JPH06318558A - ランプアニール装置 - Google Patents
ランプアニール装置Info
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- JPH06318558A JPH06318558A JP3084491A JP3084491A JPH06318558A JP H06318558 A JPH06318558 A JP H06318558A JP 3084491 A JP3084491 A JP 3084491A JP 3084491 A JP3084491 A JP 3084491A JP H06318558 A JPH06318558 A JP H06318558A
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- annealed
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- lamp annealing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ランプアニールにおけるウェハ加熱温度の均
一化を実現する。 【構成】 光源７の周囲に、半導体ウェハ４の中央部を
含むほぼ全面に光６を照射する固定反射鏡８と、半導体
ウェハ４の周辺部に対する光６を照射量および範囲など
を制御する可動反射鏡９とを配置し、中央部よりも温度
が低くなりやすい周辺部に照射される光エネルギをより
大きくすることで、被アニール物の径方向などにおける
温度勾配を解消し、全体の加熱温度を均一にする。
一化を実現する。 【構成】 光源７の周囲に、半導体ウェハ４の中央部を
含むほぼ全面に光６を照射する固定反射鏡８と、半導体
ウェハ４の周辺部に対する光６を照射量および範囲など
を制御する可動反射鏡９とを配置し、中央部よりも温度
が低くなりやすい周辺部に照射される光エネルギをより
大きくすることで、被アニール物の径方向などにおける
温度勾配を解消し、全体の加熱温度を均一にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ランプアニール技術に
関し、特に、半導体装置の製造工程における半導体基板
の加熱処理などに適用して有効な技術に関する。
関し、特に、半導体装置の製造工程における半導体基板
の加熱処理などに適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造プロセスに
おいては、イオン打込みによって半導体基板（ウェハ）
に導入された不純物の活性化や導入時の結晶欠陥の回
復、さらには、多層配線構造における層間絶縁膜の加熱
軟化による平坦化などを目的として、赤外線ランプなど
による急速加熱によってアニールプロセスを秒単位で制
御するランプアニール技術が用いられている。
おいては、イオン打込みによって半導体基板（ウェハ）
に導入された不純物の活性化や導入時の結晶欠陥の回
復、さらには、多層配線構造における層間絶縁膜の加熱
軟化による平坦化などを目的として、赤外線ランプなど
による急速加熱によってアニールプロセスを秒単位で制
御するランプアニール技術が用いられている。
【０００３】従来、このようなランプアニール技術とし
ては、たとえば、株式会社プレスジャーナル、１９８７
年１２月２０日発行、「月刊セミコンダクタワールド」
１９８８．１、Ｐ８１〜Ｐ８８、などの文献に記載され
ているように、ウェハ面内の加熱温度の均一化を図るべ
く、ウェハ全面に一様な光量の光を照射するような反射
鏡を用いることが行われていた。
ては、たとえば、株式会社プレスジャーナル、１９８７
年１２月２０日発行、「月刊セミコンダクタワールド」
１９８８．１、Ｐ８１〜Ｐ８８、などの文献に記載され
ているように、ウェハ面内の加熱温度の均一化を図るべ
く、ウェハ全面に一様な光量の光を照射するような反射
鏡を用いることが行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、円板状のウ
ェハにおいては、中央部よりも周辺部における放熱量が
大きいため、上記の従来技術のようにウェハに照射され
る光量を当該ウェハの全面において均一に制御したので
は周辺部の温度が中央部よりも低くなる温度勾配が発生
し、径方向における加熱温度の分布が不均一になるとい
う問題がある。
ェハにおいては、中央部よりも周辺部における放熱量が
大きいため、上記の従来技術のようにウェハに照射され
る光量を当該ウェハの全面において均一に制御したので
は周辺部の温度が中央部よりも低くなる温度勾配が発生
し、径方向における加熱温度の分布が不均一になるとい
う問題がある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、被アニール物の
全面を均一な温度に加熱することが可能なランプアニー
ル技術を提供することにある。
全面を均一な温度に加熱することが可能なランプアニー
ル技術を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００８】すなわち、本発明になるランプアニール装
置は、被アニール物が載置される試料台と、光源と、こ
の光源から放射される光を反射して被アニール物に照射
させる反射手段とを含むランプアニール装置であって、
反射手段を、光源との位置関係が一定な固定反射鏡と、
光源に対して相対的に変位可能な可動反射鏡とで構成
し、被アニール物の中央部と周辺部とにおける光の光量
を独立に制御可能にしたものである。
置は、被アニール物が載置される試料台と、光源と、こ
の光源から放射される光を反射して被アニール物に照射
させる反射手段とを含むランプアニール装置であって、
反射手段を、光源との位置関係が一定な固定反射鏡と、
光源に対して相対的に変位可能な可動反射鏡とで構成
し、被アニール物の中央部と周辺部とにおける光の光量
を独立に制御可能にしたものである。
【０００９】また、本発明になるランプアニール装置
は、試料台の一部に、被アニール物の中央部および周辺
部の温度を検出する温度検出手段を配置し、中央部およ
び周辺部の温度が均一になるように可動反射鏡の変位を
制御するものである。
は、試料台の一部に、被アニール物の中央部および周辺
部の温度を検出する温度検出手段を配置し、中央部およ
び周辺部の温度が均一になるように可動反射鏡の変位を
制御するものである。
【００１０】また、本発明になるランプアニール装置
は、被アニール物が載置される試料台と、光源と、この
光源から放射される光を反射して被アニール物に照射さ
せる反射手段とを含むランプアニール装置であって、光
源および反射手段の少なくとも一方から被アニール物に
到る光の経路の一部に、被アニール物の周辺部に光を収
束して照射させる可動レンズを配置し、被アニール物の
中央部と周辺部とにおける光の光量を独立に制御可能に
したものである。
は、被アニール物が載置される試料台と、光源と、この
光源から放射される光を反射して被アニール物に照射さ
せる反射手段とを含むランプアニール装置であって、光
源および反射手段の少なくとも一方から被アニール物に
到る光の経路の一部に、被アニール物の周辺部に光を収
束して照射させる可動レンズを配置し、被アニール物の
中央部と周辺部とにおける光の光量を独立に制御可能に
したものである。
【００１１】また、本発明になるランプアニール装置
は、試料台の一部に、被アニール物の中央部および周辺
部の温度を検出する温度検出手段を配置し、中央部およ
び周辺部の温度が均一になるように可動レンズの変位を
制御するものである。
は、試料台の一部に、被アニール物の中央部および周辺
部の温度を検出する温度検出手段を配置し、中央部およ
び周辺部の温度が均一になるように可動レンズの変位を
制御するものである。
【００１２】また、本発明になるランプアニール装置
は、被アニール物が載置される試料台と、光源と、この
光源から放射される光を反射して被アニール物に照射さ
せる反射手段とを含むランプアニール装置であって、反
射手段は、光の収束位置が異なる複数の反射鏡からな
り、被アニール物の中央部と周辺部とにおける光の光量
を独立に制御可能にしたものである。
は、被アニール物が載置される試料台と、光源と、この
光源から放射される光を反射して被アニール物に照射さ
せる反射手段とを含むランプアニール装置であって、反
射手段は、光の収束位置が異なる複数の反射鏡からな
り、被アニール物の中央部と周辺部とにおける光の光量
を独立に制御可能にしたものである。
【００１３】
【作用】上記した本発明のランプアニール技術によれ
ば、被アニール物の周辺部と中央部とに照射される光エ
ネルギを独立に制御できるので、たとえば、中央部より
も温度が低くなりやすい周辺部に照射される光エネルギ
をより大きくすることで、被アニール物の径方向などに
おける温度勾配が解消され、被アニール物の加熱温度を
全面にわたって均一にすることができる。
ば、被アニール物の周辺部と中央部とに照射される光エ
ネルギを独立に制御できるので、たとえば、中央部より
も温度が低くなりやすい周辺部に照射される光エネルギ
をより大きくすることで、被アニール物の径方向などに
おける温度勾配が解消され、被アニール物の加熱温度を
全面にわたって均一にすることができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例であるランプアニール装置について詳細に説明する。
図１は、本実施例のランプアニール装置の構成の一例を
模式的に示す断面図である。
例であるランプアニール装置について詳細に説明する。
図１は、本実施例のランプアニール装置の構成の一例を
模式的に示す断面図である。
【００１５】本実施例のランプアニール装置は、ランプ
ハウス１と、処理室２とを備えており、両者は石英板３
を介して接続されている。処理室２の内部には、半導体
ウェハ４が載置される試料台５が収容されており、この
試料台５の上に突設された複数の石英ピン５ａによっ
て、半導体ウェハ４が支持されている。
ハウス１と、処理室２とを備えており、両者は石英板３
を介して接続されている。処理室２の内部には、半導体
ウェハ４が載置される試料台５が収容されており、この
試料台５の上に突設された複数の石英ピン５ａによっ
て、半導体ウェハ４が支持されている。
【００１６】ランプハウス１の内部には、石英板３を透
過する光６を放射する光源７と、前記光６を反射し、前
記石英板３を介して、処理室２の内部の試料台５に載置
された半導体ウェハ４のほぼ全面に照射する欠球状の固
定反射鏡８が設けられている。
過する光６を放射する光源７と、前記光６を反射し、前
記石英板３を介して、処理室２の内部の試料台５に載置
された半導体ウェハ４のほぼ全面に照射する欠球状の固
定反射鏡８が設けられている。
【００１７】この場合、ランプハウス１には、前述の固
定反射鏡８とともに、反射鏡駆動機構９ａによって変位
が制御される可動反射鏡９が配置されている。そして、
この可動反射鏡９を光源７に対して変位させることによ
って、当該光源７から放射される光６の光路を、たとえ
ば光路６ａ，光路６ｂなどのように適宜変化させ、半導
体ウェハ４の周辺部に照射される光６の光量および照射
範囲を任意に制御するものである。
定反射鏡８とともに、反射鏡駆動機構９ａによって変位
が制御される可動反射鏡９が配置されている。そして、
この可動反射鏡９を光源７に対して変位させることによ
って、当該光源７から放射される光６の光路を、たとえ
ば光路６ａ，光路６ｂなどのように適宜変化させ、半導
体ウェハ４の周辺部に照射される光６の光量および照射
範囲を任意に制御するものである。
【００１８】また、光源７から放射される光６の光量
（強度）および、可動反射鏡９の変位量は、たとえばマ
イクロプロセッサなどからなる温度制御系１０によって
所望の値に制御されている。試料台５の内部には、温度
制御系１０に接続され、試料台５に載置された半導体ウ
ェハ４の中央部および周辺部の温度を、個別に測定する
複数の温度検出器１１および温度検出器１２が設けられ
ており、測定値は、温度制御系１０に入力されている。
（強度）および、可動反射鏡９の変位量は、たとえばマ
イクロプロセッサなどからなる温度制御系１０によって
所望の値に制御されている。試料台５の内部には、温度
制御系１０に接続され、試料台５に載置された半導体ウ
ェハ４の中央部および周辺部の温度を、個別に測定する
複数の温度検出器１１および温度検出器１２が設けられ
ており、測定値は、温度制御系１０に入力されている。
【００１９】以下、本実施例のランプアニール装置の作
用の一例を説明する。
用の一例を説明する。
【００２０】まず、温度制御系１０は、光源７を点灯さ
せて半導体ウェハ４の全面に対する光６の照射を行い、
光６のエネルギによる半導体ウェハ４の加熱を開始す
る。同時に、試料台５に設けられている温度検出器１１
および１２を介して、半導体ウェハ４の中央部および周
辺部の現在の温度に関する情報を取り込む。そして両者
の温度に差がある場合には、中央部および周辺部の温度
差を打ち消すように、可動反射鏡９を適宜変位させ、半
導体ウェハ４の周辺部に照射される光６の光量を制御す
る。
せて半導体ウェハ４の全面に対する光６の照射を行い、
光６のエネルギによる半導体ウェハ４の加熱を開始す
る。同時に、試料台５に設けられている温度検出器１１
および１２を介して、半導体ウェハ４の中央部および周
辺部の現在の温度に関する情報を取り込む。そして両者
の温度に差がある場合には、中央部および周辺部の温度
差を打ち消すように、可動反射鏡９を適宜変位させ、半
導体ウェハ４の周辺部に照射される光６の光量を制御す
る。
【００２１】通常、円板状を呈する半導体ウェハ４の場
合、周辺部における放熱速度が中央部よりも大きくなり
やすいので、半導体ウェハ４の全面を均一に加熱した場
合には、中央部が高く、周辺部が低くなるような温度勾
配が径方向に生じる。そこで、本実施例の場合、温度制
御系１０は、半導体ウェハ４の周辺部における光６の光
量が中央部に比較して大きくなるように、可動反射鏡９
の変位を制御し、中央部に到る光６の一部の光路６ａ
を、周辺部に到る光路６ｂに変化させ、当該周辺部にお
ける温度低下を補うように光エネルギの分布を変化さ
せ、半導体ウェハ４の全面が均一な温度になるように制
御する。
合、周辺部における放熱速度が中央部よりも大きくなり
やすいので、半導体ウェハ４の全面を均一に加熱した場
合には、中央部が高く、周辺部が低くなるような温度勾
配が径方向に生じる。そこで、本実施例の場合、温度制
御系１０は、半導体ウェハ４の周辺部における光６の光
量が中央部に比較して大きくなるように、可動反射鏡９
の変位を制御し、中央部に到る光６の一部の光路６ａ
を、周辺部に到る光路６ｂに変化させ、当該周辺部にお
ける温度低下を補うように光エネルギの分布を変化さ
せ、半導体ウェハ４の全面が均一な温度になるように制
御する。
【００２２】このように、本実施例のランプアニール装
置では、可動反射鏡９の変位を適宜制御し、半導体ウェ
ハ４の中央部および周辺部にそれぞれ照射される光６の
光量を個別に制御することが可能であるため、半導体ウ
ェハ４の径方向に発生する温度勾配を打ち消すように、
光６の照射光量の分布を制御することができ、半導体ウ
ェハ４の全体を均一な温度に加熱することができる。
置では、可動反射鏡９の変位を適宜制御し、半導体ウェ
ハ４の中央部および周辺部にそれぞれ照射される光６の
光量を個別に制御することが可能であるため、半導体ウ
ェハ４の径方向に発生する温度勾配を打ち消すように、
光６の照射光量の分布を制御することができ、半導体ウ
ェハ４の全体を均一な温度に加熱することができる。
【００２３】これにより、たとえば、アニール（加熱）
温度の過不足などに起因して、イオン打込み技術などに
よって導入された不純物元素の活性化や、所望の組成か
らなるガラスなどからなる図示しない層間絶縁膜の加熱
軟化による平坦化などにばらつきを生じることが防止さ
れ、半導体ウェハ４の各部に形成される図示しない半導
体素子の特性のばらつきなどが確実に減少し、半導体装
置の製造工程における歩留りや、半導体装置そのものの
性能の向上を達成することができる。
温度の過不足などに起因して、イオン打込み技術などに
よって導入された不純物元素の活性化や、所望の組成か
らなるガラスなどからなる図示しない層間絶縁膜の加熱
軟化による平坦化などにばらつきを生じることが防止さ
れ、半導体ウェハ４の各部に形成される図示しない半導
体素子の特性のばらつきなどが確実に減少し、半導体装
置の製造工程における歩留りや、半導体装置そのものの
性能の向上を達成することができる。
【００２４】次に、図２によって、本発明の他の実施例
であるランプアニール装置について説明する。
であるランプアニール装置について説明する。
【００２５】この図２の実施例の場合には、可動反射鏡
９の代わりに、可動レンズ１３を設け、半導体ウェハ４
の周辺部に照射される光６の光量を、中央部とは個別に
制御可能にしたところが、前述の図１の実施例と異なっ
ている。
９の代わりに、可動レンズ１３を設け、半導体ウェハ４
の周辺部に照射される光６の光量を、中央部とは個別に
制御可能にしたところが、前述の図１の実施例と異なっ
ている。
【００２６】すなわち、欠球状の固定反射鏡８の下端部
には、レンズ駆動機構１３ａによって上下動するドーナ
ツ状の可動レンズ１３が設けられており、半導体ウェハ
４の外側に散逸する光路６ｃを辿る光６や、半導体ウェ
ハ４の中央部に到る光路６ｄを辿る光６を半導体ウェハ
４の周辺部に収束して照射する作用をなし、周辺部にお
ける光６の照射範囲や照射光量が、当該可動レンズ１３
の上下動によって自在に制御されるように構成されてい
る。
には、レンズ駆動機構１３ａによって上下動するドーナ
ツ状の可動レンズ１３が設けられており、半導体ウェハ
４の外側に散逸する光路６ｃを辿る光６や、半導体ウェ
ハ４の中央部に到る光路６ｄを辿る光６を半導体ウェハ
４の周辺部に収束して照射する作用をなし、周辺部にお
ける光６の照射範囲や照射光量が、当該可動レンズ１３
の上下動によって自在に制御されるように構成されてい
る。
【００２７】そして、温度制御系１０は、半導体ウェハ
４の中央部および周辺部における温度分布のばらつきに
応じて、当該温度分布のばらつきを打ち消すように、レ
ンズ駆動機構１３ａを介して可動レンズ１３の上下動を
制御して、照射光量分布を制御し、これにより、半導体
ウェハ４の全面の、光６による均一な加熱を実現する。
この結果、本実施例のランプアニール装置の場合にも、
前述の図１の実施例の場合と同様の効果を得ることがで
きる。
４の中央部および周辺部における温度分布のばらつきに
応じて、当該温度分布のばらつきを打ち消すように、レ
ンズ駆動機構１３ａを介して可動レンズ１３の上下動を
制御して、照射光量分布を制御し、これにより、半導体
ウェハ４の全面の、光６による均一な加熱を実現する。
この結果、本実施例のランプアニール装置の場合にも、
前述の図１の実施例の場合と同様の効果を得ることがで
きる。
【００２８】図３は、本発明のさらに他の実施例である
ランプアニール装置の構成の一例を模式的に示す略断面
図である。
ランプアニール装置の構成の一例を模式的に示す略断面
図である。
【００２９】この図３の実施例の場合には、光源７から
放射される光６の半導体ウェハ４に対する照射位置が異
なる複数の固定反射鏡１４，固定反射鏡１５，固定反射
鏡１６を備えている。すなわち、欠球状の固定反射鏡１
４は、半導体ウェハ４のほぼ全面に均一に光６を照射す
る作用をなし、円錐面をなす固定反射鏡１５および固定
反射鏡１６は、半導体ウェハ４の周辺部に選択的に光６
を照射する作用をなすように構成されている。
放射される光６の半導体ウェハ４に対する照射位置が異
なる複数の固定反射鏡１４，固定反射鏡１５，固定反射
鏡１６を備えている。すなわち、欠球状の固定反射鏡１
４は、半導体ウェハ４のほぼ全面に均一に光６を照射す
る作用をなし、円錐面をなす固定反射鏡１５および固定
反射鏡１６は、半導体ウェハ４の周辺部に選択的に光６
を照射する作用をなすように構成されている。
【００３０】そして、放熱量が大きく中央部よりも温度
が低くなりやすい半導体ウェハ４の周辺部における光６
の照射量が、中央部の照射量よりも大きくなるようにし
て、、可動部を含まない比較的簡単な構成で、半導体ウ
ェハ４の全面における均一な温度による加熱を実現する
ものである。
が低くなりやすい半導体ウェハ４の周辺部における光６
の照射量が、中央部の照射量よりも大きくなるようにし
て、、可動部を含まない比較的簡単な構成で、半導体ウ
ェハ４の全面における均一な温度による加熱を実現する
ものである。
【００３１】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３２】たとえば、可動反射鏡および可動レンズの
形状および配設位置は、前述の各実施例の説明において
例示したものに限らず、同様の作用を実現できるもので
あれば、他の形状および配設位置であってもよい。
形状および配設位置は、前述の各実施例の説明において
例示したものに限らず、同様の作用を実現できるもので
あれば、他の形状および配設位置であってもよい。
【００３３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３４】すなわち、本発明になるランプアニール装
置によれば、被アニール物の周辺部と中央部とに照射さ
れる光エネルギを独立に制御できるので、たとえば、中
央部よりも温度が低くなりやすい周辺部に照射される光
エネルギをより大きくすることで、被アニール物の径方
向などにおける温度勾配が解消され、全体の加熱温度を
均一にすることができる。
置によれば、被アニール物の周辺部と中央部とに照射さ
れる光エネルギを独立に制御できるので、たとえば、中
央部よりも温度が低くなりやすい周辺部に照射される光
エネルギをより大きくすることで、被アニール物の径方
向などにおける温度勾配が解消され、全体の加熱温度を
均一にすることができる。
【図１】本発明の一実施例であるランプアニール装置の
構成の一例を模式的に示す略断面図である。
構成の一例を模式的に示す略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例であるランプアニール装置
の構成の一例を模式的に示す略断面図である。
の構成の一例を模式的に示す略断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例であるランプアニー
ル装置の構成の一例を模式的に示す略断面図である。
ル装置の構成の一例を模式的に示す略断面図である。
１ ランプハウス ２ 処理室 ３ 石英板 ４ 半導体ウェハ ５ 試料台 ５ａ 石英ピン ６ 光 ６ａ 光路 ６ｂ 光路 ６ｃ 光路 ６ｄ 光路 ７ 光源 ８ 固定反射鏡 ９ 可動反射鏡 ９ａ 反射鏡駆動機構 １０ 温度制御系 １１ 温度検出器 １２ 温度検出器 １３ 可動レンズ １３ａ レンズ駆動機構 １４ 固定反射鏡 １５ 固定反射鏡 １６ 固定反射鏡
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年６月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古賀野 正佳 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 被アニール物が載置される試料台と、光
源と、この光源から放射される光を反射して前記被アニ
ール物に照射させる反射手段とを含むランプアニール装
置であって、前記反射手段は、前記光源との位置関係が
一定な固定反射鏡と、前記光源に対して相対的に変位可
能な可動反射鏡とからなり、前記被アニール物の中央部
と周辺部とにおける前記光の光量を独立に制御可能にし
たことを特徴とするランプアニール装置。 - 【請求項２】 前記試料台の一部に、前記被アニール物
の中央部および周辺部の温度を検出する温度検出手段を
配置し、前記中央部および周辺部の温度が均一になるよ
うに前記可動反射鏡の変位を制御することを特徴とする
請求項１記載のランプアニール装置。 - 【請求項３】 被アニール物が載置される試料台と、光
源と、この光源から放射される光を反射して前記被アニ
ール物に照射させる反射手段とを含むランプアニール装
置であって、前記光源および前記反射手段の少なくとも
一方から前記被アニール物に到る前記光の経路の一部
に、前記被アニール物の周辺部に前記光を収束して照射
させる可動レンズを配置し、前記被アニール物の中央部
と周辺部とにおける前記光の光量を独立に制御可能にし
たことを特徴とするランプアニール装置。 - 【請求項４】 前記試料台の一部に、前記被アニール物
の中央部および周辺部の温度を検出する温度検出手段を
配置し、前記中央部および周辺部の温度が均一になるよ
うに前記可動レンズの変位を制御することを特徴とする
請求項３記載のランプアニール装置。 - 【請求項５】 被アニール物が載置される試料台と、光
源と、この光源から放射される光を反射して前記被アニ
ール物に照射させる反射手段とを含むランプアニール装
置であって、前記反射手段は、前記光の収束位置が異な
る複数の反射鏡からなり、前記被アニール物の中央部と
周辺部とにおける前記光の光量を独立に制御可能にした
ことを特徴とするランプアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084491A JPH06318558A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ランプアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084491A JPH06318558A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ランプアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318558A true JPH06318558A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=12315012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3084491A Pending JPH06318558A (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | ランプアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06318558A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-02-26 JP JP3084491A patent/JPH06318558A/ja active Pending
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