JPH0917742A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH0917742A JPH0917742A JP16439395A JP16439395A JPH0917742A JP H0917742 A JPH0917742 A JP H0917742A JP 16439395 A JP16439395 A JP 16439395A JP 16439395 A JP16439395 A JP 16439395A JP H0917742 A JPH0917742 A JP H0917742A
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- treatment apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光加熱方式の熱処理装置の熱処理中における
被処理物の面内温度均一性を向上させる。 【構成】 支持ピン７ｂによって支持された状態でチャ
ンバ２内に収容された半導体ウエハ６を、その上下にチ
ャンバ２を隔てて配置されたランプ１０によって加熱す
るランプアニール装置１に、半導体ウエハ６において支
持ピン７ｂが接触する領域に光を照射し加熱する点状の
ランプ１１を設けた。
被処理物の面内温度均一性を向上させる。 【構成】 支持ピン７ｂによって支持された状態でチャ
ンバ２内に収容された半導体ウエハ６を、その上下にチ
ャンバ２を隔てて配置されたランプ１０によって加熱す
るランプアニール装置１に、半導体ウエハ６において支
持ピン７ｂが接触する領域に光を照射し加熱する点状の
ランプ１１を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置技術に関
し、特に、半導体集積回路装置の製造工程において用い
る光加熱方式の熱処理装置に適用して有効な技術に関す
るものである。
し、特に、半導体集積回路装置の製造工程において用い
る光加熱方式の熱処理装置に適用して有効な技術に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の素子や配線の微細
化並びに素子集積度の向上要求に伴い、例えば酸化、拡
散およびアニール等のような熱処理プロセスにおいて
は、浅く、かつ、高濃度の不純物ドープ層の形成が要求
されている。
化並びに素子集積度の向上要求に伴い、例えば酸化、拡
散およびアニール等のような熱処理プロセスにおいて
は、浅く、かつ、高濃度の不純物ドープ層の形成が要求
されている。
【０００３】そして、例えばイオン注入によって浅く、
かつ、横方向の広がりの少ない接合を形成しようとする
場合、不純物の活性化、イオン注入によるダメージの回
復および残留欠陥の低減といったアニール効果の要求と
ともに、それらと相反関係にある不純物拡散の抑制を満
足させるには、これまでの電気抵抗加熱によるバッチ処
理では、処理時間や温度制御性等のような面で限界が生
じつつある。
かつ、横方向の広がりの少ない接合を形成しようとする
場合、不純物の活性化、イオン注入によるダメージの回
復および残留欠陥の低減といったアニール効果の要求と
ともに、それらと相反関係にある不純物拡散の抑制を満
足させるには、これまでの電気抵抗加熱によるバッチ処
理では、処理時間や温度制御性等のような面で限界が生
じつつある。
【０００４】このような要求等に伴い、加熱源として光
を用いた枚葉式の熱処理装置が採用されている。この種
の熱処理装置の原理は、例えば石英等のような透明材料
からなる支持ピンに支持された半導体ウエハの上方また
は上下両方向に光加熱源を配置し、その光加熱源から放
射された光の吸収によって半導体ウエハを加熱するもの
である。
を用いた枚葉式の熱処理装置が採用されている。この種
の熱処理装置の原理は、例えば石英等のような透明材料
からなる支持ピンに支持された半導体ウエハの上方また
は上下両方向に光加熱源を配置し、その光加熱源から放
射された光の吸収によって半導体ウエハを加熱するもの
である。
【０００５】なお、半導体集積回路装置の製造工程で用
いられる光加熱方式の熱処理装置については、例えば株
式会社工業調査会、１９９１年１１月２２日発行「１９
９２年版 超ＬＳＩ製造・試験装置 ガイドブック」Ｐ
４８〜Ｐ５２に記載があり、ランプアニール装置につい
て詳細に説明されている。
いられる光加熱方式の熱処理装置については、例えば株
式会社工業調査会、１９９１年１１月２２日発行「１９
９２年版 超ＬＳＩ製造・試験装置 ガイドブック」Ｐ
４８〜Ｐ５２に記載があり、ランプアニール装置につい
て詳細に説明されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した光
加熱方式の熱処理装置技術においては、以下の問題があ
ることを本発明者は見い出した。
加熱方式の熱処理装置技術においては、以下の問題があ
ることを本発明者は見い出した。
【０００７】すなわち、光加熱源を有する熱処理装置に
おいては、半導体ウエハを支持する支持ピンが石英等の
ような透明材料で構成されているため、光が吸収され難
く暖まり難いので、半導体ウエハと支持ピンとの間に温
度差が生じる結果、半導体ウエハの熱が支持ピンを通じ
て逃げてしまい、半導体ウエハの支持部接触領域におい
て局所的な温度低下が生じ、半導体ウエハ面内の温度分
布の均一性が低下する問題がある。
おいては、半導体ウエハを支持する支持ピンが石英等の
ような透明材料で構成されているため、光が吸収され難
く暖まり難いので、半導体ウエハと支持ピンとの間に温
度差が生じる結果、半導体ウエハの熱が支持ピンを通じ
て逃げてしまい、半導体ウエハの支持部接触領域におい
て局所的な温度低下が生じ、半導体ウエハ面内の温度分
布の均一性が低下する問題がある。
【０００８】本発明の目的は、光加熱方式の熱処理装置
の熱処理中における被処理物の面内温度の均一性を向上
させることのできる技術を提供することにある。
の熱処理中における被処理物の面内温度の均一性を向上
させることのできる技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明の熱処理装置は、支持部
に接触した状態で支持された被処理物を主加熱源から放
射された光によって加熱する熱処理装置であって、前記
被処理物において前記支持部の接触領域における局所的
な温度低下を補うために、前記接触領域を局所的に加熱
する副加熱源を設けたものである。
に接触した状態で支持された被処理物を主加熱源から放
射された光によって加熱する熱処理装置であって、前記
被処理物において前記支持部の接触領域における局所的
な温度低下を補うために、前記接触領域を局所的に加熱
する副加熱源を設けたものである。
【００１２】また、本発明の熱処理装置は、支持部に接
触した状態で支持された被処理物を主加熱源から放射さ
れた光によって加熱する熱処理装置であって、前記支持
部の材料を、光加熱による熱吸収率が石英よりも大きな
材料としたものである。
触した状態で支持された被処理物を主加熱源から放射さ
れた光によって加熱する熱処理装置であって、前記支持
部の材料を、光加熱による熱吸収率が石英よりも大きな
材料としたものである。
【００１３】さらに、本発明の熱処理装置は、前記被処
理物の熱処理時における温度を測定する熱電対の保護管
を、光吸収率の異なる２種類以上の材料で構成したもの
である。
理物の熱処理時における温度を測定する熱電対の保護管
を、光吸収率の異なる２種類以上の材料で構成したもの
である。
【００１４】
【作用】上記した本発明の熱処理装置によれば、熱処理
において、被処理物の支持部接触領域を副加熱源によっ
て加熱することにより、その接触領域における温度の不
足を補うことができるので、被処理物の面内における温
度分布の均一性を向上させることが可能となる。
において、被処理物の支持部接触領域を副加熱源によっ
て加熱することにより、その接触領域における温度の不
足を補うことができるので、被処理物の面内における温
度分布の均一性を向上させることが可能となる。
【００１５】また、上記した本発明の熱処理装置によれ
ば、支持部を石英よりも光吸収率の高い材料としたこと
により、熱処理において、支持部も光が吸収され加熱さ
れるので、被処理物の支持部接触領域における温度低下
を防止することができ、被処理物の面内における温度分
布の均一性を向上させることが可能となる。
ば、支持部を石英よりも光吸収率の高い材料としたこと
により、熱処理において、支持部も光が吸収され加熱さ
れるので、被処理物の支持部接触領域における温度低下
を防止することができ、被処理物の面内における温度分
布の均一性を向上させることが可能となる。
【００１６】さらに、上記した本発明の熱処理装置によ
れば、熱処理時に被処理物の温度を測定する熱電対の保
護管として、例えば被処理物と接触する部分は光吸収率
の高い材料を用い、その他の部分は光吸収率の低い材料
を用いることにより、その保護管の接触領域における温
度の低下を防止することができるので、被処理物の面内
における温度分布の均一性を向上させることが可能とな
る。
れば、熱処理時に被処理物の温度を測定する熱電対の保
護管として、例えば被処理物と接触する部分は光吸収率
の高い材料を用い、その他の部分は光吸収率の低い材料
を用いることにより、その保護管の接触領域における温
度の低下を防止することができるので、被処理物の面内
における温度分布の均一性を向上させることが可能とな
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１８】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る熱処理装置の断面図、図２は図１の熱処理装置の平面
図である。
る熱処理装置の断面図、図２は図１の熱処理装置の平面
図である。
【００１９】本実施例１の熱処理装置は、図１および図
２に示すように、例えば半導体集積回路装置の短時間ア
ニール工程で用いる枚葉式のランプアニール装置１であ
る。このランプアニール装置１は、例えばゲート酸化膜
形成後の熱処理、ＢＰＳＧ（Boro Phospho Silicate Gl
ass)等のような層間膜のガラスフロー、不純物イオン注
入後の活性化および結晶欠陥の回復、ＣＶＤ膜堆積後の
緻密化、シリサイドやポリシリコンのアニール処理、メ
タルシンタ処理等に用いられる。
２に示すように、例えば半導体集積回路装置の短時間ア
ニール工程で用いる枚葉式のランプアニール装置１であ
る。このランプアニール装置１は、例えばゲート酸化膜
形成後の熱処理、ＢＰＳＧ（Boro Phospho Silicate Gl
ass)等のような層間膜のガラスフロー、不純物イオン注
入後の活性化および結晶欠陥の回復、ＣＶＤ膜堆積後の
緻密化、シリサイドやポリシリコンのアニール処理、メ
タルシンタ処理等に用いられる。
【００２０】ランプアニール装置１のチャンバ２は、処
理室３を形成するための管であり、例えば石英等のよう
な透明材料からなる。チャンバ２の一端面側には、蓋４
が開閉可能な状態で設置されている。また、チャンバ２
の他端面側には、処理室３内のガスを排気するための排
気管５が設けられている。
理室３を形成するための管であり、例えば石英等のよう
な透明材料からなる。チャンバ２の一端面側には、蓋４
が開閉可能な状態で設置されている。また、チャンバ２
の他端面側には、処理室３内のガスを排気するための排
気管５が設けられている。
【００２１】処理室３内には、半導体ウエハ（被処理
物）６が収容されている。半導体ウエハ６は、例えばＳ
ｉ単結晶等からなり、その主面を上に向けた状態で、サ
セプタ７ａから突出する３つの支持ピン７ｂによって点
接触で支持されている。このサセプタ７ａおよび支持ピ
ン７ｂは、例えば石英等のような透明材料からなる。
物）６が収容されている。半導体ウエハ６は、例えばＳ
ｉ単結晶等からなり、その主面を上に向けた状態で、サ
セプタ７ａから突出する３つの支持ピン７ｂによって点
接触で支持されている。このサセプタ７ａおよび支持ピ
ン７ｂは、例えば石英等のような透明材料からなる。
【００２２】また、半導体ウエハ６の裏面側の外周の下
方には、半導体ウエハ６よりも大径のリング８が配置さ
れている。リング８は、半導体ウエハ６の外周部におけ
る温度低下を補うためのものであり、石英よりも光吸収
率および熱伝導率の高い、例えば炭化シリコン（Ｓｉ
Ｃ）またはグラファイト等からなる。
方には、半導体ウエハ６よりも大径のリング８が配置さ
れている。リング８は、半導体ウエハ６の外周部におけ
る温度低下を補うためのものであり、石英よりも光吸収
率および熱伝導率の高い、例えば炭化シリコン（Ｓｉ
Ｃ）またはグラファイト等からなる。
【００２３】また、半導体ウエハ６の裏面側に熱電対９
が設置されている。熱電対９は、熱処理中における半導
体ウエハ６の温度を測定するための構成部であり、その
外周の保護管が半導体ウエハ６の裏面に接触している。
が設置されている。熱電対９は、熱処理中における半導
体ウエハ６の温度を測定するための構成部であり、その
外周の保護管が半導体ウエハ６の裏面に接触している。
【００２４】そして、本実施例１においては、その熱電
対９の保護管において、半導体ウエハ６と接触する部分
が、例えばＳｉＣ等のようなセラミックからなり、それ
以外の部分が、例えば不透明石英等からなる。
対９の保護管において、半導体ウエハ６と接触する部分
が、例えばＳｉＣ等のようなセラミックからなり、それ
以外の部分が、例えば不透明石英等からなる。
【００２５】すなわち、熱電対９の保護管のうち、半導
体ウエハ６に接触する部分を光吸収率の高い材料によっ
て構成することにより、半導体ウエハ６のうちの保護管
が接触する領域における温度低下を防止することができ
るので、半導体ウエハ６の面内における温度分布の均一
性を向上させることが可能となっている。
体ウエハ６に接触する部分を光吸収率の高い材料によっ
て構成することにより、半導体ウエハ６のうちの保護管
が接触する領域における温度低下を防止することができ
るので、半導体ウエハ６の面内における温度分布の均一
性を向上させることが可能となっている。
【００２６】この半導体ウエハ６の上方および下方に
は、半導体ウエハ６を加熱するために、例えば円筒状の
ランプ（主加熱源）１０がチャンバ２を隔ててそれぞれ
複数本配置されている。
は、半導体ウエハ６を加熱するために、例えば円筒状の
ランプ（主加熱源）１０がチャンバ２を隔ててそれぞれ
複数本配置されている。
【００２７】個々のランプ１０は、例えばタングステン
ハロゲンランプからなり、その温度範囲は、例えば４０
０〜１２００℃程度である。また、昇温レートは、例え
ば２００℃／ｓ以下である。このランプ１０群は、所定
複数個のゾーンに分割されており、マイクロプロセッサ
等によって各々独立にパワー設定され制御されるように
なっている。なお、１２は、ランプ１０の光を半導体ウ
エハ６側に集光する反射板である。
ハロゲンランプからなり、その温度範囲は、例えば４０
０〜１２００℃程度である。また、昇温レートは、例え
ば２００℃／ｓ以下である。このランプ１０群は、所定
複数個のゾーンに分割されており、マイクロプロセッサ
等によって各々独立にパワー設定され制御されるように
なっている。なお、１２は、ランプ１０の光を半導体ウ
エハ６側に集光する反射板である。
【００２８】また、本実施例１においては、支持ピン７
ｂの平面位置の上方および下方に、例えば点状のランプ
（副加熱源）１１がチャンバ２を隔てて配置されてい
る。この点状ランプ１１は、半導体ウエハ６における支
持ピン７ａ接触領域に光を照射することにより、その接
触領域における温度不足を補うための加熱源であり、例
えばタングステンハロゲンランプが使用されている。
ｂの平面位置の上方および下方に、例えば点状のランプ
（副加熱源）１１がチャンバ２を隔てて配置されてい
る。この点状ランプ１１は、半導体ウエハ６における支
持ピン７ａ接触領域に光を照射することにより、その接
触領域における温度不足を補うための加熱源であり、例
えばタングステンハロゲンランプが使用されている。
【００２９】ここで、本実施例１においては、支持ピン
７ｂが石英等のような透明材料によって構成されている
ため、光が吸収され難く暖まり難い。このため、半導体
ウエハ６において支持ピン７ｂが接触する領域の温度が
低下するが、熱処理中において、その支持ピン７ｂの接
触領域をランプ１１からの光によって加熱することによ
り、その接触領域における温度不足を補うことが可能と
なっている。したがって、半導体ウエハ６の面内におけ
る温度分布の均一性を向上させることが可能となってい
る。
７ｂが石英等のような透明材料によって構成されている
ため、光が吸収され難く暖まり難い。このため、半導体
ウエハ６において支持ピン７ｂが接触する領域の温度が
低下するが、熱処理中において、その支持ピン７ｂの接
触領域をランプ１１からの光によって加熱することによ
り、その接触領域における温度不足を補うことが可能と
なっている。したがって、半導体ウエハ６の面内におけ
る温度分布の均一性を向上させることが可能となってい
る。
【００３０】このように、本実施例１によれば、以下の
効果を得ることが可能となる。
効果を得ることが可能となる。
【００３１】(1).熱処理中に半導体ウエハ６の支持ピン
接触領域を点状のランプ１１からの光照射によって加熱
することにより、その接触領域における温度の不足を補
うことができるので、半導体ウエハ６の面内における温
度分布の均一性を向上させることが可能となる。
接触領域を点状のランプ１１からの光照射によって加熱
することにより、その接触領域における温度の不足を補
うことができるので、半導体ウエハ６の面内における温
度分布の均一性を向上させることが可能となる。
【００３２】(2).熱電対９の保護管のうち、半導体ウエ
ハ６に接触する部分を光吸収率の高い材料によって構成
することにより、半導体ウエハ６のうちの保護管が接触
する領域における温度低下を防止することができるの
で、半導体ウエハ６の面内における温度分布の均一性を
向上させることが可能となる。
ハ６に接触する部分を光吸収率の高い材料によって構成
することにより、半導体ウエハ６のうちの保護管が接触
する領域における温度低下を防止することができるの
で、半導体ウエハ６の面内における温度分布の均一性を
向上させることが可能となる。
【００３３】(3).半導体ウエハ６の裏面側の外周の下方
にＳｉＣ等からなるリング８を設けたことにより、半導
体ウエハ６の外周部における温度低下を補うことが可能
となる。
にＳｉＣ等からなるリング８を設けたことにより、半導
体ウエハ６の外周部における温度低下を補うことが可能
となる。
【００３４】(4).上記(1),(2),(3) により、半導体ウエ
ハ６の面内温度の不均一性によって生じる結晶欠陥等を
防止することができるので、半導体集積回路装置の歩留
りおよび信頼性を向上させることが可能となる。
ハ６の面内温度の不均一性によって生じる結晶欠陥等を
防止することができるので、半導体集積回路装置の歩留
りおよび信頼性を向上させることが可能となる。
【００３５】（実施例２）図３は本発明の他の実施例で
ある熱処理装置の要部断面図である。
ある熱処理装置の要部断面図である。
【００３６】本実施例２の熱処理装置の構造は、前記実
施例１とほぼ同じである。異なるのは、図３に示すよう
に、支持ピン７ｂ内に、ピン加熱用ヒータ１３が埋設さ
れていることである。なお、この場合は、点状のランプ
１１（図１および図２参照）を設けなくても良い。
施例１とほぼ同じである。異なるのは、図３に示すよう
に、支持ピン７ｂ内に、ピン加熱用ヒータ１３が埋設さ
れていることである。なお、この場合は、点状のランプ
１１（図１および図２参照）を設けなくても良い。
【００３７】ピン加熱用ヒータ１３は、例えばニクロム
線等のような抵抗加熱材からなり、サセプタ７ａ内に埋
設された配線１３ａを通じて熱処理装置の所定の電源と
電気的に接続されている。
線等のような抵抗加熱材からなり、サセプタ７ａ内に埋
設された配線１３ａを通じて熱処理装置の所定の電源と
電気的に接続されている。
【００３８】すなわち、本実施例２においては、支持ピ
ン７ｂを加熱することが可能となっている。そして、そ
の加熱温度を、半導体ウエハ６の支持ピン接触領域の温
度と同程度とする。これにより、熱処理中における半導
体ウエハ６と支持ピン７ｂとの温度差を小さくすること
ができ、半導体ウエハ６の熱が支持ピン７ｂを通じて逃
げるのを抑制することができるので、半導体ウエハ６の
面内の温度均一性を向上させることが可能となる。な
お、これ以外は、前記実施例１と同じ作用・効果を得る
ことが可能となっている。
ン７ｂを加熱することが可能となっている。そして、そ
の加熱温度を、半導体ウエハ６の支持ピン接触領域の温
度と同程度とする。これにより、熱処理中における半導
体ウエハ６と支持ピン７ｂとの温度差を小さくすること
ができ、半導体ウエハ６の熱が支持ピン７ｂを通じて逃
げるのを抑制することができるので、半導体ウエハ６の
面内の温度均一性を向上させることが可能となる。な
お、これ以外は、前記実施例１と同じ作用・効果を得る
ことが可能となっている。
【００３９】（実施例３）図４は本発明の他の実施例で
ある熱処理装置の要部平面図である。
ある熱処理装置の要部平面図である。
【００４０】本実施例３の熱処理装置の構造も、前記実
施例１とほぼ同じである。異なるのは、図４に示すよう
に、リング８およびそれと一体的に形成された支持ピン
７ｂが、石英等よりも光吸収率および熱伝導率の高いＳ
ｉＣによって構成されていることである。なお、この場
合、点状のランプ１１（図１および図２参照）を設けな
くても良い。
施例１とほぼ同じである。異なるのは、図４に示すよう
に、リング８およびそれと一体的に形成された支持ピン
７ｂが、石英等よりも光吸収率および熱伝導率の高いＳ
ｉＣによって構成されていることである。なお、この場
合、点状のランプ１１（図１および図２参照）を設けな
くても良い。
【００４１】このようにすることで、支持ピン７ｂをラ
ンプ１０（図１参照）からの光によって加熱できる上、
リング８からの熱伝導によって加熱することが可能とな
っている。そして、その加熱温度を、半導体ウエハ６の
支持ピン接触領域の温度と同程度とする。これにより、
熱処理中における半導体ウエハ６と支持ピン７ｂとの温
度差を小さくすることができ、半導体ウエハ６の熱が支
持ピン７ｂを通じて逃げるのを抑制することができるの
で、半導体ウエハ６の面内の温度均一性を向上させるこ
とが可能となる。なお、これ以外は、前記実施例１と同
じ作用・効果を得ることが可能となっている。
ンプ１０（図１参照）からの光によって加熱できる上、
リング８からの熱伝導によって加熱することが可能とな
っている。そして、その加熱温度を、半導体ウエハ６の
支持ピン接触領域の温度と同程度とする。これにより、
熱処理中における半導体ウエハ６と支持ピン７ｂとの温
度差を小さくすることができ、半導体ウエハ６の熱が支
持ピン７ｂを通じて逃げるのを抑制することができるの
で、半導体ウエハ６の面内の温度均一性を向上させるこ
とが可能となる。なお、これ以外は、前記実施例１と同
じ作用・効果を得ることが可能となっている。
【００４２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４３】例えば前記実施例１，２においては、支持
ピンを石英とした場合について説明したが、これに限定
されるものではなく種々変更可能であり、例えばすりガ
ラス、グラファイトまたはＳｉＣでも良い。
ピンを石英とした場合について説明したが、これに限定
されるものではなく種々変更可能であり、例えばすりガ
ラス、グラファイトまたはＳｉＣでも良い。
【００４４】また、前記実施例３においては、支持ピン
をＳｉＣとした場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく種々変更可能であり、例えばグラファ
イトでも良い。
をＳｉＣとした場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく種々変更可能であり、例えばグラファ
イトでも良い。
【００４５】また、前記実施例２においては、支持ピン
内部にヒータを埋設した場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく、例えば支持ピン内部に金属
を埋め込むことにより、光吸収率を増大させ、支持ピン
を主加熱光源からの光によって暖めるようにしても良
い。
内部にヒータを埋設した場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく、例えば支持ピン内部に金属
を埋め込むことにより、光吸収率を増大させ、支持ピン
を主加熱光源からの光によって暖めるようにしても良
い。
【００４６】また、前記実施例１〜３においては、主加
熱源および副加熱源のランプをタングステンハロゲンラ
ンプとした場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、例えばアルゴンアークランプやキセノン
アークランプでも良い。
熱源および副加熱源のランプをタングステンハロゲンラ
ンプとした場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、例えばアルゴンアークランプやキセノン
アークランプでも良い。
【００４７】また、前記実施例１〜３においては、本発
明をランプアニール装置に適用した場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく種々変更可能であ
り、例えば光加熱方式のＣＶＤ成膜装置にも適用でき
る。
明をランプアニール装置に適用した場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく種々変更可能であ
り、例えば光加熱方式のＣＶＤ成膜装置にも適用でき
る。
【００４８】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造工程に用いる熱処理装置に適用した
場合について説明したが、これに限定されず種々適用可
能であり、例えば液晶基板等のような他の製品の製造工
程で用いる熱処理装置に適用することも可能である。
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造工程に用いる熱処理装置に適用した
場合について説明したが、これに限定されず種々適用可
能であり、例えば液晶基板等のような他の製品の製造工
程で用いる熱処理装置に適用することも可能である。
【００４９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５０】(1).本発明の熱処理装置によれば、熱処理
において、被処理物の支持部接触領域を副加熱源によっ
て加熱することにより、その接触領域における温度の不
足を補うことができるので、被処理物の面内における温
度分布の均一性を向上させることが可能となる。
において、被処理物の支持部接触領域を副加熱源によっ
て加熱することにより、その接触領域における温度の不
足を補うことができるので、被処理物の面内における温
度分布の均一性を向上させることが可能となる。
【００５１】したがって、本発明の熱処理装置を半導体
集積回路装置の製造工程で用いる熱処理装置に適用する
ことにより、熱処理において、半導体ウエハの面内にお
ける温度分布の不均一性によって生じる結晶欠陥等を防
止することができるので、半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
集積回路装置の製造工程で用いる熱処理装置に適用する
ことにより、熱処理において、半導体ウエハの面内にお
ける温度分布の不均一性によって生じる結晶欠陥等を防
止することができるので、半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
【００５２】(2).本発明の熱処理装置によれば、支持部
を石英よりも光吸収率の高い材料としたことにより、熱
処理において、支持部も光が吸収され加熱されるので、
被処理物の支持部接触領域における温度低下を防止する
ことができ、被処理物の面内における温度分布の均一性
を向上させることが可能となる。
を石英よりも光吸収率の高い材料としたことにより、熱
処理において、支持部も光が吸収され加熱されるので、
被処理物の支持部接触領域における温度低下を防止する
ことができ、被処理物の面内における温度分布の均一性
を向上させることが可能となる。
【００５３】したがって、本発明の熱処理装置を半導体
集積回路装置の製造工程で用いる熱処理装置に適用する
ことにより、熱処理において、半導体ウエハの面内にお
ける温度分布の不均一性によって生じる結晶欠陥等を防
止することができるので、半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
集積回路装置の製造工程で用いる熱処理装置に適用する
ことにより、熱処理において、半導体ウエハの面内にお
ける温度分布の不均一性によって生じる結晶欠陥等を防
止することができるので、半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
【００５４】(3).本発明の熱処理装置によれば、熱処理
時に被処理物の温度を測定する熱電対の保護管として、
例えば被処理物と接触する部分は熱伝導率の高い材料を
用い、その他の部分は熱伝導率の低い材料を用いること
により、その保護管の接触領域における温度の低下を防
止することができるので、被処理物の面内における温度
分布の均一性を向上させることが可能となる。
時に被処理物の温度を測定する熱電対の保護管として、
例えば被処理物と接触する部分は熱伝導率の高い材料を
用い、その他の部分は熱伝導率の低い材料を用いること
により、その保護管の接触領域における温度の低下を防
止することができるので、被処理物の面内における温度
分布の均一性を向上させることが可能となる。
【００５５】したがって、本発明の熱処理装置を半導体
集積回路装置の製造工程で用いる熱処理装置に適用する
ことにより、熱処理において、半導体ウエハの面内にお
ける温度分布の不均一性によって生じる結晶欠陥等を防
止することができるので、半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
集積回路装置の製造工程で用いる熱処理装置に適用する
ことにより、熱処理において、半導体ウエハの面内にお
ける温度分布の不均一性によって生じる結晶欠陥等を防
止することができるので、半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例である熱処理装置の断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の熱処理装置の平面図である。
【図３】本発明の他の実施例である熱処理装置の要部断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の他の実施例である熱処理装置の要部平
面図である。
面図である。
１ ランプアニール装置（熱処理装置） ２ チャンバ ３ 処理室 ４ 蓋 ５ 排気管 ６ 半導体ウエハ（被処理物） ７ａ サセプタ ７ｂ 支持ピン ８ リング ９ 熱電対 １０ ランプ（主加熱源） １１ ランプ（副加熱源） １２ 反射板 １３ ピン加熱用ヒータ １３ａ 配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 秀一 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 暮石 芳憲 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 鈴木 匡 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 永山 智士 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 支持部に接触した状態で支持された被処
理物を主加熱源から放射された光によって加熱する熱処
理装置であって、前記被処理物において前記支持部の接
触領域における局所的な温度低下を補うために、前記接
触領域を局所的に加熱する副加熱源を設けたことを特徴
とする熱処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の熱処理装置において、前
記副加熱源が、点状ランプまたは前記支持部内に設けら
れたヒータであることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の熱処理装置にお
いて、前記支持部の材料を光加熱による熱吸収率が石英
よりも大きな材料としたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項４】 支持部に接触した状態で支持された被処
理物を主加熱源から放射された光によって加熱する熱処
理装置であって、前記支持部の材料を、光加熱による熱
吸収率が石英よりも大きな材料としたことを特徴とする
熱処理装置。 - 【請求項５】 請求項３または４記載の熱処理装置にお
いて、前記支持部がすりガラス、グラファイトまたは炭
化シリコンであることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱
処理装置において、前記被処理物の熱処理時における温
度を測定する熱電対の保護管を、光吸収率の異なる２種
類以上の材料で構成したことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16439395A JPH0917742A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16439395A JPH0917742A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917742A true JPH0917742A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15792283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16439395A Withdrawn JPH0917742A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917742A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-06-30 JP JP16439395A patent/JPH0917742A/ja not_active Withdrawn
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |