JPH04288820A - ランプ加熱装置 - Google Patents
ランプ加熱装置Info
- Publication number
- JPH04288820A JPH04288820A JP4013191A JP4013191A JPH04288820A JP H04288820 A JPH04288820 A JP H04288820A JP 4013191 A JP4013191 A JP 4013191A JP 4013191 A JP4013191 A JP 4013191A JP H04288820 A JPH04288820 A JP H04288820A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- lamp
- wafer substrate
- quartz container
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造プ
ロセスにおける拡散工程あるいは酸化工程で用いられる
ランプ加熱装置に関するものである。
ロセスにおける拡散工程あるいは酸化工程で用いられる
ランプ加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば特開昭６３−２３１８号公
報に示された従来のランプ加熱装置の概略構成図であり
、図において、１はランプ、２はこのランプ１の背面に
設けられ、ランプ１の発生光を反射する反射板、３はラ
ンプ１からのランプ光、４は被加熱物を収容し、加熱雰
囲気を保つ石英容器、５は石英容器４の一端に設けられ
たガス導入口、６は石英容器４の他の端に設けられたガ
ス排出口、７は石英容器４に収容される被加熱物である
ウエハ基板、８はウエハ基板７の温度分布を調節するた
めの石英小片である。
報に示された従来のランプ加熱装置の概略構成図であり
、図において、１はランプ、２はこのランプ１の背面に
設けられ、ランプ１の発生光を反射する反射板、３はラ
ンプ１からのランプ光、４は被加熱物を収容し、加熱雰
囲気を保つ石英容器、５は石英容器４の一端に設けられ
たガス導入口、６は石英容器４の他の端に設けられたガ
ス排出口、７は石英容器４に収容される被加熱物である
ウエハ基板、８はウエハ基板７の温度分布を調節するた
めの石英小片である。
【０００３】次に動作について説明する。ランプ１から
発せられたランプ光３は石英小片８及び石英容器４を透
過してウエハ基板７に到達し、これを加熱する。この時
石英容器４及び石英小片８はランプ光３の大部分を透過
するが、一部を反射または吸収する。従って石英小片８
を多く重ねた所はランプ光３が透過し難く、ウエハ基板
７は加熱され難い。一方石英容器４および石英小片８は
、ウエハ基板７からの輻射熱や雰囲気を伝わる伝導熱に
よっても加熱されるが、石英小片８を多く重ねた所は熱
容量が大きくなるため加熱され難い。このため、場所に
よって石英小片８を積み重ねる枚数を違えることによっ
て、ウエハ基板７を均一に加熱することができ、この状
態でガス導入口５から反応ガスを石英容器４の中に導入
して、ウエハ基板７の表面に酸化あるいは拡散といった
所定の加工処理を施すことが可能となる。
発せられたランプ光３は石英小片８及び石英容器４を透
過してウエハ基板７に到達し、これを加熱する。この時
石英容器４及び石英小片８はランプ光３の大部分を透過
するが、一部を反射または吸収する。従って石英小片８
を多く重ねた所はランプ光３が透過し難く、ウエハ基板
７は加熱され難い。一方石英容器４および石英小片８は
、ウエハ基板７からの輻射熱や雰囲気を伝わる伝導熱に
よっても加熱されるが、石英小片８を多く重ねた所は熱
容量が大きくなるため加熱され難い。このため、場所に
よって石英小片８を積み重ねる枚数を違えることによっ
て、ウエハ基板７を均一に加熱することができ、この状
態でガス導入口５から反応ガスを石英容器４の中に導入
して、ウエハ基板７の表面に酸化あるいは拡散といった
所定の加工処理を施すことが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のランプ加熱装置
は以上のように構成されているので、ウエハ基板７の温
度分布を制御するために、石英小片８を積み重ねなけれ
ばならず、熱容量が増大する。ところで、石英容器４内
のウエハ基板７を取り換えながら、加熱作業を何回も繰
返して行う場合、石英容器４および石英小片８は周期的
な加熱を受けることになるが、この場合熱容量が大きい
と、ランプ光３の周期的変化に対してウエハ基板７の温
度が追従し難くなり、ウエハ基板７の温度分布が制御し
難くなる。その結果ウエハ基板７の温度分布が不均一に
なり、結晶欠陥や膜厚の不均一を生じることになる。ま
た、不具合をなくすためには、石英容器４と石英小片８
を予熱しなければならないが、そのために多くの時間を
必要とするなどの問題があった。
は以上のように構成されているので、ウエハ基板７の温
度分布を制御するために、石英小片８を積み重ねなけれ
ばならず、熱容量が増大する。ところで、石英容器４内
のウエハ基板７を取り換えながら、加熱作業を何回も繰
返して行う場合、石英容器４および石英小片８は周期的
な加熱を受けることになるが、この場合熱容量が大きい
と、ランプ光３の周期的変化に対してウエハ基板７の温
度が追従し難くなり、ウエハ基板７の温度分布が制御し
難くなる。その結果ウエハ基板７の温度分布が不均一に
なり、結晶欠陥や膜厚の不均一を生じることになる。ま
た、不具合をなくすためには、石英容器４と石英小片８
を予熱しなければならないが、そのために多くの時間を
必要とするなどの問題があった。
【０００５】この発明は以上のような問題を解決するた
めになされたもので、石英容器４等の熱容量を増加させ
ることなく、ウエハ基板７の温度分布を制御でき、欠陥
のない半導体デバイスを得ることができるランプ加熱装
置を提供することを目的とする。
めになされたもので、石英容器４等の熱容量を増加させ
ることなく、ウエハ基板７の温度分布を制御でき、欠陥
のない半導体デバイスを得ることができるランプ加熱装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るランプ加
熱装置は、被加熱物とランプとの間に配置された石英薄
板あるいは石英容器の表面に、所定パターンの遮光膜を
設けるように構成したものである。
熱装置は、被加熱物とランプとの間に配置された石英薄
板あるいは石英容器の表面に、所定パターンの遮光膜を
設けるように構成したものである。
【０００７】
【作用】加熱用ランプ光は、遮光膜のある所では遮光さ
れ、遮光膜のない所はそのまま進み、被加熱物にパター
ンに応じた強弱の分布をもって到達することになり、ま
たこの遮光膜は厚さが薄いため熱容量が小さく、熱追従
性よく被加熱物の温度分布を制御することになる。
れ、遮光膜のない所はそのまま進み、被加熱物にパター
ンに応じた強弱の分布をもって到達することになり、ま
たこの遮光膜は厚さが薄いため熱容量が小さく、熱追従
性よく被加熱物の温度分布を制御することになる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１（ａ）はこの発明によるランプ加熱装置の概
略構成を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の
要部を示す平面図である。図において、９は石英容器４
の表面に銀やアルミニウムなどの反射特性の優れた金属
を蒸着により形成した遮光膜で、ウエハ基板７の中央部
に到達するランプ光３を弱くするようパターン形成され
ている。ランプ１から発射されたランプ光３は遮光膜９
がある所では遮光膜９によって遮断され、遮光膜９のな
い所では石英容器４を透過してウエハ基板７に到達し、
これを加熱する。このように遮光膜９を石英容器４の中
央付近とその周囲に同心円状に配設することにより、ウ
エハ基板７の中央部へ到達するランプ光３を弱くするこ
とができる。したがって、ウエハ基板７上の温度分布を
均一にすることができる。
する。図１（ａ）はこの発明によるランプ加熱装置の概
略構成を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の
要部を示す平面図である。図において、９は石英容器４
の表面に銀やアルミニウムなどの反射特性の優れた金属
を蒸着により形成した遮光膜で、ウエハ基板７の中央部
に到達するランプ光３を弱くするようパターン形成され
ている。ランプ１から発射されたランプ光３は遮光膜９
がある所では遮光膜９によって遮断され、遮光膜９のな
い所では石英容器４を透過してウエハ基板７に到達し、
これを加熱する。このように遮光膜９を石英容器４の中
央付近とその周囲に同心円状に配設することにより、ウ
エハ基板７の中央部へ到達するランプ光３を弱くするこ
とができる。したがって、ウエハ基板７上の温度分布を
均一にすることができる。
【０００９】なお、この遮光膜８は必ずしも石英容器４
の表面に直接設けなければならないものではなく、例え
ば図２（ａ）、（ｂ）に示すように、石英薄膜１０に所
定パターンの遮光膜９を形成し、ランプ１とウエハ基板
７との間に設置してもよい。ここで、図２（ａ）はウエ
ハ基板７の縦方向と横方向が異なった温度分布になるよ
うにパターン形成した遮光膜９を示し、図２（ｂ）は熱
むらを小さくするようにパターン形成した遮光膜９を示
している。このように遮光特性の優れた金属によって形
成された遮光膜９は、厚さが非常に薄いため、熱容量の
増加は殆どなく、また、石英薄膜１０も薄く作られてい
るために、熱容量の増加はさほど大きくない。
の表面に直接設けなければならないものではなく、例え
ば図２（ａ）、（ｂ）に示すように、石英薄膜１０に所
定パターンの遮光膜９を形成し、ランプ１とウエハ基板
７との間に設置してもよい。ここで、図２（ａ）はウエ
ハ基板７の縦方向と横方向が異なった温度分布になるよ
うにパターン形成した遮光膜９を示し、図２（ｂ）は熱
むらを小さくするようにパターン形成した遮光膜９を示
している。このように遮光特性の優れた金属によって形
成された遮光膜９は、厚さが非常に薄いため、熱容量の
増加は殆どなく、また、石英薄膜１０も薄く作られてい
るために、熱容量の増加はさほど大きくない。
【００１０】
【発明の効果】以上のように、この発明によればランプ
と被加熱物との間に配置された石英薄板または石英容器
の表面に所定パターンの遮光膜を形成するようにしたた
め、被加熱物の温度分布を制御することができ、被加熱
物中の欠陥発生を抑制することができる。さらには遮光
膜形成に伴う熱容量の増加が殆どないので、多数の被加
熱物を石英容器に出し入れしながら、連続的に加熱処理
する際、熱的追従性もよく、また予熱時間も比較的短時
間ですむという効果がある。
と被加熱物との間に配置された石英薄板または石英容器
の表面に所定パターンの遮光膜を形成するようにしたた
め、被加熱物の温度分布を制御することができ、被加熱
物中の欠陥発生を抑制することができる。さらには遮光
膜形成に伴う熱容量の増加が殆どないので、多数の被加
熱物を石英容器に出し入れしながら、連続的に加熱処理
する際、熱的追従性もよく、また予熱時間も比較的短時
間ですむという効果がある。
【図１】この発明の一実施例であるランプ加熱装置を示
す側面図および要部平面図である。
す側面図および要部平面図である。
【図２】この発明の他の実施例であるランプ加熱装置の
要部構成を示す平面図である。
要部構成を示す平面図である。
【図３】従来のランプ加熱装置を示す側断面図である。
１ ランプ
２ 反射板
３ ランプ光
４ 石英容器
５ ガス導入口
６ ガス排出口
７ ウエハ基板
９ 遮光膜
１０ 石英薄板
Claims (1)
- 【請求項１】 被加熱物を収納する石英容器と該石英
容器に対向して配置され、上記被加熱物を加熱するため
のランプとからなるランプ加熱装置において、前記被加
熱物と前記ランプとの間に配置された石英薄板あるいは
前記石英容器の表面に、上記ランプからの光を遮ぎる所
定パターンの遮光膜を設けたことを特徴とするランプ加
熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013191A JPH04288820A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | ランプ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013191A JPH04288820A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | ランプ加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04288820A true JPH04288820A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12572254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4013191A Pending JPH04288820A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | ランプ加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04288820A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5345534A (en) * | 1993-03-29 | 1994-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer heater with infrared lamp module with light blocking means |
| US5719991A (en) * | 1993-11-10 | 1998-02-17 | Micron Technology, Inc. | System for compensating against wafer edge heat loss in rapid thermal processing |
| US6031971A (en) * | 1997-02-06 | 2000-02-29 | Tampereen Softeco Oy | Arrangement in an apparatus for forming a windscreen interlayer |
| JP2007221076A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP2007266141A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Seiko Epson Corp | 基板の熱処理方法 |
| CN100380613C (zh) * | 2001-12-25 | 2008-04-09 | 优志旺电机株式会社 | 闪光辐射装置与光加热装置 |
| US7887884B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-02-15 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Method for atomic layer deposition of materials using an atmospheric pressure for semiconductor devices |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP4013191A patent/JPH04288820A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5345534A (en) * | 1993-03-29 | 1994-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer heater with infrared lamp module with light blocking means |
| US5719991A (en) * | 1993-11-10 | 1998-02-17 | Micron Technology, Inc. | System for compensating against wafer edge heat loss in rapid thermal processing |
| US6031971A (en) * | 1997-02-06 | 2000-02-29 | Tampereen Softeco Oy | Arrangement in an apparatus for forming a windscreen interlayer |
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| US7887884B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-02-15 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Method for atomic layer deposition of materials using an atmospheric pressure for semiconductor devices |
| JP2007221076A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Sharp Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP4641268B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-03-02 | シャープ株式会社 | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP2007266141A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Seiko Epson Corp | 基板の熱処理方法 |
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