JP3195678B2 - エネルギー線加熱装置 - Google Patents
エネルギー線加熱装置Info
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Description
に関し、特に加熱ランプを用いて半導体ウェハを加熱す
るためのランプ加熱装置に関する。
体ウェハの上に集積回路を形成する目的で、被処理体で
ある半導体ウェハ上に薄膜を形成する工程がスパッタ装
置やCVD装置を用いて行われている。
処理体である半導体ウェハ上に均一に成長させるため
に、半導体ウェハの全面を均一かつ所定の温度に加熱維
持することが重要な技術的要求である。
てヒータによる加熱方法とエネルギー線、例えばランプ
の光による加熱方法とが、従来より知られている。この
ランプ加熱方法は、熱エネルギーが輻射により真空中を
良好に伝播することから、被加熱体が真空雰囲気中に載
置されることの多い半導体製造装置においては、広く採
用されている。
7に示す。真空容器100には、被処理体、例えば半導
体ウェハ101が載置手段、例えば載置台102の上に
載置され、図示しない処理ガス供給手段により、処理ガ
スを処理ガス供給口103より上記半導体ウェハ101
の上に供給することが可能なように構成されている。ま
た、上記真空容器100は、図示しない排気手段により
排気口104より、所定の真空雰囲気になるように排気
することが可能である。
されたエネルギー線発生源、例えば加熱ランプ105か
らの照射光がエネルギー線透過窓、例えば石英ガラスの
窓106を介して、上記載置台102を加熱することに
より、上記半導体ウェハ101を裏面より全面にわたり
加熱することができるように構成されている。
ルギー線発生源が固定されているため、被処理体である
半導体ウェハの均一な加熱を行い、かつ処理中の被処理
体の温度を均一に保持することが困難であった。そのた
め、製品の歩留まりを向上させ、成膜の質を向上させる
ためにも、より均一な加熱を迅速に行い、かつ被処理体
の温度を一定に保持することが可能な技術の開発が望ま
れていた。
ネルギー線加熱装置の有する問題点に鑑み、本発明の目
的とするところは、被処理体である半導体ウェハの均一
な加熱を迅速に行うことが可能であり、かつ被処理体の
温度を一定に保持することが可能な新規かつ改良された
エネルギー線加熱装置を提供することである。
よりも少ない温度センサ入力によっても,より細やかに
被処理体の温度制御を行うことが可能な新規かつ改良さ
れたエネルギー線加熱装置を提供することである。
に,本発明の一つの観点によれば,被処理体を所定位置
に位置決め可能な処理室と,その処理室の壁部の少なく
とも一部を構成する透過窓と,その透過窓を介して前記
被処理体に対してエネルギー線を照射するように構成さ
れたエネルギー線発生源と,前記処理室内に配置された
少なくとも1つの温度センサとを備えたエネルギー線加
熱装置において,前記エネルギー線発生源が回転テーブ
ルに設けられた複数の加熱手段から成り,それらの複数
の加熱手段は複数の組に組み分けされ,前記回転テーブ
ルを回動することにより前記加熱手段の各組がその組ご
とに前記被処理体の別個の照射領域に対してエネルギー
線を照射するように構成され,前記温度センサからの出
力に応じて前記加熱手段の各組の照射出力を調節するこ
とが可能であり,かつ,前記加熱手段の照射方向は所定
の方向に調整可能であることを特徴とするエネルギー線
加熱装置が提供される。
を使用することが可能であり、その加熱ランプの光軸を
前記加熱手段の各組毎に所定の方向に調整することによ
り、その組の照射領域を決定するように構成することが
できる。
場合には、前記加熱手段の各組に属する加熱手段の反射
鏡によるエネルギー線反射方向を所定の方向に調整する
ことにより、その組の照射領域を決定するように構成す
ることも可能である。
て前記加熱手段の各組の照射出力を制御するための制御
信号に対して前記加熱手段の各組毎に異なる重み付けを
行い,その際に,その重み付けのための重み係数の組を
予め複数パターン設定しておき,処理条件に応じて最適
な前記重み付けのための重み係数の組が選択されること
を特徴とする,エネルギー線加熱装置が提供される。
めの重み係数は、処理工程、被処理体の種類又は処理雰
囲気のいずれか1つ又は任意の組合わせに応じて選択す
ることが可能である。
分けされた複数の加熱手段を回転することにより、前記
処理体に対して複数の照射軌跡、すなわち加熱照射領域
を形成し、しかも各照射領域毎に加熱照射エネルギーを
個別に調節し,照射方向を調整することが可能である。
その結果、被処理体の迅速かつ均一な加熱及び均一な温
度保持を達成し,容易に照射領域を選定することができ
る。
として加熱ランプを使用しているので、各組の加熱ラン
プの光軸方向を調整することにより容易に照射領域を選
定することが可能であり、加熱ランプの出力調整は容易
に行うことができる。
反射方向の調節だけで容易にエネルギー線の照射領域を
選定することができる。また、加熱ランプと反射鏡とを
合わせて用いることにより、より効率的に温度制御を達
成することができる。
熱ランプの照射出力割合を、予め複数パターン設定され
た重み付け係数の組を適宜選択することにより調整し、
温度センサからの信号と照射出力割合を処理条件に応じ
て最適に関連づけることが可能なので、より少ない入力
によっても、従来よりも正確かつ細やかな温度制御を行
うことが可能である。
係数の組のパターンを変更するだけで、すなわち、温度
センサからの信号と照射出力割合のパターンとの関連付
けを変更するだけて、処理工程、被処理体の種類、処理
雰囲気などの各種処理条件に応じた細やかな温度制御を
行うことが可能である。
プ加熱式CVD装置に適用した実施例を、図1〜図6を
参照しながら説明する。なお、これらの図において同一
の機能を有する構成部材には同一の番号を付して繰り返
しを省略する。
ミニウム製の円筒状真空チャンバと、エネルギー線発生
室2とを備えており、適当な載置手段4により、被処理
体、例えば半導体ウェハ3を上記処理室1内の所定の位
置に載置固定することができるように構成されている。
過材料、例えばサファイヤあるいは石英ガラスから成る
透過窓5が設けられており、後述するエネルギー線発生
源からの熱エネルギーを透過して上記被処理体3を加熱
することが可能なように構成されている。
透過窓5を介して、上記エネルギー線発生室2が取り付
けられており、そのエネルギー線発生室2内には、複数
の加熱手段6が上下2層構造の回転テーブル7A及び7
B上の所定の位置に固定されている。その加熱手段6
は、加熱ランプ8、例えばプッチンランプ、タングステ
ンランプ、あるいはハロゲンランプなどと、反射鏡9と
から構成され、後述するように、それぞれ所定の方向
(I、II、III)に、上記透過窓5を介して、エネ
ルギー線を照射するように構成されている。
転テーブル7A及び7Bは、モータ10を駆動源とする
回転機構11、例えばプーリとベルトの組により、シャ
フト12を中心にして回動することが可能である。
における断面図である図2に示すように、8つの外側円
周配列の加熱ランプ6Aと、4つの内側円周配列6B及
び6Cの2列配列の加熱ランプ群から構成されている。
ただし、上記加熱ランプの数及び配列は例示であって、
本発明は上記例に限定されない。
の光軸及び反射鏡9のエネルギー線反射方向は、上記回
転テーブル7を回転させることにより、図3及び図4に
示すように、図1の装置のB−B断面において、3つの
照射軌跡又は照射領域、I(I’)、II、IIIを形
成するように調整されており、その照射領域ごとに照射
出力を調整することが可能である。
ランプ6B及び6Cは異なる方向に傾斜されており、結
果として、4つの加熱ランプが一対づつ2組に組み合わ
されて(すなわち、外側方向を向く加熱ランプ対6B及
び回転軸方向を向く加熱ランプ対6A)、それぞれ図3
又は図4において、軌跡又は温度分布II(加熱ランプ
対6Bによるもの)又はIII(加熱ランプ対6Cによ
るもの)として示すような、2つのエネルギー線照射領
域を形成している。これに対して外側配列の加熱ランプ
は全て外側方向、すなわちI又はI’方向に傾斜してお
り、結果として、図3又は図4において、軌跡又は温度
分布I(I’)として示すような1つのエネルギー線照
射領域を形成している。
ば、上記回転テーブル7を回動させると、適当に組み合
わされた上記加熱ランプ群6により、例えば図1の装置
のB−B断面において測定した場合に、図4に示すよう
な3つのほぼ同心円状に配置される照射領域が形成さ
れ、その照射領域単位で照射出力を調整することが可能
である。ただし、図示の例では、上記加熱ランプ群6を
3つの照射領域が形成されるように組み合わせて配列し
ているが、本発明は上記例に限定されず、より少数の照
射領域、あるいはより多数の照射領域が形成されるよう
に上記加熱ランプ群を組み合わせることも可能である。
ない処理ガス供給手段により、被処理体3の表面に成膜
処理を行うための処理ガス、例えばタングステン膜を成
膜する場合には六フッ化タングステンが処理ガスを導入
するための処理ガス供給口13より供給される。その処
理ガス供給口13には多孔板14が設置されており、処
理ガスがその多孔板14を介してシャワー状に均一に被
処理体の処理面に注がれるように構成されている。
排気手段により、所定の真空雰囲気、例えば数10To
rrから10-6Torrの所定の値に、排気口15より
真空引きが可能なように構成されている。
測定するための温度センサ19として熱電対が接触して
いる。図示の例では、熱電対は1つだけ設置されている
が、必要な場合には複数の熱電対を設けることも可能で
ある。この熱電対19は、図示しない遮蔽板により上記
加熱ランプ6の光が照射しないように構成されている。
上記熱電対19の分解能は、例えば1℃であり、その出
力電圧は適当なバス手段により制御器20に送られ、本
発明に基づく制御のために使用される。
被処理体3とで囲まれた空間には、不活性ガス供給系1
6、例えばアルゴンガス又は窒素ガス源より、マスフロ
ーコントローラ17により流量調整された不活性ガスが
不活性ガス供給口18より供給されるように構成されて
いる。上記空間に導入された不活性ガスについても、処
理ガスと同様に、上記排気口15より図示しない排気ガ
ス系により排気されるように構成されている。
3の処理中に、上記石英ガラス製透過窓4に供給するこ
とで、上記透過窓4に対する成膜を防止することができ
ると共に、上記半導体ウェハ3の裏面周縁部においてそ
のウェハの温度を測定する上記熱電対19が、上記処理
ガスに触れて劣化するのを防止することができる。
冷却エア導入口21から冷却エアが導入され、室内及び
上記透過窓4の過熱が防止される。さらに必要な場合に
は、上記エネルギー線発生室2の周囲壁部内に冷媒を流
通させることにより、上記透過窓4の過熱を防止して、
上記透過窓4の劣化及びその処理室側表面への成膜を防
止することが可能である。
線加熱装置、すなわちランプ加熱式CVD装置の動作に
ついて簡単に説明する。まず、図示しないゲートバルブ
を開放し、図示しない搬送アームにより、被処理体、例
えば半導体ウェハ3が、排気手段により予め所定の真空
雰囲気に減圧されている処理室1内に搬入され、載置手
段4の所定の位置に載置固定される。その際に、上記半
導体ウェハ3の裏面に温度センサ、例えば熱電対19が
接触するように位置決めされる。
らエネルギー線が透過窓5を介して半導体ウェハ3に照
射され、半導体ウェハ3は短時間で、例えば30秒ほど
で、常温から成膜処理温度、例えば500℃まで急加熱
される。所定の温度に到達した後、処理ガス供給口13
から処理ガスが上記処理室1内に導入され、成膜処理が
行われる。
後、処理ガスの供給が停止され、加熱ランプ6の電源が
落とされる処理室内の処理ガスが排気手段により排気口
15より排気された後、再びゲートバルブが開放され、
搬送アームにより成膜処理が終了した半導体ウェハ3が
外部に搬出される。
CVD装置のランプ加熱の制御方法について説明する。
図1及び図2に示す装置によれば、加熱ランプ6により
照射領域は、図3及び図4に示すように、3つのゾーン
に分かれており、各照射領域ごとにその出力を調整する
ことが可能である。例えば、各照射領域に対する照射出
力を均等にした場合には、図3に示すように、ゾーン
I、II、IIIにおけるピーク値がほぼ一定の値とな
り、そのピーク値対応しての各照射領域部分にある半導
体ウェハ部分ほぼ均一に加熱されることになる。
熱条件は、周囲の処理条件、被処理体の種類、あるいは
処理工程によって大きく変化するため、均一な照射出力
により半導体ウェハの均一な加熱が達成できるものとは
限らない。例えば、条件によっては、周囲の照射出力を
中心の照射出力より高く、あるいは逆に低く設定するこ
とにより、結果的に半導体ウェハの均一な加熱が達成で
きる場合がある。
を用いて、周囲の処理条件、被処理体の種類及び処理工
程に応じて、結果的に半導体ウェハの均一な加熱が達成
できる照射出力をゾーン単位のパワー比として複数パタ
ーン予め設定しておく。さらに、予め設定されたパワー
比のパターンを、図5に示すように、各照射ゾーンに対
するパワーを制御するための制御器からの出力信号と、
それぞれの照射ゾーンに対応する所定の重み係数(K
1、K2、K3…)の組とにより予め関連付けておく。
このような関連付けを予め行うことにより、本発明に基
づく好適な実施例によれば、単一の温度センサを設置す
るのみで、その制御器からの出力に対して、適当に選択
された重み係数の組に基づいて重み付けを行うだけで、
処理工程、被処理体の種類又は処理雰囲気に応じた最適
な半導体ウェハの加熱制御を行うことが可能である。
(0〜S)においては、被処理体を急速にかつオーバー
シュートを最小限に抑えながら、所定の成膜温度にまで
到達させることが好ましい。これに対して、成膜処理工
程(S〜E)においては、被処理体の温度を精度よく均
一に保持するような温度制御が要求される。このよう
に、同じ処理工程においても、要求される制御要求が異
なり、しかもその工程に応じて処理雰囲気(例えば、処
理ガスの有無、圧力の相違)も大きく異なる場合があ
る。かかる場合には、温度センサからの出力は同じであ
っても、異なる温度制御が要求されるため、従来の制御
方法では精度の高い温度制御を達成することができなか
った。
おいても、本発明によれば、処理工程に応じて重み付け
係数(K1、K2、K3…)を変更することにより、同
一の温度センサからの同一の出力に基づいて、処理工
程、被処理体の種類又は処理雰囲気に応じた、最適な温
度制御を達成することが可能である。
な成膜温度条件とする場合には、本発明によれば、準備
加熱モード(0〜S)においては、例えば、外側照射領
域(I)を内側照射領域(II、III)よりも高いパ
ワー比とすることにより、オーバーシュートの少ない急
速加熱を達成することができる。これに対して、成膜時
加熱モード(S〜E)においては、例えば、外側照射領
域(I)を内側照射領域(II、III)よりも小さな
パワー比とすることにより、精度よく温度の均一性を保
持することが可能となる。
べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、スパ
ッタ装置、レーザアニール装置、エッチング装置、アッ
シング装置等に適用することができる。
て半導体ウェハについて説明したが、本発明はこの他に
も液晶基板の製造工程において、ガラス基板等について
も適用することが可能である。
ー線加熱装置によれば、複数の組に組分けされた複数の
加熱手段を回転することにより、前記処理体に対して複
数の照射軌跡、すなわち加熱照射領域を形成し、しかも
各照射領域毎に加熱照射エネルギーを個別に調節するこ
とができるので、被処理体である半導体ウェハの均一な
加熱を迅速に行うことが可能であり、かつ被処理体の温
度を一定に保持することが可能である。そのため、製品
の歩留まり及びスループットの向上を図ることができ
る。
装置によれば、重み付け係数を変更することにより、従
来のものよりも少ない温度センサ入力によっても、より
細やかに被処理体の温度制御を行うことが可能であり、
従って、加熱装置の部品点数を減らし、その製造コスト
を軽減することができる。
例の縦断面図である。
る。
す説明図である。
す説明図である。
である。
すグラフである。
る。
Claims (5)
- 【請求項1】 被処理体を所定位置に位置決め可能な処
理室と,その処理室の壁部の少なくとも一部を構成する
透過窓と,その透過窓を介して前記被処理体に対してエ
ネルギー線を照射するように構成されたエネルギー線発
生源と,前記処理室内に配置された少なくとも1つの温
度センサとを備えたエネルギー線加熱装置において, 前記エネルギー線発生源が回転テーブルに設けられた複
数の加熱手段から成り,それらの複数の加熱手段は複数
の組に組み分けされ,前記回転テーブルを回動すること
により前記加熱手段の各組がその組ごとに前記被処理体
の別個の照射領域に対してエネルギー線を照射するよう
に構成され,前記温度センサからの出力に応じて前記加
熱手段の各組の照射出力を調節することが可能であり,
かつ,前記加熱手段の照射方向は所定の方向に調整可能
であることを特徴とするエネルギー線加熱装置。 - 【請求項2】 前記加熱手段が加熱ランプから成り,前
記加熱手段の各組に属する加熱ランプの光軸を所定の方
向に調整することにより,その組の照射領域が決定され
ることを特徴とする,請求項1に記載のエネルギー線加
熱装置。 - 【請求項3】 前記加熱手段が反射鏡を備え,前記加熱
手段の各組に属する加熱手段の反射鏡によるエネルギー
線反射方向を所定の方向に調整することにより,その組
の照射領域が決定されることを特徴とする,請求項1又
は2に記載のエネルギー線加熱装置。 - 【請求項4】 前記温度センサからの出力に応じて前記
加熱手段の各組の照射出力を制御するための制御信号に
対して前記加熱手段の各組毎に異なる重み付けを行い,
その際に,その重み付けのための重み係数の組を予め複
数パターン設定しておき,処理条件に応じて最適な前記
重み付けのための重み係数の組が選択されることを特徴
とする,請求項1,2あるいは3のいずれか1項に記載
のエネルギー線加熱装置。 - 【請求項5】 前記重み付けのための重み係数の組が,
処理工程,被処理体の種類又は処理雰囲気のいずれか1
つ又は任意の組合わせに応じて選択されることを特徴と
する,請求項4に記載のエネルギー線加熱装置。
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