JPS632318A - ランプ加熱装置 - Google Patents
ランプ加熱装置Info
- Publication number
- JPS632318A JPS632318A JP14485186A JP14485186A JPS632318A JP S632318 A JPS632318 A JP S632318A JP 14485186 A JP14485186 A JP 14485186A JP 14485186 A JP14485186 A JP 14485186A JP S632318 A JPS632318 A JP S632318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- quartz
- lamp
- plates
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 82
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- -1 Tungsten halogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板を加熱する装置に係シ、特に、基板内の温
度分布を均一にするに好適なランプ加熱装置に関する。
度分布を均一にするに好適なランプ加熱装置に関する。
従来の装置は、例えば、特開昭59−121832号に
記載のように、基板を保持できる石英製容器と、石英製
容器の上下に基板加熱用のノ・ロゲンランプ光源とによ
シ構成されていた。この装置では基板周辺の温度低下を
補償するために1石英製容器内で基板周辺をヒータ加熱
する方法をとっていた。しかし、この方法では、基板周
辺近傍のみで基板面内の温度分布を制御できるが、基板
中心附近の温度分布の均一性については考慮されていな
かった。
記載のように、基板を保持できる石英製容器と、石英製
容器の上下に基板加熱用のノ・ロゲンランプ光源とによ
シ構成されていた。この装置では基板周辺の温度低下を
補償するために1石英製容器内で基板周辺をヒータ加熱
する方法をとっていた。しかし、この方法では、基板周
辺近傍のみで基板面内の温度分布を制御できるが、基板
中心附近の温度分布の均一性については考慮されていな
かった。
このような間頂ヲ解決するために、米国AG社製ランプ
アニール装置(HEATPULSE2101)のように
、基板に照射される光の強度を、基板内の温度分布の前
記傾向を補償するように分布させて光源を配置し、かつ
、ランプ光の反射面で反射に分布を持たせる方法を用い
たランプ加熱装置が市販されている。この装置では、ラ
ンプ光源?設置した直後に、基板内の温度分布が均一に
なるように光源からの元強度分布金設定している。従っ
て、ランプ光源の寿命、つま夛、光の強度の経時変動に
よシ、基板内の温度分布を均一にするような光の強度分
布を保つことができなくなる。このように、この装置で
は、任意の光強度分布を長時間保つことができないため
、基板の温度分布の均一性を良好に維持できないという
問題が生ずる。ただし、上記均一性に叩題が生じた時点
で、ランプ加熱−を交換すれば゛この問題は解決できる
ものの、交換に際して多くの費用と時間を要する。又ラ
ンプの特性も異なるため、交換時に再調整が必要である
。
アニール装置(HEATPULSE2101)のように
、基板に照射される光の強度を、基板内の温度分布の前
記傾向を補償するように分布させて光源を配置し、かつ
、ランプ光の反射面で反射に分布を持たせる方法を用い
たランプ加熱装置が市販されている。この装置では、ラ
ンプ光源?設置した直後に、基板内の温度分布が均一に
なるように光源からの元強度分布金設定している。従っ
て、ランプ光源の寿命、つま夛、光の強度の経時変動に
よシ、基板内の温度分布を均一にするような光の強度分
布を保つことができなくなる。このように、この装置で
は、任意の光強度分布を長時間保つことができないため
、基板の温度分布の均一性を良好に維持できないという
問題が生ずる。ただし、上記均一性に叩題が生じた時点
で、ランプ加熱−を交換すれば゛この問題は解決できる
ものの、交換に際して多くの費用と時間を要する。又ラ
ンプの特性も異なるため、交換時に再調整が必要である
。
上記従来装置では、基板内の温度分布の均一性およびラ
ンプ加熱源の寿命に伴なう均一性の経時変化について配
慮がなされておらず、均一性を良好に維持することが煩
雑であシ、かつ、コスト高になるという問題があった。
ンプ加熱源の寿命に伴なう均一性の経時変化について配
慮がなされておらず、均一性を良好に維持することが煩
雑であシ、かつ、コスト高になるという問題があった。
本発明の目的は、従来装置の有する問題を解決し、基板
内の温度分布を良好に維持することが容易、かつ、安価
なランプ加熱装W’を提供することにある。
内の温度分布を良好に維持することが容易、かつ、安価
なランプ加熱装W’を提供することにある。
上記目的は、第1図に示すような構成を持つランプ加熱
装置によシ達成される。通常、ハロゲンランプ1および
反射ミラー2からなる加熱源からの光3は、石英製容器
4を透過し、被加熱基板5で吸収される。従って、上記
基板5のみで加熱が実行される。
装置によシ達成される。通常、ハロゲンランプ1および
反射ミラー2からなる加熱源からの光3は、石英製容器
4を透過し、被加熱基板5で吸収される。従って、上記
基板5のみで加熱が実行される。
この時、加熱源からの光3は、石英製容器4に入射する
時点で反射されるため、上記基板5への光の照射はその
分弱くなる。ここで、加熱源と基板5との間に、石英板
6を多数重ねておくと1石英板6同志の境界が増加する
ため、その境界部分での光3の反射が多くなシ、結果と
して基板5への光の照射が弱く表って基板5の温度上昇
が小さくなる。従って、第1図に示すように、基板5の
中心で上記石英板6を最も多く重ね、基板5の中心から
周辺部に向って上記石英板60重ねる枚数を減少させる
と、加熱源からの光3が均一な場合、基板5内での光3
の吸収は、中心で少なく周辺部で多くなる。ここで、上
記石英板6を使わないで加熱源からの光3が均一に基板
5に照射された場合の基板5内温度分布を、均一にする
ように上記石英板6の枚数と重ねる位置を選べばよい。
時点で反射されるため、上記基板5への光の照射はその
分弱くなる。ここで、加熱源と基板5との間に、石英板
6を多数重ねておくと1石英板6同志の境界が増加する
ため、その境界部分での光3の反射が多くなシ、結果と
して基板5への光の照射が弱く表って基板5の温度上昇
が小さくなる。従って、第1図に示すように、基板5の
中心で上記石英板6を最も多く重ね、基板5の中心から
周辺部に向って上記石英板60重ねる枚数を減少させる
と、加熱源からの光3が均一な場合、基板5内での光3
の吸収は、中心で少なく周辺部で多くなる。ここで、上
記石英板6を使わないで加熱源からの光3が均一に基板
5に照射された場合の基板5内温度分布を、均一にする
ように上記石英板6の枚数と重ねる位置を選べばよい。
また、石英製容器4に上記石英板6f、重ねることは1
重ねた部分での熱容量を大きくするために。
重ねた部分での熱容量を大きくするために。
基板5からの輻射熱や雰囲気を介した伝導熱による石英
製容器4の加熱を抑制する。従って、上記石英板6を重
ねた部分では、基板5の加熱に対してヒートシンクの役
割をはだし、結果的に、基板5の不均一な温度上昇をも
抑制する。
製容器4の加熱を抑制する。従って、上記石英板6を重
ねた部分では、基板5の加熱に対してヒートシンクの役
割をはだし、結果的に、基板5の不均一な温度上昇をも
抑制する。
同、第1図の石英製容器4には、容器4内を所望雰囲気
にするために、ガス導入ロアおよびガス排気口が設けら
れる。
にするために、ガス導入ロアおよびガス排気口が設けら
れる。
第1図で示した石英板6は、任意の位置に任意の枚数だ
け重ねることができる。従って、装置の加熱源個有の光
3の均一性に対して、容易に対処できるため、基板5内
の温度分布の均一性を良好に維持することが簡便となる
。
け重ねることができる。従って、装置の加熱源個有の光
3の均一性に対して、容易に対処できるため、基板5内
の温度分布の均一性を良好に維持することが簡便となる
。
また、加熱源のランプ1が、個々に異なった寿命を有し
ているため、長時間のランプ1の動作によシ、基板5内
の温度の巷妾つ均一性に経時変化が生ずるが、定期的に
上記均一性をチエツクしながら、上記石英板6の枚数(
または熱容量)および位置を変えることにより、容易に
上記均一性を良好に維持できる。
ているため、長時間のランプ1の動作によシ、基板5内
の温度の巷妾つ均一性に経時変化が生ずるが、定期的に
上記均一性をチエツクしながら、上記石英板6の枚数(
または熱容量)および位置を変えることにより、容易に
上記均一性を良好に維持できる。
以下1本発明の実施例を第2図乃至第5図にょシ説明す
る。
る。
まず、第2図に示すようなランプ加熱装置?構成した。
同、図中(a)は装置断面図、(b)は石英製容器を上
部から見た図である。この装置の主なる構成は、基板9
の加熱源としてタングステン・ハロゲンランプ10.ラ
ンプ光を効率良く反射するためにランプ10側の壁11
を金でコーディングしたランプハウス12、および石英
製の薄板13を保持できる溝14を有した石英製容器1
5がら成る。上下のランプ10間距離は5crnとし、
加熱基板9はその中心に来るようにした。ランプハウス
12には、石英製容器15内にガス導入できるようにガ
ス導入筒16を設けた。石英製容器15には、上記ガス
導入筒16と接続できる導入筒17を設け、また、基板
9を保持できるように石英製ビン18を設けた。ここで
、石英製容器15内壁と基板9の間隔は5〜7Nである
。さらに、石英製容器15に設けた溝14は、第1図(
時に示すようにして、大体1m角で配置、その深さを4
調とした。溝14に入れる石英板13は、厚さが0.2
圏、大きさが8wX8mのものである。該石英板13は
、必ずしも光学的に平坦である必要はなく。
部から見た図である。この装置の主なる構成は、基板9
の加熱源としてタングステン・ハロゲンランプ10.ラ
ンプ光を効率良く反射するためにランプ10側の壁11
を金でコーディングしたランプハウス12、および石英
製の薄板13を保持できる溝14を有した石英製容器1
5がら成る。上下のランプ10間距離は5crnとし、
加熱基板9はその中心に来るようにした。ランプハウス
12には、石英製容器15内にガス導入できるようにガ
ス導入筒16を設けた。石英製容器15には、上記ガス
導入筒16と接続できる導入筒17を設け、また、基板
9を保持できるように石英製ビン18を設けた。ここで
、石英製容器15内壁と基板9の間隔は5〜7Nである
。さらに、石英製容器15に設けた溝14は、第1図(
時に示すようにして、大体1m角で配置、その深さを4
調とした。溝14に入れる石英板13は、厚さが0.2
圏、大きさが8wX8mのものである。該石英板13は
、必ずしも光学的に平坦である必要はなく。
例えば、表面に微細な凹凸を形成し、光を散乱させる構
造でも良い。本実施例では、石英板上に、600番の研
磨砥粒を用いて微細な凹凸を形成する事によシ、均一性
を30%向上できた。また、本凹凸の形成によシ、該石
英板13の使用枚数を20%削減できた。そして1石英
製容器15に設けた試料搬送口19に、試料9を搬送し
、かつ、容器15内の雰囲気を保持できるようにしたガ
ス排気筒20i設けた開閉ドア21が接するように構成
した。
造でも良い。本実施例では、石英板上に、600番の研
磨砥粒を用いて微細な凹凸を形成する事によシ、均一性
を30%向上できた。また、本凹凸の形成によシ、該石
英板13の使用枚数を20%削減できた。そして1石英
製容器15に設けた試料搬送口19に、試料9を搬送し
、かつ、容器15内の雰囲気を保持できるようにしたガ
ス排気筒20i設けた開閉ドア21が接するように構成
した。
本装置を用いて、基板9の温度分布を評価した。
まず、石英製の薄板13を取シ除いた状態で、石英製容
器15内に酸素を導入し、シリコン基板9を、1ioo
c、90秒の熱酸化を行なった。尚。
器15内に酸素を導入し、シリコン基板9を、1ioo
c、90秒の熱酸化を行なった。尚。
基板9の温度は、基板9中心をパイロメータで検出して
行なっている。この熱酸化により、シリコン基板9表面
上に形成された酸化膜の膜厚分布は3第31Aの実線2
2のようになる。例えば、上記の酸化条件では、酸化温
度が10C低くなると膜厚は大体1nm薄くなるため、
基板内の温度は1060〜1105 Cの範囲で分布し
ていることになる。
行なっている。この熱酸化により、シリコン基板9表面
上に形成された酸化膜の膜厚分布は3第31Aの実線2
2のようになる。例えば、上記の酸化条件では、酸化温
度が10C低くなると膜厚は大体1nm薄くなるため、
基板内の温度は1060〜1105 Cの範囲で分布し
ていることになる。
この結果を基にして、以下のように1石英板・13を石
英製容器15に設けた纒14に重ねた。
英製容器15に設けた纒14に重ねた。
まず、基板9内で最も低温になる部分金基皐にして、そ
の部分よシ高温になるに従い石英板13の枚数を調整し
て、溝14に入れた。石英板13の枚数の温度低下の関
係は、およそ−2C/枚であったが、所定の溝14に石
英板13を入れて上記関係で枚数を選んでも、その周辺
のu14に入れた石英板の枚数によっても温度低下が生
じるため、上記関係は大よりその目安にしかならない。
の部分よシ高温になるに従い石英板13の枚数を調整し
て、溝14に入れた。石英板13の枚数の温度低下の関
係は、およそ−2C/枚であったが、所定の溝14に石
英板13を入れて上記関係で枚数を選んでも、その周辺
のu14に入れた石英板の枚数によっても温度低下が生
じるため、上記関係は大よりその目安にしかならない。
このように1石英板13の枚数を、基板温度の高い部分
(酸化膜の厚くなる部分)に多くなる様な傾向にして6
溝に石英板13を入れた。その時の1100C190秒
の酸化で得られた酸化膜厚分布f、第3図の破線23に
示した。まだ、多少の温度分布に起因する膜厚分布があ
るものの、非常に良い均一性が得られた。ここで基板9
内の温度は、1093Cから1099C程度と見積られ
た。これよシ、さらに均一にするには、膜厚分布の白部
分に対応する溝14に石英板13’に数枚ずづ入れれば
良い。
(酸化膜の厚くなる部分)に多くなる様な傾向にして6
溝に石英板13を入れた。その時の1100C190秒
の酸化で得られた酸化膜厚分布f、第3図の破線23に
示した。まだ、多少の温度分布に起因する膜厚分布があ
るものの、非常に良い均一性が得られた。ここで基板9
内の温度は、1093Cから1099C程度と見積られ
た。これよシ、さらに均一にするには、膜厚分布の白部
分に対応する溝14に石英板13’に数枚ずづ入れれば
良い。
本実施例によれば、石英製容器に設けた複数の溝に入れ
る石英製の薄板の枚数を制御することによシ、基板内の
温度分布を均一にすることが容易である。また、定期的
に上述のような方法によシその均一性を確認することに
よ′り%ノ・ロゲンランプの光強度の経時変化が、個々
のランプで異なっていても、その均一性を保つことが容
易である。
る石英製の薄板の枚数を制御することによシ、基板内の
温度分布を均一にすることが容易である。また、定期的
に上述のような方法によシその均一性を確認することに
よ′り%ノ・ロゲンランプの光強度の経時変化が、個々
のランプで異なっていても、その均一性を保つことが容
易である。
また、第2図(b)に示すような配置の溝14に、任意
の枚数の石英板13を、任意の場所に重ねることができ
るので、基板内の@度分布を任意に選ぶことができる。
の枚数の石英板13を、任意の場所に重ねることができ
るので、基板内の@度分布を任意に選ぶことができる。
さらに1本実施列ではほぼ正方形に近い石英板を用いて
いるが、fの特性に合わせた任意形状の石英製薄板上用
いる事が出来る。発明者等の検討では、反応容器の中央
を中心とした同心円状の薄板を用いる事により、同心円
状の分布を補償する事が出来た。
いるが、fの特性に合わせた任意形状の石英製薄板上用
いる事が出来る。発明者等の検討では、反応容器の中央
を中心とした同心円状の薄板を用いる事により、同心円
状の分布を補償する事が出来た。
次に、主に石英板の熱容量の差?用いて基板温度を制御
する実施例f:i4図に示す。この図は、石英製容器周
辺の図であシ、(a)は基本的な構造図、また、(b)
はその実施例の構造図である。
する実施例f:i4図に示す。この図は、石英製容器周
辺の図であシ、(a)は基本的な構造図、また、(b)
はその実施例の構造図である。
石英製容器24は、溝25%ガス導入口26、および基
板27保持用ピン28で構成した。この溝25の大きさ
および配置は、第2図と同じであシ、溝の深さは1譚と
した。この#425に収まるような8van角の石英製
の板29は、各校で熱容量が異なるように0.1〜3o
ooの範囲で0.1 rmピッチで厚さが異なるような
ものを用いた。この場合も、基板27の温度の扁い部分
で厚い石英板29t−1低い部分で薄い石英板29を配
置して、基板内の温度分布を均一にした。厚さlamの
石英板を溝25に置いた場合の基板27の温度低下は約
20Cであるが、この場合も周辺の溝25に置いた石英
板29の影響を受けるので、この値は目安にしかならな
い。しかし、第3図および第4図(a)で示した構成で
は1石英板29の入れ換えをする場合、ランプハウス1
2から石英製容器24を取りはずして作業することが必
要となり、石英板29の入れ換えが多少煩雑となる。
板27保持用ピン28で構成した。この溝25の大きさ
および配置は、第2図と同じであシ、溝の深さは1譚と
した。この#425に収まるような8van角の石英製
の板29は、各校で熱容量が異なるように0.1〜3o
ooの範囲で0.1 rmピッチで厚さが異なるような
ものを用いた。この場合も、基板27の温度の扁い部分
で厚い石英板29t−1低い部分で薄い石英板29を配
置して、基板内の温度分布を均一にした。厚さlamの
石英板を溝25に置いた場合の基板27の温度低下は約
20Cであるが、この場合も周辺の溝25に置いた石英
板29の影響を受けるので、この値は目安にしかならな
い。しかし、第3図および第4図(a)で示した構成で
は1石英板29の入れ換えをする場合、ランプハウス1
2から石英製容器24を取りはずして作業することが必
要となり、石英板29の入れ換えが多少煩雑となる。
そこで第4図(b)に示すように、石英板29を保持す
る溝25を有した石英製板30を設けることによシ、厚
さの異なる石英板29の入れ換えが。
る溝25を有した石英製板30を設けることによシ、厚
さの異なる石英板29の入れ換えが。
上記石英製板305c石英製容器24から取シ出すだけ
で簡単にできるようになった。
で簡単にできるようになった。
以上のように本実施例によれば、基板内の温度分布チエ
ツク−石英板29交換のくシ返シによる温度分布の均一
化が非常に容易となる。この場合も、第3図を用いて説
明した実施例と同様の効捲を有する。
ツク−石英板29交換のくシ返シによる温度分布の均一
化が非常に容易となる。この場合も、第3図を用いて説
明した実施例と同様の効捲を有する。
本発明は、ランプ加熱による加熱基板の温度分布を容易
に均一化することができ、かつ、ランプ加熱源の寿命に
伴なう均一性の経時変化にも容易に対応できるので、基
板加熱の温度分布の均一性を良好に維持することが簡単
になシ、また、均一性維持のコスト低下に効果がある。
に均一化することができ、かつ、ランプ加熱源の寿命に
伴なう均一性の経時変化にも容易に対応できるので、基
板加熱の温度分布の均一性を良好に維持することが簡単
になシ、また、均一性維持のコスト低下に効果がある。
例えば、均一性を維持するための点検およが均一性向上
作業は、数10分ですむ。また、均一性を維持するため
のランプ交換は行なわなくてすむ。ただし、ランプ光強
度が著しく低下し、設定@度が得られない場合は、ラン
プ交換を要する。
作業は、数10分ですむ。また、均一性を維持するため
のランプ交換は行なわなくてすむ。ただし、ランプ光強
度が著しく低下し、設定@度が得られない場合は、ラン
プ交換を要する。
また、基板内の温変分布を均一にできるため、基板への
熱ストレスも軽減でき、信頼性のある加熱処理ができる
。
熱ストレスも軽減でき、信頼性のある加熱処理ができる
。
第1図は本発明の詳細な説明するための構造概略図、第
2図は本発明の一実施例の構造を示す概略図、第3図は
基板内の温度分布に対応する熱酸化膜厚の分布を示す図
、第4図は本発明に使用できる石英製容器の構造を示す
図である。 1、lO・・・ランプ、2.11・・・ランプ光反射面
、3・・・ランプ光、4,15,24・・・石英製容器
、5゜9.27・・・被加熱基板、6,13.29・・
・石英製薄板、7,17,26・・・ガス導入口、8.
19・・・ガス排気0.12・・・ランプハウス、14
.25・・・溝、16・・・ガス導入筒、18.28・
・・石英製ピン、20・・・ガス排気筒、21・・・基
板搬入ドア、22・・・石英製薄板を用いない場合の酸
化膜厚分布、23・・・石英製薄板を用いて均一性を行
なった場合の酸化膜厚分布、30・・・石英製板。
2図は本発明の一実施例の構造を示す概略図、第3図は
基板内の温度分布に対応する熱酸化膜厚の分布を示す図
、第4図は本発明に使用できる石英製容器の構造を示す
図である。 1、lO・・・ランプ、2.11・・・ランプ光反射面
、3・・・ランプ光、4,15,24・・・石英製容器
、5゜9.27・・・被加熱基板、6,13.29・・
・石英製薄板、7,17,26・・・ガス導入口、8.
19・・・ガス排気0.12・・・ランプハウス、14
.25・・・溝、16・・・ガス導入筒、18.28・
・・石英製ピン、20・・・ガス排気筒、21・・・基
板搬入ドア、22・・・石英製薄板を用いない場合の酸
化膜厚分布、23・・・石英製薄板を用いて均一性を行
なった場合の酸化膜厚分布、30・・・石英製板。
Claims (1)
- 1、被加熱基板を収納でき、かつ、加熱雰囲気を保つ石
英製容器と、上記石英製容器周辺に設けた基板加熱用の
ランプ光源とから成るランプ加熱装置において、上記石
英製容器の壁に石英製薄板を多数保持できる溝を複数設
けたことを特徴とするランプ加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14485186A JPS632318A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ランプ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14485186A JPS632318A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ランプ加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS632318A true JPS632318A (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=15371891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14485186A Pending JPS632318A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | ランプ加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS632318A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02159720A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Nec Corp | 半導体装置の熱処理方法 |
JP2002141294A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-05-17 | Asm America Inc | ゾーン加熱用改良加熱ランプ |
JP2006310690A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2007266471A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2016162880A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板熱処理装置および基板温度調整方法 |
JP2017092095A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP14485186A patent/JPS632318A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02159720A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Nec Corp | 半導体装置の熱処理方法 |
JP2002141294A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-05-17 | Asm America Inc | ゾーン加熱用改良加熱ランプ |
JP2006310690A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2007266471A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2016162880A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板熱処理装置および基板温度調整方法 |
JP2017092095A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4755654A (en) | Semiconductor wafer heating chamber | |
US7772527B2 (en) | Heat reflector and substrate processing apparatus comprising the same | |
CN103109359B (zh) | 用于快速热处理腔室的透明反射板 | |
JP3296300B2 (ja) | 光照射式加熱装置 | |
JP2001291677A (ja) | 熱処理装置 | |
US6259061B1 (en) | Vertical-heat-treatment apparatus with movable lid and compensation heater movable therewith | |
US20060110531A1 (en) | Method for depositing a coating having a relatively high dielectric constant onto a substrate | |
KR102033843B1 (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
JPS59169125A (ja) | 半導体ウエハ−の加熱方法 | |
US8308350B2 (en) | Method of determining thermal property of substrate and method of deciding heat treatment condition | |
TW200949950A (en) | Heat treatment apparatus | |
US20010040156A1 (en) | System for controlling the temperature of a reflective substrate during rapid heating | |
JPH11220007A (ja) | 半導体ウェーハの位置ずれを検知するための方法及び装置 | |
JPS60131430A (ja) | 半導体基板の温度測定装置 | |
US7255899B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method of substrate | |
JPS632318A (ja) | ランプ加熱装置 | |
JP2000058470A (ja) | 光照射式加熱装置のガードリング | |
JPH08107078A (ja) | 半導体装置の加熱装置およびその方法 | |
JP2002261036A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2008117892A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH04288820A (ja) | ランプ加熱装置 | |
JPH06318558A (ja) | ランプアニール装置 | |
JPS60137027A (ja) | 光照射加熱方法 | |
JP2003059852A (ja) | 基板の熱処理装置 | |
JP2002110580A (ja) | 基板の光照射式熱処理装置 |