した通り、本発明の実施例によれ
ば、被熱処理基板１の深さ方向（厚み方向）の温度均一
性を向上できるので、雰囲気ガスを効率良く被熱処理基
板１に導入することができ、電気特性を改善することが
できる。この改善は、被熱処理基板上にシリコンと物性
の異なるＳｉＯ2 膜が存在するときに特に有効（その理
由は、シリコン基板とＳｉＯ2 膜とがほぼ同一温度であ
るため、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面に熱的な応力を与えないた
め）である。
ば、被熱処理基板１の深さ方向（厚み方向）の温度均一
性を向上できるので、雰囲気ガスを効率良く被熱処理基
板１に導入することができ、電気特性を改善することが
できる。この改善は、被熱処理基板上にシリコンと物性
の異なるＳｉＯ2 膜が存在するときに特に有効（その理
由は、シリコン基板とＳｉＯ2 膜とがほぼ同一温度であ
るため、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面に熱的な応力を与えないた
め）である。
【００２６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２７】例えば、図１１及び図１３の実施例では、
被熱処理基板の片面に近接させて１枚の輻射加熱用基板
（輻射加熱用板）を設けるものとしたが、被熱処理基板
の両面に２枚の輻射加熱用基板（輻射加熱用板）を配設
することもできる。この構成では、光源を下側に配設し
た場合にも適用できる。
被熱処理基板の片面に近接させて１枚の輻射加熱用基板
（輻射加熱用板）を設けるものとしたが、被熱処理基板
の両面に２枚の輻射加熱用基板（輻射加熱用板）を配設
することもできる。この構成では、光源を下側に配設し
た場合にも適用できる。
【００２８】また、以上の説明では、主として本発明者
によってなされた発明をその利用分野である半導体装置
の製造に用いられるシリコン基板の加熱に適用した場合
について説明したが、これに限定されるものではなく、
ランプにより加熱する全ての製品に適用することが可能
である。
によってなされた発明をその利用分野である半導体装置
の製造に用いられるシリコン基板の加熱に適用した場合
について説明したが、これに限定されるものではなく、
ランプにより加熱する全ての製品に適用することが可能
である。
【００２９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００３０】すなわち、ランプを熱源として被熱処理基
板を加熱するランプアニール装置であって、前記被熱処
理基板の設置雰囲気中に導入される雰囲気ガスを前記設
置雰囲気の内部または外部で加熱する加熱手段を設ける
ようにしたので、被熱処理基板内及び深さ方向の温度均
一性を向上できるので、熱的応力の少ない熱処理が可能
になる。
板を加熱するランプアニール装置であって、前記被熱処
理基板の設置雰囲気中に導入される雰囲気ガスを前記設
置雰囲気の内部または外部で加熱する加熱手段を設ける
ようにしたので、被熱処理基板内及び深さ方向の温度均
一性を向上できるので、熱的応力の少ない熱処理が可能
になる。
【図１】本発明によるランプアニール装置の第１実施例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図２】図１における加熱室の詳細を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】装置全体の詳細構成を示す部分断面図である。
【図４】加熱室の他の例を示す斜視図である。
【図５】図３に示すランプアニール装置における被熱処
理基板の昇温特性図である。
理基板の昇温特性図である。
【図６】被熱処理基板の面内温度分布特性図である。
【図７】酸化膜厚と酸化時間の関係を示す特性図であ
る。
る。
【図８】本発明における温度変化を示す特性図である。
【図９】加熱処理容器内に突出する管の有無に応じた雰
囲気温度及び被熱処理基板の降温特性図である。
囲気温度及び被熱処理基板の降温特性図である。
【図１０】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図１１】図１０における輻射加熱用板、被熱処理基板
及び雰囲気ガスの各々の昇温特性図である。
及び雰囲気ガスの各々の昇温特性図である。
【図１２】ｐ−ｎ接合を有する被熱処理基板を水素中で
熱処理した時のｐ−ｎ接合リーク電流特性を示す特性図
である。
熱処理した時のｐ−ｎ接合リーク電流特性を示す特性図
である。
【図１３】本発明の第３実施例の主要部の構成を示す断
面図である。
面図である。
１ 被熱処理基板 ２ 加熱処理容器 ３ａ 雰囲気ガス導入口 ３ｂ 雰囲気ガス導入口 ４ ガス排気口 ５ ランプ光窓 ６ ランプ ７ 蓋 ８ａ 加熱室 ８ｂ 加熱室 ９ 石英管 １０ 抵抗加熱器 １１ バイパス管 １２ バルブ １３ バルブ １４ 管 １５ 管 １６ 輻射加熱用板 １７ 輻射加熱用基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大湯 静憲 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 古賀野 正佳 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 ランプを熱源として被熱処理物を加熱す
るランプアニール装置であって、前記被熱処理物の設置
雰囲気中に導入される雰囲気ガスを前記設置雰囲気の内
部または外部で加熱する加熱手段を設けたことを特徴と
するランプアニール装置。 - 【請求項２】 前記加熱手段は、前記設置雰囲気中に雰
囲気ガスを導入する耐熱管と、この耐熱管に接して配設
されて該耐熱管を加熱する抵抗加熱器とから成り、これ
らが前記設置雰囲気の外部に設置されることを特徴とす
る請求項１記載のランプアニール装置。 - 【請求項３】 前記被熱処理物に向けて前記設置雰囲気
内に突出する管を、前記加熱手段の出口に連通させて接
続することを特徴とする請求項２記載のランプアニール
装置。 - 【請求項４】 前記加熱手段は、前記被熱処理物と同一
の材質で作られ、前記ランプの照射を受ける部位に設置
されると共に前記設置雰囲気へ導入される雰囲気ガスが
流通する管から成ることを特徴とする請求項１記載のラ
ンプアニール装置。 - 【請求項５】 前記加熱手段は、前記ランプに対向さ
せ、かつ前記被熱処理物に近接させて輻射加熱用板また
は輻射加熱用基板を設けて構成されることを特徴とする
請求項１記載のランプアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1475892A JPH05206048A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | ランプアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1475892A JPH05206048A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | ランプアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206048A true JPH05206048A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11869992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1475892A Withdrawn JPH05206048A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | ランプアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206048A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246327A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置並びに半導体装置の作製方法 |
| JP2008251733A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Nec Corp | 光加熱装置及び光加熱方法 |
| US7534977B2 (en) | 2000-12-28 | 2009-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2019216287A (ja) * | 2019-10-01 | 2019-12-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
| CN116705669A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-09-05 | 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 | 一种冷却效果均匀的半导体设备用加热灯盘及冷却方法 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP1475892A patent/JPH05206048A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534977B2 (en) | 2000-12-28 | 2009-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2002246327A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置並びに半導体装置の作製方法 |
| JP2008251733A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Nec Corp | 光加熱装置及び光加熱方法 |
| JP2019216287A (ja) * | 2019-10-01 | 2019-12-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
| CN116705669A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-09-05 | 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 | 一种冷却效果均匀的半导体设备用加热灯盘及冷却方法 |
| CN116705669B (zh) * | 2023-08-04 | 2023-10-20 | 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 | 一种冷却效果均匀的半导体设备用加热灯盘及冷却方法 |
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Legal Events
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