JPH036018A - 半導体装置製造用ランプアニール装置 - Google Patents
半導体装置製造用ランプアニール装置Info
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- JPH036018A JPH036018A JP14060589A JP14060589A JPH036018A JP H036018 A JPH036018 A JP H036018A JP 14060589 A JP14060589 A JP 14060589A JP 14060589 A JP14060589 A JP 14060589A JP H036018 A JPH036018 A JP H036018A
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- JP
- Japan
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- wafer
- quartz
- peripheral part
- annealing apparatus
- tungsten halogen
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 12
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造に使用される高温短時間熱
処理装置の一種であるランプアニール装置に関する。
処理装置の一種であるランプアニール装置に関する。
第３図は従来の半導体装置製造用ランプアニール装置の
一例の側面断面図である。
一例の側面断面図である。
石英チャンバー４と、その上下に設けられた加熱用のタ
ングステンハロゲンランプ１と、リフレクタ６と、石英
チャンバー内部に設けられウェーハを保持するための石
英サセプタ５から構成されていた。
ングステンハロゲンランプ１と、リフレクタ６と、石英
チャンバー内部に設けられウェーハを保持するための石
英サセプタ５から構成されていた。
上述した従来のランプアニール装置は、タングステンハ
ロゲンランプ１によりウェーハ２を急激に加熱するため
、ウェーハ面内の温度分布が均一でないとアニール後の
ウェーハ面内での電気特性がばらついたり、ウェーハが
反ったり、さらにはスリップラインが発生するという欠
点がある。
ロゲンランプ１によりウェーハ２を急激に加熱するため
、ウェーハ面内の温度分布が均一でないとアニール後の
ウェーハ面内での電気特性がばらついたり、ウェーハが
反ったり、さらにはスリップラインが発生するという欠
点がある。
本発明は、石英チャンバーと、前記石英チャンバーの内
部に設置されたウェーハ載置゛用石英サセプタと、前記
石英チャンバーの上下に設けられ前記ウェーハを加熱す
るタングステンハロゲンランプとを有する半導体装置製
造用ランプアニール装置において、前記石英チャンバー
とタングステンハロゲンランプとの間に角度可変の複数
の不透明石英板を配置したことを特徴とする。
部に設置されたウェーハ載置゛用石英サセプタと、前記
石英チャンバーの上下に設けられ前記ウェーハを加熱す
るタングステンハロゲンランプとを有する半導体装置製
造用ランプアニール装置において、前記石英チャンバー
とタングステンハロゲンランプとの間に角度可変の複数
の不透明石英板を配置したことを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の側面断面図
及び正面断面図である。
及び正面断面図である。
石英チャンバー４内に石英サセプタ５を設置する。この
上にウェーハ２を載置するウェーハ２をタングステンハ
ロゲンランプ１及びリフレクタ６により反射光により加
熱する。
上にウェーハ２を載置するウェーハ２をタングステンハ
ロゲンランプ１及びリフレクタ６により反射光により加
熱する。
しかし、ウェーハ２の中央部と周辺部では放熱条件が違
うためウェーハの周辺部では温度が低くなる。そこで、
ウェーハ面内の温度分布均一性を向上させるなめ、第１
図（ａ）に示す側面方向ではタングステンハロゲンラン
プ１のパワーを調整し、第１図（ｂ）に示す正面方向く
ランプの長手方向）では、不透明石英板３の角度を変化
させている。すなわち、側面方向では、周辺部のタング
ステンハロゲンランプ１のパワーを中央部より上げてウ
ェーハ２の周辺部の温度を高くしている。
うためウェーハの周辺部では温度が低くなる。そこで、
ウェーハ面内の温度分布均一性を向上させるなめ、第１
図（ａ）に示す側面方向ではタングステンハロゲンラン
プ１のパワーを調整し、第１図（ｂ）に示す正面方向く
ランプの長手方向）では、不透明石英板３の角度を変化
させている。すなわち、側面方向では、周辺部のタング
ステンハロゲンランプ１のパワーを中央部より上げてウ
ェーハ２の周辺部の温度を高くしている。
また、正面方向（ランプの長手方向）では、第２図に示
すように、周辺部の不透明石英板３を立ててウェーハ周
辺部に照射される光を中央部よりも多くし、周辺部の温
度を高くしてウェーハ面内の温度分布均一性を向上させ
ている。
すように、周辺部の不透明石英板３を立ててウェーハ周
辺部に照射される光を中央部よりも多くし、周辺部の温
度を高くしてウェーハ面内の温度分布均一性を向上させ
ている。
以上説明したように本発明は、タングステンハロゲンラ
ンプと石英チャンバーの間に角度を任意に変えられる不
透明石英板を設置してランプ長手方向の照射される光量
を各々の不透明石英板の設定角度により変えることがで
きるようにしたので、ウェーハ面内の温度分布均一性を
向上させ、その結果ウェーハ面内での電気特性のばらつ
きを小さくし、さらにはウェーハの反りやスリップライ
ンの発生を防止できるという効果がある。
ンプと石英チャンバーの間に角度を任意に変えられる不
透明石英板を設置してランプ長手方向の照射される光量
を各々の不透明石英板の設定角度により変えることがで
きるようにしたので、ウェーハ面内の温度分布均一性を
向上させ、その結果ウェーハ面内での電気特性のばらつ
きを小さくし、さらにはウェーハの反りやスリップライ
ンの発生を防止できるという効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の側面断面図
及び正面断面図、第２図は第１図（ｂ）に示す実施例の
不透明石英板の角度を変えた時に正面断面図、第３図は
従来の半導体装置製造用ランプアニール装置の一例の側
面断面図である。 １・・・タングステンハロゲンランプ、２・・・ウェー
ハ、３・・・不透明石英板、４・・・石英チャンバー
５・・・石英サセプタ、６・・・リフレクタ。
及び正面断面図、第２図は第１図（ｂ）に示す実施例の
不透明石英板の角度を変えた時に正面断面図、第３図は
従来の半導体装置製造用ランプアニール装置の一例の側
面断面図である。 １・・・タングステンハロゲンランプ、２・・・ウェー
ハ、３・・・不透明石英板、４・・・石英チャンバー
５・・・石英サセプタ、６・・・リフレクタ。
Claims (1)
- 石英チャンバーと、前記石英チャンバーの内部に設置さ
れたウェーハ載置用石英サセプタと、前記石英チャンバ
ーの上下に設けられ前記ウェーハを加熱するタングステ
ンハロゲンランプとを有する半導体装置製造用ランプア
ニール装置において、前記石英チャンバーとタングステ
ンハロゲンランプとの間に角度可変の複数の不透明石英
板を配置したことを特徴とする半導体装置製造用ランプ
アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140605A JP2515883B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置製造用ランプアニ―ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140605A JP2515883B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置製造用ランプアニ―ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036018A true JPH036018A (ja) | 1991-01-11 |
| JP2515883B2 JP2515883B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=15272597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140605A Expired - Fee Related JP2515883B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置製造用ランプアニ―ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2515883B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5619885A (en) * | 1992-05-15 | 1997-04-15 | Amada Metrecs Company, Limited | Upper tool holder apparatus for press brake and method of holding the upper tool |
| US5685191A (en) * | 1994-05-06 | 1997-11-11 | Amada Metrecs Company, Limited | Upper tool for press brake |
| US6403475B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for semiconductor integrated device |
| US6449428B2 (en) | 1998-12-11 | 2002-09-10 | Mattson Technology Corp. | Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system |
| US6905983B2 (en) * | 2002-12-04 | 2005-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor device |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1140605A patent/JP2515883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5619885A (en) * | 1992-05-15 | 1997-04-15 | Amada Metrecs Company, Limited | Upper tool holder apparatus for press brake and method of holding the upper tool |
| US5685191A (en) * | 1994-05-06 | 1997-11-11 | Amada Metrecs Company, Limited | Upper tool for press brake |
| US6449428B2 (en) | 1998-12-11 | 2002-09-10 | Mattson Technology Corp. | Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system |
| US6403475B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for semiconductor integrated device |
| US6905983B2 (en) * | 2002-12-04 | 2005-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2515883B2 (ja) | 1996-07-10 |
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Legal Events
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